在埋区和通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，在 图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状并不意图示出装置的区域的实际形状，也 不意图进行限制。
[0036] 除非另有定义，否则这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有本公 开是其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。除非这里明确这样定 义，否则诸如这些在通用字典中定义的术语应被解释为具有与相关领域上下文中的它们的 含义一致的含义，并且将不会被以理想的或过于形式化的意义来解释。
[0037] 图1是示出了根据示例实施例的透明显示装置的剖视图。
[0038] 参照图1，透明显示装置100可以包括透明基础基板105、半导体器件、显示结构、 包封层165、保护层180等。
[0039] 透明基础基板105可以支承透明显示装置100的元件。例如，透明基础基板105 可以包括具有期望的柔性的聚合物，因此，透明显示装置100可以是柔性透明显示装置。
[0040] 在示例实施例中，透明基础基板105可以包括聚酰亚胺类材料。这里，电子施主单 元可以与包含在聚酰亚胺类材料中的酰亚胺单元的相邻氮原子结合。电子施主单元的示例 可以包括诸如苯的芳香环。在聚酰亚胺类材料中的酰亚胺单元可以用作电子受体单元。由 于电子施主单元与电子受体单元之间的分子相互作用，可以形成电荷转移络合物（charge transfer complex, CTC)。因此，透明基础基板105可以具有增强的耐热性和改善的机械强 度。电荷转移络合物可以吸收具有约560nm到约580nm的波长的光，使得透明基础基板105 可以是具有例如黄颜色的有色基础基板。
[0041] 在一些示例实施例中，诸如_CF3S _Si02的具有相对高的电负性的官能团可以引 入到酰亚胺单元之间或者引入到酰亚胺单元内。这可以减小酰亚胺单元的电子密度并且 抑制电荷转移络合物的形成。另外，包含多个芳香环的相对大的官能团可以引入到酰亚胺 单元之间或引入到酰亚胺单元内，这可以抑制电荷转移络合物的形成。因此，透明基础基板 105可以用作基本上透明的聚合物基板。即，透明聚合物基板可以包括聚酰亚胺类材料。
[0042] 半导体器件可以设置在透明基础基板105上。半导体器件可以包括薄膜晶体管 (TFT)。另外，电连接到半导体器件的布线可以布置在透明基础基板105上。在一些示例实 施例中，半导体器件可以包括有源图案110、栅极绝缘层115、栅电极120、源电极130和漏电 极 135。
[0043] 尽管未示出，但是阻挡层可以另外设置在透明基础基板105上。阻挡层可以具有 包含氧化硅（SiO x)或氮化硅（SiNx)的硅化合物层可以堆叠在透明基础基板105上的结构。 阻挡层可以防止氧气和/或湿气渗透到透明基础基板105中。
[0044] 在示例实施例中，缓冲层（未示出）可以设置在阻挡层上。缓冲层可以包括例如 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅（SiO xNy)等的硅化合物。缓冲层可以具有单层结构或多层结构。 缓冲层可以防止杂质、金属离子和/或湿气朝着叠置结构扩散。
[0045] 半导体器件的有源图案110可以设置在透明基础基板105或缓冲层上。有源图案 110可以包括多晶硅、非晶硅、部分结晶的硅、包含微晶体的硅等。可选择地，有源图案110 可以包括氧化物半导体。
[0046] 栅极绝缘层115可以设置在透明基础基板105上以基本上覆盖有源图案110。栅 极绝缘层115可以包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的硅化合物。
[0047] 栅电极120可以设置在栅极绝缘层115上。栅电极120可以定位在栅极绝缘层 115的其下设有有源图案110的一部分上。栅电极120可以包括金属、合金、金属氮化物等。 例如，栅电极120可以包括钼（Mo)、包含钼的合金、铝（A1)、包含铝的合金、氮化铝（A1N X)、 银、包含银的合金、钨（W)、氮化钨（WNX)、铜（Cu)、包含铜的合金、镍（Ni)、钛（Ti)、氮化钛 (TiN x)、铂（Pt)、钽（Ta)、氮化钽（TaNx)等。可选择地，栅电极120可以包括诸如氧化铟锡、 氧化铟锌等的透明导电材料。
[0048] 绝缘中间层125可以设置在栅极绝缘层115和栅电极120上。绝缘中间层125可 以包括例如氧化硅、氮化硅等的硅化合物。
[0049] 源电极130和漏电极135可以设置在绝缘中间层125上。源电极130和漏电极 135可以穿过绝缘中间层125和栅极绝缘层115,然后可以接触有源图案110。源电极130 和漏电极135中的每个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物等。可选择地，源 电极130和漏电极135中的每个可以包括透明导电材料。
