r>[0187]在这个编码读取步骤中，如图20所示，在布线衬底MPS的下表面WSb被以导轨HD1的支撑部HDlb和导轨HD2的支撑部HD2b支撑，并且同时，布线衬底MPS的上表面WSt的一部分被以导轨HD1的檐口 HDlc覆盖的状态下读取编码MK3。此时，如上所述，导轨HD2没有提供檐口 HDlc。因此，如果编码MK3附加到导轨HD2支撑的部分，可以在视觉上识别编码MK3。另外，如上所述，根据本实施例，通过形成图16所示的坝状物部分DM，可以抑制编码MK3被溢料树脂部分MRf覆盖。因此，如果编码读取器CRD3布置在导轨HD2的保持器HD2b之上，编码读取器CRD3可以获得MK3的图像。
[0188]基于通过编码读取器CRD3获得的图像解码的布线衬底MPS的唯一性信息(衬底ID)被传输到控制服务器CT1。这样，通过在将编码MK2(见图18)附加到密封体MR之前读取编码MK3，可以基于编码MK3的信息产生编码MK2。例如，如在管芯接合步骤中解释的，当布线衬底MPS具有有缺陷的器件区域DVP (见图18)，并且关于有缺陷的器件区域DVP的信息存储在主服务器MS内时，可以在产生编码MK2之前指出有缺陷的器件区域DVP。在这种情况下，可以不形成关于有缺陷的器件区域DVP的编码MK2。可替换地，可以通过加密器件区域DVP有缺陷的信息产生编码MK2。
[0189]例如，可以通过图19所示的控制服务器CT2形成图18所示的每一个器件区域DVP的生产的历史数据和编码MK2之间的相关性。因此，作为本实施例的修改，可以在读取布线衬底MPS的编码MK3之前产生编码MK2。然而，如上所述，就允许容易地识别有缺陷的器件区域DVP而言，优选地，在读取编码MK3之后，基于编码MK3的信息产生编码MK2。
[0190]接着，其编码MK3被读取的布线衬底MPS被沿着图19所示的保持器HD的导轨HD1传输到处理单元PRU，并且在处理单元PRU中，形成标记MK1 (见图18)和编码MK2(见图18)(标记形成步骤)。
[0191]在图19所示的例子中，标记设备MKM具有传送架(夹臂)CLP，其在夹紧被在导轨HD1的延伸方向(图19中的X方向)上保持在保持器HD内的布线衬底MPS的同时传送布线衬底MPS。如图19所示，导轨HD2被在导轨HD1的延伸方向上划分为多个部分，并且传送架CLP被安插在划分的导轨HD2之间。如图21所示，传送架CLP包括按压布线衬底MPS的上表面WSt侧的部分，以及按压下表面WSb侧的部分，从而传送架CLP可以将布线衬底MPS在厚度方向上保持和固定在其间。另外，如以图19中的箭头示意地所示，传送架CLP可以沿着导轨HD1的延伸方向移动。因此，布线衬底MPS被保持在传送架CLP内，沿着导轨HD1的延伸方向移动。
[0192]另外，在图19所示的例子中，在标记设备MKM的处理单元PRU中提供激光照射设备LSI。根据本实施例，如图21所示，通过从作为光源的激光照射设备LSI向密封体MR的上表面MRt照射激光光束Lzl形成图18所示的标记MK1和编码MK2。特别地，当向密封体MR的上表面MRt照射激光光束Lzl时，密封体MR的上表面MRt的一部分被去除。结果，在密封体MR的上表面MRt中，分别铭刻标记MK1 (见图18)和编码MK2 (见图18)，标记MK1和编码MK2是凹凸面。
[0193]此时，如上所述，如果布线衬底MPS中存在有缺陷的器件区域DVP (见图18)，可以不在所涉及的器件区域DVP内形成标记MK1和编码MK2。在这种情况下，因为激光照射的时间缩短了，可以减少所需的能量。另外，通过缩短处理时间，可以提高生产率。
