C2，N)合铱(III)(Ir (ppy)3)形成功能层3，其溶剂为二甲基甲酰胺，浓度是5mg/ml?10mg/ml (实验点是5mg/ml)，旋涂转度是500?2000r/min，优选转速是1000r/min ;旋转时间是40?60S，优选时间是40S ;待旋涂完毕之后，需进行退火处理，退火温度是80?120°C，优选100°C ;退火时间是10?30min，优选20min ;使溶剂完全挥发，同时让Ir (ppy) 3更好地结晶；
[0049]步骤3的旋涂过程是在手套箱中完成的；
[0050]本步骤亦可使用真空蒸镀Ir (ppy) 3的方法，使其厚度达到40?80nm，优选60nm，真空蒸镀的温度是180°C?260°C，优选温度是256°C ；
[0051]步骤4:在真空度为10 4Pa环境下，在功能层3上，利用掩膜版，蒸镀低功函数材料形成电极层4，实验选择的是招，厚度是120nm?200nm，优选厚度是180nm。
[0052]上述制作得到的聚合物电双稳器件，减少了操作流程，由于采用真空旋涂，改善了成膜性，提高了器件制作效率，具有良好的应用前景。
[0053]本发明所述的有机小分子薄膜电双稳器件，器件2的制备步骤为:
[0054]步骤1:将基底I先后放入丙酮、乙醇中清洗，并各进行30分钟的超声清洗，基底I上的ITO作为阳极电极，然后经氮气流干燥后，在紫外臭氧环境中处理10?20min，优选15min ；
[0055]步骤2:在基底I上真空蒸镀二氧化硅形成导电层2，真空蒸镀在气压为10 4Pa的真空条件下进行，真空蒸镀厚度为20?60nm，优选40nm ；
[0056]步骤3:在氮气环境下，在导电层2上旋涂三(2-苯基吡啶-C2，N)合铱(III)(Ir (ppy)3)形成功能层3，其溶剂为二甲基甲酰胺，浓度是5mg/ml?10mg/ml (实验点是5mg/ml)，旋涂转度是500?2000r/min，优选转速是1000r/min ;旋转时间是40?60S，优选时间是40S ;待旋涂完毕之后，需进行退火处理，退火温度是80?120°C，优选100°C ;退火时间是10?30min，优选20min ;使溶剂完全挥发，同时让Ir (ppy) 3更好地结晶；
[0057]步骤3的旋涂过程是在手套箱中完成的；
[0058]本步骤亦可使用真空蒸镀Ir (ppy) 3的方法，使其厚度达到40?80nm，优选60nm，真空蒸镀的温度是180°C?260°C，优选温度是256°C ；
[0059]步骤4:在真空度为10 4Pa环境下，在功能层3上，利用掩膜版，蒸镀低功函数材料形成电极层4，实验选择的是招，厚度是120nm?200nm，优选厚度是180nm。
[0060]上述制作得到的聚合物电双稳器件，减少了操作流程，由于采用真空旋涂，改善了成膜性，提高了器件制作效率，具有良好的应用前景。
[0061]如图2所示，器件I的电流电压曲线。从图中可以看出器件具有明显的高低态，开关比13以上，最大达到10 4’可以很好的满足记忆存储的条件。
[0062]如图3所示，器件2的电流电压曲线。从图中可以看出器件具有明显的高低态，开关比12以上，最大达到10 3’可以满足记忆存储的条件。
[0063]在上述技术方案的基础上，步骤3的有机小分子功能层的旋涂过程是在手套箱中完成的。
[0064]本说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。
【主权项】
1.一种有机小分子薄膜电双稳器件，其特征在于，包括:由上至下依次设置的电极层(4)、功能层(3)、导电层(2)、基底(1)，基底、导电层、功能层、电极层顺次相连； 导电层为⑵为聚甲基丙烯酸甲酯的薄膜，其溶剂是乙酸乙酯，功能层⑶是三(2-苯基吡啶-C2，N)合铱(III)的薄膜，其溶剂是二甲基甲酰胺； 或.?^入.导电层为(2)为真空蒸镀的二氧化硅，功能层(3)是三(2-苯基吡啶-C2，N)合铱(III)的薄膜，其溶剂是二甲基甲酰胺。2.如权利要求1所述的有机小分子薄膜电双稳器件，其特征在于:所述基底(1)为附有导电材料的玻璃基片，所述的导电材料为氧化铟锡。3.如权利要求1所述的有机小分子薄膜电双稳器件，其特征在于:所述电极层(4)的材料为低功函数材料。4.如权利要求1所述的有机小分子薄膜电双稳器件，其特征在于:当“导电层为(2)为聚甲基丙烯酸甲酯的薄膜，其溶剂是乙酸乙酯，功能层(3)是三(2-苯基吡啶-C2，N)合铱(III)的薄膜，其溶剂是二甲基甲酰胺”时，制备步骤为: 步骤1:将基底(1)先后放入丙酮、乙醇中清洗，并各进行30分钟的超声清洗，基底(1)上的ITO作为阳极电极，然后经氮气流干燥后，在紫外臭氧环境中处理10?20min ; 步骤2:在基底(1)上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯形成导电层(2)，其溶剂为乙酸乙酯，浓度是30?50mg/ml ;旋涂转度是500?1500r/min，旋转时间是40?60S ;待旋涂完毕之后，需进行退火处理，退火温度是80?120°C，退火时间是20?40min，使溶剂完全挥发； 步骤3:在氮气环境下，在导电层⑵上旋涂三(2-苯基吡啶-C2，N)合铱(III)形成功能层(3)，其溶剂为二甲基甲酰胺，浓度是5mg/ml?10mg/ml，旋涂转度是500?2000r/min，旋转时间是40?60S ;待旋涂完毕之后，需进行退火处理，退火温度是80?120°C，退火时间是10?30min，使溶剂完全挥发，同时让Ir (ppy)3更好地结晶； 步骤4:在真空度为10 4Pa环境下，在功能层(3)上，利用掩膜版，蒸镀低功函数材料形成电极层⑷，厚度是120nm?200nmo5.