侧的侧面形成有晶圆W的输入输出口 202b，在输入输出口202b上设有开闭器202c。例如在粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32中产生的磨削肩有时绕过晶圆W而附着于支承基板S的背面SB，在支承基板清洗装置202中，对该支承基板S的背面SB进行清洗。
[0092]在支承基板清洗装置202的壳体202a内，例如，一边使晶圆W(支承基板S)旋转，一边向支承基板s的背面$上供给纯水并使例如具有刷子的刷洗清洗件抵接于该背面s BO于是，利用纯水和刷洗清洗件来清洗支承基板S的背面SB。此外，该支承基板清洗装置202的壳体202a内的结构能够采用各种结构。在本实施方式中，采用通常的刷洗清洗装置的结构，省略其详细的说明。
[0093]接下来，说明图7所示的晶圆处理系统1中的晶圆W的薄化处理。如在所述实施方式中说明那样，将晶圆W输送到粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32中，在各装置中对晶圆W进行规定的处理。
[0094]利用晶圆输送装置60的第1输送臂61将由损伤层去除装置32去除了损伤层后的晶圆W输送到插塞暴露装置200中。在插塞暴露装置200中，对晶圆W的背面WB进行湿蚀刻，如所述那样，将晶圆W的背面WB薄薄地磨削而使插塞P自该背面W B暴露。
[0095]接下来，利用晶圆输送装置60的第1输送臂61将晶圆W输送到晶圆清洗装置33中，利用纯水对晶圆W的背面WB进行清洗。
[0096]接下来，利用晶圆输送装置60的第1输送臂61将晶圆W输送到翻转装置201中。在翻转装置201中，将晶圆W的表面和背面翻转而使支承基板S的背面SB朝向上方。
[0097]在此，在所述实施方式中，利用晶圆输送装置60的第2输送臂62来输送背面评0皮晶圆清洗装置33清洗后的晶圆W，但在本实施方式中，利用第1输送臂61来输送背面评0皮晶圆清洗装置33清洗后的晶圆W。在本实施方式中，在后续的支承基板清洗装置202中，对支承基板S的背面$进行清洗，在晶圆清洗装置33中，刚被清洗后的晶圆W尚未被污染。因此，将晶圆W自晶圆清洗装置33向翻转装置201输送时，使用第1输送臂61。
[0098]接下来，利用晶圆输送装置60的第1输送臂61将晶圆W输送到支承基板清洗装置202中。在支承基板清洗装置202中，利用纯水和刷洗清洗件对支承基板S的背面$进行清洗。
[0099]接下来，利用晶圆输送装置60的第2输送臂62将晶圆W输送到传送装置41中。之后，利用输入输出站2的晶圆输送装置22将晶圆W输送到规定的盒载置板11的盒C中。如此，完成晶圆处理系统1中的一系列的晶圆处理。
[0100]在本实施方式中，也能够发挥与所述实施方式相同的效果。g卩，采用晶圆处理系统1，由于独立地设有粗磨削装置30、精磨削装置31、损伤层去除装置32、插塞暴露装置200、晶圆清洗装置33、翻转装置201、以及支承基板清洗装置202，因此能够连续地实施这些装置中的规定的处理并能够提高装置结构的自由度，从而能够高效地进行晶圆处理。
[0101]另外，在晶圆输送装置60中，第1输送臂61是用于输送由支承基板清洗装置202清洗之前的晶圆W的输送臂，第2输送臂62是用于输送由支承基板清洗装置202清洗之后的晶圆W的输送臂。这样，由于利用不同的输送臂61、62来输送清洗前的不洁净的晶圆W和清洗后的洁净的晶圆W，因此能够抑制附着于一晶圆W的微粒附着于其他晶圆W。因而，能够更适当地进行晶圆处理。
[0102]接下来，基于图9来说明在图7所示的晶圆处理系统1中对晶圆W进行薄化处理时在该晶圆处理系统1内产生的气流。此外，图9中的箭表示气流的方向。
[0103]翻转装置201内的压力和支承基板清洗装置202内的压力分别相对于晶圆输送区域50内的压力成为正压。因而，当打开各开闭器201c、202c时，会产生自翻转装置201和支承基板清洗装置202朝向晶圆输送区域50去的气流。该压力关系同图5所示的晶圆清洗装置33与晶圆输送区域50之间的压力关系相同。在该情况下，晶圆输送区域50内的气氛气体不会流入到翻转装置201内和支承基板清洗装置202内，从而微粒等不会流入到翻转装置201内和支承基板清洗装置202内。因而，能够维持翻转装置201内和支承基板清洗装置202内的气氛的洁净，从而能够适当地进行该翻转装置201中的晶圆W的翻转处理以及支承基板清洗装置202中的支承基板S的背面$的清洗。
[0104]另外，晶圆输送区域50内的压力相对于插塞暴露装置200内的压力成为正压。因而，当打开开闭器200c时，会产生自晶圆输送区域50朝向插塞暴露装置200去的气流。该压力关系同图5所示的粗磨削装置30、精磨削装置31以及损伤层去除装置32这几者与晶圆输送区域50之间的压力关系相同。在该情况下，插塞暴露装置200内的气氛气体不会流入到晶圆输送区域50内，从而不会使在插塞暴露装置200中使用的处理液飞散到晶圆输送区域50内。
