玻璃基板的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种玻璃基板的制作方法，其中，在对由玻璃原料生成的熔融玻璃进行成型由此来制造玻璃基板时，难以含有铂合金等金属杂质的玻璃基板。制造玻璃基板的玻璃基板的制造方法包括：在溶解炉中将玻璃原料熔解从而制作熔融玻璃的工序；进行所述熔融玻璃的澄清的工序；和使用成型装置对澄清后的熔融玻璃进行成型从而形成玻璃基板的工序。进一步，该制造方法在制作所述熔融玻璃的工序之前还包括将由铂或铂合金构成的流路形成部件的至少一部分预先加热到制造玻璃基板的操作时的温度附近的工序，所述预先加热时，在所述熔融玻璃的流路中流通有惰性气体，所述流路形成部件用于形成所述熔解炉和所述成型装置之间的熔融玻璃的流路。
【专利说明】玻璃基板的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及玻璃基板的制造方法，其通过对熔融玻璃进行成型来制造玻璃基板，所述熔融玻璃是通过将玻璃原料熔融而得到的。
【背景技术】
[0002]玻璃基板一般是经过由玻璃原料生成熔融玻璃之后，将熔融玻璃成型为玻璃基板的工序来制造的。上述工序中，包括将熔融玻璃内含的微小气泡除去的工序(以下也称为澄清)。澄清工序是通过下述方法进行的:一边对形成为金属制的管的澄清槽主体进行加热，一边使配合了澄清剂的熔融玻璃通过该澄清槽主体，利用澄清剂的氧化还原反应来除去熔融玻璃中的气泡，由此来进行澄清。更具体而言，按照下述方式进行澄清:进一步提高粗熔解后的熔融玻璃的温度以使澄清剂发挥功能，进行气泡的上浮脱泡后，降低温度，由此使熔融玻璃吸收未完全脱泡而残留的较小的气泡。即，澄清包括使气泡上浮脱泡的处理(以下称为脱泡处理)以及使小泡吸收至熔融玻璃中的处理(以下称为吸收处理)。在脱泡处理中，使熔融玻璃通过澄清槽主体时，在澄清槽主体的内部上方的表面与熔融玻璃的液面之间具有恒定面积的脱泡用的气相空间。
[0003]为了由高温的熔融玻璃进行高品质的玻璃基板的量产，期望考虑作为玻璃基板缺陷的主要因素的杂质等不要从制造玻璃基板的任何装置中混入到熔融玻璃中。因此，在玻璃基板的制造过程中，与熔融玻璃接触的部件的内壁需要根据与该部件接触的熔融玻璃的温度、所要求的玻璃基板的品质等由适当的材料构成。例如，已知构成上述澄清槽主体的管的材料，一般使用钼或钼合金等钼族金属(专利文献I)。钼或钼合金等虽然价格高但熔点高、对熔融玻璃的耐腐蚀性也优异，因此适合用于澄清槽主体。
[0004]在脱泡处理时对澄清槽主体进行加热的温度根据想要成型的玻璃基板的组成而不同，为1000°C~1650°C左右。特别是从降低环境负荷的观点出发，近年来开始使用毒性低的SnO2或Fe2O3等来代替澄清功能高`但毒性也高的As203。但是，与As2O3相比，这些物质的澄清功能较差，发挥澄清功能的温度比As2O3高。因此，脱泡处理时的熔融玻璃的温度设定为 1500°C ~1650°C。
[0005]另外，对于用于制作玻璃基板的制造装置，将澄清槽、搅拌槽以及玻璃供给管搬入到熔解炉所在的制造现场，使用这些零件来组装从熔解炉一直到进行作为后工序的成型工序的成型装置的熔融玻璃的流路。澄清槽和搅拌槽的流路、连接熔解炉和澄清槽的玻璃供给管的流路、连接澄清槽和搅拌槽的玻璃供给管的流路、以及连接搅拌槽和成型装置的玻璃供给管的流路是通过由钼或钼合金构成的流路形成部件来形成的。进一步，在制造装置的组装过程中、或组装后，预先对流路形成部件实施高温(例如操作时的温度附近)加热的处理以便即使流动有1000°C~1650°c的熔融玻璃，也能够适应熔融玻璃的温度、不会产生因热而导致的损伤等。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献[0008]专利文献1:日本特表2006-522001号公报
【发明内容】
[0009]发明所要解决的课题
[0010]但是，构成流路形成部件的钼或钼合金的一部分会因上述的流路形成部件的预先加热而挥发，该挥发物在流路形成部件的内壁面凝固、发生结晶化从而导致金属杂质(钼杂质或钼合金杂质)容易附着在内壁面上。因此，为了制作玻璃基板而使熔融玻璃在由流路形成部件形成的流路中流动时，有时金属杂质会混入玻璃基板中而导致玻璃基板内容易形成缺陷，无法高效地制作高品质的玻璃基板。特别是在制造装置组装完后立即制作得到的玻璃基板中，上述金属杂质容易混入，成品率大幅下降。
