技术领域本发明涉及有机LED元件、有机LED元件的制造方法。
背景技术：
近年，正积极地进行等离子显示器面板(PDP)、场致发射显示器(FED)、有机LED元件、无机EL元件等新型发光器件的研究、开发。其中，有机LED元件(OrganicLightEmittingDiode)作为下一代的发光元件之一而受到瞩目。其具有在电极间夹持有机层的结构，作为发光的机理，首先，通过在电极间施加电压，从各自的电极注入空穴、电子，接着它们在有机层内结合，使有机层内的发光材料成为激发状态。之后，获取发光材料由激发状态到基态的过程中产生的光。作为具体的用途，可例举显示器或背光、照明等。作为有机LED元件的结构，例如专利文献1公开的具备在基板上形成作为多个孤立图案而形成的像素的第一电极线的主要部分2a，在第一电极的孤立图案群部分具有开口部的绝缘层3，形成于各孤立图案的包含发光部的规定部分的发光介质4，以与和发光介质相邻的孤立图案连接的方式形成的第二电极主要部分5a；像素部分由多个有机电致发光单元件构成，将它们串联连接的有机电致发光元件。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2000-029404号公报
技术实现要素：
发明所要解决的技术问题然而，具有如上所述的串联连接的结构的有机LED元件是构成作为透明电极的第一电极的复合氧化物和作为金属电极的第二电极直接接触的结构。因此，如果在两电极间施加电流，则存在构成透明电极的复合氧化物中的氧向金属电极侧扩散、金属电极的电阻值上升的问题。此外，如果透明电极和金属电极的界面部分中混入碳等杂质，则该杂质等也会成为使电极间的电阻值上升的原因。在这样的透明电极和金属电极的界面部分中电阻值上升的状态下导通电流的情况下，由于界面部分发热而金属电极的氧化进一步进行，有时根据情况由于发热而导致该界面部分烧断、元件破损。例如在照明用途等大电流持续导通的用途中，氧的扩散和发热量的增大变得更易进行，这一点尤其成为问题。本发明是鉴于上述现有技术所存在的问题而完成的发明，其目的在于提供一种抑制了构成有机LED元件的2个电极的界面附近的电阻上升的有机LED元件。解决技术问题所采用的技术方案本发明提供一种有机LED元件，它是多个发光区域被串联连接的有机LED元件，其中，上述发光区域具备第一电极，和第二电极；邻接的发光区域介由阻隔层来连接一个发光区域的第一电极和另一个发光区域的第二电极，上述第一电极和上述阻隔层的界面区域、或上述第二电极和上述阻隔层的界面区域中的C浓度为10原子％以下。此外，本发明提供一种有机LED元件，它是多个发光区域被串联连接的有机LED元件，其中，上述发光区域具备第一电极，和第二电极；邻接的发光区域介由阻隔层来连接一个发光区域的第一电极和另一个发光区域的第二电极，上述第二电极和上述阻隔层的界面区域中的O浓度为20原子％以下。此外，本发明提供一种有机LED元件，它是多个发光区域被串联连接的有机LED元件，其中，上述发光区域具备第一电极，和第二电极；邻接的发光区域介由阻隔层来连接一个发光区域的第一电极和另一个发光区域的第二电极，上述第一电极和上述阻隔层的界面区域、或上述第二电极和上述阻隔层的界面区域中的H浓度为5原子％以下。此处，本发明的有机LED元件中，上述第一电极和上述阻隔层的界面区域包括相容层。本发明的有机LED元件中，上述第二电极和上述阻隔层的界面区域可包括相容层。本发明的有机LED元件中，上述阻隔层可由含有选自Cr、Mo、Ti、Ta、Pd、Pt的1种以上的元素的金属或合金构成。本发明的有机LED元件中，上述有机LED元件形成于基板上，上述基板可具备光获取层。此外，本发明提供一种有机LED元件的制造方法，它是多个发光区域被串联连接的有机LED元件的制造方法，其中，具备形成第一电极的第一电极形成工序，形成阻隔层的阻隔层形成工序，和形成第二电极的第二电极形成工序；至少在从开始上述第一电极形成工序到结束上述阻隔层形成工序之间、或在从开始上述阻隔层形成工序到结束上述第二电极形成工序之间，在C浓度为5.0×1021原子/m3以下的气氛下进行各工序。此外，本发明提供一种有机LED元件的制造方法，它是多个发光区域被串联连接的有机LED元件的制造方法，其中，具备形成第一电极的第一电极形成工序，形成阻隔层的阻隔层形成工序，和形成第二电极的第二电极形成工序；至少在从开始上述第一电极形成工序到结束上述阻隔层形成工序之间、或在从开始上述阻隔层形成工序到结束上述第二电极形成工序之间，在O浓度为5.0×1024原子/m3以下的气氛下进行各工序。此外，本发明提供一种有机LED元件的制造方法，它是多个发光区域被串联连接的有机LED元件的制造方法，其中，具备形成第一电极的第一电极形成工序，形成阻隔层的阻隔层形成工序，和形成第二电极的第二电极形成工序；至少在从开始上述第一电极形成工序到结束上述阻隔层形成工序之间、或在从开始上述阻隔层形成工序到结束上述第二电极形成工序之间，在H浓度为5.0×1022原子/m3以下的气氛下进行各工序。本发明的有机LED元件的制造方法中，上述阻隔层可由含有选自Cr、Mo、Ti、Ta、Pd、Pt的1种以上的元素的金属或合金构成。本发明的有机LED元件的制造方法中，上述有机LED元件形成于基板上，上述基板具备光获取层。发明的效果本发明提供一种抑制构成有机LED元件的2个电极间的界面附近的电阻的上升的有机LED元件。附图说明图1是本发明的第一实施方式中的有机LED元件的俯视图。图2是图1的A-A’线的剖视图。图3是透明电极-金属电极间的接触电阻的经时变化测定用的装置的结构说明图。图4是透明电极-金属电极间的接触电阻的经时变化的测定结果。图5是界面区域的说明图。图6是参考例1中的接触电阻测定用样品的结构说明图。图7是参考例1的样品编号1-3-1以及样品编号1-3-2的接触电阻的测定结果。图8是参考例1中的耗电增加率和界面O浓度的关系说明图。图9是构成实施例1中制造的有机LED元件的各层的图案说明图。图10是实施例1中制造的有机LED元件的发光区域以及层叠结构的说明图。图11是实施例1中制造的有机LED元件的发光时的状态照片。图12是实施例2中制造的有机LED元件的发光时的状态照片。具体实施方式[第一实施方式]对本实施方式的有机LED元件的构成例进行说明。本实施方式的有机LED元件是多个发光区域被串联连接的有机LED元件。其中，发光区域具备第一电极和第二电极，邻接的发光区域介由阻隔层来连接一个发光区域的第一电极和另一个发光区域的第二电极。第一电极和阻隔层的界面区域、或第二电极和阻隔层的界面区域中的C(碳)浓度在10原子％以下。使用图1、图2对本实施方式的有机LED元件的结构进行说明。图1和图2分别模式地表示有机LED元件的俯视图、图1中的A-A’线的剖视图。另外，图2中放大显示了图1中10列被串联连接的发光区域中的2列。如图1所示，本实施方式的有机LED元件具有多个发光区域11(11A、11B等)，这些发光区域11介由接触区域12被串联连接。因此，通过由引出配线13部分供给电流，电流可向着另一个引出配线14依次通过各发光区域11而导通，使各发光区域11发光。使用图2对本实施方式中的有机LED元件的具体结构例进行说明。如图2所示，本实施方式的有机LED元件例如可形成于基板21上。其中，发光区域11A、11B中具有将第一电极22、发光部23、第二电极24层叠的结构，在接触区域12中，发光区域11A的第二电极24和邻接的发光区域11B的第一电极22介由阻隔层25来连接。因此，由引出配线13供给的电流如上所述，首先依次通过与设置有引出配线的区域邻接的发光区域11A的第一电极22、发光部23、第二电极24。然后，在接触区域12中介由阻隔层25通向邻接的发光区域11B的第一电极22，依次向邻接的发光区域供给电流。另外，图1中示出了设有10列发光区域11的例子，但发光区域的列数不限于10列，可根据有机LED元件的面积、导通的电流量等任意选择。此外，发光区域的面积在有机LED元件内中不需要是固定的，但为了使各发光区域亮度均匀，优选其发光面积也均匀。通过这样将有机LED元件的发光部分分割为多个发光区域11、将其串联连接，可以在仅供给使1个发光区域11发光所必需的电流的情况下使所有发光区域发光，能够减少所需的电流量。因此，本实施方式的有机LED元件可优选地适用于例如需要高电流的照明用途。尤其可优选地用于亮度在2000cd/m2以上的有机LED元件。此外，发光区域的面积大的有机LED元件也需要高电流，因此可优选地适用于发光区域的面积在50cm2以上的有机LED元件，可更优选地适用于发光区域的面积在100cm2以上的有机LED元件。本实施方式的有机LED元件中，如上所述邻接的发光区域11间的第一电极22和第二电极24介由阻隔层25连接。对阻隔层25以及其周边的结构没有特别限定，只要以一个发光区域的第一电极22和另一个发光区域的第二电极24介由阻隔层25连接的方式构成即可。例如，如图2(A)所示，可以以接触区域12中在发光区域11B的第一电极22上层叠阻隔层25、发光区域11A的第二电极24的方式构成。此外，如图2(B)所示，可以以在接触区域12不配置发光区域11A的第二电极24，而是在发光区域11B的第一电极22上配置阻隔层25，使阻隔层25延伸至发光区域11A并与发光区域11A的第二电极24连接的方式构成。