。
[0146] 在本发明的另一个实施方案中，提供运样的多层结构，其包含：
[0147] 娃层，所述娃层在其上包含多个忍片且在所述忍片下面包含底部填充层，
[014引施用至与所述多个忍片同一面的经固化的模塑配制物，W及
[0149] 施用至所述模塑配制物的增强元件，
[0150] 其中所述增强元件的热膨胀系数（CT巧与所述娃层的热膨胀系数足够接近，W便 使所述结构在所述模塑配制物固化时的翅曲最小。
[0151] 在又一个实施方案中，提供了减小晶片在施用至娃支撑件的一侧的可固化模塑配 制物固化时翅曲的方法，所述方法包括在所述可固化模塑配制物固化之前将增强元件施用 至所述可固化模塑配制物。
[0152] 根据上述方法，晶片在固化时的翅曲减小至少20%。在一些实施方案中，晶片翅曲 减小至少30% ;在一些实施方案中，晶片翅曲减小至少40% ;在一些实施方案中，晶片翅曲 减小至少50% ;在一些实施方案中，晶片翅曲减小至少60% ;在一些实施方案中，晶片翅曲 减小至少70% ;在一些实施方案中，晶片翅曲减小至少80% ;在一些实施方案中，晶片翅曲 减小至少90% ;在一些实施方案中，晶片翅曲减小至少95% ;在一些实施方案中，晶片翅曲 减小至少99%。
[0153] 根据本发明的另一方面，提供了制备在固化时基本没有翅曲的晶片的方法，所述 方法包括：
[0154] 将可固化模塑配制物施用至娃层的一侧，然后
[01巧]将增强元件施用至所述可固化模塑配制物。
[0156] 此后，在将所述增强元件施用至所述可固化模塑配制物之后固化所述可固化模塑 配制物。增强元件的存在用W将晶片在固化时的翅曲减小至少20%。在一些实施方案中， 晶片翅曲减小至少30% ;在一些实施方案中，晶片翅曲减小至少40% ;在一些实施方案中， 晶片翅曲减小至少50% ;在一些实施方案中，晶片翅曲减小至少60% ;在一些实施方案中， 晶片翅曲减小至少70% ;在一些实施方案中，晶片翅曲减小至少80% ;在一些实施方案中， 晶片翅曲减小至少90% ;在一些实施方案中，晶片翅曲减小至少95% ;在一些实施方案中， 晶片翅曲减小至少99%。
[0157] 根据本发明的又一方面，提供了制备在固化时基本没有翅曲的晶片的方法， 所述方法包括将增强元件施用至其上具有可固化模塑配制物的娃中介层（silicon interposer)的一侧，W及此后在将所述增强元件施用至所述模塑配制物之后固化所述可 固化模塑配制物。
[015引通过W下非限制性实施例对本发明的各个方面进行了示例说明。运些实施例是为 了示例说明性的目的，不是对本发明的任何实践的限制。应当理解，可W在不偏离本发明的 精神和范围的情况下做出变化和变型。本领域普通技术人员很容易知道如何合成或通过商 业渠道获得本说明书中所述的试剂和组分。
[0159] 实施例
[0160]现在通常将重配置晶片（reconfiguredwafer)制成具有8"或12"的直径。在使 用中，用来封装晶片的热固性树脂组合物可W通过空气压力或活塞分配在晶片的中央部分 上或者中央部分的周围。
[0161]接着，暴露于液体压塑成型条件，例如大约100~120°C的溫度持续大约300~ 400秒的时间。在运样的暴露处理W后，可W将压塑成型的晶片放置在常规烘箱中用于在大 约120°C~150°C的溫度下进行大约15分钟至1小时的模塑后固化。优选地，8 "、970ym 厚的模塑晶片所具有的翅曲（所述晶片的弯曲跨度）应小于大约1mm。
[0162] 将不含增强元件的由双酪A环氧树脂、脂环族环氧树脂和酸酢制得的对照样品（1 号样品）施用至其上布置有娃忍片的载体上并W如上所述的方式模塑。用阴影云纹法观察 到模塑晶片的翅曲在X和Y方向上适中，其中所述阴影云纹法用非接触的且非破坏性的方 法来测量模塑晶片的全场表面形貌。
[016引利用运种技术，对分离晶片（debondedwafer)的翅曲进行测量。接着用不同的升 溫过程对晶片进行退火，然后再次测量翅曲。
[0164] W上说明书所在领域的技术人员将知晓除了本文所示和描述的那些变型W外的 本发明的各种变型。所述变型同样意欲落入所附权利要求的范围内。
[0165] 本说明书中提及的专利和公布文本表明本发明所设及领域的普通技术人员的水 平。运些专利和公布文本通过援引加入的方式纳入本文中，纳入程度好像每个单独的申请 或公布文本均通过援引加入的方式明确地逐一纳入本文中一样。
[0166] 上述描述示例说明了本发明的具体实施方案，但不意味着对其实践的限制。所附 权利要求，包括其所有等同方案，旨在限定本发明的范围。
【主权项】