[0194]当在图18所示的一个器件区域DVP中确认标记MK1和编码MK2的标记处理的完成时，该结果被通过控制服务器CT2存储在主服务器MS内(见图19)。此时，图18所示的标记处理中的生产的历史数据和作为每一个产品的唯一标识信息(产品ID)的编码MK2被彼此关联。例如，记录以标记设备MKM基于标记方法(RMK001)给在衬底ID为"K001"的布线衬底MPS中的位置〃X01Y01〃处生产的具有产品ID〃DV001”的产品做标记。
[0195]另外，在图19所示的例子中，在不同位置处执行使用编码读取器CRD3和CRD4读取编码MK3的步骤和将该编码附加到密封体MR的步骤。在这种情况下，可以对布线衬底MPS连续地施加处理。然而，作为修改，标记MK3可被读入处理单元PRU。在这种情况下，可以使用编码读取器CRD3和CRD4中的一个。
[0196]然后，在相同的布线衬底MPS中，当确定可以形成附加标记MK1和编码MK2时，处理进入布线衬底MPS中的下一个处理目标位置，并且重复标记处理。
[0197]在另一方面，当确定相同布线衬底MPS的所有处理(在这种情况下，标记)都结束了时，经过标记的第一布线衬底MPS被从标记设备MKM的处理单元PRU传递到卸载部分。
[0198]随后，如图19所示，使用卸载部分的编码读取器CRD4读取布线衬底MPS的编码MK3。然后，通过控制服务器CT2在主服务器MS中查看衬底ID。然后，做为查看的结果，当确认该衬底ID对应于使用装载部分的编码读取器CRD3读取的衬底Id时，控制服务器CT2允许在机架LK2中接收该布线衬底MPS。
[0199]另外，做为上面的查看的结果，当确认衬底ID不对应于以装载部分的编码读取器CRD3读取的衬底ID时，该状态被确定为异常，并且停止处理。S卩，停止管芯接合，并且在监测器上显示错误的内容。
[0200]经过标记步骤的布线衬底MPS被接收在机架LK2内，并且接收布线衬底MPS的结果被通过控制服务器CT2存储在主服务器MS内。然后，进行检查以便查看机架LK2是否已满。当确定机架LK2未满，即，机架LK2能够接收更多布线衬底MPS时，重复接收到机架LK2内的处理，直到确定机架LK2已满。
[0201]另外，在图19所示的例子中，标识信息不被附加到机架LK2上。然而，作为修改，可以给机架LK2附加标识信息。在这种情况下，通过读取用符号表示附加在机架LK2上的标识信息而形成的编码，并且将其通过控制服务器CT2存储在主服务器MS内，可以按机架LK2为单位管理生产的历史数据。
[0202]另外，作为本实施例的修改，在卸载部分中，可以使用编码读取器CRD4读取图18所示的编码MK2。在这种情况下，可以确定是否在标记步骤正确地形成了编码MK2。
[0203]<球安装步骤>
[0204]接着，在图4所示的球安装步骤中，在布线衬底MPS的下表面WSb上，焊料球(焊料材料)SB (见图2)被分别接合到从绝缘膜SR2 (见图12)暴露出来的接合盘LD (见图12)。在这个步骤中，例如，使得布线衬底MPS的下表面WSb面向上，通过在接合盘LD上布置球状焊料材料并且施加热处理(回流处理)，接合接合盘LD和焊料球SB。
[0205]<划分为片步骤>
[0206]接着，在图4所示的划分为片步骤中，沿着图18所示的切割区域DC切割布线衬底MPS和密封体MR，并且在器件区域DVP中的每一个内，分离半导体封装。作为切割方法，可以采用刀片切割方法。根据刀片切割方法，其边缘粘附了磨料粒的盘旋转并且沿着切割区域DCP移动。另外，在这个步骤中获得的半导体封装是将被在图4所示的测试步骤中测试的测试体。
[0207]<测试步骤>
[0208]接着，在图4所示的测试步骤中，进行诸如外观检查和电特性测试的必需的测试，并且拾取满足事先制定的评价标准的无缺陷产品。另外，无缺陷产品，即，图1所示的半导体器件PKG1被发货或者安装在封装衬底(未示出)上。另外，取决于缺陷的内容，不满足该评价标准的有缺陷的产品被适当地修复或者废弃。