[0105]此外，在以上的实施方式的晶圆处理系统1中，有时通过进行例如损伤层去除装置3中的损伤层的去除处理(例如湿蚀刻)、插塞暴露装置200中的插塞的暴露处理(例如湿蚀刻)来对晶圆W的背面WB适当地进行清洗。在该情况下，也可以是，省略晶圆清洗装置33，从而省略该晶圆清洗装置33中的晶圆W的背面WB的清洗处理。
[0106]另外，在以上的实施方式的晶圆处理系统1中，有时利用例如损伤层去除装置32使插塞P暴露。另外，根据产品的规格的不同，也存在原本不必使插塞P暴露的情况。在该情况下，也可以是，省略插塞暴露装置200，从而省略该插塞暴露装置200中的插塞P的暴露处理。
[0107]如图10所示，以上的实施方式的晶圆处理系统1也可以包括用于检查薄化后的晶圆W的检查装置300。检查装置300配置于例如第3处理区G3的最上层。
[0108]在检查装置300中，使用例如激光位移计对晶圆W的厚度和晶圆W的背面WB的面粗糙度进行测量。此外，晶圆W的厚度和背面WB的面粗糙度的测量并不限定于使用激光的测量方法，而能够采用各种方法。另外，在检查装置300中，也可以检查晶圆W的外观。
[0109]检查装置300能够在各种时刻对晶圆W进行检查。例如，检查装置300能够对以下晶圆进行检查:背面WB被精磨削装置31磨削后的晶圆W、损伤层被损伤层去除装置32去除后的晶圆W、插塞P在插塞暴露装置200中暴露后的晶圆W、背面胃^皮晶圆清洗装置33清洗后的晶圆W、支承基板S的背面SB被支承基板清洗装置202清洗后的晶圆W等。
[0110]在例如要对由精磨削装置31处理后的晶圆W进行检查的情况下，利用晶圆输送装置60将晶圆W输送到检查装置300中。然后，在检查装置300中对晶圆W进行检查，其结果，在例如晶圆W的厚度没有成为期望的厚度的情况下，利用控制装置70来对粗磨削装置30中的处理条件和精磨削装置31中的处理条件进行修正。具体而言，例如，更换粗磨削装置30的砂轮和精磨削装置31的砂轮，或者对砂轮的平行度和卡盘的平行度进行调节。
[0111]另外，在例如对由损伤层去除装置32处理后的晶圆W或由插塞暴露装置200处理后的晶圆W进行检查的情况下，利用晶圆输送装置60将晶圆W输送到检查装置300中。然后，在检查装置300中对晶圆W进行检查，其结果，在例如晶圆W的背面^的面粗糙度没有成为期望的面粗糙度的情况下，利用控制装置70对损伤层去除装置32中的处理条件或插塞暴露装置200中的处理条件进行修正。具体而言，例如，更换在损伤层去除装置32或在插塞暴露装置200中使用的处理液或者对处理时间进行调节。
[0112]另外，在例如对由晶圆清洗装置33清洗后的晶圆W或由支承基板清洗装置202清洗后的晶圆W进行检查的情况下，利用晶圆输送装置60将晶圆W输送到检查装置300中。然后，在检查装置300中对晶圆W进行检查，其结果，在例如晶圆W的厚度没有成为期望的厚度的情况下，利用控制装置70对粗磨削装置30中的处理条件和精磨削装置31中的处理条件进行修正。另外，在例如晶圆W的背面^的面粗糙度没有成为期望的面粗糙度的情况下，利用控制装置70对损伤层去除装置32中的处理条件进行修正。
[0113]采用本实施方式，由于能够根据检查装置300的检查结果对粗磨削装置30中的处理条件、精磨削装置31中的处理条件、损伤层去除装置32中的处理条件或插塞暴露装置200中的处理条件分别进行反馈控制，因此，之后，能够更适当地实施在晶圆处理系统1中进行的晶圆处理。
[0114]此外，在以上的实施方式中，说明了在晶圆处理系统1中将晶圆W薄化至例如ΙΟΟμπι以下的厚度的情况，但在该晶圆处理系统1中，能够将晶圆W薄化至任意的厚度。例如，在薄化后所要求的厚度较大、例如100 μm?200 μm的情况下，能够代替支承基板S而在晶圆W上粘贴保护带。
[0115]以上，参照附图来说明了本发明的优选的实施方式，但是，本发明并不限定于该例子。只要是本领域的技术人员，能够在权利要求书所述的构思的范围内想到各种变更例或修改例是显而易见的，所述变更例或修改例当然也被认为属于本发明的保护范围。
[0116]附图标iP,说曰月
[0117]1、晶圆处理系统；2、输入输出站；3、处理站；22、晶圆输送装置；30、粗磨削装置；30a、壳体；31、精磨削装置；31a、壳体；32、损伤层去除装置；32a、壳体；33、晶圆清洗装置；33a、壳体；50、晶圆输送区域；51、风机过滤单元；52、排气口 ；60、晶圆输送装置；61、第1输送臂；62、第2输送臂；70、控制装置；200、插塞暴露装置；200a、壳体；201、翻转装置；201a、壳体；202