有机发光显示面板的制作方法

文档序号:9930485阅读:236来源:国知局
有机发光显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种有机发光显示面板,尤其是涉及一种能避免熔接胶制作工艺造成有机发光组件烧毁的有机发光显示面板结构。
【背景技术】
[0002]由于有机发光二极管(Organic Light-Emitting D1de,0LED)显示面板具有广视角、反应时间快、高发光效率、高对比度与低耗电以及适合制作大尺寸显示面板与可挠式显示面板等优点,因此有机会成为下一世代的显示面板的主流产品。
[0003]现有技术已开发出采用激光照射熔接胶以使熔接胶将显示面板的两基板接合固定。然而在激光照射熔接胶的过程中,当激光移动至熔接胶的转折处时,会因为热应力集中以及热传导而导致有机发光组件内的有机材料损坏,进而造成有机发光显示面板于显示时产生暗点。

【发明内容】

[0004]本发明的目的之一在于提供一种有机发光显示面板,其可避免在激光照射熔接胶的转折处时,因热应力集中以及热传导而导致有机发光组件内的有机材料损坏。
[0005]为达上述目的,本发明提供一种有机发光显示面板,其包括第一基板、第二基板、熔接胶、绝缘层以及多个有机发光组件。第一基板具有显示区与非显示区,其中非显示区围绕显示区设置。第二基板相对第一基板设置。熔接胶位于非显示区内并环绕显示区,用以接合固定第一基板与第二基板,其中熔接胶包括至少一转折图案。绝缘层位于第一基板上,其中绝缘层具有至少一第一开口图案设置于熔接胶与显示区之间,且第一开口图案至少邻近于转折图案设置。有机发光组件位于绝缘层上的显示区内。
[0006]为达上述目的,本发明另提供一种有机发光显示面板,其包括第一基板、第二基板、熔接胶、绝缘层以及多个有机发光组件。第一基板具有显示区与非显示区,其中非显示区围绕显示区设置。第二基板相对第一基板设置。熔接胶位于非显示区内并环绕显示区,用以接合固定第一基板与第二基板。多个有机发光组件位于第一基板上的显示区内。绝缘层位于第一基板上,其中绝缘层具有第一部及第二部,有机发光组件设置于第一部上,熔接胶设置于第二部上,且第一部与第二部之间具有一间隙。
【附图说明】
[0007]图1为本发明的第一实施例的有机发光显示面板的上视示意图;
[0008]图2为本发明的第一实施例的有机发光显示面板于图1中X区域的放大示意图;
[0009]图3为本发明的第一实施例的有机发光显示面板沿图2切线A-A’的剖面示意图;
[0010]图4为本发明的第一实施例的一变化实施例的有机发光显示面板的上视示意图;
[0011]图5为本发明的第一实施例的一变化实施例的有机发光显示面板于图4中X区域的放大示意图;
[0012]图6为本发明的第二实施例的有机发光显示面板沿图2切线A-A’的剖面示意图;
[0013]图7为本发明的第三实施例的有机发光显示面板沿图2切线A-A’的剖面示意图;
[0014]图8为本发明的第四实施例的有机发光显示面板的上视示意图;
[0015]图9为本发明的第四实施例的有机发光显示面板沿图8切线A-A’的剖面示意图。
[0016]符号说明
[0017]1、2、3、4有机发光显示面板
[0018]102第一基板
[0019]104第二基板
[0020]106熔接胶
[0021]108,112侧边
[0022]HO转折图案
[0023]114角落区
[0024]116缓冲层
[0025]118第一导电层
[0026]120栅极绝缘层
[0027]122第二导电层
[0028]124层间介电层
[0029]126绝缘层
[0030]128有机发光组件
[0031]130阳极
[0032]132阴极
[0033]134有机发光层
[0034]136平坦层
[0035]138像素定义层
[0036]140间隙子
[0037]142间隙
[0038]144第一部
[0039]146第二部
[0040]d曲率半径[0041 ]D距离
[0042]Pl第一开口图案
[0043]P2第二开口图案
[0044]P3第三开口图案
[0045]Rl显示区
[0046]R2非显示区
[0047]R3夕卜引脚接合区
[0048]X区域
【具体实施方式】
[0049]为使熟悉本发明所属技术领域的一般技术者能更进一步了解本发明,下文特列举本发明的较佳实施例,并配合所附附图,详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。
