调整曝光量或曝光时间以使第一区域21的厚度为In:第二区域22的厚度1!2在4: 5至1:3范围内。在这个范围内，利于完成后续的步骤，且不会发生光学接近效应导致显影后的图形失真产生不良。
[0040]优选的，所述硬烘包括在膜层2远离基底的一侧进行加热。
[0041]也就是说，该步骤中的硬烘的作用仅仅是使得膜层2的表面变硬，这样在后续的第二次曝光显影步骤中，硬化的表面部分难于溶解于显影剂溶液中，因此不会发生光学接近效应导致显影后的图形失真产生不良。特别需要说明的是，这步硬烘是从膜层2上方进行加热，仅仅硬化膜层2的表面，膜层2内部、第一区域21的膜层2未完全曝光的部分不会受到影响，不会变硬，不影响二次曝光。
[0042]优选的，所述加热温度为100_120°C，所述加热时间为1-50秒。
[0043]也就是说，从膜层2上方加热时，较佳工艺参数为加热温度100-120°C，加热时间1-50秒。更优选的，加热温度为110°C,加热时间为25秒。
[0044]实施例3:
[0045]本实施例提供一种图案化方法，其与实施例2的方法类似，其步骤流程图见图4，具体包括以下步骤:
[0046]S1:对形成在基底上的膜层进行第一次曝光显影，以使膜层的第一区域的厚度为hi与第二区域的厚度匕的比值为4:5至1:3。
[0047]S2:硬烘，以使膜层远离基底一侧的第二区域的表面硬化;硬烘时的加热温度为110°C，加热时间为25秒。
[0048]S3:进行第二次曝光显影，以使第一区域的膜层完全去除。
[0049]实施例4:
[0050]本实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括在基底上形成膜层的步骤，以及对上述膜层进行图案化的步骤，所述图案化通过上述实施例2的图案化方法进行。
[0051]优选的，所述膜层由正性光刻胶构成，所述第一区域为曝光区，所述第二区域为非曝光区。
[0052]优选的，所述膜层由负性光刻胶构成，所述第一区域为非曝光区，所述第二区域为曝光区。
[0053]也就是说，光刻胶有正性光刻胶、负性光刻胶之分，负性光刻胶就是曝光区域的光刻胶留下，正性光刻胶则是非曝光区域的光刻胶留下。
[0054]优选的，所述膜层包括栅极金属层或源漏金属层。
[0055]也就是说，本发明中所说的膜层可以是光刻胶，也可以是阵列基板上的栅极金属层或源漏金属层。其中，当膜层是光刻胶时，欲形成光刻胶的图案，只需两次曝光显影，并在两次曝光显影中间增加一次对光刻胶表层的硬烘即可。若是形成栅极金属层或源漏金属层的图形，则是利用光刻胶，经过显影留下来的光刻胶相当于保护板，栅极金属层或源漏金属层中未被光刻胶保护的区域通过刻蚀工艺去除。
[0056]显然，上述各实施例的【具体实施方式】还可进行许多变化；例如:硬烘时的加热时间、加热温度可以根据具体情况进行调整，加热源距离膜层表面的距离可以根据具体情况进行调整。
[0057]实施例5:
[0058]本实施例提供了一种显示装置，其包括上述实施例4的方法制备的阵列基板。所述显示装置可以为:液晶显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0059]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种图案化方法，其特征在于，包括以下步骤: 对形成在基底上的膜层进行第一次曝光显影，以使膜层的第 一区域的厚度小于第二区域的厚度； 硬烘，以使膜层远离基底一侧的第二区域的表面硬化； 进行第二次曝光显影，以使第一区域的膜层完全去除。2.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，所述第一区域的厚度为In，第二区域的厚度为h2，其中，Iuih2为4:5至1:3。3.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，所述硬烘包括在膜层远离基底的一侧进行加热。4.根据权利要求3所述的图案化方法，其特征在于，所述加热温度为100-120°C，所述加热时间为1-50秒。5.—种阵列基板的制备方法，包括在基底上形成膜层的步骤，以及对上述膜层进行图案化的步骤，其特征在于，所述图案化通过权利要求1-4任一项所述的图案化方法进行。6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述膜层由正性光刻胶构成，所述第一区域为曝光区，所述第二区域为非曝光区。7.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述膜层由负性光刻胶构成，所述第一区域为非曝光区，所述第二区域为曝光区。8.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述膜层包括栅极金属层或源漏金属层。
【专利摘要】本发明提供一种图案化方法及阵列基板的制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的高密度的曝光显影时，相邻的图案之间容易发生光学接近效应导致显影后的图形失真产生不良的问题。本发明的图案化方法，包括两次曝光显影，且在两次曝光显影中间增加了硬烘工艺，使得相邻的曝光图形之间的膜层表面硬化，防止相邻的曝光图形之间发生光学接近效应导致显影后的图形失真产生不良。本发明的图案化方法适用于阵列基板的各膜层的制备工艺中，尤其适用于制备显示分辨率高的阵列基板的各膜层。
【IPC分类】H01L21/77, H01L21/027, G03F7/40, G03F7/00
【公开号】CN105679657
【申请号】CN201610053160
【发明人】刘宇, 任艳伟, 赵欣, 徐敬义, 赵艳艳, 张琨鹏
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2016年1月26日