置多个电容芯片200的情况下，需要增加贯穿孔IlOH的数量，并需要增大配线基板100上的贯穿孔IlOH的专用面积。这样，贯穿孔IlOH的存在就会降低配线设置的自由度。另外，为了设置多个贯穿孔110H，还需要增加配线基板100的平面面积。
[0110]为了解决上述问题，在本实施方式中，I个贯穿孔IlOH的内部设置了多个电容芯片 200。
[0111]需要说明的是，也可以设置多个贯穿孔110H。
[0112]还需要说明的是，尽管上面对I个贯穿孔I1H的内部设置了 2个电容芯片200的形态进行了说明，然而，I个贯穿孔IlOH的内部所配置的电容芯片200的数量只要为2个以上，可为任意多个。
[0113]另外，尽管上面对贯穿孔IlOH的内部配设了电容芯片200的形态进行了说明，然而，贯穿孔IlOH的内部所配置的器件并不限定于电容芯片200，只要是外面具有端子等的电子器件，可为任何器件。例如，贯穿孔IlOH的内部也可配置多个CPU (Central ProcessingUnit)芯片。
[0114]另外，尽管上面对通过进行激光加工形成了贯穿孔110H，并且，突出部IlOA为进行激光加工时残留在核层110的厚度方向的中央处的部分的形态进行了说明，然而，贯穿孔IlOH也可通过刳刨(routing)加工或其他机械加工来形成。
[0115]另外，尽管上面对使电容芯片200的主体201不与突出部IlOA接触的形态进行了说明，然而，在电容芯片200的电气特性不会发生问题的情况下，也可通过突出部I1A对主体201进行支撑。
[0116]另外，尽管上面对突出部IlOA沿着贯穿孔IlOH的内壁被形成为矩形环状的形态进行了说明，然而，突出部IlOA并不一定需要沿着贯穿孔IlOH的内壁被形成为环状，只要能与2个电容芯片200相卡合并能实现定位，也可形成在贯穿孔IlOH的一部分上。例如，可为如后所述的图8A至图8C所示的状态。
[0117]另外，尽管上面对通过在2个电容芯片200的X轴正方向侧和X轴负方向侧设置空间的方式来形成贯穿孔IlOH的形态进行了说明，然而，如果在贯穿孔IlOH的内部配置电容芯片200时不会发生问题，则也可在2个电容芯片200的X轴正方向侧和X轴负方向侧不设置空间。
[0118]另外，尽管上面对核层110的上下各形成了 I层绝缘层130A、130B的配线基板100进行了说明，然而，配线基板100也可包含多层与绝缘层130A、130B同样的绝缘层，还可包含多层配线层。
[0119]图8A至图8C是表示本实施方式的变形例的核层IlOX的截面图。图8A?图8C与图2A?图2C相对应。
[0120]核层IlOX内所形成的贯穿孔110HX在内壁上具有突出部110XA1、110XA2。突出部110XA1、110XA2在平面视图中从贯穿孔110HX的沿着X轴的内壁开始向贯穿孔110HX的内侧突出，如图8C所示，其截面为渐细状。突出部110XA1、110XA2没有形成在贯穿孔110HX的沿着Y轴的内壁上。
[0121]这样的渐细状的突出部110XA1、110XA2为图2A至图2C所示的突出部IlOA中的、贯穿孔IlOH的沿着Y轴的内壁上所形成的部分被除掉了的形状。另外，在贯穿孔110HX的平面视图中的四角，被设计为突出量徐々变小的形状。
[0122]这样，在贯穿孔110HX的内部配置了 2个电容芯片200的情况下，就2个电容芯片200而言，Y轴正方向侧的侧面和Y轴负方向侧的侧面分别与突出部110XA1、110XA2卡合。这与图2A至图2C所示的突出部IlOA与2个电容芯片200的Y轴正方向侧的侧面和Y轴负方向侧的侧面分别卡合相同。
[0123]由于突出部110XA1、110XA2没有被形成在贯穿孔I1HX的沿着Y轴的内壁，所以，电容芯片200在为某些形状时，要比图2A至图2C所示的状态更容易地配置在贯穿孔IlOH的内部。
