方向侧和X轴负方向侧设置空间的理由如下。S卩，在从贯穿孔IlOH的上方将电容芯片200配置在贯穿孔IlOH的内部时，可以容易地将电容芯片200插入贯穿孔IlOH的内部。另外，还可以防止电容芯片200卡在贯穿孔IlOH的X轴正方向侧和X轴负方向侧的内壁上。
[0079]例如，在核层110的上方沿X轴方向搬送电容芯片200以将其配置在贯穿孔IlOH的内部的情况下，电容芯片200的位置即使相对于贯穿孔IlOH沿X轴方向发生了一点偏移，也可以确实地将2个电容芯片200配置在贯穿孔IlOH的内部。
[0080]接下来，参照图4A至图6C对本实施方式的配线基板100的制造方法进行说明，并且参照图7对在配线基板100上实装LSI (Large Scale Integrated circuit)芯片的步骤进行说明。
[0081]图4A至图6C是表示本实施方式的配线基板100的制造步骤的图。以下所示的截面是与图1A、图2B、图3B相对应的截面。
[0082]首先，如图4A、图4B所示，准备一形成了配线层IllA和贯穿电极120A、120B的核层110，并进行激光加工，以形成贯穿孔110H(参照图2A、图2B)。
[0083]例如，如图4A、图4B所示，通过对激光束的直径和输出功率进行调整，以使I次激光照射就可形成孔部I 1Hl。如图4A所示，孔部110H1例如具有贯穿孔IlOH的Y轴方向的宽度的大约1/3左右的直径，并具有比核层110的厚度的一半还深一点的深度。另外，如图4B所示，孔部110H1具有随着深度的增加开口逐渐变小的截面形状。这样的孔部110H1的形状可通过激光加工实现。
[0084]这样，在形成贯穿孔IlOH的区域内，通过如图4A中虚线圆所示的那样连续地移动激光照射的位置，然后，再使核层110上下颠倒并进行同样的激光照射，就可形成贯穿孔
IlOHo
[0085]此时，在从核层110的两面进行激光照射时，如果对激光束的直径和输出功率进行调整，以使贯穿孔IlOH的内壁留下突出部110A，则还可在核层110内形成具有突出部IlOA的贯穿孔IlOHo
[0086]需要说明的是，这里尽管示出了在形成了配线层IllA和贯穿电极120A、120B的核层110内形成贯穿孔IlOH的步骤，然而，也可以先在核层110上形成贯穿孔110H，然后再形成配线层IllA和贯穿电极120A、120B。
[0087]接下来，如图5A所示，对核层110进行上下倒转，并在核层110的形成了配线层IllA的面上贴附临时胶带300。临时胶带300在图5A中的上表面具有黏着层。临时胶带300例如为PET等树脂膜制。
[0088]之后，如图5B所示，在核层110的贯穿孔IlOH的内部插入2个电容芯片200，并使电容芯片200的电极202卡合在Y轴正方向侧的突出部IlOA的顶部110A1和Y轴负方向侧的突出部IlOA的顶部110A1之间(参照图3A至图3C)。另外，在该状态下，电容芯片200贴附在临时胶带300上，据此，可对电容芯片200进行临时固定。
[0089]接下来，如图5C所示，将加热溶融后的树脂材料填充至贯穿孔IlOH的内部，并使其覆盖核层110、贯穿电极120A、120B及电容芯片200。具体为，以覆盖贯穿孔IlOH的方式在核层110之上积层(形成)树脂膜，并对其进行加热溶融。然后，对树脂材料进行加热和加压，并使其热硬化，据此，形成绝缘层130B。
[0090]在该步骤中，由于电容芯片200被突出部IlOA所支撑，并且还被临时胶带300进行了临时固定，所以，可防止2个电容芯片200的位置偏移。因此，可防止2个电容芯片200之间的接触，进而可维持电容芯片200之间的绝缘性。
[0091]另外，由于配线层IllA在平面视图中为矩形环状，并包围贯穿孔IlOH的开口，所以，可防止绝缘层130B进入配线层IllA的外侧。需要说明的是，在绝缘层130B的所述进入(乱入)不成问题或不会发生所述进入(乱入)的情况下，也可不设置包围贯穿孔IlOH的开口的配线层111A。
