,本实施例优选厚度为1000 A的氮化硅层。
[0047] 所述半导体层02厚度为400人~1000人,本实施例优选为5001。
[0048] 所述栅极层4选自但不限于单层或多层低阻导电层（如此、0、胃、]/[0￥、41、1';[等）， 厚度为2000 A~3000人，本实施例优选为2500 A的M0层。
[0049] 所述源/漏电极层07选自但不限于单层或多层低阻导电层（如Mo、Cr、W、MoW、 Al、Ti等），厚度为2000人~3000 A,本实施例优选为5000 A依次堆叠设置的A1层和Ti 层。
[0050] 所述层间绝缘层包括氧化娃层05和非晶娃层06,所述氧化娃层05的厚度为 2500A，所述非晶硅层〇6的前驱体优选为H 2，厚度为1〇〇〇
[0051] 作为本发明的可变化实施例，所述非晶硅层06的前驱体还可以为Ar，均可 以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
[0052] 作为本发明的可变换实施例，所述非晶硅层06的厚度还可以为]000~3500人。所 述层间绝缘层可以仅包括非晶硅层06 ;也可以包括非晶硅层06之外，还包括氧化硅层和/ 或氮化硅层，所述氧化硅层和/或所述氮化硅层的厚度为丨000~4000A。
[0053] 所述的晶体管的制备方法，包括如下步骤：
[0054] S1、如图1A所示，通过等离子体增强化学气相沉积法（PECVD)在基板00上依次形 成缓冲层01和非晶硅层；通过对非晶硅层进行激光晶化形成多晶硅层，再通过刻蚀工艺图 案化，形成半导体层02。如图1B所示，通过等离子体增强化学气相沉积法（PECVD)形成覆 盖所述半导体层02的栅极绝缘层03 ;通过磁控溅射工艺在所述栅极绝缘层03上对应所述 半导体层02的正投影位置形成栅极层04 ;通过等离子体增强化学气相沉积法在所述栅极 层04上依次形成包括氧化硅层05与非晶硅层06的层间绝缘层。
[0055] S2、如图1B所示，通过刻蚀工艺在栅极绝缘层03、层间绝缘层中形成两个贯通的 孔道，以暴露半导体层02两端的部分区域。
[0056] S3、如图1B所示，通过磁控溅射工艺在层间绝缘层上形成直接覆盖半导体层02两 端孔道对应区域的源/漏电极层07,以形成源极和漏极。
[0057] S4、以层间绝缘层为氢源对半导体层02进行氢化处理；驱动非晶硅层06中的氢原 子向半导体层02中迀移，以填充半导体层02中的缺陷态，能够有效提高半导体层02的载 流子迀移率，降低所述晶体管亚阈值摆幅，从而加强电压对电流的控制能力，进而提高所述 晶体管性能。
[0058] 前驱体，顾名思义就是获得目标产物前的一种存在形式，大多是以有机-无机配 合物或混合物存在，也有部分是以溶胶形式存在。本实施例中，优选以3111 4与112为非晶硅 层06的前驱体制备非晶硅层06,能够进一步提高非晶硅层06中氢原子浓度，提高半导体层 的氢化效率。
[0059] 另外，所述的晶体管，以非晶硅层06为层间绝缘层，由于非晶硅层06优异的紫外 光线吸收性能，能够有效阻挡环境中的紫外光线对晶体管的侵害作用，提高所述晶体管的 使用寿命。
[0060] 如图1D所示，本实施例所述的有机电致发光装置，包括所述的晶体管，还包括有 机发光二极管，所述有机发光二极管进一步包括依次层叠设置的第一电极层09、有机发光 层11和第二电极层12。所述晶体管上还形成有用于平滑所述晶体管上表面的平坦化层08， 所述第一电极层09直接设置在所述平坦化层08上；所述平坦化层08上还设置覆盖所述第 一电极层09部分区域的像素限定层10,用于限定所述有机发光二极管的发光区域。，所述 第一电极层09通过设置在所述平坦化层08中的通孔与源/漏电极层07电连接。所述的 有机电致发光装置，包括所述的晶体管，电压对电流的控制能力强，性能优异。
[0061] 所述的有机电致发光装置的制备方法，如图1C和图1D所示，在上述步骤S4之后 还包括在所述晶体管上形成有机发光二极管的步骤。所述有机发光二极管的选用材料、规 格、制备方法同现有技术，不为本发明创造的必要技术特征，本实施例中不再赘述。
[0062] 所述的有机电致发光装置的制备方法，工艺简单，适合大规模的工业化生产。
[0063] 显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对 于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或 变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或 变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
【主权项】
