3时，容易形成沟槽图案。
[0228]坝状物部分DM的部分DMpl，DMp2和DMp3的平面配置包括图16所示的直线形式之外的各种修改。例如，图26所示的坝状物部分DM4，部分DMp2和DMp3从各自与部分DMpl的接合点以蜿蜒方式沿着Y方向向着侧边MPs4延伸。在坝状物部分DM4的情况下，配置扩散并且到达布线衬底MPS的侧边MPs2的溢料树脂部分MRf的树脂的路线距离变得比图16所示的坝状物部分DM长。因此，布线衬底MPS的侧面不太可能被树脂弄脏。
[0229]<其它修改>
[0230]已经基于某些实施例具体地描述了本发明人的发明。然而本发明不局限于这些实施例或受这些实施例的限制，而是可以各种方式改变，而不脱离本发明的范围。
[0231]〈修改1>
[0232]例如，在上面所述的实施例中，作为关于衬底ID的信息被加密的图形符号的一个模式，作为例子使用图16的编码MK3进行了解释。然而，存在可以应用上面的技术的图形符号的各种修改。例如，类似于图1所示的编码MK2，可以为图16所示的编码MK3使用具有定位图形(finder pattern)的二维编码。
[0233]另外，例如，当不具有Y方向的信息的一维编码被附加到图16所示的标记区域MKR时，与作为二维编码的编码MK3相比，信息的数量减少了。尽管如此，即使当一维代码的一部分被树脂覆盖时，也可以改进读取能力。然而，如上所述，就增加可以从一个布线衬底MPS获得的产品的数目而言，优选地，附加每单位面积具有大量信息的二维编码。
[0234]< 修改 2>
[0235]另外，例如，在上面的实施例中，在密封步骤中，解释了关于在沿着布置模制设备MT (见图15)的出口部分VT (见图14)的侧边MPs2(见图14)的区域FR2(见图14)内提供标记区域MKR的情况。然而，作为修改，如果图14所示的框架区域FR的标记区域MKR可被布置在区域FR1，FR3或者FR4中的一个内，可以在区域FR1，FR3或者FR4内提供标记区域MKRo
[0236]如在上面的实施例中描述的，当使用模制装置MT(图15)通过转移模制方法形成密封体MR(见图14)时，配置图16所示的溢料树脂部分MRf的树脂容易沿着出口部分VT(见图15)扩散。因此，在密封步骤中，如果标记区域MKR被布置在未布置出口部分VT的区域FR1，FR3或者FR4中，则易于抑制树脂进入标记区域MKR。
[0237]然而，如上所述，就增加从一个布线衬底MPS获得的产品的数目而言，优选地，在区域FR3和FR4中，布线衬底MPS的边缘部分和密封体MR的主体MRm之间的距离是短的。另外，因为入口图案GTp (见图5)布置在区域FR1内，其空白空间比区域FR2少。另外，在根据转移模制方法的密封步骤中，在不布置出口部分VT的侧边处，与布置出口部分VT的侧边相比，树脂不太可能扩散。然而，即使在不布置出口部分VT的侧边的情况下，取决于树脂的流动性和提供压力的情况或者模制装置和布线衬底MPS之间的紧密接触的情况，树脂也可能渗漏。因此，即使标记区域MKR被布置在区域FR1，FR3或者FR4内，优选地，在标记区域MKR和密封体MR的主体MRm之间提供图16和22所示的坝状物部分DM或者上面所述的每一个修改的坝状物部分，并且控制溢料部分MRf扩散的方向。
[0238]< 修改 3>
[0239]另外，例如，在上面的实施例中，作为半导体器件的一个例子，使用具有布线衬底WS的BGA类型半导体器件PKG1进行了解释，在布线衬底WS中形成有绝缘层，在绝缘层内形成的布线，和在绝缘层内形成的端子。然而，可以获得半导体器件的封装模式的各种修改。例如，作为在上面的实施例中描述的基体材料提供步骤中提供的基体材料，取代布线衬底，可以使用诸如引线框架的金属基体材料。
[0240]当使用诸如引线框架的金属部件作为基体材料时，与布线衬底MPS相比，可以获得基体材料的更高的平整度。另外，即使当被强力按压时，诸如引线框架的金属基体材料不太会具有导线断路等。因此，在密封步骤中，当使用模制装置MT(见图15)压紧基体材料时，可以改进按压力(压制力)。因此，当使用金属基体材料时，在密封步骤中，可以改进图15所示的模具面MTla和基体材料之间的紧密接触，从而抑制密封步骤中的树脂泄露。
[0241]另外，类似于上面的实施例，作为使用布线衬底MPS作为基体材料的半导体器件的修改，已知一种LGA(接合盘格栅阵列)类型，其中不耦连图2所示的焊料球SB，并且焊盘被暴露出来(或者在接合盘LD的暴露表面上形成焊料膜)。在外部端子布置为布线衬底WS的封装表面上的矩阵形状的所谓区域阵列类型半导体器件(诸如BGA和LGA)中，半导体器件封装表面可被有效地用作端子的布置空间。因此，与使用引线框架制造的QFP(四方扁平封装)和QFN(四方扁平无引线封装)相比，可以增加单位面积的端子数目。
[0242]< 修改 4>
[0243]另外例如，在上面的实施例中，进行了关于导线BW被用作电耦连半导体芯片CP和布线衬底WS的导电部件的模式的解释。然而，存在电耦连半导体芯片CP和布线衬底WS的方法的各种修改。例如，在图2所示的半导体芯片CP的表面CPt与布线衬底WS的上表面WSt相对的状态下，半导体芯片CP可被使用所谓的倒装接合方法安装在布线衬底WS上。在这种情况下，半导体芯片CP通过耦连到半导体芯片CP的焊盘ro的多个凸起电极(未示出)与布线衬底WS电耦连。