[0209]<坝状物部分的细节>
[0210]接着，关于在密封步骤中解释的坝状物部分DM，将描述其详细配置。另外，在本节中，除了图16所示的坝状物部分的配置之外，将解释典型的修改。图22是沿着图16的线A-A取得的放大截面图。另外，图23到25是示出了作为图22所示的实施例的修改的坝状物部分的放大截面图。另外，图26是示出了作为图16所示的实施例的修改的坝状物部分的放大平面图。
[0211]如图16和图22所示，在标记区域MKR和器件区域DVP之间形成坝状物部分DM，其可被如下更具体地描述。即，在密封体MR的主体MRm和标记区域MKR之间形成坝状物部分DM ο
[0212]例如，如图22所示，在器件区域DVP和框架区域FR之间的切割区域DCP中，可能存在这样的情况，其中绝缘膜SR1和绝缘膜SR1的下层内的金属图案被去除，并且沿着切割区域DCP形成沟槽图案TR。然而，如图22所示，相比于沟槽图案TR，密封体MR的主体MRm的一部分在布线衬底MPS的边缘部分的较外侧形成。因此，为了中断溢料树脂部分MRf的扩散，在本实施例中，形成与在密封体MR的主体MRm和标记区域MKR之间的切割区域DCP内形成的沟槽图案TR不同的坝状物部分DM。S卩，图16所示的坝状物部分DM是用于中断围绕密封体MR的主体MRm扩散的溢料树脂部分MRf的中断图案。另外，出于类似的原因，如图13所示，在密封步骤中，不以空腔MTlb覆盖坝状物部分DM。
[0213]另外，图22所示的坝状物部分DM是通过以绝缘膜SR1覆盖布线衬底MPS的上表面WSt侧，并且去除绝缘膜SR1和绝缘膜SR1的下层中的金属层的一部分形成的沟槽图案。作为用于去除绝缘膜SR1和金属层ML1的一部分的方法，有使用光刻技术通过蚀刻去除的方法和通过向将被去除的部分照射激光光束的去除方法。
[0214]如图23所示的修改的坝状物部分DM1中，当用于形成坝状物部分DM1的区域内的金属层ML1被事先去除以便形成沟槽图案，并且绝缘膜SR1被形成为覆盖该沟槽图案时，根据金属层ML1的形状，绝缘膜SR1成为坝状物部分DM1凹入的形状。
[0215]然而，当形成作为沟槽图案的坝状物部分DM时，如图22所示，由于沟槽图案边缘部分(图22所示的边缘部分DME)处的表面张力，配置溢料树脂部分MRf的树脂具有拦蓄倾向。由于表面张力而停止的树脂改变其扩散方向，并且如图16所示，其围绕坝状物部分DM的周边扩散。当在沟槽图案的边缘处形成表面的扩展方向急剧改变的边缘部分DME时，这种表面张力的影响变得更大。另外，随着边缘部分DME的角度变得尖锐，表面张力的影响变得更大。
[0216]在另一方面，如图23所示的坝状物部分DM1中，当根据下层中的金属层ML1的图案形成沟槽图案的边缘部分时，难以形成图22所示的边缘部分DME，并且坝状物部分DM的边缘部分变为一个端面。在这种情况下，如图23所示，形成溢料树脂部分MRf的树脂更容易进入沟槽图案。
[0217]因此，就使得更容易通过表面张力防止树脂的扩散而言，如图22所示，优选地，以在沟槽图案的边缘处形成锐角的边缘部分DME的方法形成坝状物部分DM。如上所述，在通过使用光刻技术或者通过使用激光照射去除绝缘膜SR1的至少一部分的方法形成沟槽图案的情况下，如图22所示的坝状物部分DM，可以更容易地形成边缘部分DME。
[0218]关于坝状物部分DM，如果去除上表面WSt侧上的绝缘膜SR1的至少一部分，则不需要去除金属层ML1。因此，例如，如图24所示的坝状物部分DM2，即使在去除绝缘膜SR1并且不去除金属层ML1的沟槽图案的情况下，当树脂可被以边缘部分DME拦蓄时，可以获得与图22所示的坝状物部分DM的情况相同的效果。
