包括阶梯型基板的半导体封装的制作方法

文档序号:10319508阅读:398来源:国知局
包括阶梯型基板的半导体封装的制作方法
【技术领域】
[0001]多种实施方式总体涉及半导体封装,并且更具体地,涉及包括阶梯型基板的半导体封装。
【背景技术】
[0002]随着电子产品的尺寸减小并且具有更高的功能,需要具有更高容量的半导体芯片以满足特定的功能。另外,存在将大量半导体芯片安装在具有较小尺寸的半导体产品上的需求。
[0003]然而,制造具有大容量的半导体芯片或将大量半导体芯片设置在有限空间中的技术已经达到它们的极限。因此,最近,正在将大量半导体芯片嵌入到单个封装中。
[0004]为此目的,开发了嵌入一个或更多个半导体芯片并且改善电特性而不增加封装总厚度的各种技术。
【实用新型内容】
[0005]在实施方式中,可以提供一种半导体封装。所述半导体封装可以包括基板,所述基板被构造为包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面,并且具有在所述第一表面中形成的凹口。所述半导体封装可以包括在所述凹口的底部设置的第一半导体芯片,以及在所述基板的所述第二表面上设置的第二半导体芯片。所述半导体封装可以包括在所述基板的所述第一表面和所述第一半导体芯片的上方设置的第三半导体芯片。所述半导体封装可以包括在所述第三半导体芯片上方设置的第四半导体芯片。
[0006]—种半导体封装,其特征在于,该半导体封装包括:
[0007]基板,所述基板具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面,并且具有在所述第一表面中形成的凹口;
[0008]第一半导体芯片,所述第一半导体芯片设置在所述凹口的底部;
[0009]第二半导体芯片,所述第二半导体芯片设置在所述基板的所述第二表面;
[0010]第三半导体芯片,所述第三半导体芯片设置在所述基板的所述第一表面和所述第一半导体芯片的上方;以及
[0011]第四半导体芯片,所述第四半导体芯片设置在所述第三半导体芯片上方。
[0012]一种半导体封装,其特征在于,
[0013]其中,所述第一半导体芯片通过倒装芯片接合方法设置在所述凹口的底部,并且
[0014]其中,所述第二半导体芯片通过倒装芯片接合方法设置在所述基板的所述第二表面。
[0015]—种半导体封装,其特征在于,所述基板包括:
[0016]第一接合指,所述第一接合指布置在所述凹口的底部;
[0017]第二接合指,所述第二接合指布置在所述第二表面中;
[0018]第三接合指,所述第三接合指布置在所述第一表面的位于所述凹口外侧的部分中;以及
[0019]第四接合指,所述第四接合指布置在所述第一表面的位于所述第三接合指外侧的部分中。
[0020]—种半导体封装,其特征在于,所述基板还包括布置在所述基板的所述第二表面的位于所述第二接合指外侧的部分中的球座。
[0021 ] 一种半导体封装,其特征在于,所述凹口在垂直于第一方向的第二方向中的长度大于所述凹口在所述第一方向中的长度。
[0022]一种半导体封装,其特征在于:
[0023]所述第一半导体芯片至所述第四半导体芯片中的每一个包括有源表面和与所述有源表面相反的背面,并且
[0024]所述第一半导体芯片至所述第四半导体芯片包括与所述有源表面各自的边缘和与所述边缘相反的另一边缘相邻地布置的第一接合焊盘至第四接合焊盘。
[0025]—种半导体封装,其特征在于,所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片各自与所述凹口对应地在与第一方向垂直的第二方向中的长度大于在所述第一方向中的长度,并且通常具有彼此相同的尺寸和形状。
[0026]—种半导体封装,其特征在于,所述第三半导体芯片和所述第四半导体芯片各自在第一方向中的长度大于在与所述第一方向垂直的第二方向中的长度,并且通常具有彼此相同的尺寸和形状。
[0027]一种半导体封装,其特征在于:
[0028]所述第三半导体芯片通过倒装芯片接合方法设置在所述基板的所述第一表面,使得所述第三半导体芯片的所述有源表面面向所述基板的所述第一表面和所述第一半导体芯片的所述背面,并且
[0029]所述第四半导体芯片设置在所述第三半导体芯片的所述背面上方,使得所述第四半导体芯片的所述背面面向所述第三半导体芯片的所述背面。
[0030]一种半导体封装,其特征在于,该半导体封装还包括:
