专利名称：薄型片式陶瓷基板及其制造方法
薄型片式陶瓷基板及其制造方法技术领域
本发明属于电子新材料制造技术领域，涉及一种氧化铝陶瓷基板，尤其是一种片式电阻用的陶瓷基板及其制造方法。
背景技术：
氧化铝陶瓷是应用领域最为广泛的陶瓷材料之一，其广泛用于各种日用陶瓷、精细陶瓷等。目前，陶瓷基板领域也广泛采用氧化铝陶瓷，通常按陶瓷产品中氧化铝成分的重量比分为中铝瓷、高铝瓷、85瓷、90瓷、95瓷等。片式电阻用陶瓷基板多是90瓷以上高氧化铝含量陶瓷，这类陶瓷在机械性能、导热性能、介电性能及性价比上具有良好的综合表现。 但随着人们对诸如手机、LTCC模块、多芯片模块、助听器等电子产品小型化、片式化、精细化和多功能化等需求的不断提高，尤其是在移动通信市场、医疗器械市场等强势推动下，片式电阻等电子元器件迅速向小型化、表面贴装化方向发展。“尺寸更小、功能更强”推动着片式电阻向小型化、片式化和高精密方向发展。同时，对作为片阻基础载体材料的薄型片式陶瓷基板的综合特性和精密性提出了越来越严苛的要求，具体要求主要体现在表1
表 权利要求
1.薄型片式陶瓷基板，其由以下物料制成陶瓷原料、溶剂、粘结剂、增塑与分散混合剂，其中陶瓷原料的配比重量比96-97%且D50为0. 5-2. 0 μ m的煅烧α -氧化铝微粉，重量比 2. 0-3. 5%且平均粒度在0. 6-5. Oym的滑石粉，重量比0. 5-1. 0%的稀土氧化物超微粉；溶剂是陶瓷原料重量的20-40%的有机混合溶剂；粘结剂重量为陶瓷原料重量的4-8% ；增塑与分散混合剂重量为粘结剂重量的一半。
2.如权利要求1所述的薄型片式陶瓷基板，其特征是所述的稀土氧化物选自镧氧化物、铈氧化物或镨氧化物的一种或多种混合物。
3.如权利要求1或2所述的薄型片式陶瓷基板，其特征是所述的稀土氧化物选自三氧化二镧、三氧化二铈、二氧化铈或氧化镨的一种或多种混合物。
4.如权利要求1所述的薄型片式陶瓷基板，其特征是所述的溶剂是甲苯-正丁醇和/ 或无水乙醇。
5.如权利要求1所述的薄型片式陶瓷基板，其特征是所述的粘结剂是PVB和/或PVA。
6.薄型片式陶瓷基板的制造方法，其特征是按如下步骤配料陶瓷原料的配比重量比96-97%且D50为0. 5-2. 0 μ m的煅烧α-氧化铝微粉， 重量比2. 0-3. 5%且平均粒度在0. 6-5. Oym的滑石粉，重量比0. 5-1. 0 %的稀土氧化物超微粉；湿磨采用湿式球磨方式混合，其中，溶剂是陶瓷原料总重量的20-40%的有机混合溶剂，一次磨细后，再添加陶瓷原料总重量的4-8%的粘结剂，以及重量为粘结剂一半的增塑与分散混合剂，二次混磨后获得流延备用浆料；脱泡-流延法成条流延前进行真空脱泡处理，流延成薄型片式陶瓷基板料带；冲制成型冲制成薄型片式陶瓷基板毛坯；排粘-烧成制成薄型片式陶瓷基板毛片；回火对薄型片式陶瓷基板毛片进行1150-1400°C /(l-6)hr的叠层式回火处理。
7.如权利要求6所述的薄型片式陶瓷基板的制造方法，其特征是回火步骤后，若冲制成型过程中没有进行单元线压痕，则采用激光划片方式进行单元线刻蚀。
8.如权利要求6所述的薄型片式陶瓷基板的制造方法，其特征是所述的脱泡后流延成条厚度为0. 1-1. 2mm ；所述冲制成型的尺寸为0. 2_150mm。
9.如权利要求6所述的薄型片式陶瓷基板的制造方法，其特征是所述排粘步骤为常温到700°C /(2-10)hr，烧成步骤为1500-1700°C /(0. 1-5)hr，经过抛光洗涤后制成薄型片式陶瓷基板毛片。
10.如权利要求6所述的薄型片式陶瓷基板的制造方法，其特征是所述的稀土氧化物选自镧氧化物、铈氧化物或镨氧化物的一种或多种混合物；所述的溶剂是甲苯-正丁醇和 /或无水乙醇；所述的粘结剂是PVB和/或PVA。
全文摘要
本发明涉及一种薄型片式陶瓷基板及其制造方法。薄型片式陶瓷基板由以下物料制成陶瓷原料、溶剂、粘结剂、增塑与分散混合剂，其中陶瓷原料的配比重量比96-97％且D50为0.5-2.0μm的煅烧α-氧化铝微粉，重量比2.0-3.5％且平均粒度在0.6-5.0μm的滑石粉，重量比0.5-1.0％的稀土氧化物超微粉；溶剂是陶瓷原料重量的20-40％的有机混合溶剂；粘结剂重量为陶瓷原料重量的4-8％；增塑与分散混合剂重量为粘结剂重量的一半。本发明加入了稀土氧化物，从而提高了基板的理化性能和机械性能。
文档编号C04B35/622GK102503378SQ201110311509
公开日2012年6月20日 申请日期2011年10月14日 优先权日2011年10月14日
发明者余奕发, 吕佳佳, 马明臻 申请人:余奕发, 吕佳佳