[0011 ] 因此，本发明的目的在于提供一种玻璃基板的制造方法，其中，在对由玻璃原料生成的熔融玻璃进行成型由此来制造玻璃基板时，难以含有钼合金等金属杂质。
[0012]用于解决课题的方法
[0013]本发明的一个方式是玻璃基板的制造方法。该制造方法包括:
[0014]在熔解炉中将玻璃原料熔解从而制作熔融玻璃的工序；
[0015]进行所述熔融玻璃的澄清的工序；和
[0016]使用成型装置对澄清后的熔融玻璃进行成型从而形成玻璃基板的工序。
[0017]进一步，该制造方法在形成所述熔融玻璃的工序之前还包括将由钼或钼合金构成的流路形成部件的至少一部分预先加热到制造玻璃基板的操作时的温度附近的工序，所述预先加热时，在所述熔融玻璃的流路中流通惰性气体，所述流路形成部件用于形成所述熔解炉和所述成型装置之间的熔融玻璃的流路。
[0018]在所述预先加热时流通有惰性气体，因此形成熔融玻璃的流路的钼或钼合金难以挥发，在流路的内壁面上，钼或钼合金的挥发物凝固而形成的结晶减少。因此，在开始制造玻璃基板时、即操作开始时所形成的熔融玻璃内的金属杂质、即钼或钼合金的结晶的一部分以微粒的形式混入的情况减少。其结果是，金属杂质难以混入玻璃基板中，成品率大幅提闻。
[0019]此时，优选的是，所述流路形成部件构成了用于进行所述熔融玻璃的澄清的澄清槽主体，该澄清槽主体是由钼或钼合金构成的管形状，并预先对所述澄清槽主体进行加热。
[0020]在所述流路中，所述澄清槽主体(澄清管)是熔融玻璃温度最高的部分。因此，在所述预先加热中流通惰性气体从而抑制钼或钼合金的挥发，由此能够抑制钼或钼合金向所述澄清槽主体(澄清管)的内壁面附着。
[0021]所述熔融玻璃含有SnO2作为澄清剂的情况下、或所述熔融玻璃在IO2 5泊的温度为1500°C以上的情况下、或所述玻璃基板为平板显示器用玻璃基板的情况下，将流经所述流路的熔融玻璃的温度调整为高于以往的温度。该情况下，在所述预先加热时流通有惰性气体，因此开始制造玻璃基板时，在流路的内壁面上由钼或钼合金的挥发物凝固而形成的结晶减少。因此，操作开始时所形成的在熔融玻璃内的金属杂质、即钼或钼合金的结晶的一部分以微粒的形式混入的情况减少。其结果是，金属杂质难以混入玻璃基板中，成品率大幅提闻。
[0022]优选的是，所述澄清工序在由钼或钼合金构成的管形状的澄清槽主体中进行，所述澄清槽主体中设置有用于对所述澄清槽主体进行通电加热从而对所述熔融玻璃进行加热的I对电极板，使用所述电极板来进行所述澄清槽主体的所述预先加热。在所述澄清工序中将电极板用于加热熔融玻璃，但也能够高效地将该电极板用于所述预先加热。
[0023]所述电极板与外部空气接触而有时会被冷却。该情况下，对应于电极位置的所述澄清槽主体的壁的温度局部性下降。若所述壁的温度为所述澄清槽中的气相空间内的钼挥发物的凝固温度以下，则钼或钼合金的挥发物在所述澄清槽主体的内壁面凝固而容易生成结晶。即使在这样的情况下，在流路中流通由惰性气体从而抑制挥发物，因此能够抑制结晶的生成。
[0024]另外，所述操作时，可以停止所述惰性气体的供给。
[0025]发明效果
[0026]根据上述方式的玻璃基板的制造方法,能够制作难以含有钼合金等金属杂质的玻璃基板。
【专利附图】
【附图说明】
[0027]图1是示出本实施方式的玻璃基板的制造方法的一个示例的工序的图。
[0028]图2是示意性地示出本实施方式中进行熔解工序~切断工序的玻璃板制造装置的一个示例的图。
[0029]图3是示出用于说明本实施方式的预先加热的方式的一个示例的图。
[0030]图4是示出本实施方式中所使用的熔解装置的制造现场的组装的一个示例的图。
【具体实施方式】
[0031]以下对本发明的玻璃板的制造方法进行详细说明。图1是示出本实施方式的玻璃基板的制造方法的工序的一个示例的图。
[0032](玻璃基板的制造方法的整体概要)
[0033]玻璃基板的制造方法主要具有熔解工序(STl)、澄清工序(ST2)、均质化工序(ST3)、供给工序(ST4)、成型工序(ST5)、缓慢冷却工序(ST6)和切断工序(ST7)。除此以外，还具有研削工序、研磨工序、清洗工序、检查工序、包装工序等；在包装工序中进行了层积的2个以上的玻璃基板搬运至收货方的工作人员。