[0244]如在上面的实施例中描述的，当使用导线BW电耦连半导体芯片CP和布线衬底WS时，在密封步骤中，当提高树脂的提供压力时，可能产生所谓的“导线变形(wire sweep) ”的现象，其中由于树脂的压力，导线BW的环路形状产生变形。如上面的实施例中描述的，在导线BW的直径小的情况下，特别易于出现变形。因此，在密封步骤中，为了减小树脂的提供压力，产生了提高树脂的流动性的需要。结果，在密封步骤中，树脂趋于渗漏到模制装置MT的空腔MTlb (见图15)的外部，并且图16所示的溢料树脂部分MRf趋于容易扩散。
[0245]在另一方面，如上面的修改，当电耦连半导体芯片CP和布线衬底WS而不使用导线BW时，不必考虑导线变形。因此，可以提高树脂的提供压力。在这种情况下，通过提高树脂的粘度，树脂变得不太可能渗漏。
[0246]< 修改 5>
[0247]另外，例如，在上面的实施例中，作为形成密封体MR的方法，作为例子描述了 MAP方法，其中形成用于共同覆盖器件区域DVP的密封体MR。然而，作为修改，可以采用单片模制(piece mold)法，其中空腔布置在器件区域DVP中的每一个内，并且为每一个器件区域DVP单独地形成密封体。图27是示出了关于图13所示的实施例的修改的放大截面图。
[0248]当采用单片模制法时，如图27所示的修改，空腔MTlb不与切割区域DCP重叠，并且被布置在器件区域DVP内部。因此，通过单片模制法形成的密封体MR2的主体MRm不与切割区域DCP重叠，并且被形成在器件区域DVP内部。
[0249]即，在单片模制法的情况下，与图13所示的MAP方法的例子相比，密封体MR2的主体MRm和标记区域MKR之间的距离变长了。因此，在单片模制法的情况下，与MAP模制法的情况相比，溢料树脂部分MRf (见图16)不太可能到达标记区域MKR。
[0250]< 修改 6>
[0251 ] 另外，例如，在上面的实施例中，在图4所示的制造步骤中的每一个内，进行了关于在处理前后读取标记MK3的模式的解释。然而，不限于在所有处理前后读取标记MK3的模式。例如，在被确定为对于生产的历史数据的管理来说不太重要的制造步骤中，可以跳过读取标记MK3的步骤。另外，就记录衬底ID和执行处理而言，可以在处理之前或之后读取标记MK3。
[0252]另外，如在管芯接合步骤中参考图10解释的方法，在上面的实施例中描述的球安装步骤和划分为片步骤中，可以包括读取附加到布线衬底MPS的编码MK3，并且将读取的信息(衬底ID)存储在具有存储器的主服务器MS内的步骤。
[0253]然而，因为跨越切割区域DCP形成图16所示的编码MK3，不能在划分为片步骤之后读取编码MK3。在这种情况下，可以通过读取附加到图1所示的密封体MR的编码MK2识别生产的历史数据。
[0254]< 修改 7>
[0255]虽然上面描述了各种类型的修改，这些修改可被彼此组合应用。
[0256]另外，下面将描述这些实施例在中公开的内容的一部分。
[0257](1)制造半导体器件的方法包括步骤:(a)提供基体材料，所述基体材料具有第一表面，在第一表面内形成的多个器件区域，在第一表面内并且在器件区域外提供的框架区域，和在框架区域内提供的标记区域，其中第一表面具有第一侧和与第一侧相对的第二侧；所述框架区域具有位于器件区域和第一侧之间的第一区域，以及第一区域之外的第二区域，(b)在步骤(a)之后，将第一标识信息附加到在第二区域内提供的标记区域，并且将第一标识信息存储在服务器内，(c)在步骤(b)之后，分别在器件区域内安装多个半导体芯片，(d)在步骤(c)之后，以树脂密封半导体芯片，并且通过使用第一金属模具和第二金属模具压紧基体材料，使得半导体芯片位于在第一金属模具内提供的空腔内，并且从基体材料的第一侧一侧向空腔内提供树脂，形成密封体，(e)在步骤(d)之后，读取第一标识信息，和(f)在步骤⑷之后，新将第二标识信息附加到密封体，其中，在步骤⑷之前，在标记区域和框架区域的器件区域之间形成坝状物部分。
【主权项】
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤: (a)提供基体材料，所述基体材料具有:第一表面，在所述第一表面内形成的多个器件区域，分别安装在所述多个器件区域内的多个半导体芯片，在所述第一表面内并且在所述多个器件区域外设置的框架区域，在所述框架区域的一部分内设置的标记区域，和附加到所述标记区域的第一标识信息， 其中所述第一表面具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧； 其中所述框架区域具有位于所述器件区域和所述第一侧之间的第一区域和所述框架区域之外的第二区域；和 其中所述标记区域被设置在所述第二区域内； (b)在步骤(a)之后，通过使用第一金属模具和第二金属模具压紧所述基体材料，使得所述多个半导体芯片被定位在设置于所述第一金属模具内的空腔内部，并且从所述基体材料的第一侧的一侧向所述空腔内供应树脂，从而以树脂密封多个半导体芯片并且形成密封体； (C)在步骤(b)之后，读取所述第一标识信息；和 (d)在步骤(b)之后，新将第二标识信息附加到所述密封体， 其中，在步骤(b)之前，在所述框架区域的所述标记区域和所述多个器件区域之间形成坝状物部分。