的半导体结构。这会暴露出帽层105未有通孔形成的区域，其中Mx线106是暴露在通孔形成的范围。
[0056]图19是随后形成金属Μχ+l线的制程步骤之后的半导体结构。在实施例中，这可包括电镀制程。该制程可包括沉积一或多道阻挡层和/或晶种层(未示出)。然后，在牺牲Μχ+l线先前占据的位置沉积填充金属(例如铜)，形成金属化线142。介电区118A分开金属化线142A和金属化线142A’。因此，金属化线142A和金属化线142A’是预切割的，因为它们具有切口的形成已经到位，并因此避免了金属切割。金属化线142B具有通孔以连接到该Mx层级，这将在接下来的图中进一步描述。
[0057]图20是图19中沿着线B-B’所示的半导体结构。如可以看到的，Μχ+l金属线142B连接到Mx金属线106。当Μχ+l线142B形成时，Mx线106会暴露出，因为它的帽层被去除(见图18的106)。因此，根据本发明的实施例，该制程藉由避免金属切割而简化制造，并且也整合通孔进入该金属化制程的连接性。
[0058]图21是用于表示本发明实施例的制程步骤的流程图200。在制程步骤250，形成牺牲线。在实施例中，该牺牲线包括氮化硅。在制程步骤252，沉积介电层。在实施例中，该介电层包括碳氧化硅。在制程步骤254，沉积线切口微影堆栈物(见图7的122)。在制程步骤256，切割该牺牲线(见图9)。在制程步骤258，沉积附加电介质于该切穴(见图14的118A)中。在制程步骤260，去除该牺牲线(见图15)。在实施例中，也可以去除该蚀刻停止层(图1的110)。在制程步骤262，沉积通孔穴微影堆栈物(见图16的136)。在制程步骤264，所选定的Μ(X)线在通孔于该Μ(χ)和Μ(χ+1)层级间形成的地方打开(见图17的140)。在制程步骤266，形成Μ(χ+1)金属线(见图19的142)。然后，本文所揭露的制程可重复制造出多个金属化层级。在一些实施例中，可以有10层或更多层。一旦该BEOL堆栈完成，附加制程的工业级标准技术，像是封装和测试可用来完成该集成电路的制造。
[0059]虽然本发明已经结合示例性实施例具体示出及描述，但可以理解的是，对于本领域技术人士，变化和修改将可想到的。例如，尽管本文中所示出的说明性实施例是一系列动作或事件，但应当理解的是，本发明不受这些行为或事件的所示顺序所限制，除非特别说明。一些动作可以按不同顺序和/或同时与其它动作或事件发生，除了那些在本文中根据本发明示出和/或描述的之外。此外，并非所有示出的步骤中可需要根据本发明的方法来实现。此外，根据本发明的方法可以结合与本文中所描述或示出的结构的形成和/或工艺以及其他未示出的结构来实现。因此，可以理解的是，所附的权利要求旨在包含所有这些落在本发明的真实精神内的修改和改变。
【主权项】
1.一种形成半导体结构的方法，包括: 在多个金属MX线上方形成多个牺牲Mx+1线； 在该多个牺牲Mx+1线上方沉积介电层； 在该多个牺牲Mx+1线的其中一个牺牲Mx+1线中形成切穴； 在该切穴中形成介电区； 去除该多个牺牲Mx+1线以形成多个Mx+1线穴；以及 以金属填充该多个Mx+1线穴以形成多个金属Mx+1线。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成多个牺牲Mx+1线包括: 在该多个金属Mx线上方沉积牺牲层； 在该牺牲层上沉积微影堆栈物； 图案化该微影堆栈物以形成图案化微影堆栈物； 去除该牺牲层未被该图案化微影堆栈物覆盖的部分；以及 去除该微影堆栈物。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积介电层包括沉积碳氧化硅。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，更包括平坦化该介电层。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，平坦化该介电层包括进行化学机械抛光制程。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，填充该多个具有金属的Mx+1线穴包括用铜填充该多个Mx+1线穴。7.