半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种在半导体器件的周围具有中空构造的半导体装置的制造方法。
【背景技术】
[0002]为了实现半导体装置的高集成化和小型化，使用将树脂膜和金属配线进行反复层叠的多层配线构造。但是，树脂膜会使寄生电容增加，使半导体器件的电气特性变差。特别地，在具有Y型或τ型栅极电极的半导体装置中，在栅极电极的檐下填充树脂而使寄生电容增加，高频特性的增益变差(例如，参照非专利文献1)。
[0003]与此相对，提出了一种方法，该方法通过在半导体器件上形成牺牲层和保护膜之后去除牺牲层，从而在半导体器件的周围形成中空构造(例如，参照专利文献1、2)。
[0004]此外，提出了一种方法，该方法通过将片状薄膜与形成有多个配线的基板粘合，从而在配线之间形成中空构造(例如，参照专利文献3)。但是，由于配线之间不存在半导体器件，所以该方法与在半导体器件的周围具有中空构造的半导体装置无关。
[0005]专利文献1:日本特开2010 - 205837号公报
[0006]专利文献2:日本特开2011 — 049303号公报
[0007]专利文献3:日本特开2003 - 142578号公报
[0008]非专利文献1:T.Hisaka (1), H.Sasaki (1), T.Katoh (1), K.Kanaya (1), N.Yoshida(l),A.A.Vi 1 lanueva (2), and J.A.del Alamo (2), IEICE ElectronicsExpress,Vol.7,N0.8,P.558-562, (1)MitsubishiElectric Corporat1n, (2)Masschusetts Institute of Technology
【发明内容】
[0009]由于牺牲层的大部分由保护膜等包围，所以将牺牲层蚀刻去除时的蚀刻气体或液体与牺牲层的接触面积较小。由此，蚀刻气体等不易进入微小的间隙，因此会留下蚀刻残渣。特别地，在Y型或T型栅极电极的檐下的微小空间中容易留下牺牲层。其结果，存在寄生电容增加和高频特性的增益变差的问题。
[0010]本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到一种半导体装置的制造方法，其能够防止寄生电容的增加。
[0011]本发明所涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具备:在半导体衬底的主面形成半导体器件的工序；在所述半导体衬底的所述主面上，形成对所述半导体器件的侧部进行包围的第1树脂膜的工序；以及使对所述半导体器件的上方进行覆盖的第2树脂膜与所述第1树脂膜的上表面接合，在所述半导体器件的周围形成中空构造的工序。
[0012]发明的效果
[0013]在本发明中，由于在半导体器件的周围形成中空构造时不使用牺牲层，所以不用担心蚀刻残渣。因此，能够防止寄生电容的增加。
【附图说明】
[0014]图1是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的剖视图。
[0015]图2是沿图1的I — II的剖视图。
[0016]图3是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的制造工序的剖视图。
[0017]图4是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的制造工序的剖视图。
[0018]图5是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的制造工序的剖视图。
[0019]图6是表示对比例所涉及的半导体装置的剖视图。
[0020]图7是沿图6的I — II的剖视图。
[0021]图8是表示38/77GHZ频带的发送放大器的转换增益的输出依赖性的图。
[0022]图9是表示本发明的实施方式2所涉及的半导体装置的剖视图。
[0023]图10是沿图9的I — II的剖视图。
[0024]标号的说明
[0025]1半导体衬底，2半导体器件，3栅极电极，6第1树脂膜，7第2树脂膜，8中空构造，9第1绝缘膜，12第2绝缘膜，13第3绝缘膜
【具体实施方式】
[0026]参照附图，对本发明的实施方式所涉及的半导体装置的制造方法进行说明。对相同或相对应的结构要素标注相同的标号，有时省略重复的说明。
[0027]实施方式1
[0028]图1是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的剖视图。图2是沿图1的1-1I的剖视图。在半导体衬底1的主面形成有半导体器件2。半导体器件2是具有栅极电极3、源极电极4、以及漏极电极5的晶体管，该栅极电极3是包含檐的Y型或T型栅极电极。
[0029]在半导体衬底1的主面上形成有第1树脂膜6，该第1树脂膜6与半导体器件2的栅极电极3分离并对栅极电极3的侧部进行包围。与半导体器件2的栅极电极3分离并对栅极电极3的上方进行覆盖的第2树脂膜7与第1树脂膜6的上表面接合。第1及第2树脂膜6、7的材料例如是BCB、聚酰亚胺、PS1、ΡΒ0。
[0030]以第1树脂膜6为侧壁、第2树脂膜7为顶板，在半导体器件2的栅极电极3的周围形成有中空构造8。在栅极电极3的檐下也形成有中空构造8。耐湿性比第1及第2树脂膜6、7高的第1绝缘膜9在中空构造8的内部覆盖半导体器件2。
[0031]经由设置在第1及第2树脂膜6、7中的通孔，将栅极配线10与栅极电极3连接，将源极配线11与源极电极4连接。源极配线11还经由中空构造8以及第2树脂膜7配置在栅极电极3的上方。耐湿性比第1及第2树脂膜6、7高的第2绝缘膜12对第1树脂膜6的外侧以及第2树脂膜7的外侧进行覆盖。第1及第2绝缘膜9、12例如是SiN或S1N。
[0032]接下来，对本实施方式所涉及的半导体装置的制造工序进行说明。图3?图5是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的制造工序的剖视图。首先，如图3所示，在半导体衬底1的主面形成半导体器件2。利用第1绝缘膜9对半导体器件2进行覆盖。在半导体衬底1的主面上和半导体器件2上，利用层压法或STP(Spin-coating film Transferand hot-Pressing technology)法形成感光性树脂膜。通过利用曝光和显影对感光性树脂膜进行图案化，从而在半导体衬底1的主面上形