[0124]另外，由于突出部110XA1、110XA2没有被形成在贯穿孔110HX的沿着Y轴的内壁，所以，可将贯穿孔110HX的X轴方向的长度设定为短于图2A至图2C所示的贯穿孔110H。
[0125]需要说明的是，为了使突出部110XA1、110XA2不形成在贯穿孔110HX的沿着Y轴的内壁，例如，可通过激光加工除去图2A至图2C所示的突出部IlOA中的位于贯穿孔IlOH的沿着Y轴的内壁的部分。
[0126]以上尽管对本发明的较佳实施方式的配线基板及配线基板的制造方法进行了说明，但是本发明并不限定于上述具体公开的实施方式，只要不脱离权利要求书记载的范围，还可进行各种各样的变形和变更。
【主权项】
1.一种配线基板，包含: 核层，其沿厚度方向形成有贯穿孔，并具有从所述贯穿孔的内壁向所述贯穿孔的内侧突出的突起部； 多个电子器件，其在平面视图中相互分离地并排设置在所述贯穿孔的内部，并具有侧部，所述侧部与所述突出部卡合；及 树脂层，其被填充在所述贯穿孔的内部，并对所述电子器件进行支撑。2.如权利要求1所述的配线基板，其中: 所述平面视图与所述厚度方向垂直， 所述侧部与所述多个电子器件的并排排列方向相对。3.如权利要求2所述的配线基板，其中: 所述贯穿孔在所述平面视图中为矩形形状， 所述突出部至少从位于与所述多个电子器件的并排排列方向相对的侧面的一对所述内壁突出， 所述电子器件的与所述并排排列方向相对的两侧的侧部与所述突出部卡合。4.如权利要求3所述的配线基板，其中: 所述突出部在所述平面视图中沿着矩形形状的所述贯穿孔的所述内壁被形成为矩形环状， 所述电子器件的与所述并排排列方向相对的两侧的侧部与所述突出部卡合。5.如权利要求3所述的配线基板，其中: 所述贯穿孔在所述平面视图中为矩形形状， 所述突出部为从位于与所述多个电子器件的并排排列方向相对的侧面的一对所述内壁突出的一对突出部， 所述电子器件的所述两侧的侧部与所述一对突出部分别卡合。6.如权利要求2至5中任一项所述的配线基板，其中: 由所述突出部的突出方向和所述核层的厚度方向所定义的所述突出部的截面形状为从所述核层的两个面开始被形成为渐细状的形状。7.如权利要求2至5中任一项所述的配线基板，其中: 所述电子器件为长方体形状，所述并排排列方向的两端形成有电极，所述电极的侧部与所述突出部卡合。8.如权利要求2至5中任一项所述的配线基板，其中: 所述电子器件为长方体形状，沿所述电子器件的长度方向并排排列所述多个电子器件。9.如权利要求2至5中任一项所述的配线基板，其中: 所述电子器件为电容芯片。10.一种配线基板的制造方法，包含: 第一步骤，通过从核层的一个面和另一个面形成孔部，沿厚度方向在所述核层形成贯穿孔，所述贯穿孔具有从内壁向内侧突出的突出部； 第二步骤，将多个电子器件在平面视图中相互分离地设置在所述贯穿孔的内部，并使所述多个电子器件的侧部与所述突出部卡合；及 第三步骤，通过在所述贯穿孔的内部填充树脂材料，形成对所述电子器件进行支撑的树脂层。11.如权利要求10所述的配线基板的制造方法，其中: 所述平面视图与所述厚度方向垂直， 所述侧部与所述多个电子器件的并排排列方向相对。
【专利摘要】一种配线基板，包含：核层，其内形成有贯穿孔，并具有从所述贯穿孔的内壁向所述贯穿孔的内侧突出的突起部；多个电子器件，其在平面视图中相互分离地并排设置在所述贯穿孔的内部，并具有与所述多个电子器件的并排排列方向相对的侧部，所述侧部与所述突出部卡合；及树脂层，其被填充在所述贯穿孔的内部，并对所述电子器件进行支撑。
【IPC分类】H05K1/18, H05K3/32
【公开号】CN104902682
【申请号】CN201510093012
【发明人】草间泰彦, 田光秀行, 川井谦治, 宫坂文久
【申请人】新光电气工业株式会社
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年3月2日
【公告号】US20150257274