本实施方式的有机LED元件的接触区域中，由于电流沿玻璃基板的厚度方向在阻隔层中通过，因此对阻隔层的电阻没有特别限定。阻隔层的薄膜电阻例如优选设为1Ω/□以下，更优选设为0.5Ω/□以下，特别优选设为0.3Ω/□以下。对阻隔层的构成没有特别限定，例如可用金属膜单层形成。如上所述，在专利文献1所记载的发明中，构成作为透明电极的第一电极的复合氧化物和作为金属电极的第二电极直接接触，在两电极间施加电流则构成透明电极的复合氧化物中的氧向金属电极侧扩散。对这一点进行说明。如图3所示，在作为透明电极31的由ITO构成的层上形成作为金属电极32的由Al构成的层，对其连接电源33，观察经时变化。如图4(A)所示，首先，测定图3示出的试样在刚制成后相对于施加电压的电阻(以下称为“接触电阻”)的变化。此处ITO与金属电极的接触面积为200μm□(40000μm2)。可知图4(A)的试样刚制成后样品1、2均显示出低接触电阻。但是，对该试样在大气中、加热至105℃的环境下保存500小时后同样地测定相对于施加电压的电阻变化后可确认，如图4(A)所示，保存500小时后的样品1、2的接触电阻上升。此外，在大气中、常温下使300mA的电流连续对刚制成后的试样通电时，如图4(B)所示，确认接触电阻缓慢上升。通过以上的实验，可确认在以往的有机LED元件那样具有透明电极和金属电极直接接触的构成的情况下，随着时间经过，接触电阻上升。可认为这是如上所述透明电极内的氧向金属电极侧扩散、在两电极的界面附近金属电极的电阻变高所致。与此相对，在本实施方式的有机LED元件中，一个发光区域的第一电极22和另一个发光区域的第二电极24之间设有阻隔层25。因此，即使在一个发光区域的第一电极22、另一个发光区域的第二电极24中任一方作为透明电极、另一方作为金属电极的情况下，也可抑制氧向金属电极侧扩散，因而能够抑制两电极的界面附近的电阻值上升。而且，即使在一个发光区域的第一电极22和另一个发光区域的第二电极24之间设有阻隔层25的情况下，如果一个发光区域的第一电极22和阻隔层25的界面区域、或另一个发光区域的第二电极24和阻隔层25的界面区域中的杂质浓度高，则有时由于杂质的影响而使接触电阻变高。此处，作为杂质的一例可例举碳。如果像这样接触电阻变高，则阻隔层25和第一电极22或第二电极24的界面区域发热，因此根据其程度，阻隔层25和一个发光区域的第一电极22或另一个发光区域的第二电极24的界面部分有破损之虞。因此，在本实施方式的有机LED元件中，阻隔层25和一个发光区域的第一电极22的界面区域、或阻隔层25和另一个发光区域的第二电极24的界面区域中的C(碳)浓度优选10原子％以下。通过将阻隔层25和第一电极22或第二电极24的界面区域的C浓度设在上述范围内，能够抑制阻隔层25和第一电极22以及第二电极24之间的接触电阻的上升，可抑制有机LED元件的破损。尤其，更优选阻隔层25和一个发光区域的第一电极22的界面区域、以及阻隔层25和另一个发光区域的第二电极24的界面区域中的C(碳)浓度在上述范围内。在该情况下，可更切实地抑制界面区域中的接触电阻的上升，抑制有机LED元件的破损。阻隔层25和第一电极22的界面区域、或阻隔层25和第二电极24的界面区域中的C浓度更优选5原子％以下。尤其，更优选阻隔层25和第一电极22的界面区域、以及阻隔层25和第二电极24的界面区域中的C浓度在5原子％以下。此处对界面区域进行说明。此处，以第二电极24和阻隔层25的界面区域为例进行说明。如图5(A)所示，例如在第二电极24和阻隔层25的界面51可通过TEM等进行识别的情况下，将该界面51作为第二电极24和阻隔层25的界面。然后，将以界面51为中心的宽10nm的范围、即图5(A)中箭头X所表示的范围作为界面区域52。此外，如图5(B)所示，在第二电极24和阻隔层25之间形成2层的构成元素在2层界面周边混杂存在的状态、即相容层53而其界面不明确的情况下，将相容层53的(在第二电极24和阻隔层25的层叠方向上看的情况下)中央部531作为第二电极24和阻隔层25之间的界面。然后，将以界面(中央部531)为中心的宽10nm的范围、即图5(B)中箭头X所表示的范围作为界面区域52。上述说明中，以第二电极24和阻隔层25的界面区域为例进行说明，但第一电极22和阻隔层25的界面区域也可同样规定。另外，第一电极22和阻隔层25的界面区域也可以是包括相容层的构成。对界面区域52的C浓度的测定方法没有特别限定，可通过任意的方法进行测定。例如，可通过TEM(透射型电子显微镜)、XPS(X线光电子分光法)、RBS(卢瑟福反散射分析法)、ERDA(弹性反冲探测分析法)等实施。另外，在采用TEM以外的分析法的情况下，也可以预先通过TEM进行观察，确定界面51的位置。此外，例如，由构成第一电极或第二电极的元素以及阻隔层中含有的元素的分布可确定第一电极或第二电极和阻隔层、以及根据情况和相容层的位置。因此，在使用TEM以外的分析方法的情况下，也能够在不通过TEM预先确定界面51的位置的情况下，由这些的元素的分布来确定界面以及界面区域。如上所述，设想了在本实施方式中第一电极或第二电极和阻隔层之间明确出现作为2层边界的界面的情况，和在2层的界面周边形成相容层而边界不明确出现的情况。明确出现2层边界的情况下，对界面区域，检测在各层的构成元素之外检出的C浓度等。另外，即使是明确出现2层边界时，在检出较宽的界面的情况下，可以与相容层的情况相同的方式决定界面。具体而言，可将较宽的界面的层叠方向的中央部作为确定界面区域时的界面。此外，在2层边界为相容层的情况下，对界面区域，检测在2个层的构成元素之外检出的C浓度等。以下对本实施方式的有机LED元件的各构件进行说明。<第一电极>第一电极22优选由透明电极(透光性电极)构成。在该情况下，为了将在发光部23产生的光向外部取出，优选具有80％以上的透光性。此外，为了注入大量的空穴，优选功函数高的电极。在串联连接的情况下，由于与同一发光面积下不串联连接的情况相比电流量已经减少，因此电阻高也无妨。具体而言100Ω/□以下即可，优选在50Ω/□以下，更优选在30Ω/□以下。具体而言，例如优选使用ITO(氧化铟锡(IndiumTinOxide))、SnO2、ZnO、IZO(氧化铟锌(IndiumZincOxide))、AZO(ZnO-Al2O3：掺杂有铝的锌氧化物)、GZO(ZnO-Ga2O3：掺杂有镓的锌氧化物)、掺Nb的TiO2、掺Ta的TiO2等复合氧化物材料。在使用ITO的情况下电阻也可比以往高，因而能够使膜厚变薄，提高透射率。具体而言ITO的膜厚例如可设为10nm以上150nm以下，优选可设为30nm以上120nm以下，更优选可设为50nm以上100nm以下。对第一电极22的厚度没有特别限定，但优选100nm以上。另外，第一电极22的折射率优选1.9～2.2。此处，在ITO的情况下，如果载体浓度增加则可降低ITO的折射率。通常而言，市售的ITO以含有10wt％SnO2为标准，但通过增加Sn浓度可降低ITO的折射率。然而Sn浓度增加会导致载体浓度增加，但迁移率以及透射率下降，因此优选对它们进行平衡来决定Sn量。<第二电极>第二电极24可优选使用功函数小的金属或其合金。作为第二电极24的材料，可例举例如碱金属、碱土金属以及周期表第13族的金属等。其中，从廉价却化学稳定性好的材料考虑，可更优选地使用铝(Al)、镁(Mg)或它们的合金等。此外，可特别优选地使用在Al、MgAg的共蒸镀膜、LiF或Li2O的薄膜蒸镀膜上蒸镀有Al的层叠电极等。此外，在使用高分子系材料作为后述的发光材料的情况下，可优选地使用钙(Ca)或钡(Ba)和铝(Al)的层叠等。另外，第一电极、第二电极均可以是阳极、阴极，但例如可将第一电极设为阳极、将第二电极设为阴极。<阻隔层>阻隔层25如上所述，是将第一电极22和第二电极24电连接的构件，因此只要具有导电性即可，对其材料没有特别限定。优选可抑制两电极间的成分、例如氧的扩散的材料。作为这样的材料，例如阻隔层25优选由含有选自Cr、Mo、Ti、Ta、Pd、Pt的1种以上的元素的金属或合金构成。其中从成本等方面考虑，更优选选自Cr、Mo的金属或选自Cr、Mo的金属的合金。此处，作为选自Cr、Mo的金属的合金，例如可例举NiMo、MoNb等。阻隔层25如上所述，在接触区域12中将第一电极22和第二电极24电气连接即可，对其尺寸没有特别限定，可以以有机LED元件中允许的尺寸形成。其中，优选以确保两电极间的距离的方式构成，以能够充分抑制第一电极22和第二电极24之间的材料的扩散。例如，如图2(A)所示，具有在第一电极22上将阻隔层25、第二电极24层叠的结构的情况下，优选将阻隔层25的膜厚设为10nm以上。在该情况下，对上限值没有特别限定，可根据发光部23的厚度等进行选择。此外，本实施方式的有机LED元件中，对接触区域12的宽度没有特别限定，可根据供给的电流值等进行选择。其中，由于接触区域12是将一个发光区域的第一电极22和阻隔层25电连接的部分，因此接触区域的宽度优选设为50μm以上，更优选设为200μm以上，以使足够的电流流通。此外，如上所述在一个发光区域的第一电极22为透明电极、另一个发光区域的第二电极24为金属电极的情况下，通常相对于一个发光区域的第二电极24，一个发光区域的第一电极22的电阻值变大。