1. 多层结构，其包含： 硅层，所述硅层在其一个面上包含多个芯片且在所述芯片下面包含底部填充层， 施用至与所述多个芯片同一面的可固化模塑配制物，以及 施用至所述模塑配制物的增强元件， 其中所述增强元件的热膨胀系数（CTE)与所述硅层的热膨胀系数足够接近，以便使所 述结构在所述模塑配制物固化时的翘曲最小。2. 根据权利要求1所述的结构，其中所述增强层的热膨胀系数为大约0至大约小于 8ppm/°C〇3. 根据权利要求1所述的结构，其中所述硅层的热膨胀系数为大约2至3ppm/°C。4. 根据权利要求3所述的结构，其中所述增强层的热膨胀系数在所述硅层热膨胀系数 的±90%范围内。5. 根据权利要求1所述的结构，其中所述增强元件是碳纤维片材、玻璃薄片、液晶聚合 物（LCP)片材、硅板或硅片材、或者陶瓷薄板或陶瓷片材。6. 根据权利要求5所述的结构，其中所述陶瓷薄板或陶瓷片材由碳化硅、氮化硅、矾 土、氧化铝、氧化铝-氧化锆、氮化铝、硅酸铝、碳化硼、氮化硼、铝酸钙、碳、铈土、堇青石、镁 橄榄石、石墨、氧化铪、二氧化铪、高岭土、粘土基氧化镁或菱镁矿、金属硼化物、富铝红柱 石、稀土金属氧化物（REO)、瓷、蓝宝石、硅石、熔凝硅石、硅化物、滑石、氧化钇、碳化钨、锆石 或磷酸锆制成。7. 根据权利要求5所述的结构，其中所述陶瓷薄板或陶瓷片材由碳化硅、氮化硅、碳化 硼、氮化硼或者碳化钨制成。8. 根据权利要求1所述的结构，其中所述可固化模塑配制物包含含有80至95wt%无 机填料的可固化树脂基体。9. 根据权利要求8所述的结构，其中所述无机填料是硅石、矾土、氧化铝、硅酸铝、氮化 硅、氮化铝、经二氧化硅涂布的氮化铝、碳化硼、氮化硼、炭黑或者它们中任意两种或多种的 组合。10. 根据权利要求8所述的结构，其中所述可固化模塑配制物的特征在于： -在100°C至200°C的温度下能在30分钟内模塑， -在100°C至175°C的温度下能在8小时内固化， -具有低的热膨胀系数（α1 < 30ppm/°C)， -具有高的温度稳定性（即，具有在250°C下< 1.0%的重量损失率），以及 -具有> 50°C的玻璃化转变温度Tg。11. 根据权利要求10所述的结构，其中所述可固化模塑配制物是液体压塑成型配制 物、粉末压塑成型配制物、压塑成型膜或面板模塑配制物。12. 根据权利要求10所述的结构，其中通过固化所制备的制品的翘曲比由其上没有增 强元件的结构制得的制品小至少20%。13. 根据权利要求10所述的结构，其中所述结构的8"晶片在固化时的翘曲< 1mm且/ 或所述结构的12"晶片在固化时的翘曲< 2mm。14. 根据权利要求1所述的结构，其中所述硅层包含一个或多个硅贯通通孔（TSV)。15. 多层组件，其包含堆叠的多个如权利要求8所述的结构以便在单个堆叠体中形成 多个裸片。16. 多层结构，其包含： 硅层，所述硅层在其上包含多个芯片且在所述芯片下面包含底部填充层， 施用至与所述多个芯片同一面的经固化的模塑配制物，以及 施用至所述模塑配制物的增强元件， 其中所述增强元件的热膨胀系数（CTE)与所述硅层的热膨胀系数足够接近，以便使所 述结构在所述模塑配制物固化时的翘曲最小。17. 减小晶片在施用至硅支撑件的一侧的可固化模塑配制物固化时翘曲的方法，所述 方法包括在所述可固化模塑配制物固化之前将增强元件施用至所述可固化模塑配制物。18. 根据权利要求17所述的方法，其中晶片在固化时的翘曲减小至少20%。19. 制备在固化时基本没有翘曲的晶片的方法，所述方法包括： 将可固化模塑配制物施用至硅层的一侧，然后 将增强元件施用至所述可固化模塑配制物。20. 根据权利要求19所述的方法，还包括在将所述增强元件施用至所述可固化模塑配 制物之后固化所述可固化模塑配制物。21. 根据权利要求20所述的方法，其中晶片在固化时的翘曲减小至少20%。22. 根据权利要求16所述的方法，其中所述结构的8"晶片在固化时的翘曲< 1mm且/ 或所述结构的12"晶片在固化时的翘曲< 2mm。23. 制备在固化时基本没有翘曲的晶片的方法，所述方法包括将增强元件施用至其上 具有模塑配制物的硅中介层的一侧。24. 根据权利要求23所述的方法，还包括在将所述增强元件施用至所述模塑配制物后 固化所述模塑配制物。25. 根据权利要求24所述的方法，其中所述结构的8"晶片在固化时的翘曲< 1mm且/ 或所述结构的12"晶片在固化时的翘曲< 2mm。26. 根据权利要求24所述的方法，其中晶片在固化时的翘曲减小至少20%。
【专利摘要】本发明提供这样的多层结构，其在某些组分固化时翘曲的倾向减小。一方面，提供包含多个上述多层结构的多层组件。另一方面，提供用于减小晶片在其上所施用的模塑组合物固化时翘曲的方法。又一方面，提供制备在固化时基本没有翘曲的晶片的方法。
【IPC分类】H01L23/28
【公开号】CN105408995
【申请号】CN201480039589
【发明人】T·塔卡诺, G·黄
【申请人】汉高知识产权控股有限责任公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2014年7月8日
【公告号】US20160079187, WO2015013024A1