专利名称：半导体晶片清洗装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体晶片清洗装置，特别涉及一种改进的半导体晶片清洗装置，该装置在安装晶片的舟上设置杂质析取管，并将从晶片上和舟上去除的杂质排放到内槽外，所以，可以防止正在被清洗的晶片被污染，从而可增强系统的清洗效果。
在制造高集成度半导体器件时，晶片表面上的微细颗粒会严重损害器件特性。
因此，近来，能有效地清洗晶片表面上的微细颗粒的清洗技术被认为是本行业最重要的技术。
在LSI技术中，2μm半导体器件已实际用于产业中。在制造这种半导体器件时，在制造这种高集成度半导体器件的工艺需要保持超净的清洗技术。
因此，随着制造的晶片越来越大及芯片尺寸越来越小，已研制出一种新的清洗装置。特别是，已进一步研究出一种减少提供给清洗槽的清洗液(或清洗水)的技术。
图1是展示常规半导体晶片清洗装置的结构的示意图，图2是展示在常规半导体晶片清洗装置的舟上的晶片的透视图。
如图所示，内槽2置于具有供应清洗液的供给管1a和排放清洗液的排放管1b的外槽1内。挡板3置于内槽2的底部，用于控制通过供给管1a供给内槽2的清洗液的流量。舟4置在挡板3上，晶片“W”安放在其上。
此外，该装置还包括给供给管1a配置的泵6，用于抽送清洗液；控制清洗液流量的阀门7；以及过滤清洗液的杂质从而净化清洗液的过滤器8。
下面参照
常规晶片清洗装置的工作情况。
首先，利用晶片夹具(未示出)，将欲清洗的晶片“W”送入内槽2中，安装在舟4上。
然后，通过其一端与内槽2相连的供给管1a，给内槽2提供清洗液。在此，由挡板3来控制清洗液的量。进入内槽2的清洗液清洗放置在舟4上的晶片“W”。
此外，内槽2内装满了清洗液时，清洗液会溢出内槽2的上部边缘，流向外槽1。这样溢出的清洗液汇集在外槽1的底部。由阀门7控制流量，并在泵6与过滤器8的共同作用下对溢出的清洗液进行过滤，在经过了此过程之后，上述汇集的清洗液又循环进入内槽2。若清洗液被污染到预定程度，则将该清洗液作为废料排出。
上述常规半导体晶片清洗装置公开于美国专利5,370,142(1994年11月6日)和“24th Symposium on ULSI(Ultra Clean Technology Japan)”上。
然而，如图3所示，常规半导体晶片清洗装置存在如下问题，即，在放置晶片“W”的舟4上形成的多个安装槽4a中，会存有杂质，这些杂质的累积会降低产品的可靠性。
即，在固定舟的情况下，越来越多的杂质聚集在安装槽4a中，于是将晶片“W”污染，在活动舟的情况下，越来越多的杂质聚集在安装槽4a内，然后，这些杂质会附着到舟4上，这些杂质会再跑到清洗液中，于是将晶片“W”污染。
因此，本发明的一个目的是提供一种克服了已有技术中存在的问题的半导体晶片清洗装置。
本发明的另一个目的是提供一种半导体晶片清洗装置，能有效地去除形成于舟上的晶片安装槽中的杂质和舟外表面上的杂质，从而提高产品的可靠性。
为了实现上述目的，提供一种半导体晶片清洗装置，包括具有通过其供应清洗液的第一清洗液供给管和通过其排放清洗液的排放管的外槽；置于外槽内的内槽；置于内槽内的挡板，用于配送供给晶片的清洗液；置于挡板上的舟，其上将放置晶片；在舟的晶片支撑部位设置杂质析取管，用于把形成于内槽内的杂质抽吸于其中，并排放到外部；以及向杂质析取管提供清洗液的第二清洗液供给管。
下面的说明会更清楚地显示本发明的其它优点、目的和特点。
参阅以下的详细说明和只是说明性的附图，会更充分地理解本发明，但本发明并不限于这些，其中图1是展示常规半导体晶片清洗装置的结构的示意图；图2是展示放置在常规半导体晶片清洗装置的舟上的晶片的透视图；图3是展示放置在如图2所示的舟上的晶片的剖面图；图4是展示本发明的半导体晶片清洗装置的结构的剖面图；图5是展示放置在本发明的半导体晶片清洗装置的舟上的晶片的透视图；图6A和6B展示的是本发明的半导体晶片清洗装置的杂质析取管。
图4是展示本发明的半导体晶片清洗装置的结构的剖面图，图5是展示放置在本发明的半导体晶片清洗装置的舟上的晶片的透视图。
如图所示，按照本发明的半导体晶片清洗装置包括外槽10，第一清洗液供给管10a和排放管10b的各一端分别与之相连，且内槽11置于其中；置于内槽11内的挡板12，用于控制通过供给管10a供给内槽11的清洗液的流量；置于挡板12上的舟13，用于在其上安装晶片“W”。另外，该装置还包括置于第一清洗液供给管10a上的泵15，用于给内槽11供应清洗液；控制清洗液流量第一阀门16；过滤清洗液中的杂质的过滤器17。上述结构与如图1和图2所示的常规半导体晶片清洗装置相同。