因此，即使接触区域12的宽度增大，实际电流流通的区域也仅是接触区域的一部分。此外，由于在接触区域12中不设置发光部23，因此如果接触区域增大则发光区域间显得远离，从外观上看不理想。因此，接触区域12的宽度优选设为500μm以下，更优选设为300μm以下。另外，接触区域12的宽度在有机LED元件内中不需要是固定的，可对每个接触区域12分别选择其宽度。但是，有机LED元件内中各发光区域11的亮度设为固定，因此其宽度在有机LED元件内优选是固定的。此外，在接触区域12的宽度增大的情况下，优选将后述的散射层设置在第一电极和基板之间、使接触区域12不明显，即以发光区域11间看起来不远离的方式使来自发光区域的光散射。本实施方式的有机LED元件中，在上述构件以外可具备以下的各构件。<基板>本实施方式的有机LED元件如图2(A)、(B)所示，可形成于透光性的基板21上。作为透光性的基板21，没有特别限定，但优选使用对可见光的透射率高的材料。作为对可见光的透射率高的材料，优选可采用例如玻璃基板或塑料基板。作为玻璃基板的材料，可优选采用碱玻璃、无碱玻璃或石英玻璃等无机玻璃。此外，作为塑料基板的材料，可优选采用聚酯、聚碳酸酯、聚醚、聚砜、聚醚砜、聚乙烯醇以及聚偏氟乙烯以及聚氟乙烯等含氟聚合物等。另外，为了防止水分透过基板，塑料基板可由具备阻隔性的材料构成。透光性的基板21的厚度在玻璃的情况下优选设为0.1mm～2.0mm。其中，如果过薄则强度下降，因此特别优选0.5mm～1.0mm。<引出配线>本实施方式的有机LED元件中，可设置用于对有机LED元件供给电流的引出配线13、14。对引出配线的材料没有特别限定，例如可由与阻隔层25相同的材料构成。在该情况下，可在形成阻隔层25时一起形成引出配线，因而优选。<发光部>发光部23是具有发光功能的层，例如可由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层构成。发光部23的折射率优选设为1.7～1.8。以下对各层的构成例进行说明。<空穴注入层>为了降低来自阳极的空穴注入障碍，空穴注入层优选使用电离电位差小的材料。空穴注入层中的来自电极界面的电荷的注入效率的提高在降低元件的驱动电压的同时实现。高分子中优选采用掺杂有聚苯乙烯磺酸(PSS)的聚乙烯二氧噻吩(PEDOT：PSS)，低分子中优选采用酞菁类的酞菁铜(CuPc)。<空穴传输层>空穴传输层起到将从空穴注入层注入的空穴传输至发光层的作用。优选具有适当的电离电位和空穴迁移率。空穴传输层具体而言可优选采用三苯胺衍生物、N,N'-双(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-双[N-苯基-N-(2-萘基)-4'-氨基联苯-4-基]-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPTE)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(HTM2)及N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-二苯基-4,4'-二胺(TPD)等。空穴传输层的厚度优选为10nm～1000nm。厚度越薄则越能实现低电压化，但由于电极间短路的问题，因此优选为50nm～500nm。<发光层>发光层提供注入的电子和空穴再结合的场所，优选使用发光效率高的材料。如进行详细说明，则发光层所使用的发光主体材料以及发光色素的掺杂材料作为来自阳极以及阴极的注入的空穴以及电子的再结合中心起作用。此外，在发光层中的主体材料中掺杂发光染料会得到高发光效率，并且改变发光波长。它们优选具有对电荷注入而言适当的能级，形成化学稳定性和耐热性优良且均质的非晶薄膜。此外，优选发光色的种类和色纯度优良，发光效率高。作为有机材料的发光材料有低分子类和高分子类的材料。还可根据发光机理分为荧光材料、磷光材料。发光层具体而言可例举例如三(8-羟基喹啉)铝络合物(Alq3)、双(8-羟基)喹哪啶铝苯酚盐(Alq′2OPh)、双(8-羟基)喹哪啶铝-2,5-二甲基苯酚盐(BAlq)、单(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)锂络合物(Liq)、单(8-羟基喹啉)钠络合物(Naq)、单(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)锂络合物、单(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钠络合物及双(8-羟基喹啉)钙络合物(Caq2)等喹啉衍生物的金属络合物，四苯基丁二烯、苯基喹吖啶酮(QD)、蒽、苝及蒄等荧光性物质。作为主体材料，优选羟基喹啉络合物，特别优选以8-羟基喹啉及其衍生物作为配体的铝络合物。<电子传输层>电子传输层起到传输从电极注入的电子的作用。电子传输层具体而言可使用例如羟基喹啉铝络合物(Alq3)、噁二唑衍生物(例如2,5-双(1-萘基)-1,3,4-噁二唑(BND)以及2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)等)、三唑衍生物、红菲咯啉衍生物、噻咯衍生物等。<电子注入层>电子注入层可优选采用提高电子的注入效率的材料。电子注入层例如可通过在阴极界面设置掺杂有锂(Li)、铯(Cs)等碱金属的层来构成。此外，本实施方式的有机LED元件如上所述可设为形成于基板21上的构成，也可设为在基板21上进一步具备光获取层的构成。通过这样设置光获取层，能够提高来自有机LED元件的光获取效率。光获取层可设在基板21上，优选设在与第一电极22相向的面上。作为光获取层的构成没有特别限定，例如可由散射层或衍射光栅等构成。作为光获取层，特别优选设置散射层。以下对散射层的构成例进行说明。<散射层>散射层例如可通过用涂布等方法在基板上形成玻璃粉末后在所希望的温度下进行烧成来形成。此外，本实施方式的有机LED元件如后所述能够以不进行加热的方式形成，因此也可由树脂形成散射层。以下对具体的构成例进行说明。散射层可设为具备具有第一折射率的基材，分散于基材中的、具有与基材不同的第二折射率的多种散射物质的构成。并且，散射层中的散射物质的层内分布优选设为从散射层内部向着最外表面变小的构成。通过设为该构成，可在具有优良的散射特性的同时维持表面的平滑性，可用于发光器件等的光出射面侧来实现极高效率的光获取。作为散射层例如可使用具有经涂布的主表面的光透射率高的材料(基材)。作为基材例如可使用玻璃、晶化玻璃、透光性树脂、透光性陶瓷。作为玻璃的材料可以例举钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃、无碱玻璃、石英玻璃等的无机玻璃。此外，作为透光性树脂，例如可例举聚苯乙烯树脂、聚酯树脂、纤维素树脂、聚醚树脂、氯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂、聚丙烯酸树脂、聚甲基丙烯酸树脂、聚烯烃树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、酰亚胺树脂等。另外，在基材的内部形成多种散射性物质(例如气泡、析出结晶、与基材不同的材料粒子、分相玻璃。)。此处，粒子是指固体的小物质，例如，填料或陶瓷。此外，气泡是指空气或气体物体。此外，分相玻璃是指由2种以上的玻璃相构成的玻璃。另外，散射物质为气泡的情况下，散射物质的径是指空隙的长度。为了实现光获取效率的提高，基材的折射率优选与第一电极的材料的折射率相同或更高。这是由于在基材的折射率比第一电极的材料的折射率低的情况下，在基材和第一电极的界面中会出现由于全反射而导致的损失的缘故。基材的折射率至少超过发光层的发光图谱范围中的一部分(例如，红，蓝，绿等)中第一电极的材料的折射率即可，优选超过发光图谱范围全域(430nm～650nm)，更优选超过可见光的波长范围全域(360nm～830nm)。此外，为了防止有机LED元件的电极间的短路，散射层主表面(与第一电极相对的面)优选是平滑的。因此，散射物质不优选从散射层的主表面突出。为了散射物质不从散射层的主表面突出，优选从散射层的主表面起0.2μm以内不存在散射物质。尤其，散射层的主表面的由JISB0601-1994规定的算术平均粗度(Ra)优选为30nm以下，更优选为10nm以下，特别优选为1nm以下。散射物质和基材的折射率哪一个高都无妨，但折射率的差(Δn)至少在发光层的发光图谱范围中的一部分中优选0.2以上。为了得到足够的散射特性，折射率的差(Δn)更优选在发光图谱范围全域(430nm～650nm)或可见光的波长范围全域(360nm～830nm)中为0.2以上。为了得到最大的折射率差，例如优选基材为高折射率玻璃、散射物质为气体物体即气泡的构成。优选使用含有以下成分的高折射率玻璃：作为高折射率玻璃的成分的网络形成成分，选自P2O5、SiO2、B2O3、Ge2O、TeO2的一种或二种以上的成分，作为高折射率成分，选自TiO2、Nb2O5、WO3、Bi2O3、La2O3、Gd2O3、Y2O3、ZrO2、ZnO、BaO、PbO、Sb2O3的一种或二种以上的成分。