[0219]然而，如图22所示，当通过去除绝缘膜SR1和金属层ML1两者形成坝状物部分DM时，可以加深坝状物部分DM的沟槽深度。在这种情况下，即使树脂进入沟槽图案内部，也可以抑制进入标记区域MKR同时扩展超出沟槽图案的树脂。
[0220]在图22到24中，解释了关于通过作为沟槽图案的坝状物部分DM，DM1和DM2控制树脂的扩散方向的方法。然而，如图25所示的坝状物部分DM3，可以在标记区域MKR和密封体MR的主体MRm之间提供在布线衬底MPS的上表面WSt方向上突出的突出部件。
[0221]如在坝状物部分DM3的情况下，当形成包括突出部件的坝状物部分DM3时，坝状物部分DM变得容易与图13所示的模制设备MT的模具面MTla紧密接触。因此，虽然配置溢料树脂部分MRf的树脂容易扩散到坝状物部分DM3的顶部附近，可以抑制扩展超过坝状物部分DM3的树脂的扩散。另外，在包括突出部件的坝状物部分DM3的情况下，通过使得图13的模制设备MT与坝状物部分DM3紧密接触抑制树脂的扩散。因此，与图22到24所示的坝状物部分DM，DM1和DM2相比，树脂的拦蓄效果更好。
[0222]例如，在形成绝缘膜SR1之后，可以通过使用掩模(未示出)在绝缘膜SR1上形成坝状物部分DM3。可替换地，可以事先模制坝状物部分DM3，并且可以通过粘附接合到绝缘膜SR1上。可替换地，作为图25的实施例的修改，在将形成金属层ML1上的坝状物部分DM3的区域内，在形成突出部件(未示出)之后，通过形成绝缘膜SR1以便覆盖该突出部件，可以形成包括绝缘膜SR1的坝状物部分DM3。
[0223]未示出坝状物部分DM3的平面形状，因为它与图16的坝状物部分DM的形状相同。然而，如图16所示的坝状物部分DM，当图25所示的坝状物部分DM3被选择性地形成为围绕标记区域MKR的周边时，树脂很可能渗入坝状物部分的外围区域内，并且溢料树脂部分MRf可能广泛地扩散。因此，就减少在一个布线衬底MPS内形成的溢料树脂部分MRf的数量而言，如图22到24所示，包括沟槽图案的坝状物部分DM，DM1和DM2是更优选的。
[0224]接着，将描述图16所示的坝状物部分DM的平面形状。如图16所示，在框架区域FR的区域FR2内，选择性地形成坝状物部分DM，以便围绕标记区域MKR的周边。然而，标记区域MKR的外边缘部分与布线衬底MPS的侧边MPs2接触，并且不在侧边MPs2侧形成坝状物部分DM。换言之，配置布线衬底MPS的边缘部分的侧边MPs2和坝状物部分DM围绕标记区域MKR。
[0225]另外，坝状物部分DM包括:沿着侧边MPs2的延伸方向(图16中的X方向)延伸的部分(长边部分)DMpl ;沿着与侧边MPs2的延伸方向正交的方向(图16的Y方向)延伸的部分(第一短边部分)DMp2 ;和沿着Y方向延伸的与部分DMp2相对的部分(第二短边部分)DMp3。另外，部分DMp2和DMp3的一端与部分DMpl接合，并且另一端延伸到布线衬底MPS的侧边MPs2。即，配置布线衬底MPS的外边缘部分的侧边MPs2和坝状物部分DM连续地围绕标记区域MKR。
[0226]虽然未示出，作为图16所示的实施例的修改，可以构想坝状物部分DM的部分DMp2和DMp3中的任意一个或者两者不到达布线衬底MPS的侧边MPs2的模式。然而，如图16所示，通过以坝状物部分DM和侧边MPs2连续地围绕标记区域MKR，可以防止扩散方向被坝状物部分DM改变的树脂形成迂回部并且进入标记区域MKR。
[0227]另外，在图16所示的例子中，分别以直线方式形成坝状物部分DM的部分DMpl，DMp2和DMp3。以这种方式，当以直线方式分别形成部分DMpl，DMp2和DMp