一种形成半导体结构的方法，包括: 在多个金属Mx线上方形成多个牺牲Mx+1线； 在该多个牺牲Mx+1线上方沉积介电层； 在该介电层上沉积有机平坦化层； 在该有机平坦化层上沉积抗蚀层； 在该抗蚀层和有机平坦化层中形成凹穴； 去除该抗蚀层； 在该有机平坦化层上沉积保形间隔层； 在该保形间隔层上进行各向异性蚀刻以形成孔间隔件； 在该多个牺牲Mx+1层的其中一个牺牲Mx+1线中形成切穴； 在该切穴中形成介电区； 去除该多个牺牲Mx+1线以形成多个Mx+1线穴；以及 用金属填充该多个Mx+1线穴以形成多个金属Mx+1线。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，沉积保形间隔层包括沉积碳。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，以原子层沉积制程来进行沉积碳。10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成多个牺牲Mx+1线包括: 在该多个金属Mx线上方沉积牺牲层； 在该牺牲层上沉积微影堆栈物； 图案化该微影堆栈物以形成图案化微影堆栈物； 去除该牺牲层未被该图案化微影堆栈物覆盖的部分；以及 去除该微影堆栈物。11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，沉积介电层包括沉积碳氧化硅。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，更包括平坦化该介电层。13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，平坦化该介电层包括进行化学机械抛光制程。14.如权利要求7所述的方法，其特征在于，用金属填充该多个Mx+1线穴包括用铜填充该多个Mx+1线穴。15.—种形成半导体结构的方法，包括: 在多个金属Mx线上方形成多个牺牲Mx+1线； 在该多个牺牲Mx+1线上方沉积介电层； 在该多个牺牲Mx+1线的其中一个牺牲Mx+1线中形成切穴； 在该切穴中形成介电区； 去除该多个牺牲Mx+1线以形成多个Mx+1线穴； 沉积通孔切口微影堆栈物； 在该通孔切口微影堆栈物中图案化开口； 形成通孔穴使暴露出该多个金属Mx线的其中一个Mx金属线； 去除该通孔切口微影堆栈物；以及 用金属填充该多个Mx+1线穴和通孔穴以形成多个金属Mx+1线和通孔。16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，形成多个牺牲Mx+1线包括: 在该多个金属Mx线上方沉积牺牲层； 在该牺牲层上沉积线切口微影堆栈物； 图案化该线切口微影堆栈物以形成图案化线切口微影堆栈物； 去除该牺牲层未被该图案化线切口微影堆栈物覆盖的部分；以及 去除该图案化线切口微影堆栈物。17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，沉积介电层包括沉积碳氧化硅。18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，更包括平坦化该介电层。19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，平坦化该介电层包括进行化学机械抛光制程。20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，用金属填充该多个Mx+1线穴包括用铜填充该多个Mx+1线穴。
【专利摘要】本发明公开了预切割金属线。具体地，本发明的实施例提供一种方法用于后段制程结构中牺牲金属线的切割。在金属Mx线上面形成牺牲Mx+1线。在该牺牲Mx+1线上方沉积和图案化线切口微影堆栈物并且形成切穴。该切穴用介电材料填充。以选择性蚀刻制程去除该牺牲Mx+1线，保护填充在该切穴中的电介质。接着在去除该牺牲Mx+1线的地方沉积金属来形成预切金属线。因此本发明的实施例提供预切金属线，并且不需要金属切割。通过避免金属切割的需要，也避免了与金属切割有关的风险。
【IPC分类】H01L21/768
【公开号】CN105390436
【申请号】CN201510516163
【发明人】A·C-H·魏, G·布什, M·A·扎勒斯基
【申请人】格罗方德半导体公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年8月20日
【公告号】US9263325, US20160056075, US20160118341