另外，从调整玻璃的特性的方面考虑，也可在不损害对折射率有要求的物性的范围内使用碱金属氧化物、碱土类氧化物、氟化物等。作为具体的玻璃类，可例举B2O3-ZnO-La2O3系、P2O5-B2O3-R’2O-R”O-TiO2-Nb2O5-WO3-Bi2O3系、TeO2-ZnO系、B2O3-Bi2O3系、SiO2-Bi2O3系、SiO2-ZnO系、B2O3-ZnO系、P2O5-ZnO系等。此处，R’表示碱金属元素，R”表示碱土类金属元素。另外，以上为示例，只要是满足上述条件的构成则不限于此例。通过使基材具有特定的透射率图谱，也可使发光的色调变化。作为着色剂，可将过渡金属氧化物、稀土类金属氧化物、以及金属胶体等公知的着色剂单独或组合使用。本实施方式的有机LED元件可在散射物质或基材中使用荧光性物质。因此，可通过来自有机层的发光来进行波长的改变，带来使色调发生变化的效果。在该情况下，由于能够减少有机LED元件的发光色且发光的光是散射射出，因此可抑制色调的角度依赖性和色调的经时变化。接着，对本实施方式的有机LED元件的制造方法例进行说明。本实施方式的有机LED元件例如可通过以下的工序进行制造。其是多个发光区域被串联连接的有机LED元件的制造方法，优选具有形成第一电极的第一电极形成工序、形成阻隔层的阻隔层形成工序、和形成第二电极的第二电极形成工序。并且，优选至少在从开始第一电极形成工序到结束阻隔层形成工序之间、或在从开始阻隔层形成工序到结束第二电极形成工序之间，在C浓度为5.0×1021原子/m3以下的气氛下进行各工序。尤其，更优选在开始第一电极形成工序到结束阻隔层形成工序以及第二电极形成工序之间，在C浓度为5.0×1021原子/m3以下的气氛下进行各工序。以往，作为有机LED元件，已知具有透明电极、辅助配线、金属电极的结构。在制造这样的有机LED元件时，采用在对作为透明电极的ITO膜成膜、图案形成后，对辅助配线用的层叠膜整面成膜、图案形成，然后成膜、形成有机膜以及作为金属电极的阴极的制造方法(例如日本专利第3649238号公报)。在以往的有机LED元件的制造方法中，例如辅助配线和金属电极的形成不是连续成膜，通常一度使其暴露于大气。这样在对多个电极、配线进行层叠的过程中，如果暴露在大气等含有规定量以上的C(碳)的气氛中，则C附着在电极之间的界面或电极和配线的界面中。如果像这样C附着在电极之间的界面或电极和配线的界面中，则这些界面中的接触电阻上升，在该界面及其附近出现发热。例如在上述日本专利第3649238号公报这样的有机EL显示元件的用途中，由于实际使用时的电流的供给量少，电流以脉冲状供给，因此电极之间的界面、电极和配线的界面中的接触电阻的上升，界面部分的发热不易成为问题。与此相对，尤其本实施方式的有机LED元件在作为其用途之一的照明用途中，连续地对有机LED元件连续地供给大电流。因此，降低第一电极和第二电极之间的电阻、进而降低第一电极和阻隔层或阻隔层和第二电极的接触电阻，与有机EL显示元件相比显得尤为重要。于是，本实施方式的有机LED元件中，首先在第一电极和第二电极之间设置阻隔层。而且，为了实现第一电极和阻隔层或阻隔层和第二电极的界面中C(碳)少的状态，优选至少在从开始第一电极形成工序到结束阻隔层形成工序之间、或在从开始阻隔层形成工序到结束第二电极形成工序之间，在C浓度为5.0×1021原子/m3以下的气氛下进行各工序。。此外，尤其，C浓度更优选在5.0×1018原子/m3以下，进一步优选3.0×1016原子/m3以下。对气氛中的C浓度的测定方法没有特别限定，可通过具备质谱仪的残留气体分析计、或气体分析用傅里叶变换红外分光光度计(FourierTransformInfraredspectrometry：FTIR)等进行测定。作为用于进行气氛中的残留气体分析的质谱仪，广泛使用四极质谱仪(Quadrupolemassspectrometer：Q-mass)。该质谱仪是具备通过使电子冲突来将气体分子离子化的离子化部，通过使生成的离子通过四极电场中、根据生成离子的质量电荷比而分离的质量分离部，检出分离的离子的检出部的分析计。四极电场可通过对使彼此的中心轴成为正方形的顶点而平行设置的4根杆状电极重叠施加直流电压和交流电压来产生。FTIR是可通过使红外光通过样品气体、测定其吸光度来求出各气体浓度的分析法。从有机LED元件的制造装置取一部分气氛气体，通过上述具备质谱仪的残留气体分析计或气体分析用傅里叶变换红外分光光度计进行测定，可对各层形成工序中的气氛中的C浓度进行实时计测。通过利用该制造方法来制造有机LED元件，能够降低第一电极或第二电极和阻隔层的界面区域中的C浓度，降低接触电阻。此外，还可抑制经时变化或通电所导致的电压上升。因此，可制造例如可适用于照明用途、尤其是能够通过施加高电流而实现高亮度照明的有机LED元件。本实施方式的有机LED元件的制造方法中，在从开始上述第一电极形成工序到结束上述阻隔层形成工序之间、或在从开始上述阻隔层形成工序到结束上述第二电极形成工序之间，只要控制气氛使C浓度为5.0×1021原子/m3以下即可。因此，可根据形成第一电极、第二电极、阻隔层时的条件改变气氛。但是，在进行气氛的改变的情况下，由于操作增加而降低生产性，在改变气氛时有混入杂质之虞，因而优选将从第一电极形成工序开始后到结束阻隔层形成工序以及第二电极形成工序之间设为相同的气氛。具体而言例如优选在真空气氛或氮、氩、氦等惰性气体气氛中进行各工序。特别优选在真空气氛下进行。并且，由于本实施方式的有机LED元件为串联结构，因此可以提高第一电极的电阻。因此，至少在从开始第一电极形成工序到结束阻隔层形成工序之间、或在从开始阻隔层形成工序到结束第二电极形成工序之间在真空气氛下进行各工序的情况下，形成第一电极时可采用能够室温蒸镀的透明电极材料。通过这样在真空气氛下不通过高温步骤，能够在不发生形成第一电极的材料结晶化等不良的情况下生产具有适合的电阻特性的第一电极。此外，由于在透明电极成膜时不需要加热，因此在形成有机膜前也不需要将基板冷却的工序，可高效生产。第一电极、第二电极、阻隔层的各构成如已经说明的那样。尤其，如上所述的阻隔层优选由含有选自Cr、Mo、Ti、Ta、Pd、Pt的1种以上的元素的金属或合金构成。其中从成本等方面考虑，更优选选自Cr、Mo的金属或选自Cr、Mo的金属的合金。此处，作为选自Cr、Mo的金属的合金，例如可例举NiMo、MoNb等。对形成第一电极、第二电极、阻隔层的具体的方法没有特别限定，可采用能够在上述气氛下实施的各种制造方法。例如，可优选采用使用掩模的成膜方法。具体而言例如优选配置具有根据第一电极、第二电极、阻隔层的形状所规定的形状(开口部)的掩模后，通过溅射法或蒸镀法、CVD法等分别形成第一电极、第二电极、阻隔层。另外，对实施第二电极形成工序、阻隔层形成工序的顺序没有特别限定，可根据形成的有机LED元件的结构任意选择。例如，在图2(A)所示的有机LED元件的情况下，优选在进行第一电极形成工序后，进行阻隔层形成工序，接着进行第二电极形成工序。此外，在图2(B)所示的有机LED元件的情况下，优选在进行第一电极形成工序后，进行第二电极形成工序，接着进行阻隔层形成工序。在上述第一电极形成工序、阻隔层形成工序、第二电极形成工序以外可任意设置工序。例如，可在阻隔层形成工序和第二电极形成工序之间实施发光部形成工序。发光部的构成如上所述。对发光部形成工序中的发光部的形成方法没有特别限定，例如与第一电极等情况同样，可优选采用使用掩模的成膜方法，优选通过溅射法或蒸镀法、CVD法等形成。此外，如上所述，有机LED元件形成于基板上，在基板具备光获取层的情况下，可设置光获取层形成工序。在该情况下，作为光获取层没有特别限定，例如可设置衍射光栅或散射层。由于光获取层形成工序在第一电极形成工序前进行，因此可在对气氛没有特别限定的任意的气氛下实施。以上，对本实施方式的有机LED元件的制造方法进行了说明，根据该制造方法，可抑制构成有机LED元件的第一电极和阻隔层之间、或阻隔层和第二电极之间的接触电阻的上升。因此，例如即使在照明用途这样的连续供给大电流的用途中也可抑制各电极和阻隔层之间的发热，可防止有机LED元件破损。[第二实施方式]对本实施方式的有机LED元件的构成进行说明。本实施方式的有机LED元件是多个发光区域被串联连接的有机LED元件。其中，发光区域具备第一电极22和第二电极24，邻接的发光区域介由阻隔层25来连接一个发光区域的第一电极22和另一个发光区域的第二电极24。并且，第二电极24和阻隔层25的界面区域中的O浓度优选在20原子％以下。在第二电极24和阻隔层25的界面区域中存在一定量以上的氧的情况下，该氧向第二电极24扩散，电阻值有时上升。与此相对，本实施方式的有机LED元件中，由于第二电极24和阻隔层25的界面区域中的O浓度低至20原子％以下，因此可抑制界面区域附近的电阻值的上升。第二电极24和阻隔层25的界面区域中的O(氧)浓度更优选10原子％以下，进一步优选7原子％以下，特别优选5原子％以下。另外，本实施方式的有机LED元件可具有与第一实施方式中说明的有机LED元件相同的结构，此外各构件也可设为相同的构成，因此对其结构、各构件省略说明。此外，关于界面区域也与第一实施方式中说明的情况相同，因此省略说明。本实施方式的有机LED元件中也可以是第一电极22和阻隔层25的界面区域包括相容层的构成。