专利名称：半导体晶片清洗装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体晶片清洗装置，特别涉及一种改进的半导体晶片清洗装置，该清洗装置具有可调内槽，所以，在清洗晶片时可以减少清洗空间，减少清洗液的消耗量。
在制造高集成度半导体器件时，晶片表面上的微细颗粒会严重损害器件特性。
因此，近来，能有效地清洗晶片表面上的微细颗粒的清洗技术被认为是本行业最重要的技术。
在LSI技术中，2μm半导体器件已实际用于产业中。在制造这种半导体器件时，高集成度半导体器件制造工艺需要保持超净的清洗技术。
因此，随着制造的晶片越来越大及芯片尺寸越来越小，已研制出一种新的清洗装置。特别是，已进一步研究出一种减少供给清洗槽的清洗液(或清洗水)的技术。
图1展示的是常规半导体晶片清洗装置的结构，这是一种溢流槽系统。
如图所示，该装置包括外槽1，它具有置于其下部的清洗液供给管1a和排放管1b；置于外槽1内的内槽2；把清洗液供给装在内槽2的底部上的晶片“W”的挡板3；及给供给清洗液的供给管1a配置的泵4。
下面参照
在常规半导体清洗装置中清洗晶片的操作。
首先，把要清洗的晶片“W”装在内槽2内，然后，开动泵4，通过设置在外槽1下部的供给管1a，向内槽2内提供清洗液，清洗晶片“W”表面上的微细颗粒。
这里，由多个形成于挡板3内的分送孔(未示出)控制供给内槽2的清洗液的量及流速，从而清洗晶片“W”。当清洗液装满内槽2时，清洗液溢流到外槽1中，电动机4又将这样溢流的清洗液供给内槽2。若清洗液被污染，则通过预定的通道把被污染的清洗液排放到外在。
然而，这种常规半导体晶片清洗装置是一种溢流槽系统，用于给内槽2提供清洗，并使清洗液溢流，所以使清洗液必须超出晶片“W”顶部，到达内槽2的边缘。因此，不可能减少清洗液的用量。另外，对于各种形状的晶片“W”来说，不可能控制清洗液的流动方式，因此，晶片清洗效果变差。
因此，本发明的一个目的在于提供一种克服了已有技术中存在的问题的半导体晶片清洗装置。
本发明的另一个目的在于提供一种改进的半导体晶片清洗装置，其内槽能分成上部和下部，从而形成可调内槽，所以，可以在清洗晶片时合拢内槽的上部，从而减小清洗空间，这样便可以减少清洗液用量，增强清洗效果。
为了实现上述目的，提供一种半导体晶片清洗装置，包括具有供应清洗液的供给管和排放清洗液的排放管的外槽；置于外槽内的下部内槽，置于下部内槽上的上部内槽，上部内槽在第一铰接部件的协助下可调；所设置的驱动部件它与一个第二部件配合，用于关开上部内槽；控制驱动部件的控制部件；分送通过供给管供给的清洗液的挡板；以及置于供给管内的泵，用于给内槽提供清洗液。
下面的说明会更清楚地显示本发明的其它优点、目的和特点。
参阅以下的详细说明和只是说明性的附图，会更充分地理解本发明，但本发明并不限于这些，其中图1展示的是常规半导体晶片清洗装置的结构；图2是展示按照本发明的半导体晶片清洗装置的结构的透视图；图3A和3B分别是展示晶片放置在本发明的半导体晶片清洗装置中的状况的剖面图和顶视图；图4A和4B分别是说明在本发明的半导体晶片清洗装置中清洗洗晶片的状况的剖面图和顶视图5是展示按照本发明的另一实施例的半导体晶片清洗装置的结构的透视图。
图2是展示按照本发明的半导体晶片清洗装置的结构的透视图。
如该图所示，下部内槽11置于外槽10内，具有提供清洗液的供给管10a和排放清洗液的排放管10b，供给管10a的上端与下部内槽11相连，排放管10b的上端与外槽10相连。上部内槽13可调地形成于下部内槽11之上与第一铰接部件12的配合下。自动臂15是置于上部内槽13的上部的可动部件，环形可调第二铰接部件14与之配合。
另外，控制部件16置于自动臂15中，用于控制自动臂15的运动。挡板17置于上部和下部内槽13和11的底部。在挡板17之上形成多个分送孔(未示出)，用于均匀地将通过供给管10a引入的清洗液分送给晶片“W”。