[0050] 布线可以电连接到半导体器件。例如，布线可以包括电连接到栅电极120的扫描 线和电连接到源电极130的数据线。
[0051] 绝缘层140可以设置在绝缘中间层125上以覆盖半导体器件和布线。例如，绝缘 层140可以包括丙烯酰类树脂、聚酰亚胺类树脂、环氧类树脂、聚酯类树脂等。
[0052] 显示结构可以设置在绝缘层140上。显示结构可以包括第一电极145、显示层155 和第二电极160。
[0053] 第一电极145可以定位在绝缘层140上。第一电极145可以电连接到漏电极135。 例如，第一电极145可以穿过绝缘层140,然后可以接触漏电极135。第一电极145可以包 括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物等。第一电极145可以根据透明显示装置100 的类型而用作反射电极或透射电极。
[0054] 像素限定层150可以设置在绝缘层140上。像素限定层150可以基本上覆盖第一 电极145的外围部分，并且可以限定透明显示装置100的显示区、像素区或发光区。例如， 像素限定层150可以包括光致抗蚀剂、丙烯酰类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂等。
[0055] 显示层155可以位于第一电极145上。在示例实施例中，显示层155可以包括有 机发光层。这里，透明显示装置100可以是透明有机发光显示装置。有机发光层可以另外 包括空穴传输层（HTL)、电子传输层（ETL)等。
[0056] 在一些示例实施例中，显示层155可以包括液晶层，因此透明显示装置100可以是 透明液晶显示装置。在此情况下，用于液晶分子的取向的取向层可以设置在第一电极145 和/或第二电极160上。
[0057] 尽管在图1中显示层155在像素限定层150上从第一电极145延伸，但是通过像 素限定层的暴露第一电极145的像素开口可以限定显示层155。
[0058] 第二电极160可以设置在显示层155上。例如，第二电极160可以延伸到像素限 定层150上。第二电极160可以包括金属、金属氮化物、透明导电金属氧化物等。
[0059] 包封层165可以设置在第二电极160上以覆盖显示结构。例如，包封层165可以 基本上覆盖透明显示装置100的前表面。包封层165可以包括透明有机材料或硅基材料。
[0060] 保护层180可以设置在包封层165上以保护显示结构。在示例实施例中，保护层 180可以包括粘附膜170和保护膜175。粘附膜170和保护膜175中至少一个可以包含蓝 色染料。蓝色染料的示例可以包括蒽醌类蓝色染料、偶氮类蓝色染料、酞菁类蓝色染料等。 这些蓝色染料可以单独使用或以它们的混合物来使用。蓝色染料可以选择性地吸收波长为 约460nm到约480nm的光。
[0061] 粘附膜170可以包括压敏粘合剂（PSA)。可替换地，粘附膜170可以包括通过蓝色 染料与单体的聚合而形成的聚合物树脂。例如，粘附膜170可以包括与蓝色染料结合的丙 烯酰类树脂。
[0062] 保护膜175可以附着到透明显示装置100的前表面以防止湿气和粉尘从外部渗透 到透明显示装置100内。另外，保护膜175可以防止透明显示装置100受到诸如刮伤的损 害。在示例实施例中，保护膜175可以包括蓝色染料，使得保护膜175和/或粘附膜170可 以执行显示在透明显示装置100上的图像的颜色校正。
[0063] 如上所述，当透明基础基板105是具有黄颜色的有色聚合物基板时，粘附膜170 可以校正由存在于有色聚合物基板中的电荷转移络合物引起的大的黄色指数（yellow index)。例如，粘附膜170的蓝颜色可以与有色聚合物基板的黄颜色叠加以实现透明基础 基板105的透明度。因此，在通过粘附膜170增强透明基础基板105的透明度的同时，电荷 转移络合物可以改善透明基础基板105的机械强度和耐热性。
[0064] 在一些示例实施例中，当透明基础基板105是透明聚合物基板时，与有色聚合物 基板相比，它可以具有相对低的耐热性和机械强度。因此，当形成有源图案110或固化诸如 有机材料的元件时，透明基础基板105可以通过热处理进行诸如黄化的变色。在此情况下， 粘附膜170可以校正透明基础基板105的黄化以改善透明基础基板105的透明度。
[0065] 根据示例实施例，可以适当地调节蓝色染料的量以解决透明基础基板105的变 色。在一些示例实施例中，保护层180可以另外包括蓝色颜料颗粒。蓝色颜料颗粒的示例 可以包括酞菁类蓝色颜料颗粒、钴蓝类颜料颗粒、普鲁士蓝类颜料颗粒、土耳其蓝类颜料颗 粒等。这些可以单独使用或以它们的混合物来使用。例如，蓝色颜料颗粒可以具有约10nm 至约100nm的平均直径。
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