不同的是，本发明的半导体晶片清洗装置具有杂质析取管18，用于更有效地排放内槽11内的杂质，和从晶片“W”上清除杂质，还具有第二清洗液供给管20。下面将作详细说明。
如图4和5所示，第二清洗液供给管20与杂质析取管18相连，且与第一清洗液供给管10a是分开的。杂质析取管18置于舟13上，并由舟13支撑，其一端与第一清洗液供给管相连，其另一端与具有排放管10b的外槽10的内部相通。
另外，如图5所示，在杂质析取管18的上表面上形成有多个杂质接受孔18a。如图6A和6B所示，这些杂质接受孔18a支撑着安装在舟13上的晶片“W”的下部，形成这些孔是为了使附着于晶片“W”和舟13上的杂质进入杂质析取管18。
另外，如图4和5所示，给第二清洗液供给管20配置第二阀门19，用于适当地控制提供给杂质析取管18的清洗液的流量和强度。
下面将参照
本发明的半导体晶片清洗装置的工作情况。
首先，在由形成在舟13上的槽和形成于杂质析取管18上的杂质接受孔18a支撑晶片“W”的情况下，在通过第一清洗液供给管10a提供清洗液时，挡板12配送清洗液，并控制清洗液的流量，向晶片“W”提供清洗液，清洗安装在舟13和杂质析取管18上的晶片“W”。
另外，若继续提供清洗液，则内槽11内装满清洗液。然后，清洗液会溢出内槽11的上部边缘，汇集在外槽10的底部。由第一阀门16控制流量，并在过滤器17与置于第一清洗液供给管10a的泵15共同进行对上述汇集的清洗片过滤，在经过了此过程之后，上述汇集的清洗液又被送入内槽11。通过上述过程，清洗晶片“W”。在清洗液的污染度超过预定程度后，将清洗液作为废料排出。
此外，在清洗安装在舟13和杂质析取管18上的晶片“W”时，还通过支撑晶片“W”的杂质析取管18和与第一清洗液供给管分开的第二清洗液供给管20，给内槽11提供清洗液。由这样提供的清洗液清洗晶片“W”和舟13上的杂质，然后，使这些杂质进入杂质接受孔18a，清除并将这些杂质排放到外部。进入杂质析取管18的清洗液的流速由第二阀门19的开/关来控制。控制第二阀门19，以便稳定地支撑晶片“W”，并稳定地进行清洗工作。
即，由清洗液清洗杂质析取管18内聚集的杂质，然后将这些杂质从杂质析取管18排放到给外槽10配置的排放管10b，由过滤器17过滤这些排放出来的杂质，然后，将过滤后的清洗液提供给内槽11，从而有效地防止了晶片污染。
如上所述，本发明的半导体晶片清洗装置在其上安装晶片的舟上设置杂质析取管，将从晶片和舟上清除的杂质排放到内管之外，从而防止了要清洗的晶片被污染，因此，可增强系统的清洗效果。
尽管为了说明公开了本发明的优选实施例，但是，显然在不脱离所附权利要求书所述的本发明的范围和精神实质的情况下，本领域的普通技术人员可以作出各种改型、附加和替换。
权利要求
1.一种半导体晶片清洗装置，包括具有供应清洗液的第一清洗液供给管和排放清洗液的排放管的外槽；设置于外槽内的内槽；置于内槽内的挡板，用于配送供给晶片的清洗液；置于挡板上的舟，其上将安装晶片；置于舟上晶片支撑部位的杂质析取管，用于把形成于内槽内的杂质吸取于其中，并排放到外部；以及给杂质析取管提供清洗液的第二清洗供给管。
2.根据权利要求1的装置，其特征在于，所述杂质析取管包括多个杂质接受孔，用于支撑晶片和接受杂质。
3.根据权利要求1的装置，其特征在于，杂质析取管的一端与第二清洗液供给管的一端相连，排放管与其另一端相连。
4.根据权利要求1的装置，其特征在于，所述第二清洗液供给管包括第二阀门，用于控制清洗液的流动。
5.根据权利要求1的装置，其特征在于，第二清洗液供给管的一端与第一清洗液供给管相隔一定距离，其另一端与杂质析取管的一端相连。
全文摘要
一种改进的半导体晶片清洗装置，能有效地去除形成于舟上的晶片安装槽中和舟外表面上的杂质，从而提高产品的可靠性。该装置包括具有供应清洗液的第一清洗液供给管和排放清洗液的排放管的外槽；置于外槽内的内槽；置于内槽内的挡板，用于分送供给晶片的清洗液；置于挡板上的舟，其上将安装晶片；置于舟的晶片支撑部位的杂质析取管，用于把形成于内槽内的杂质吸取于其中，并排放到外部；以及给杂质析取管提供清洗液的第二清洗液供给管。
文档编号B08B3/10GK1156901SQ9611425
公开日1997年8月13日 申请日期1996年12月19日 优先权日1995年12月19日
发明者韩石彬 申请人:Lg半导体株式会社