另外，泵18置于供给管10a内，用于把清洗液抽送到上部和下部内槽13和11内。这里，上部和下部内槽13和11、第一铰接部件12、和第二铰接部件14皆是由不产生杂质的材料制成，且具有很好的耐清洗液特性。
下面将结合
利用本发明的半导体晶片清洗装置清洗晶片的工作情况。
首先，如图3A和3B所示，上部内槽13没有在自动臂15的作用下合拢，下部内槽11的两侧壁和未合拢的上部内槽的两侧壁皆是垂直的。用晶片夹具(未示出)把要清洗的晶片“W”送入上部和下部内槽13和11内。
然后，如图4A和4B所示，在置于上部内槽13之上的自动臂15向上部和下部内槽13和11内移动时，第一铰接部件12和第二铰接部件14变弯，上部内槽13向内合拢。此时，上部内槽13的相邻顶角彼此接触。结果，把清洗空间限定在上部内槽13和晶片“W”的上部之间的空间内，所形成的两者间的间隙大于1mm。在此状态下，驱动泵18，便通过供给管10a给上部和下部内13和11提供清洗液，以便清洗其中的晶片“W”。
连续提供清洗液时，清洗液沿晶片“W”的外圆周表面及合拢的内槽13溢流，随后溢流到上部内槽13的上边缘之外，并通过排放管10b排放出来。另外，在泵18的作用下，排放的清洗液沿上述液流通道循环。在循环预定次数后，被污染的清洗液被排放到系统外。
此外，在完成晶片清洗工艺时，在进行了预定次数的清洗工艺后，如图3A所示，自动臂15向外反向运动，上部内槽13的两侧壁和下部内槽11和两侧壁又变成垂直的，然后，用晶片夹具将晶片取出，为下一步工艺备用。
图5是展示按照本发明的另一实施例的半导体晶片清洗装置的结构的透视图。
如图所示，在下部内槽20的上部设置固定壁21，与第一铰接部件12一起在固定壁21之间设置可倾斜壁23。在可倾斜壁23上部设置自动臂25，该自动臂25可与第二铰接部件一起运动。即，利用自动臂25与上述部件，可以使可倾斜壁向内合拢，从而减小清洗空间，所以可以减少清洗液用量。
如上所述，本发明的半导体晶片清洗装置把内槽分成了上下两部分，这样便形成了可调内槽，所以，可以在清洗晶片时，合拢内槽的上部，可以减小清洗空间，从而，可以减少清洗液的用量，增强清洗效果。
尽管为了说明公开了本发明的优选实施例，但是，显然在不脱离所附权利要求书所述的本发明的范围和精神实质的情况下，本领域的普通技术人员可以作出各种改型、附加和替换。
权利要求
1一种半导体晶片清洗装置，包括具有提供清洗液的供给管和排放清洗液的排放管的外槽；置于外槽内的下部内槽；置于下部内槽之上的上部内槽，上部内槽在第一铰接部件的配合下可调；与一个第二部件一起配置的驱动部件，用于关开所述上部内槽；控制驱动部件的控制部件；分送通过供给管供给的清洗液的挡板；以及给供给管配置的泵，用于给内槽提供清洗液。
2根据权利要求1的装置，其特征在于，在清洗工艺过程中，上部内槽的内圆周表面与晶片相隔1mm以上。
3根据权利要求1的装置，其特征在于，所述上部内槽有四面壁，每面壁皆是平行四边形。
4根据权利要求2的装置，其特征在于，所述上部内槽有四面壁，每面壁皆是平行四边形。
全文摘要
一种改进的半导体晶片清洗装置，其内槽分成上下两部分形成可调内槽，可在清洗晶片时合拢内槽上部，以减小清洗空间和清洗液用量，增强清洗效果。该装置包括具有清洗液供给管和排放管的外槽；置于外槽内的下部内槽，置于下部内槽上的上部内槽，上部内槽在第一铰接部件的配合下可调；与第二部件一起配置的驱动部件，用于关开上部内槽；控制驱动部件的控制部件；配送清洗液的挡板；以及为供给管配置的向内槽提供清洗液的泵。
文档编号B08B3/04GK1164124SQ96114250
公开日1997年11月5日 申请日期1996年12月19日 优先权日1995年12月19日
发明者韩石彬 申请人:Lg半导体株式会社