[0092]接下来，取下临时胶带300，然后，如图所示，再使核层110上下颠倒。
[0093]接下来，如图5E所示，以覆盖核层110、配线层111A、贯穿电极120A、120B及电容芯片200的上表面的方式形成绝缘层130A。绝缘层130A可通过对与绝缘层130B相同的树脂材料进行加热和加压，并使其热硬化的方式形成。
[0094]需要说明的是，在该步骤中，由于电容芯片200被突出部I1A和绝缘层130B所支撑，所以，可防止出现2个电容芯片200的位置偏差。因此，可防止2个电容芯片200之间的接触，进而可维持电容芯片200之间的绝缘性。另外，在图5C?图5E的步骤中，还由绝缘层130A和130B对电容芯片200进行了密封。
[0095]接下来，如图6A所示，形成通路孔131A、131B。就通路孔131A而言，可在之后要形成通孔140A1?140A6的位置，例如通过激光加工来形成该通路孔131A。对通路孔131B而言，使核层110上下颠倒后，可在之后要形成通孔140B1?140B6的位置，例如通过激光加工来形成该通路孔131B。
[0096]接下来，如图6B所示，形成通孔140A1?140A6和140B1?140B6、以及、配线层150A1 ?150A6 和 150B1 ?150B6。
[0097]通孔140A1?140A6和140B1?140B6可分别在通路孔131A、131B的内部例如采用半进加(sem1-additive)法来形成。这里，通孔140A1?140A6是同时形成的，并且，通孔140B1?140B6也是同时形成的。
[0098]另外，就配线层150A1?150A6和150B1?150B6而言，可在电镀形成了通孔140A1?140A6和140B1?140B6之后马上再采用半加法，以使这些配线层分别与这些通孔一体形成。
[0099]接下来，如图6C所示，形成阻焊层160A和160B。
[0100]阻焊层160A可通过如下方式形成，S卩，在绝缘层130A和配线层150A1?150A6之上整面地形成阻焊材料之后，再通过曝光?显影等，使配线层150A1?150A6中的要被用作为端子的部分从表面露出来。需要说明的是，阻焊材料为感光性环氧树脂制或感光性丙烯树脂制。
[0101]同样，阻焊层160B可通过如下方式形成，S卩，在绝缘层130B和配线层150B1?150B6之上整面地形成阻焊材料之后，再通过曝光.显影等，使配线层150B1?150B6中的要被用作为端子的部分从表面露出来。
[0102]至此，完成了本实施方式的配线基板100的制作。
[0103]图7是表示在配线基板100上实装了 LSI芯片400的状态的图。
[0104]如图7所示，在配线层150A1?150A6中的作为端子使用的部分，可介由凸块(bump) 401实装LSI芯片400。LSI芯片400之下可填充底部填充树脂402。
[0105]根据本实施方式可知，2个电容芯片200通过被卡合在贯穿孔IlOH的内壁的突出部IlOA上以被进行了定位后，才开始形成绝缘层130A、130B至阻焊层160A、160B。
[0106]这样，可防止出现沿X轴方向并排排列的2个电容芯片200的位置偏差的问题，进而可防止出现电极202之间接触所导致的短路、以及、电极202和通孔140A2?140A5、140B2?140B5的连接不良的问题。
[0107]因此，能提供一种在将2个电容芯片200配设在I个贯穿孔IlOH的内部时可提高电气可靠性的配线基板100及配线基板100的制造方法。
[0108]这里，需要说明的是，在配线基板100上安装CPU等工作在高频下的半导体芯片的情况下，为了提高电气特性，一般需要内置多个电容芯片200。
[0109]如果I个贯穿孔IlOH内仅可设置I个电容芯片200，则在需要内