如权利要求1所述的有机小分子薄膜电双稳器件，其特征在于:当“导电层为(2)为聚甲基丙烯酸甲酯的薄膜，其溶剂是乙酸乙酯，功能层(3)是三(2-苯基吡啶-C2，N)合铱(III)的薄膜，其溶剂是二甲基甲酰胺”时，制备步骤为: 步骤1:将基底(1)先后放入丙酮、乙醇中清洗，并各进行30分钟的超声清洗，基底(1)上的ITO作为阳极电极，然后经氮气流干燥后，在紫外臭氧环境中处理10?20min ; 步骤2:在基底(1)上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯形成导电层(2)，其溶剂为乙酸乙酯，浓度是30?50mg/ml ;旋涂转度是500?1500r/min，旋转时间是40?60S ;待旋涂完毕之后，需进行退火处理，退火温度是80?120°C，退火时间是20?40min，使溶剂完全挥发； 步骤3:使用真空蒸镀Ir (ppy) 3的方法，使其厚度达到40?80nm，真空蒸镀的温度是180。。?260。。； 步骤4:在真空度为10 4Pa环境下，在功能层(3)上，利用掩膜版，蒸镀低功函数材料形成电极层⑷，厚度是120nm?200nmo6.如权利要求1所述的有机小分子薄膜电双稳器件，其特征在于:当“导电层为(2)为真空蒸镀的二氧化硅，功能层(3)是三(2-苯基吡啶-C2，N)合铱(III)的薄膜，其溶剂是二甲基甲酰胺”时，制备步骤为: 步骤1:将基底(1)先后放入丙酮、乙醇中清洗，并各进行30分钟的超声清洗，基底(1)上的ITO作为阳极电极，然后经氮气流干燥后，在紫外臭氧环境中处理10?20min ; 步骤2:在基底(1)上真空蒸镀二氧化硅形成导电层(2)，真空蒸镀在气压为10 4Pa的真空条件下进行，真空蒸镀厚度为20?60nm ; 步骤3:在氮气环境下，在导电层⑵上旋涂三(2-苯基吡啶-C2，N)合铱(III)形成功能层(3)，其溶剂为二甲基甲酰胺，浓度是5mg/ml?10mg/ml，旋涂转度是500?2000r/min，旋转时间是40?60S ;待旋涂完毕之后，需进行退火处理，退火温度是80?120°C，退火时间是10?30min，使溶剂完全挥发，同时让Ir (ppy)3更好地结晶； 步骤4:在真空度为10 4Pa环境下，在功能层(3)上，利用掩膜版，蒸镀低功函数材料形成电极层⑷，厚度是120nm?200nmo7.如权利要求1所述的有机小分子薄膜电双稳器件，其特征在于:当“导电层为(2)为真空蒸镀的二氧化硅，功能层(3)是三(2-苯基吡啶-C2，N)合铱(III)的薄膜，其溶剂是二甲基甲酰胺”时，制备步骤为: 步骤1:将基底(1)先后放入丙酮、乙醇中清洗，并各进行30分钟的超声清洗，基底(1)上的ITO作为阳极电极，然后经氮气流干燥后，在紫外臭氧环境中处理10?20min ; 步骤2:在基底(1)上真空蒸镀二氧化硅形成导电层(2)，真空蒸镀在气压为10 4Pa的真空条件下进行，真空蒸镀厚度为20?60nm ; 步骤3:使用真空蒸镀Ir (ppy) 3的方法，使其厚度达到40?80nm，真空蒸镀的温度是180。。?260。。； 步骤4:在真空度为10 4Pa环境下，在功能层(3)上，利用掩膜版，蒸镀低功函数材料形成电极层⑷，厚度是120nm?200nmo
【专利摘要】本发明涉及一种有机小分子薄膜电双稳器件及其制作方法，包括：由上至下依次设置的电极层、功能层、导电层、基底，基底、导电层、功能层、电极层顺次相连；导电层为聚甲基丙烯酸甲酯的薄膜，功能层是三(2-苯基吡啶-C2,N)合铱(III)的薄膜；或：导电层为真空蒸镀的二氧化硅，功能层是三(2-苯基吡啶-C2,N)合铱(III)的薄膜。本发明，器件可以通过外加偏压来调节其导电状态，在同一电压下器件电流会有不同的效果，样品器件的电流差最大达到了104倍；同时，通过施加周期性的电压脉冲信号对器件进行“写入、读取、擦除、读取”的循环测试，以检验器件的重复使用能力，样品器件在循环测试中保持了较大的开关比。
【IPC分类】H01L51/05, H01L51/00
【公开号】CN105336859
【申请号】CN201510629158
【发明人】王敏, 胡煜峰, 娄志东, 侯延冰, 滕枫
【申请人】北京交通大学
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2015年9月28日