配线基板及配线基板的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种配线基板及配线基板的制造方法。
【背景技术】
[0002]现有技术中存在一种配线板，其具有形成了空腔的基板和设置(容纳)在所述空腔内的电子器件。所述配线板还具有以覆盖所述空腔的开口的方式所形成的绝缘层(例如，参照专利文献I)。
[0003]专利文献1:(日本)特开2011 - 216740号公报
[0004]如上所述，现有技术中存在的配线板在I个空腔内部设置了 I个电子器件。
[0005]然而，如果在I个空腔内部设置多个(本文中，多个指2个以上)电子器件，则例如在将绝缘层填充至空腔内部时，多个电子器件的位置可能会出现偏差。多个电子器件的位置偏差可能会产生由于相互接触而导致短路或难以与配线层等进行良好连接的现象，进而导致出现电气可靠性的问题。
【发明内容】
[0006]所以，本发明的目的在于，提供一种在将多个电子器件配设在I个贯穿孔的内部时可提高电气可靠性的配线基板及配线基板的制造方法。
[0007][用于解决课题的手段]
[0008]本发明的一实施方式的配线基板包含:核层，其内形成有贯穿孔，并具有在平面视图中从所述贯穿孔的内壁向所述贯穿孔的内侧突出的突出部；多个电子器件，其在平面视图中以互相分离的状态并排设置在所述贯穿孔的内部，并具有与并排排列方向相对的侧部，所述侧部与所述突出部卡合；及树脂层，其填充在所述贯穿孔的内部，并对所述电子器件的侧部进行支撑。
[0009][发明的效果]
[0010]能够提供一种在将多个电子器件配设在I个贯穿孔的内部时可提高电气可靠性的配线基板及配线基板的制造方法。
【附图说明】
[0011]图1A至图1B表不一实施方式的配线基板100的截面图。
[0012]图2A至图2C表示核层110的截面图。
[0013]图3A至图3C表示在核层110的贯穿孔IlOH的内部配置了电容芯片200的状态的图。
[0014]图4A至图4B表示一实施方式的配线基板100的制造步骤的图。
[0015]图5A至图5E表示一实施方式的配线基板100的制造步骤的图。
[0016]图6A至图6C表示一实施方式的配线基板100的制造步骤的图。
[0017]图7表示在配线基板100上实装了 LSI芯片的状态的图。
[0018]图8A至图8C表示一实施方式的变形例的核层IlOX的截面图。
[0019]其中，附图标记说明如下:
[0020]100配线基板
[0021]110、IlOX 核层(Core)
[0022]110A、110XA1、110XA2 突出部
[0023]110A1 顶部
[0024]I1HU1HX 贯穿孔
[0025]IllA 配线层
[0026]120AU20B 贯穿电极
[0027]130AU30B 绝缘层
[0028]140A1、140A2、140A3、140A4、140A5、140A6、140B1、140B2、140B3、140B4、140B5、140B6通孔
[0029]150A1、150A2、150A3、150A4、150A5、150A6、150B1、150B2、150B3、150B4、150B5、150B6配线层
[0030]160AU60B 阻焊层
[0031]200 电容芯片
【具体实施方式】
[0032]以下对发明的配线基板及配线基板的制造方法的实施方式进行说明。
[0033]<实施方式>
[0034]图1A至图1B是表示本实施方式的配线基板100的截面图。以下使用作为直角坐标系的一个例子的、包含与配线基板100的表面及里面平行的XY平面的XYZ座标系进行说明。
[0035]图1A表示与配线基板100的XZ平面平行的截面；图1B表示与配线基板100的YZ平面平行的截面，其表示的是图1A中从X轴的负方向侧向正方向侧进行观察时的Al - Al截面。
[0036]配线基板100包含核层110、配线层111A、贯穿电极120A、120B、绝缘层130A、130B及电容芯片200。
[0037]配线基板100 还包含通孔 140A1、140A2、140A3、140A4、140A5、140A6、140B1、140B2、140B3、140B4、140B5 及 140B6。
[0038]配线基板100 还包含配线层 150A1、150A2、150A3、150A4、150A5、150A6、150B1、150B2、150B3、150B4、1150B5U50B6 及阻焊层 160A、160B。
[0039]下面，为了便于说明，将图中位于上侧的面称为上表面，并将位于下侧的面称为下表面。另外，为了便于说明，还采用了上方及下方的表现。然而，需要说明的是，这里所说的上表面、下表面、上方、下方、上侧、下侧等，并不是用于表示一般意义的上下关系，仅是用于表示图中的上下关系的用语。
[0040]核层110 (即、核)例如是用环氧树脂浸渍过的玻璃布基材，并在两面贴附了铜箔，其作为堆积(buildup)基板的核。通过对核层110的上表面所贴附的铜箔进行图案化，可形成配线层111A，另外，通过对下表面所贴附的铜箔通过图案化，还可形成另一配线层。然而，如果核层110的下表面不需要形成配线层，则也可仅在核层110的上表面贴附铜箔。
[0041]核层110具有贯穿孔110H。贯穿孔IlOH沿厚度方向(图1A至图1B中的Z轴方向)贯穿核层110。核层110的贯穿孔IlOH的内壁具有向贯穿孔IlOH的内侧突出的突出部110A。关于该突出部110A，将在后面使用图2A至图2C及图3A至图3C对其进行说明。
[0042]配线层11IA是在核层110的上表面所形成的金属层。配线层IllA例如通过对核层110的上表面所贴附的铜箔进行图案化而形成。配线层IllA在平面视图中具有包围贯穿孔IlOH的开口的矩形环状的形状。
[0043]贯穿电极120A、120B是沿厚度方向对核层110进行贯穿的电极。贯穿电极120A、120B位于贯穿孔IlOH的两胁。通过在核层110的贯穿孔IlOH的两胁所形成的贯穿孔内部填充镀铜，可形成贯穿电极120A、120B。
[0044]需要说明的是，这里尽管对贯穿电极120A、120B是通过填充镀铜而形成的形态进行了说明，但是，也可使用在贯穿孔内壁由镀铜形成为圆筒状的透孔来代替贯穿电极120A、120B。
[0045]绝缘层130A被形成为覆盖核层110、配线层111A、贯穿电极120A、120B及电容芯片200的上表面。绝缘层130A例如通过对环氧系或聚酰亚胺系等树脂材料进行加热、加压以使其热硬化的方式而形成。需要说明的是，绝缘层130A是在与图1A至图1B上下颠倒的状态下形成了绝缘层130B之后再形成的层。
[0046]绝缘层130B可使用与形成绝缘层130A的环氧系或聚酰亚胺系等树脂材料相同的树脂材料。绝缘层130B通过将加热溶融后的树脂填充至贯穿孔IlOH的内部，并对核层110、贯穿电极120A、120B及电容芯片200的下表面进行覆盖的方式而形成。绝缘层130B例如通过对环氧系或聚酰亚胺系等树脂材料进行加热、加压以使其热硬化的方式而形成。
[0047]通孔140A1、140A2、140A3、140A4、140A5 及 140A6 形成在绝缘层 130A 内所形成的通路孔的内部。通孔1401、140A2及140A3分别与贯穿电极120A、图中左侧的电容芯片200的电极202 (图中左侧)及电极202 (图中右侧)连接。
[0048]通孔140A4、140A5及140A6分别与图中右侧的电容芯片200的电极202 (图中左侧)、电极202 (图中右侧)及贯穿电极120B连接