2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述第一金属模具具有:与所述空腔连通的入口部分，和通过所述空腔布置在所述入口部分的相对侧上并且与所述空腔连通的出口部分； 其中，在步骤(b)，从布置在所述基体材料的第一侧一侧上的所述入口部分供应树脂，并且从布置在所述基体材料的第二侧一侧上的所述出口部分排出所述空腔内部的气体；并且 其中所述框架区域的所述第二区域被定位在所述第二侧和所述多个器件区域之间。3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述基体材料是布线衬底，所述布线衬底具有绝缘层，在所述绝缘层内形成的多个导线，和在所述绝缘层内形成的多个端子。4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述基体材料是布线衬底，所述布线衬底具有在所述第一表面侧上形成的第一绝缘膜； 其中在所述基体材料的第一侧一侧上形成多个入口图案，所述入口图案是从所述第一绝缘膜暴露出来的金属图案，并且被在步骤(b)中布置在与所述树脂的供应端口重叠的位置； 其中，在所述基体材料的第二侧一侧，形成多个出口图案，所述出口图案是在所述第一绝缘膜内形成的沟槽图案，并且被在步骤(b)中布置在与所述空腔内部的气体的输出口重叠的位置；并且 其中，在所述基体材料的第一侧和第二侧的延伸方向上，所述多个入口图案中的每一个的宽度大于所述多个出口图案中的每一个的宽度。5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其中所述框架区域的所述第二区域被定位在所述第二侧和所述多个器件区域之间。6.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其中所述出口图案被形成在所述第二区域内；并且 其中，所述标记区域形成在所述多个出口图案中的相邻出口图案之间。7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述半导体芯片通过多个导线与在所述基体材料内形成的多个端子电耦连，并且 其中，在步骤(b)，通过以所述树脂密封所述空腔内的所述半导体芯片和所述导线来形成所述密封体。8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述坝状物部分是在所述基体材料的所述第一表面内形成的沟槽图案。9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述基体材料是布线衬底，所述布线衬底具有:绝缘层，在所述绝缘层内形成的多个布线，在所述绝缘层内形成的多个端子，和在所述第一表面的一侧覆盖所述布线的第一绝缘膜， 其中所述坝状物部分是通过去除所述第一绝缘膜形成的沟槽图案。10.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述基体材料的所述第一表面是四边形的； 其中所述坝状物部分具有:沿着第一方向延伸的第一部分，其中形成所述标记区域的一侧在所述第一方向上延伸；沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸的第二部分；和与所述第二部分相对并且沿着所述第二方向延伸的第三部分，并且 其中所述第二部分和第三部分中的每一个的一端连接到所述第一部分，并且另一端延伸到形成所述标记区域的所述一侧。11.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中所述第一部分、第二部分和第三部分中的每一个以直线方式延伸。12.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中所述第二部分和第三部分中的一个或者两者以蜿蜒方式向着所述第二方向延伸。13.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，在步骤(b)中，在所述基体材料被布置在所述第一金属模具和所述第二金属模具之间从而使得所述器件区域被定位在所述空腔内部的状态下，通过共同密封所述器件区域形成所述密封体。
【专利摘要】改进了在半导体器件内形成的编码的读取可靠性。根据一个实施例的制造半导体器件的方法包括在多个器件区域DVP内形成密封体的步骤，在布线衬底的器件区域DVP外部形成编码(第一标识信息)MK3。另外，根据一个实施例的半导体器件的制造方法包括在形成密封体MR之后，读取编码MK3，并且将另一编码(第二标识信息)附加到密封体MR的步骤。另外，在形成密封体的步骤之前，在形成编码MK3的标记区域MKR和器件区域DVP之间形成坝状物部分DM。
【IPC分类】H01L23/544, H01L21/56
【公开号】CN105244290
【申请号】CN201510393638
【发明人】铃木昌克, 斋藤浩儿, 大武守
【申请人】瑞萨电子株式会社
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年7月7日
【公告号】US9293383, US20160005665, US20160172307