根据具体工艺需求可以为进行湿法清洗；腔体腐蚀和覆膜；H2烘烤；优选的，该硬掩膜的材质为氮化娃。
[0034]步骤二，在开启刻蚀气体的沉积条件下于锗硅生长区形成第一锗硅堆叠；其中，第一锗硅堆叠包括按照从下至上的顺序依次设置的子晶层、锗硅层和硅帽层，由于于硅片上依次沉积该子晶层、锗硅层和硅帽层的步骤为本领域技术人员所熟知，在此便不予赘述。
[0035]在本发明的一个优选的实施例中，该步骤二具体包括:首先将硅片传输至沉积腔体中；其次在开启刻蚀气体的沉积条件下于锗硅生长区沉积形成第一锗硅堆叠，然后将硅片移出沉积腔体，并对第一锗硅堆叠进行量测以获取第一锗硅堆叠的厚度。
[0036]步骤三，在关闭刻蚀气体的沉积条件下于锗硅生长区形成第二锗硅堆叠，其中，第二锗硅堆叠包括按照从下至上的顺序依次设置的子晶层、锗硅层和硅帽层。在本发明的实施例中，步骤三中的沉积条件除关闭了刻蚀气体外，其他沉积条件均与步骤二中均相同，且步骤三中沉积形成所述第一锗硅堆叠和上述步骤二中沉积形成第二锗硅堆叠的沉积时间相同。
[0037]在本发明的一个优选的实施例中，该步骤二具体包括:首先将硅片再次传输至沉积腔体中；其次在关闭刻蚀气体的沉积条件下于锗硅生长区沉积形成第二锗硅堆叠，然后将硅片移出沉积腔体，并对第二锗硅堆叠堆叠进行量测以获取第二锗硅堆叠的厚度。
[0038]步骤四，根据第一锗硅堆叠和第二锗硅堆叠的厚度获取刻蚀气体的刻蚀速率，假设在上述步骤二和步骤三中，第一锗硅堆叠的厚度计做A，第二锗硅堆叠的厚度计做B，则刻蚀气体的刻蚀速率为(B-2A)/沉积时间，其中沉积时间的单位为秒(S)。
[0039]步骤五，通过监控刻蚀气体的刻蚀速率侦测硬掩膜上的锗硅残留；对刻蚀气体的刻蚀速率进行长期的监控，并定出合理的波动范围(可根据具体工艺中的经验值设定出该刻蚀速率合理的波动范围)，即可长期监控以防止沉积锗硅残留的存在。
[0040]在本发明一个优选的实施例中，第一锗硅堆叠和第二锗硅堆叠均包括按照从下至上的顺序依次设置的子晶层、锗硅层和硅帽层。
[0041]本发明公开了一种侦测锗硅残留的方法，通过在开启刻蚀气体的沉积条件下对硅片进行锗硅沉积形成第一锗硅堆叠后，继续在关闭刻蚀气体的条件下对该硅片再次进行锗硅沉积形成第二锗硅堆叠，并根据第一锗硅堆叠和第二锗硅堆叠的厚度推算出刻蚀气体的刻蚀速率，之后对刻蚀气体的刻蚀速率进行长期的监控，定出合理的波动范围，即可长期监控以防止沉积锗硅残留的存在；该方法能有效的侦测锗硅沉积工艺在硬掩膜上的残留，从而保证产品的安全。
[0042]本领域技术人员应该理解，本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现变化例，在此不做赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
[0043]以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种侦测锗硅残留的方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤S1，提供一硅片，所述硅片的表面设置有硬掩膜和锗硅生长区； 步骤S2，在开启刻蚀气体的沉积条件下于所述锗硅生长区形成第一锗硅堆叠； 步骤S3，在关闭所述刻蚀气体的沉积条件下于所述锗硅生长区形成第二锗硅堆叠；步骤S4，根据所述第一锗硅堆叠和所述第二锗硅堆叠的厚度获取所述刻蚀气体的刻蚀速率； 步骤S5，通过监控所述刻蚀气体的刻蚀速率侦测所述硬掩膜上的锗硅残留。2.如权利要求1所述的侦测锗硅残留的方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括: S21，将所述硅片传输至沉积腔体中； S22，在开启所述刻蚀气体的沉积条件下于所述锗硅生长区沉积形成所述第一锗硅堆置; S23，将所述硅片移出所述沉积腔体，并对所述第一锗硅堆叠进行量测以获取所述第一锗硅堆叠的厚度。3.如权利要求2所述的侦测锗硅残留的方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括: S31，将所述硅片再次传输至所述沉积腔体中； S22，在关闭所述刻蚀气体的沉积条件下于所述锗硅生长区沉积形成所述第二锗硅堆置; S23，将所述硅片移出所述沉积腔体，并对所述第二锗硅堆叠堆叠进行量测以获取所述第二锗硅堆叠的厚度。4.如权利要求1所述的侦测锗硅残留的方法，其特征在于，所述步骤S2中沉积形成所述第一锗硅堆叠和所述步骤S3中沉积形成所述第二锗硅堆叠的沉积时间相同。5.如权利要求1所述的侦测锗硅残留的方法，其特征在于，所述硅片为光片或图形片。6.如权利要求1所述的侦测锗硅残留的方法，其特征在于，所述第一锗硅堆叠和所述第二锗硅堆叠均包括按照从下至上的顺序依次设置的子晶层、锗硅层和硅帽层。7.如权利要求1所述的侦测锗硅残留的方法，其特征在于，所述硬掩膜的材质为氮化娃。
【专利摘要】本发明涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种侦测锗硅残留的方法，通过在开启刻蚀气体的沉积条件下对硅片进行锗硅沉积形成第一锗硅堆叠后，继续在关闭刻蚀气体的条件下对该硅片再次进行锗硅沉积形成第二锗硅堆叠，并根据第一锗硅堆叠和第二锗硅堆叠的厚度推算出刻蚀气体的刻蚀速率，之后对刻蚀气体的刻蚀速率进行长期的监控，并定出合理的波动范围，即可长期监控以防止沉积锗硅残留的存在；该方法能有效的侦测锗硅沉积工艺在硬掩膜上的残留，从而保证产品的安全。
【IPC分类】H01L21/66
【公开号】CN105280514
【申请号】CN201510663115
【发明人】成鑫华, 周海锋
【申请人】上海华力微电子有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年10月14日