[0034]熔解工序(STl)在熔解炉中进行。熔解炉中，将玻璃原料投入至蓄积在熔解炉中的熔融玻璃的液面上并进行加热，由此来制作熔融玻璃。进一步，使熔融玻璃从设置在熔解炉的内侧侧壁的I个底部的流出口流向下游工序。
[0035]熔解炉的熔融玻璃可以通过例如来自燃烧器的火焰的辐射热来加热。另外，也可以使电流在由钥、钼或氧化锡等构成的至少I对电极间流通从而对熔融玻璃进行通电加热。另外，除了通电加热之外，可以利用燃烧器辅助性地提供火焰来熔解玻璃原料。需要说明的是，玻璃原料中添加有澄清剂。作为澄清剂没有特别限制，已知有Sn02、As203、Sb203等。但是，从降低环境负荷的观点出发，优选使用SnO2(氧化锡)作为澄清剂。
[0036]澄清工序(ST2)至少在澄清管中进行。澄清工序中，使澄清管内的熔融玻璃升温，由此因澄清剂的还原反应而生成的O2气泡吸收熔融玻璃中所含有的含CO2或SO2的气泡而成长，气泡上浮至熔融玻璃的液面从而气泡中含有的气体被排放至澄清管内的气相空间内。进一步，在澄清工序中，使熔融玻璃的温度下降，从而使由澄清剂的还原反应得到的还原物质进行氧化反应。由此，熔融玻璃中残存的气泡中的O2等气体成分再次被吸收至熔融玻璃中，气泡消失。基于澄清剂的氧化反应以及还原反应能够通过控制熔融玻璃的温度来进行。需要说明的是，澄清管为了将从熔融玻璃中排放至气相空间的气体排放至大气中而具备与大气连通的通气管。
[0037]在均质化工序(ST3)中，使用搅拌器对通过从澄清管延伸出的配管而供给的搅拌槽内的熔融玻璃进行搅拌，从而进行玻璃成分的均质化。由此能够减少作为波筋等的原因的玻璃组成不均。
[0038]在供给工序(ST4)中，熔融玻璃通过从搅拌槽延伸出的配管而供给至成型装置。
[0039]在成型装置中，进行成型工序(ST5)以及缓慢冷却工序(ST6)。
[0040]在成型工序(ST5)中，将熔融玻璃成型为片状玻璃，形成片状玻璃的流体。成型能够使用溢流下拉法(overflow download)。
[0041]在缓慢冷却工序(ST6)中，成型流动的片状玻璃按照形成期望的厚度、不产生内部应变的方式，进一步按照不产生翘曲的方式进行冷却。
[0042]在切断工序(ST7)中，在切断装置中将从成型装置供给的片状玻璃切断为规定的长度，从而得到板状的玻璃板。切断后的玻璃板进一步切断为规定的尺寸，制作得到目标尺寸的玻璃基板。之后，进行玻璃基板的端面的研削、研磨，进行玻璃基板的清洗，进一步，检查有无气泡等异常缺陷后，检查合格品的玻璃板作为最终产品进行包装。
[0043]图2是示意性地示出本实施方式中进行熔解工序(STl)~切断工序(ST7)的玻璃板制造装置的一个示例的图。如图2所示，该装置中主要具有熔解装置100、成型装置200和切断装置300。熔解装置100具有熔解炉101、澄清管(澄清槽主体)102、搅拌槽103和玻璃供给管104、105、106。
[0044]在图2所示的熔解装置101中`，玻璃原料的投入是使用料斗IOld来进行的。在澄清管102中调整熔融玻璃MG的温度从而利用澄清剂的氧化还原反应来进行熔融玻璃MG的澄清。进一步，在搅拌槽103中，利用搅拌器103a来搅拌熔融玻璃MG从而使其均质化。在成型装置200中，通过使用了成型体210的溢流下拉法由熔融玻璃MG成型为片状玻璃SG。
[0045]需要说明的是，形成了如图2所示的从熔解炉101到成型装置200的熔融玻璃MG的流路、具体而言是玻璃供给管104、澄清管102、玻璃供给管105、搅拌槽103、以及玻璃供给管106的熔融玻璃MG的流路的流路形成部件是由钼或钼合金构成的。
[0046]图2中示出的从熔解炉101到成型装置200的熔解玻璃MG的处理槽包括澄清槽102、搅拌槽103，进一步还可以包括其他处理槽的流路。例如，作为处理槽，可以举出向熔融玻璃供给氧气，同时使熔融玻璃MG的温度下降从而使澄清剂吸收所述氧气的一部分这样的处理槽。该处理槽例如连接设置在熔解炉101与澄清管102之间。该处理槽中，熔融玻璃MG的流路通过由钼或钼合金构成的流路形成部件而形成。