[0050]请一并参考图1至图3,图1为本发明的第一实施例的有机发光显示面板的上视示意图,图2为图1中X区域的放大示意图,以及图3为本发明的第一实施例的有机发光显示面板沿图2切线A-A’的剖面示意图。如图1至图3所示,本实施例的有机发光显示面板I包括第一基板102、第二基板104与熔接胶106。本实施例的第一基板102可包括玻璃基板、塑料基板或其他适合的硬式或可挠式基版,并可作为有机发光显示面板I的阵列基板,但不以此为限。第一基板102具有显示区R1、非显示区R2与外引脚接合区R3,其中非显示区R2围绕显示区Rl设置,且外引脚接合区R3邻近平行设置于非显示区R2的一侧边108。第二基板104可包括透明基板例如玻璃基板、塑料基板或其他适合的硬式或可挠式的透明基板,并可作为有机发光显示面板I的盖板,但不以此为限。第二基板104相对第一基板102的显示区Rl与非显示区R2平行设置且暴露出第一基板102的外引脚接合区R3,使得外引脚接合区R3内的导线或电子组件可外接其他电路组件。此外,本实施例的第二基板104具有多个侧边112,而任两相邻且不互相平行的侧边112的相接处分别定义有角落区114,如图1中以标号114与虚线标示出的区域。
[0051]熔接胶106位于非显示区R2内并环绕显示区Rl,且设置于第一基板102与第二基板104之间以使第一基板102与第二基板104接合固定,其中熔接胶106包括多个转折图案110,分别设置于第二基板104的角落区114的其中一者,如图1所示,本实施例的第二基板104具有四个角落区114,而熔接胶106亦包括四个转折图案110分别位在一个角落区114内。详细而言,各转折图案110为R角图案,且本实施例的R角图案的曲率半径d的范围为约0.7毫米至约I毫米,但不以此为限。此外,熔接胶106的各转折图案110与显示区Rl之间具有一距离D,且本实施例的距离D的范围为约450微米至约650微米,但不以此为限。本实施例的熔接胶106举例为玻璃熔接胶,但不以此为限,任何其他适合的光固化胶或胶材皆可应用于本发明中。熔接胶106可包括氧化物微粒,其可包括金属氧化物、过渡元素的氧化物或上述的组合。本实施例的熔接胶106是以包括五氧化二钒(V2O5)微粒的玻璃熔接胶为例,熔接胶106中的氧化物微粒的材料也可例如为二氧化硅(S12)或氧化铝(Al2O3),但不以此为限。再者,本实施例的熔接胶106适于利用波长范围为约600纳米至约1200纳米之间的激光照射,以与第一基板102与第二基板104熔接,但不以此为限。
[0052]有机发光显示面板I可进一步包括缓冲层116、第一导电层118、栅极绝缘层120、第二导电层122、层间介电层124以及绝缘层126设置于第一基板102上。缓冲层116设置于第一基板102上,可包括无机绝缘材料、有机绝缘材料或上述材料的组合或堆栈,但不以此为限。第一导电层118设置于缓冲层116上,其可作为例如薄膜晶体管的栅极,或有机发光显示面板I内的扫描线等,但不以此为限。栅极绝缘层120设置于第一导电层118上,其材料可包括无机绝缘材料例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅或上述材料的堆栈,但不以此为限。举例而言,本实施例的栅极绝缘层120为氧化硅与氮化硅的堆栈,其中氧化硅的厚度为约500埃以及氮化硅的厚度为约200埃,但不以此为限。第二导电层122设置于栅极绝缘层120上,其可作为例如薄膜晶体管的源极或漏极,或有机发光显示面板I内的资料线等,但不以此为限。第一导电层118与第二导电层122的材料可为不透明导电材料例如金属或合金或透明导电材料例如氧化铟锡,但不以此为限。层间介电层124设置于第二导电层122上,其材料可包括无机绝缘材料例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅或上述材料的堆栈,但不以此为限。举例而言,本实施例的层间介电层124为氧化硅与氮化硅的堆栈,其中氧化硅的厚度为约3000埃以及氮化硅的厚度为约3000埃,但不以此为限。
[0053]绝缘层126设置于层间介电层124与熔接胶106之间,本实施例的熔接胶106直接设置于绝缘层126上方并与绝缘层126互相接触,换言之,本实施例的熔接胶106设置于绝缘层126与第二基板104之间。绝缘层126的材料可为氮化硅且厚度小于5000埃,但不以此为限。需注意的是,本实施例的绝缘层126具有多个第一开口图案Pl设置于熔接胶106与显示区Rl之间,且第一开口图案Pl至少邻近于转折图案110设置。第一开口图案Pl与显示区Rl的距离举例为约650um至Oum,或第一开口图案Pl与恪接胶106的最小距离举例为约650um至OumJJi不以此为限。详细而言,本实施例的熔接胶106具有四个转折图案110分别对应第二基板104的四个角落区114设置,当熔接胶106的转折图案110符合其曲率半径d的范围为约0.7毫米至约I毫米时,即于熔接胶106的转折图案110与显示区Rl之间的绝缘层126设置第一开口图案P1,由此使得邻近角落区114的显示区Rl内的绝缘层126与位于角落区114的熔接胶106下方的绝缘层126断开,以避免激光照射转折图案110时会因热应力集中以及热传导造成有机发光层134损坏。
[0054]在本实施例中,有机发光显示面板I包括多个有机发光组件128位于绝缘层1
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