此外，第二电极24和阻隔层25的界面区域也可以是包括相容层的构成。对该O浓度的测定方法没有特别限定，可通过任意的方法进行测定。例如，可通过TEM(透射型电子显微镜)、XPS(X线光电子分光法)、RBS(卢瑟福反散射分析法)、ERDA(弹性反冲探测分析法)等测定。例举具体例，对通过XPS求出O浓度的情况进行说明。另外，可通过与C浓度相同的步骤进行测定，可与第一实施方式的有机LED元件以相同的方式进行测定、评价。作为通过XPS求出O浓度的方法，例如，通过重复进行由Ar+离子溅射实施的试样蚀刻和蚀刻后的试样表面的XPS测定，可对由第一电极/阻隔层/第二电极构成的层叠膜在深度方向上进行元素分析。例如通过将加速为2kV的Ar+离子在2mm见方区域内中扫描1分钟来进行试样的蚀刻，通过XPS来对蚀刻后的试样表面进行元素分析。通过这样的交互重复，得到深度方向的元素分布。在第二电极24为Al的情况下，第二电极24侧中检出了原本作为主要构成元素的Al，但在与阻隔层25的界面51附近Al的检出强度缓慢降低，作为阻隔层25的主要构成元素的例如Mo的检出强度缓慢增加。根据Ar+离子照射引发试样表面的混合，以及试样中的由电子的非弹性平均自由行程决定的XPS的检测深度为数nm，可测到第二电极和阻隔层的界面51中各元素的检出强度的缓慢变化。可将作为第二电极中的主要构成元素的Al的检出强度减少为1/2的深度认为是第二电极和阻隔层的界面51，将Al的检出强度为第二电极膜中的84％的深度和16％的深度的宽度ΔZ定义为深度分辨率。通过适当地设定利用Ar+离子的蚀刻条件，可将ΔZ设为30nm以下，通过进一步优化可设为相当于界面区域的深度的10nm以下。另外，此处，以第二电极24和阻隔层25的界面区域为例进行说明，但第一电极22和阻隔层25的界面区域也可同样使用XPS来算出O浓度。如后所述，本实施方式的有机LED元件的制造方法中，例如从开始阻隔层形成工序到结束第二电极形成工序之间，优选将O浓度设为5.0×1024原子/m3以下的气氛。但是，在阻隔层形成后、例如置于氧浓度1.1×1025原子/m3左右的气氛中后形成第二电极的情况下，在将第二电极和阻隔层的界面51作为中心的宽度10nm以内的区域、即界面区域52中，检出比其他部分O(氧)浓度高的部位。于是，在对界面区域52用XPS测定O(氧)浓度的情况下，例如可测到O(氧)浓度为25原子％。另外，在本实施方式的有机LED元件的情况下，如上所述测定的界面区域中的O(氧)浓度优选20原子％以下。在使用后述的TEM以及EDX的测定的情况下也相同。此外，对由第一电极/阻隔层/第二电极构成的层叠膜，制造包括层叠膜截面的薄片试样并进行TEM观察，可对各层以及各界面在原子水平上进行直接观察。此时，可通过EDX(能量分散型X线分光法)一并进行元素分析。观察·分析区域限定了薄片试样的大小，但在高分辨率下对层界面进行观察·分析而言是有效的方法。在该情况下，对于界面区域，不仅可测定O浓度，也可测定C浓度。因此，在对第一实施方式中的有机LED元件进行测定、评价的情况下也可以相同的方式实施。阻隔层形成后，例如置于氧浓度1.1×1025原子/m3左右的气氛中后形成第二电极24的情况下，对界面区域52用TEM以及EDX测定O(氧)浓度时，例如测到O(氧)浓度为25原子％。另外，以上已经对阻隔层25和第一电极22或第二电极24的界面明确存在的情况的分析例进行了说明，对于在阻隔层25和第一电极22或第二电极24的界面中观察到相容层53的情况也可以相同方式进行分析。例如对于形成阻隔层25后、置于氧浓度1.1×1025原子/m3左右的气氛中后形成了第二电极24的情况，以阻隔层25和第二电极24之间形成有相容层53的情况为例进行说明。在该情况下，如果使用XPS或TEM以及EDX、以与上述相同的方式对界面区域进行元素分析，则有时例如有相容层53中同时检出阻隔层25和第二电极24的构成元素的情况。于是，相容层53中在可检出阻隔层25等的构成元素的同时，可检出比阻隔层25内浓度高的O(例如O浓度25原子％)。存在这样的相容层53的情况下，如果界面附近存在O浓度高的部分，则通过元素分析,在相容层53的一部分或整体中可在检出阻隔层25、根据情况还检出第二电极24的构成元素的同时，可检出比其他部分浓度高的O(例如O浓度25原子％)。另外，相容层53的厚度通常为10～20nm左右。此外，在本实施方式的有机LED元件的情况下，如已经叙述的，即使在阻隔层25和第一电极22或第二电极24的界面中测到相容层53的情况下，界面区域中的O(氧)浓度也优选20原子％以下。接着，对本实施方式的有机LED元件的制造方法进行说明。本实施方式的有机LED元件例如可通过以下的制造方法进行制造。其是多个发光区域被串联连接的有机LED元件的制造方法，具有形成第一电极的第一电极形成工序、形成阻隔层的阻隔层形成工序、和形成第二电极的第二电极形成工序。并且，优选至少在从开始第一电极形成工序到结束阻隔层形成工序之间、或在从开始阻隔层形成工序到结束第二电极形成工序之间，在O浓度为5.0×1024原子/m3以下的气氛下进行各工序。尤其，更优选在开始第一电极形成工序到结束阻隔层形成工序以及第二电极形成工序之间，在O浓度为5.0×1024原子/m3以下的气氛下进行各工序。此外，气氛中的O浓度更优选5.0×1021原子/m3以下，进一步优选3.0×1019原子/m3以下。对气氛中的O浓度的测定方法没有特别限定，可通过具备质谱仪的残留气体分析计、或气体分析用傅里叶变换红外分光光度计(FourierTransformInfraredspectrometry：FTIR)等进行测定。本实施方式的有机LED元件的制造方法中，在从开始上述第一电极形成工序到结束上述阻隔层形成工序之间、或在从开始上述阻隔层形成工序到结束上述第二电极形成工序之间，只要控制气氛使O浓度为5.0×1024原子/m3以下即可。因此，可根据形成第一电极、第二电极、阻隔层时的条件改变气氛。但是，在进行气氛的改变的情况下，由于操作增加而降低生产性，在改变气氛时有混入杂质之虞，因而优选将从第一电极形成工序开始后到结束阻隔层形成工序以及第二电极形成工序之间设为相同的气氛。具体而言例如优选在真空气氛或氮、氩、氦等惰性气体气氛中进行各工序。特别优选在真空气氛下进行。此外，关于第一电极、阻隔层、第二电极的构成及其具体的制造方法，除了气氛中的O浓度以外，可以以与第一实施方式的有机LED元件的制造方法相同的方法进行，因此此处省略说明。本实施方式的有机LED元件也与第一实施方式的有机LED元件的制造方法的情况相同，对实施第二电极形成工序、阻隔层形成工序的顺序没有特别限定，可根据形成的有机LED元件的结构任意选择。此外，本实施方式的有机LED元件的制造方法中，在上述第一电极形成工序、阻隔层形成工序、第二电极形成工序以外，可任意设置发光部形成工序或光获取层形成工序等各种工序。如果采用以上说明的本实施方式的有机LED元件的制造方法，则可降低第一电极和阻隔层的界面区域、或阻隔层和第二电极的界面区域中含有的O(氧)浓度。因此，尤其能够抑制例如氧向由金属电极构成的第二电极的扩散而导致的阻隔层和第二电极之间的接触电阻的上升。此外，本实施方式的有机LED元件的制造方法还优选至少在从开始第一电极形成工序到结束阻隔层形成工序之间、或在从开始阻隔层形成工序到结束第二电极形成工序之间，在C浓度为5.0×1021原子/m3以下的气氛下进行各工序。C浓度更优选5.0×1018原子/m3以下，进一步优选3.0×1016原子/m3以下。藉此，可同时降低第一电极和阻隔层的界面区域、阻隔层和第二电极的界面区域中含有的O(氧)、C(碳)浓度。因此，例如在第二电极由金属构成的情况下，可进一步有效地抑制阻隔层和第二电极之间的电阻上升。作为此时的气氛，只要是在从开始第一电极形成工序到结束阻隔层形成工序之间、或在从开始阻隔层形成工序到结束第二电极形成工序之间，气氛中的C浓度为5.0×1021原子/m3以下且气氛中的O浓度为5.0×1024原子/m3以下的气氛即可，没有特别限定，可设为与形成第一电极、第二电极、阻隔层时相应的气氛。但是，在进行气氛的改变的情况下，由于操作增加而降低生产性，在改变气氛时有混入杂质之虞，因而优选将从第一电极形成工序开始后到结束阻隔层形成工序以及第二电极形成工序之间设为相同的气氛。具体而言例如优选在真空气氛或氮、氩、氦等惰性气体气氛中进行各工序。特别优选在真空气氛下进行。[第三实施方式]对本实施方式的有机LED元件的构成例进行说明。本实施方式的有机LED元件是多个发光区域被串联连接的有机LED元件。其中，发光区域具备第一电极22和第二电极24，邻接的发光区域介由阻隔层25来连接一个发光区域的第一电极22和另一个发光区域的第二电极24。第一电极22和阻隔层25的界面区域、或第二电极24和阻隔层25的界面区域中的H浓度在5原子％以下。第一电极22和阻隔层25的界面区域、或第二电极24和阻隔层25的界面区域中的H(氢)浓度主要起因于这些界面区域中存在的水分。因此，在这些界面区域中检出一定量以上H(氢)的情况下，意味着界面区域中存在水分。在该情况下，由于水分的作用，有时第一电极22和阻隔层25、阻隔层25和第二电极24之间的电连接可靠性下降，因而不优选。因此，第一电极22和阻隔层25的界面区域、或第二电极24和阻隔层25的界面区域中的H浓度优选5原子％以下。