1. 一种晶体管，包括基板（00)，沿垂直基板（00)方向，依次在基板（00)上方形成的半 导体层（02)、栅极绝缘层（03)、栅极层（04)、层间绝缘层和源/漏电极层（07);所述半导体 层（02)为多晶硅层；其特征在于： 所述层间绝缘层包括非晶硅层（06)。2. 根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述非晶硅层（06)的前驱体为3以4与 H2,或3丨比与Ar。3. 根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述非晶硅层（06)的厚度为 1000Λ~3500Α。4. 根据权利要求1-3任一项所述的晶体管，其特征在于，所述层间绝缘层还包括氧化 硅层和/或氮化硅层。5. 根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述氧化硅层和/或所述氮化硅层的厚 度为 1000 Α ~4000A s6. 根据权利要求1-3或5任一项所述的晶体管，其特征在于，所述基板（00)上还直接 设置有缓冲层（01)。7. -种权利要求1-6任一项所述的晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 51、 在基板（00)上依次形成半导体层（02)、栅极绝缘层（03)、栅极层（04)、以及包括非 晶硅层（06)的层间绝缘层； 52、 在栅极绝缘层（03)、层间绝缘层中形成两个贯通的孔道，以暴露半导体层（02)两 端的部分区域； 53、 在层间绝缘层上形成直接覆盖半导体层（02)两端孔道对应区域的源/漏电极层 (07)，以形成源极和漏极； 54、 以层间绝缘层为氢源对半导体层（02)进行氢化处理。8. 根据权利要求7所述的晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述非晶硅层 (06)的前驱体为SiH# Η 2，或SiH# Ar。9. 根据权利要求7所述的晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S1中，还包括在所述基 板（00)上直接形成缓冲层（01)的步骤。10. -种有机电致发光装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的晶体管。11. 根据权利要求10所述的有机电致发光装置，其特征在于，还包括有机发光二极管， 所述有机发光二极管进一步包括依次层叠设置的第一电极层（09)、有机发光层（11)和第 二电极层（12)，所述第一电极层（09)与源/漏电极层（07)电连接。12. 根据权利要求11所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述晶体管上还形成有 用于平滑所述晶体管上表面的平坦化层（08)，所述第一电极层（09)直接设置在所述平坦 化层（08)上； 所述平坦化层（08)上还设置覆盖所述第一电极层（09)部分区域的像素限定层（10)， 用于限定所述有机发光二极管的发光区域。13. -种权利要求10-12所述的电致发光装置的制备方法，其特征在于，包括如下步 骤： S1、在基板（00)上依次形成半导体层（02)、栅极绝缘层（03)、栅极层（04)、以及包括非 晶硅层（06)的层间绝缘层； 52、 在栅极绝缘层（03)、层间绝缘层中形成两个贯通的孔道，以暴露半导体层（02)两 端的部分区域； 53、 在层间绝缘层上形成直接覆盖半导体层（02)两端孔道对应区域的源/漏电极层 (07)，以形成源极和漏极； 54、 以层间绝缘层为氢源对半导体层（02)进行氢化处理。14.根据权利要求13所述的电致发光装置的制备方法，其特征在于，步骤S4之后还包 括在所述晶体管上形成有机发光二极管的步骤。
【专利摘要】本发明涉及半导体技术领域，所述的晶体管，包括基板，沿垂直基板方向，依次在基板上方形成的半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层和源/漏电极层，所述层间绝缘层包括非晶硅层。由于非晶硅层中含有丰富的氢原子，以非晶硅层作为氢源对半导体层进行氢化处理，驱动非晶硅层中的氢原子向半导体层中迁移，以填充半导体层中的缺陷态，能够有效提高半导体层的载流子迁移率，降低晶体管亚阈值摆幅，从而加强电压对电流的控制能力，提高所述晶体管性能，进而提高应用其的有机电致发光装置的性能。本发明所述的晶体管制备方法以及应用该有机电致发光装置的制备方法，工艺简单，适合大规模生产应用。
【IPC分类】H01L29/786, H01L27/32, H01L21/336
【公开号】CN105720106
【申请号】CN201410736177
【发明人】卜维亮
【申请人】昆山国显光电有限公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2014年12月5日