[0031]第一凸块至第三凸块,所述第一凸块至所述第三凸块被构造为在所述基板和所述第一半导体芯片至所述第三半导体芯片之间电连接;以及
[0032]接合线,所述接合线被构造为将所述基板与所述第四半导体芯片电连接。
[0033]—种半导体封装,其特征在于,该半导体封装还包括粘合构件,所述粘合构件插置在所述第三半导体芯片的所述背面和所述第四半导体芯片的所述背面之间。
[0034]一种半导体封装,其特征在于:
[0035]所述第三半导体芯片设置在所述基板的所述第一表面上方,使得所述第三半导体芯片的所述背面面向所述基板的所述第一表面和所述第一半导体芯片的所述背面,并且
[0036]所述第四半导体芯片设置在所述第三半导体芯片的所述有源表面上方,使得所述第四半导体芯片的所述背面面向所述第三半导体芯片的所述有源表面。
[0037]—种半导体封装,其特征在于,该半导体封装还包括:
[0038]第一凸块和第二凸块,所述第一凸块和所述第二凸块被构造为将所述基板与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片电连接;以及
[0039]第一接合线和第二接合线,所述第一接合线和所述第二接合线被构造为将所述基板与所述第三半导体芯片和所述第四半导体芯片电连接。
[0040]一种半导体封装,其特征在于,该半导体封装还包括:
[0041]第一粘合构件,所述第一粘合构件插置在所述基板的所述第一表面和所述第一半导体芯片的所述背面二者与所述第三半导体芯片的所述背面之间;以及
[0042]第二粘合构件,所述第二粘合构件插置在所述第三半导体芯片的所述有源表面和所述第四半导体芯片的所述背面之间。
[0043]—种半导体封装,其特征在于,所述第二粘合构件包括穿透晶圆背面层压PWBL膜。
[0044]一种半导体封装,其特征在于,该半导体封装还包括密封构件,所述密封构件形成在所述基板的所述第一表面上以基本覆盖所述第一半导体芯片、所述第三半导体芯片和所述第四半导体芯片,并且形成在所述基板的所述第二表面上以基本覆盖所述第二半导体芯片。
[0045]—种半导体封装,其特征在于,所述密封构件基本形成在所述基板的所述第一表面上,并且仅部分形成在所述基板的所述第二表面上。
[0046]—种半导体封装,其特征在于,所述密封构件被形成为掩埋已经设置有所述第一半导体芯片的所述凹口。
[0047]—种半导体封装,其特征在于,该半导体封装还包括外部连接电极,所述外部连接电极形成在布置于所述基板的所述第二表面中的所述球座上。
[0048]一种半导体封装,其特征在于,
[0049]其中,所述外部连接电极包括焊球,所述焊球的高度大于或等于形成在所述基板的所述第二表面上的密封构件的厚度。
【附图说明】
[0050]图1是例示根据实施方式的除了密封构件以外的半导体封装的示例代表的平面图。
[0051 ]图2是例示根据实施方式的半导体封装的示例代表的底视图。
[0052]图3是例示根据实施方式的沿图1的线A-A’截取的半导体封装的示例代表的截面图。
[0053]图4A至图4F是例示每个过程的示例代表的截面图,所述每个过程例示了根据实施方式的制造半导体封装的方法。
[0054]图5是例示根据实施方式的半导体封装的示例代表的截面图。
[0055]图6是例示应用根据多种实施方式的半导体封装的电子系统的示例代表的框图。
[0056]图7是例示包括根据多种实施方式的半导体封装的存储卡的示例代表的框图。
【具体实施方式】
[0057]在下文中,可以参照附图通过多种实施方式的示例来描述包括阶梯型基板的半导体封装。
[0058]多种实施方式可以提供包括阶梯型基板的半导体封装。
[0059]参照图1至图3,根据实施方式的半导体封装100可以包括基板10、半导体芯片20、30、40和50、第一至第三凸块(bump) 62、64和66、接合线68、密封构件80和外部连接电极90。根据实施方式的半导体封装100可以包括粘合构件70。
[0060]基板10可以是例如多层结构的印刷电路基板。当在平面上观看时,基板10通常具有正方形板的形状。基板10可以具有对应于顶部的第一表面1a和面向第一表面1a并且对应于底部的第二表面10b。基板10可以具有在其第一表面1a中的凹口 R以使其在截面中具有阶梯型。当在平面上观看时,凹口 R可以具有第一方向X的长度比与第一方向X垂直的第二方向Y的长度更短的矩形形状。凹口 R可以以沿第二方向Y延伸的方
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