尤其，更优选3原子％以下。本实施方式的有机LED元件中，更优选第一电极22和阻隔层25的界面区域、以及第二电极24和阻隔层25的界面区域中的H浓度5原子％以下。尤其，进一步优选3原子％以下。另外，本实施方式的有机LED元件可具有与第一实施方式、第二实施方式中说明的有机LED元件相同的结构，此外，各构件也可设为相同的构成，因此对其结构、各构件省略说明。此外，关于界面区域也与第一实施方式中说明的情况相同，因此省略说明。本实施方式的有机LED元件中也可以是第一电极22和阻隔层25的界面区域包括相容层的构成。此外，第二电极24和阻隔层25的界面区域也可以是包括相容层的构成。对于由第一电极/阻隔层/第二电极构成的层叠膜，可通过ERDA法(弹性反冲探测分析法)，测定膜中含有的H浓度的深度方向分布。这是向试样射入He+离子，通过弹性散射检出向前方排斥出的H原子(反冲H粒子)，根据射入的He+离子的能量变化可求出深度方向的H浓度的分布的方法。该方法是射入原子半径小的He+、利用He+与试样中的原子的弹性散射的方法，是不伴随破坏试样(非破坏分析)的定量分析法。阻隔层形成后，例如从真空成膜装置取出、置于大气气氛中后再次导入真空成膜装置中形成第二电极的情况下，在以第二电极和阻隔层的界面为中心的宽度10nm以内的界面区域中可得到有比其他部分、即第二电极或阻隔层内H浓度高的位置存在的分布，例如观测到界面区域中的H浓度为10原子％。另外，在本实施方式的有机LED元件的情况下，如上所述测定的界面区域中的H(氢)浓度优选5原子％以下，更优选3原子％以下。接着，对本实施方式的有机LED元件的制造方法进行说明。本实施方式的有机LED元件例如可通过以下的制造方法进行制造。其是多个发光区域被串联连接的有机LED元件的制造方法，具有形成第一电极的第一电极形成工序、形成阻隔层的阻隔层形成工序、和形成第二电极的第二电极形成工序。并且，优选至少在从开始第一电极形成工序到结束阻隔层形成工序之间、或在从开始阻隔层形成工序到结束第二电极形成工序之间，在H浓度为5.0×1022原子/m3以下的气氛下进行各工序。尤其，更优选在开始第一电极形成工序到结束阻隔层形成工序以及第二电极形成工序之间，在H浓度为5.0×1022原子/m3以下的气氛下进行各工序。此外，气氛中的H浓度更优选2.0×1022原子/m3以下，进一步优选3.0×1020原子/m3以下。对气氛中的H浓度的测定方法没有特别限定，可通过任意的方法进行测定。可通过具备质谱仪的残留气体分析计、或气体分析用傅里叶变换红外分光光度计(FourierTransformInfraredspectrometry：FTIR)等进行测定。本实施方式的有机LED元件的制造方法中，在从开始上述第一电极形成工序到结束上述阻隔层形成工序之间、或在从开始上述阻隔层形成工序到结束上述第二电极形成工序之间，只要控制气氛使H浓度为5.0×1022原子/m3以下即可。因此，可根据形成第一电极、第二电极、阻隔层时的条件改变气氛。但是，在进行气氛的改变的情况下，由于操作增加而降低生产性，在改变气氛时有混入杂质之虞，因而优选将从第一电极形成工序开始后到结束阻隔层形成工序以及第二电极形成工序之间设为相同的气氛。具体而言例如优选在真空气氛或氮、氩、氦等惰性气体气氛中进行各工序。特别优选在真空气氛下进行。此外，关于第一电极、阻隔层、第二电极的构成及其具体的制造方法，除了气氛中的H浓度以外，可以以与第一实施方式的有机LED元件的制造方法相同的方法进行，因此此处省略说明。本实施方式的有机LED元件中，也与第一实施方式的有机LED元件的制造方法的情况相同，对实施第二电极形成工序、阻隔层形成工序的顺序没有特别限定，可根据形成的有机LED元件的结构任意选择。此外，本实施方式的有机LED元件的制造方法中，在上述第一电极形成工序、阻隔层形成工序、第二电极形成工序以外，可任意设置发光部形成工序或光获取层形成工序等各种工序。如果采用以上说明的本实施方式的有机LED元件的制造方法，则可降低第一电极和阻隔层的界面区域、或阻隔层和第二电极的界面区域中含有的氢浓度。因此，尤其可降低各界面区域中的水分浓度，可确保第一电极和阻隔层、或阻隔层和第二电极之间的电连接可靠性。此外，本实施方式的有机LED元件的制造方法还可至少在从开始第一电极形成工序到结束阻隔层形成工序之间、或在从开始阻隔层形成工序到结束第二电极形成工序之间，在C浓度为5.0×1021原子/m3以下的气氛下进行各工序。C浓度更优选5.0×1018原子/m3以下，进一步优选3.0×1016原子/m3以下。藉此，可同时降低第一电极和阻隔层的界面区域、阻隔层和第二电极的界面区域中含有的H(氢)、C(碳)浓度。因此，例如可在确保阻隔层和第一、第二电极之间的电连接可靠性的同时抑制电阻上升。此外，优选至少在从开始第一电极形成工序到结束阻隔层形成工序之间、或在从开始阻隔层形成工序到结束第二电极形成工序之间，在O浓度为5.0×1024原子/m3以下的气氛下进行各工序。O浓度更优选5.0×1021原子/m3以下，进一步优选3.0×1019原子/m3以下。藉此，可进一步在例如确保阻隔层和第一、第二电极之间的电连接可靠性的同时抑制电阻上升。作为此时的气氛，只要是在从开始第一电极形成工序到结束阻隔层形成工序之间、或在从开始阻隔层形成工序到结束第二电极形成工序之间，气氛中的C浓度为5.0×1021原子/m3以下、根据情况气氛中的O浓度为5.0×1024原子/m3以下、且气氛中的H浓度为5.0×1022原子/m3以下的气氛即可，没有特别限定，可设为与形成第一电极、第二电极、阻隔层时相应的气氛。但是，在进行气氛的改变的情况下，由于操作增加而降低生产性，在改变气氛时有混入杂质之虞，因而优选将从第一电极形成工序开始后到结束阻隔层形成工序以及第二电极形成工序之间设为相同的气氛。具体而言例如优选在真空气氛或氮、氩、氦等惰性气体气氛中进行各工序。特别优选在真空气氛下进行。实施例以下例举具体的实施例进行说明，但本发明并不局限于这些实施例。[参考例1]为了调查界面杂质浓度和接触电阻的关系，进行以下的实验。本参考例中，制造包括在玻璃基板上层叠了透明电极(第一电极)、阻隔层、金属电极(第二电极)的部分的样品。制造多种通过使从透明电极成膜后到阻隔层成膜前之间、以及从阻隔层成膜后到金属电极成膜前之间的样品的保存状态变化来使各层间的杂质浓度变化的样品。对得到的样品实施接触电阻以及采用XPS的方法界面杂质浓度的测定，由得到的评价结果来确认界面杂质浓度和接触电阻的相关性。以下首先对具体的样品的制造方法、评价方法进行说明。(样品的结构)对制造的样品的结构使用图6(A)、(B)进行说明。图6(A)是形成的样品的俯视图，即表示从与玻璃基板的配置有透明电极等的面垂直的方向所见的图，图6(B)表示图6(A)的线段B的剖视图。首先，如图6(A)所示，在清洁的玻璃基板61上将透明电极62成膜。透明电极62以线状图案成膜，线状图案的宽度W62设为2.0mm。透明电极62如图6(A)所示，在图中示出的X轴方向上设为长线状图案，在玻璃基板61上的2处以相同形状成膜。透明电极62通过DC磁控管溅射装置(岛津制作所株式会社(株式会社島津製作所)制型号：SLC-38S)成膜，任一样品中其膜厚均设为450nm。接着，如图6(A)所示在透明电极62上的层叠后述的金属电极64的区域内，将阻隔层63以一边长度W63为1.5mm的正方形的图案成膜。另外，阻隔层63被后述的金属电极64所覆盖，从样品的上面一侧不能看到，因此在图6(A)中以虚线表示。如图6(A)所示，阻隔层63分别形成于透明电极62上的层叠了后述的金属电极64的2个区域中。即形成2处。阻隔层63用真空蒸镀装置(特机株式会社(トッキ株式会社)制型号：Try-ELVES020G)成膜，将阻隔层63成膜的任一样品中其膜厚均设为50nm。如后所述，样品编号1-1-2～样品编号1-4-2没有形成阻隔层63，以在透明电极62上直接与后述的金属电极64接触的方式形成。进一步以覆盖阻隔层63的方式将金属电极64成膜。金属电极64如图6(A)所示以线状图案成膜，线状图案的宽度W64设为2.0mm。金属电极64如图6(A)所示，在图中所示的Y轴方向上设为长线状图案，以连接2个透明电极62的方式形成。金属电极64使用真空蒸镀装置(特机株式会社制型号：Try-ELVES020G)成膜，任一样品中其膜厚均设为80nm。上述的透明电极62、阻隔层63、金属电极64全部以制成图6(A)所示的形状的方式使用掩模进行成膜。另外，对于样品编号1-1-1～样品编号1-4-1，图6(A)的线段B中的截面如图6(B)所示，是在玻璃基板61上层叠了透明电极62、阻隔层63、金属电极64三层的结构。此外，由于如后所述样品编号1-1-2～样品编号1-4-2没有形成阻隔层63，因此是在透明电极62上直接层叠金属电极64的结构。(样品的制造条件)以下示出样品制造时的具体条件。首先，任一样品中均使用ITO作为透明电极62的材料，使用Cr作为阻隔层63的材料，使用Al作为金属电极64的材料，制造图6(A)、(B)所示的接触电阻测定用样品。此处对样品编号1-1-1～样品编号1-4-1的制造条件进行说明。样品编号1-1-1～样品编号1-4-1如表1所示，将作为透明电极62的ITO膜成膜后，在作为阻隔层63的Cr膜的成膜前进行纯水超声波清洗以及氧等离子处理。纯水超声波清洗是将样品浸渍在纯水中，使用超声波清洗装置(海上电机株式会社(海上電機株式会社)制型号：AUTOPURSER1200·28F)实施10分钟。此外，氧等离子处理使用氧等离子处理装置(三洋电子株式会社(サンユー電子株式会社)制型号：QUICKCOATERSC-706)，在氧气氛下实施7分钟。接着，在将作为阻隔层63的Cr膜成膜后、将作为金属电极64的Al膜成膜前，将各试样在表1所示的各种状态中制造样品编号1-1-1～编号1-4-1的各样品。样品编号1-1-1在将阻隔层63成膜后，继续使用相同真空蒸镀装置将金属电极64成膜。因此，从阻隔层63的成膜开始时到金属电极64的成膜结束为止样品保持在10-4Pa以下的真空气氛内。即，样品编号1-1-1从阻隔层63成膜开始时到金属电极64的成膜结束为止，保持在C浓度为5.0×1021原子/m3以下、O浓度为5.0×1024原子/m3以下、H浓度为5.0×1022原子/m3以下的气氛下。样品编号1-2-1在将阻隔层63成膜后，在通常的室内、即大气气氛中放置1天后，使用真空蒸镀装置将金属电极64成膜。此外，样品编号1-3-1、编号1-4-1在阻隔层63成膜后在洁净室内，即清洁的大气气氛中放置1天后，在与透明电极62成膜后进行的纯水超声波清洗相同的条件下进行纯水超声波清洗。然后，样品编号1-3-1直接使用真空蒸镀装置将金属电极64成膜，样品编号1-4-1在与透明电极62成膜后进行的氧等离子处理相同的条件下进行氧等离子处理后使用真空蒸镀装置将金属电极64成膜。为了进一步进行比较，对制造的样品编号1-1-2～样品编号1-4-2的制造条件进行说明。样品编号1-1-2～样品编号1-4-2除了不设置作为阻隔层63的Cr膜而在透明电极62上直接形成金属电极64这点以外，制造具有与图6(A)所示的样品相同的结构的样品。即，样品编号1-1-2～样品编号1-4-2在将作为透明电极62的ITO膜成膜后，首先如表2所示进行纯水超声波清洗以及氧等离子处理。纯水超声波清洗以及氧等离子处理与样品编号1-1-1～样品编号1-4-1同样实施。接着，在将作为金属电极64的Al膜成膜为止期间，将各试样置于表2所示的各种状态下进行制造。具体而言，样品编号1-1-2在纯水超声波清洗以及氧等离子处理结束后立刻将金属电极64成膜。样品编号1-2-2在结束纯水超声波清洗以及氧等离子处理后，在通常的室内、即大气气氛中放置1天后，使用真空蒸镀装置将金属电极64成膜。此外，样品编号1-3-2、编号1-4-2在结束纯水超声波清洗以及氧等离子处理后，在洁净室内，即清洁的大气气氛中放置1天后，在与透明电极62成膜后进行的纯水超声波清洗相同的条件下进行纯水超声波清洗。然后，样品编号1-3-2直接使用真空蒸镀装置将金属电极64成膜，样品编号1-4-2在与透明电极62成膜后进行的氧等离子处理相同的条件下进行氧等离子处理后使用真空蒸镀装置将金属电极64成膜。表1表2(评价方法)(1)接触电阻的测定、计算方法首先，通过对图6(A)中用×记号示出的透明电极62上的测定点65、66间施加电压、测定电流，算出金属电极64所连接的电路整体的电阻值。接着，从算出的金属电极64所连接的电路整体的电阻值中减去透明电极62中以及金属电极64中向图6(A)的平面方向导通时的电阻值。通过从测定的电路整体的电阻值减去透明电极62、金属电极64中向平面方向导通时的电阻值，可算出从图6(B)的箭头C所示的透明电极62到阻隔层63以及金属电极64在层间方向上导通时的电阻，即接触电阻。另外，样品编号1-1-2～编号1-4-2算出的是从透明电极62到金属电极64在层间方向上导通时的电阻(接触电阻)。在各样品的评价时，首先，对刚制成后的样品测定接触电阻，然后将各样品保管在大气气氛中的105℃的恒温槽内，每隔规定的时间进行接触电阻的测定、计算。由于接触电阻有如图4(A)所示因施加电压而其值发生变化的可能性，因此测定时在0.5V～2V之间每隔0.5V进行测定，将其测定值的平均值作为接触电阻。(2)耗电增加率的计算方法首先，作为前提，发光区域为80mm□的元件、以电流0.275[A]、电压7[V]驱动的元件作为单位元件。接着，将该单位元件的发光区域分割为3份并串联连接的元件(以下记为“分割元件”)的、与单位元件进行比较的耗电的增加率作为耗电增加率算出。分割元件具体而言设想是例如如后述图10(A)所示，沿着发光区域的一边分割为3个发光区域，在发光区域间配置接触区域，将发光区域间串联连接的构成。此时，对于分割后的发光区域的1个区划，为了得到与单位元件相同的亮度，需要以电流0.275/3[A]进行驱动，电阻为(7/0.275)×3[Ω]，因此电压为7[V]。另一方面，对于接触区域，电流与发光区域相同，为0.275/3[A]，电压为与测定、算出的接触电阻相应的值。进一步假定接触区域的大小为0.5×80mm2。在上述条件下，由测定、算出的接触电阻的值计算元件整体的耗电，求出单位元件的耗电和分割元件的耗电的差后，按照下式算出耗电增加率。(耗电增加率)＝(分割元件整体的耗电-单位元件的耗电)÷单位元件的耗电×100另外，耗电依赖于有机LED的膜构成、使用材料、分割数等，因此用上述方法算出的值只是一例。(3)阻隔层和金属电极的界面的O浓度的分析方法首先，在包括形成有阻隔层63的区域的2mm见方的区域内，通过将加速为1kV的Ar+离子从制得的样品的金属电极64侧开始扫描0.5分钟来进行蚀刻。接着，对进行了蚀刻的区域的样品表面通过XPS(爱发科·费株式会社(アルバック·ファイ株式会社)制型号：PHIQuanteraSXM)进行元素分析。之后，通过对进行了蚀刻的区域在上述条件下交互重复蚀刻和元素分析，得到深度方向的元素分布。蚀刻刚刚开始后主要检出形成金属电极64的Al，随着接近与阻隔层63的界面，Al的检出强度缓慢降低，Cr缓慢增加。于是，将Al的检出强度达到金属电极64、即Al膜中的84％的深度和达到16％的深度的宽度△Z之间视作界面区域，将该界面区域中的O的检出强度的平均值作为O浓度。(评价结果)对通过上述步骤制造的样品编号1-1-1～样品编号1-4-1、样品编号1-1-2～样品编号1-4-2用上述的评价方法进行评价，以下对评价结果进行说明。对各样品进行刚制成后的接触电阻的测定后，如接触电阻的测定、计算方法中所说明的，首先说明通过保管在105℃的恒温槽中进行强调时间变化的试验的结果。作为测定结果的例，图7中示出样品编号1-3-1、样品编号1-3-2的接触电阻的经时变化。此处所示的接触电阻为如上所述施加电压0.5～2V之间的平均值。图7所示的横轴的经过时间表示从保管在105℃的恒温槽中开始的时间。由图7的结果可确认，具有阻隔层63的样品编号1-3-1与没有阻隔层63的样品编号1-3-2相比，在每个时刻其接触电阻的值都较低。认为这是由于没有阻隔层63的样品编号1-3-2随着时间经过，作为透明电极62的ITO膜中的氧扩散至作为金属电极64的Al膜中、在界面中形成作为绝缘体的Al2O3而导致接触电阻变高。与此相对，具有阻隔层63的样品编号1-3-1显示出通过阻隔层63防止了Al2O3的形成而接触电阻的上升少。由以上情况可确认阻隔层63带来的抑制接触电阻的上升的效果。表3中示出了在105℃的恒温槽中保管120小时后的各样品的接触电阻的测定值。此处所示的接触电阻也是施加电压0.5～2V之间的平均值。另外，由图7的结果可知，恒温槽中的保管刚刚开始后，样品的接触电阻急剧上升，但保管120小时后的样品已是接触电阻的急剧变化结束后的样品。此外，在表3的接触电阻一栏中，评价方法中所说明的由测定、算出的接触电阻的值在设想的规定条件下算出的耗电增加率也参考性地在括弧内示出。进一步，表3中还示出了根据上述的O浓度的分析方法、用XPS检出的阻隔层63和金属电极64的界面中的O浓度。表3对表3示出的样品编号1-1-1～样品编号1-4-1进行比较，可确认存在阻隔层-金属电极间的界面O浓度越高、接触电阻或耗电增加率也变得越高的倾向。此外，图8中示出了样品编号1-1-1～样品编号1-4-1的耗电增加率和阻隔层-金属电极间的界面O浓度的关系。耗电增加越少越好，例如优选抑制在0.3％以下。为了将耗电增加率设为0.3％以下，根据图8可确认阻隔层-金属电极间的界面O浓度优选设为约20原子％以下。此外，耗电增加率更优选抑制在0.2％以下，为了将耗电增加率设为0.2％以下，根据图8可确认阻隔层-金属电极间的界面O浓度优选设为15原子％以下。[实施例1]本实施例中实际制造如图1所示的被串联连接的有机LED元件，并进行了评价。作为玻璃基板(基板)，使用了100mm见方的尺寸的旭硝子株式会社(旭硝子株式会社)制玻璃基板PD200。接着，为了提高来自有机LED元件的光获取效率，在玻璃基板上按照以下步骤制造由玻璃构成的散射层。首先，调和粉末原料，使玻璃组成为表4所示的组成，用1200℃的电炉熔解，用辊进行铸涂得到玻璃的薄片。所得玻璃的玻璃化温度为462℃，热膨胀系数为78×10-7(1/℃)(50℃～300℃的平均值)，d线(587.56nm)中的折射率nd为1.912。表4(摩尔％)(质量％)B2O340.618.9Bi2O319.360.2ZnO34.218.6SiO25.92.4进一步，将制得的薄片用氧化锆制的行星球磨机粉碎2小时后，过筛制造平均粒径在1μm以上2μm以下的玻璃粉末。另外，平均粒径是指通过激光衍射·散射法求出的粒度分布中的累计值50％下的粒径。接着，将得到的玻璃粉末和作为散射体的氧化锆粉末和有机载体混炼，制造玻璃糊料。此时的成分比为有机载体38重量％、玻璃粉末和氧化锆粉末合起来的固体成分62重量％，进一步固体成分中的氧化锆粉末达到7体积％。此外，使用的氧化锆粉末的粉末直径分布在200nm以上500nm以下，波长550nm中的折射率为2.22。将根据上述步骤制造的玻璃糊料以使前述的玻璃基板上烧成后的膜厚达到15μm的条件，以均匀厚度印刷在玻璃基板的形成有机LED元件的面的整面上。接着，使印刷在玻璃基板上的玻璃糊料在150℃下干燥30分钟后，一度回到室温，用45分钟升温至450℃，在450℃下保持30分钟。然后进一步用11分钟升温至560℃，在560℃下保持30分钟后，用3小时降温至室温，在玻璃基板上形成由玻璃构成的散射层。接着，将作为透明电极(第一电极)的ITO膜用DC磁控管溅射装置(岛津制作所株式会社制型号：SLC-38S)掩模成膜。如图9(A)所示，在形成有散射层的玻璃基板91的面上，与各发光区域对应，在长条形状(长方形形状)上形成3处透明电极921，以及在图中右端形成作为阳极电极的透明电极922。透明电极921、922均以使膜厚达到150nm的条件成膜。另外，图9(A)以及后述的图9(B)～(D)均表示从与玻璃基板的形成有机LED元件的面垂直的方向观察到的图。接着，使用纯水进行超声波清洗后，照射氧等离子，对透明电极921、922的表面进行清洁化。使用纯水的超声波清洗是将样品浸渍在纯水中，使用超声波清洗装置(海上电机株式会社制型号：AUTOPURSER1200·28F)实施10分钟。此外，氧等离子处理是使用氧等离子处理装置(三洋电子株式会社(サンユー電子株式会社)制型号：QUICKCOATERSC-706)，在氧气氛下实施7分钟。接着，使用真空蒸镀装置(特机株式会社制型号：Try-ELVES020G)，如图9(B)所示作为阻隔层93蒸镀Cr膜，使膜厚达到50nm来进行成膜。阻隔层93以成为图9(B)所示的线状形状的方式，使用掩模进行成膜。另外，图9(B)中，为了使阻隔层93的形状容易理解，省略透明电极921、922的记载。将阻隔层93成膜后，不暴露在大气中，保持真空状态，使用相同的真空蒸镀装置，将图9(C)示出的有机层(发光部)94以及图9(D)示出的金属电极(第二电极)951、952在真空中连续成膜。有机层94、金属电极951如图9(C)、图9(D)所示，使用掩模以成为与各发光区域对应的长条形状(长方形形状)的方式进行成膜。此外，金属电极如图9(D)所示，在图中左端作为阴极电极的金属电极952一并使用掩模成膜。另外，图9(C)中为了使有机层94的形状容易理解，省略玻璃基板和有机层94以外的记载。此外，图9(D)中为了使金属电极951、952的形状容易理解，省略玻璃基板和金属电极951、952以外的记载。有机层94具有将作为空穴注入层的CuPc(酞菁铜)的层、作为空穴传输层的α-NPD(N,N’-二苯基-N,N’-双(l-萘基)-l,l’联苯-4,4”二胺)的层、和作为发光层的Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)的层层叠的结构。使CuPc的层的膜厚达到20nm，α-NPD的层的膜厚达到100nm，Alq3的层的膜厚达到60nm，分别成膜。将金属电极951、952作为在作为电子注入层的LiF的薄膜蒸镀膜上蒸镀了Al的层叠电极，使LiF膜的膜厚达到0.5nm，Al膜的膜厚达到80nm来进行成膜。对通过以上的工序制造的有机LED元件的阳极电极(+端子)和阴极电极(-端子)施加电压，图10(A)中所示的发光区域96发光。另外，图10(A)表示从与玻璃基板的形成有机LED元件的面垂直的方向观察到的图。图10(A)中的虚线所示的D-D’线中的剖视图示于图10(B)。如图10(B)所示，在玻璃基板91上介由散射层97层叠透明电极921，在透明电极921上层叠阻隔层93以及有机层94，进一步在阻隔层93以及有机层94上配置金属电极951。在图10(B)示出的构成的情况下，如图中所示将与透明电极921、和金属电极951相对的区域作为发光区域96，发光区域96间作为非发光区域98。此外，将层叠有透明电极921、阻隔层93、金属电极951的区域作为接触区域99。对按照以上的步骤所制造的有机LED元件的接触区域99中的层间，首先在作为透明电极921的ITO膜和作为阻隔层93的Cr膜之间进行纯水超声波清洗和氧等离子处理。此外，从阻隔层93的成膜开始到金属电极951的成膜结束为止在真空蒸镀装置内连续成膜，在作为阻隔层93的Cr膜和作为金属电极951的Al膜之间进行真空中连续成膜。因此，至少在作为阻隔层93的Cr膜和作为金属电极951的Al膜的界面区域中，C浓度在10原子％以下，O浓度在20原子％以下，H浓度在5原子％以下。于是，本实施例的接触区域99中的接触电阻为与参考例1中实施的样品编号1-1-1相同的状态，可预料耗电的增加低。另外，本实施例与参考例1不同，金属电极521包括作为电子注入层的LiF膜，LiF膜的膜厚为0.5nm，非常地薄，由于具有微细的开口部，因此几乎对接触电阻没有影响。图11示出了对实际制造的有机LED元件施加电压，使其发光的状态的照片。图11示出的有机LED元件如上所述，具有并排配置3个发光区域、在发光区域间配置有非发光区域的结构，3个发光区域配置在一边111的长度为80mm的正方形的区域内。由图11示出的各发光区域照片可知，从外观上可确认没有起因于分割发光区域并串联连接而导致的问题的发生。此外，预计在接触电阻大的情况下由于耗电增加而会在接触区域附近产生发热，但在图11示出的有机LED元件中也没有观测到接触区域附近的发热。为了进行比较还制造了发光区域为80mm见方的尺寸的没有分割的有机LED元件，确认到为了达到与图11的元件大致相同的亮度需要约3倍的电流。即，本实施例的有机LED元件中，与发光区域没有分割为多个发光区域的有机LED元件相比，可确认能够大幅降低电流量。[参考例2]参考例1、实施例1中，示出了作为透明电极使用ITO膜的例子，本参考例中，使用作为比ITO廉价的透明电极的一种的已知的GZO(ZnO-Ga2O3)来制造有机LED元件。首先，除了使用GZO作为透明电极这点以外，以与参考例1的样品编号1-1-1相同的方式进行图6所示的结构的样品的制造、评价。另外，制造的样品的评价结果作为样品编号2-1示于后述的表5中。对进行接触电阻的评价的样品的各层间的状态进行说明。在作为透明电极62的GZO膜和作为阻隔层63的Cr膜之间进行纯水超声波清洗和氧等离子处理。此外，从阻隔层63的成膜开始到金属电极64的成膜结束为止在真空蒸镀装置内连续成膜，在作为阻隔层63的Cr膜和作为金属电极64的Al膜之间在真空中连续成膜。将制造的样品保管在大气气氛中105℃的恒温中，将保管开始后经过120小时后测定的接触电阻示于表5。在表5中为了进行比较，也一并示出参考例1中的样品编号1-1-1的结果。另外，接触电阻的测定与参考例1中说明的方法相同进行。表5根据表5，确认在使用GZO的情况下的接触电阻为0.3Ω/mm2，比样品编号1-1-1、即使用ITO膜作为透明电极时低。此外，确认由测定的接触电阻的值用与参考例1相同的方法算出的耗电增加率非常小，为0.03％。[实施例2]本实施例中，除了不在玻璃基板上形成散射层这点，以及作为透明电极921、922使用GZO膜来代替ITO膜且GZO膜的膜厚设为450nm这点以外，以与实施例1相同的步骤制造有机LED元件。对制造的有机LED元件施加电压，使其发光的状态的照片示于图12。图12示出的有机LED元件与实施例1的情况相同，具有并排配置3个发光区域、在发光区域间配置有非发光区域的结构，3个发光区域配置在一边121的长度为80mm的正方形的区域内。本实施例的有机LED元件也从阻隔层93的成膜开始到金属电极951的成膜结束为止在真空蒸镀装置内连续成膜，在作为阻隔层93的Cr膜和作为金属电极951的Al膜之间进行真空中连续成膜。因此，至少在作为阻隔层93的Cr膜和作为金属电极951的Al膜的界面区域中，C浓度在10原子％以下，O浓度在20原子％以下，H浓度在5原子％以下。于是，如图12所示，与实施例1中使用ITO膜作为透明电极时相同，可确认不存在外观上的问题。此外，确认与实施例1的情况相同，在接触区域附近没有产生发热。以上，对有机LED元件、有机LED元件的制造方法通过实施方式以及实施例等进行了说明，但本发明不受上述实施方式以及实施例等所限。在权利要求中所记载的本发明的技术内容的范围内，可做各种变形、变更。本申请主张基于2013年5月17日向日本国专利厅申请的日本专利特愿2013-105474号、以及2014年1月31日向日本国专利厅申请的日本专利特愿2014-016984号的优先权，并在本国际申请中援引日本专利特愿2013-105474号、以及日本专利特愿2014-016984号的全部内容。符号说明11、11A、11B、96发光区域21、91基板22、921、922第一电极24、951、952第二电极25、93阻隔层52界面区域53相容层