[0047]对于这样的由钼或钼合金构成的流路形成部件，在开始制造玻璃基板(操作)时进行预先加热。
[0048](流路形成部件的预先加热I)
[0049]以下对本实施方式的流路形成部件的预先加热进行说明。如上所述，组装完成熔解装置100之后，预先将流路形成部件加热到操作时的温度附近以便即使流动有1000°C~1650°C的熔融玻璃，也能够适应熔融玻璃的温度、不会产生因热而导致的损伤等。图3是示出用于说明预先加热的方式的一个示例的图。
[0050]在玻璃供给管104、105、106的熔融玻璃流体的上游侧的端部附近以及下游侧的端部附近设置有圆板状的电极板104a、104b和电极板105a、105b以及加热单元106a。圆板状的电极板104a、104b以及电极板105a、105b形成为法兰形状。
[0051]这些电极板分别与未图示的交流电源连接。因此，通过从交流电源向电极板104a、104b以及电极板105a、105b进行供电，使电流在电极板104a、104b之间的玻璃供给管104以及电极板105a、105b之间的玻璃供给管105中流通，由此来进行玻璃供给管104、玻璃供给管105的通电加热。玻璃供给管106通过加热单元106a来进行加热。加热单元106a为通过对玻璃供给管106的周围进行加热由此间接地对玻璃供给管106进行加热的方式，但并不限于该方式。例如，也可以为下述方式:与电极板104a、104b以及电极板105a、105b同样地使用设置在玻璃供给管106上并与交流电源连接的I对电极板，对玻璃供给管106进行通电加热。
[0052]电极板104a、104b和电极板105a、105b以及加热单元106a在操作时用于加热以使从熔解炉101流出的熔融玻璃MG为适合于澄清工序(ST2)、均质化工序(ST3)或成型工序(ST5)的温度，进一步也可用于操作之前的预先加热。
[0053]另外，在澄清管102的两端也设置有电极板102a、102b，其与未图示的交流电源连接。因此，通过从交流电源向电极板102a、102b进行供电由此使电流在电极板102a、102b之间的澄清管102中流通，对澄清管102进行通电加热，从而控制加热温度。电极板102a、102b在操作时用于将流经澄清管102内的熔融玻璃控制为适合于澄清工序(脱泡、泡的吸收)的温度，但电极板102a、102b也可用于操作之前的预先加热。
[0054]进一步，加热单元103b按照包围搅拌槽103的周围的方式而设置，其与未图示的电源连接。通过加热单元103b的加热来控制搅拌槽103周围的气氛的温度，由此来控制搅拌槽103的温度。加热单元103b在操作时用于将熔融玻璃MG控制在适合于均质化工序(ST3)的温度，进一步也可用于操作之前的预先加热。搅拌槽103的加热方式也可以为下述方式:与电极板104a、104b以及电极板105a、105b同样地使用设置在搅拌槽103上并与交流电源连接的I对电极板来代替加热单元103b，对搅拌槽103进行通电加热。
[0055]如上所述，在进行预先加热时，在熔融玻璃的流路、即由流路形成部件形成且内壁面由钼或钼合金构成的流路中流通有惰性气体。惰性气体是选自例如氦、氩等零族元素的气体以及氮气。通过使惰性气体在流路中流通，能够将流路内的氧分压抑制的较低。
[0056]惰性气体例如通过设置于澄清管102上的通气管102c、从未图示的惰性气体供给源通过配管而进行供给。对惰性气体的供给量没有特别限制，但供给量越多，则氧分压下降从而钼或钼合金越难以挥发，因此优选惰性气体的供给量多。
[0057]从通气管102c供给的惰性气体从组装后的熔解装置100的两端排出。此时，优选使用未图示的燃烧器对熔解炉101进行加热。
[0058]通过一边流通惰性气体一边进行预先加热，由此抑制了构成内壁面的钼或钼合金的挥发，抑制了在流路的内壁面上钼或钼合金的挥发物凝固而生成结晶。因此，能够抑制开始制造玻璃基板时、即操作开始时所形成的熔融玻璃MG内钼或钼合金的结晶的一部分以微粒的形式混入，其结果是，上述金属杂质难以混入玻璃基板，成品率大幅提高。特别是，电极板102a、102b、104a、104b呈法兰形状，与外部空气接触而容易被冷却，因此对应于该电极位置的壁的温度局部性下降。因此，若壁的温度为钼挥发物的凝固温度以下，则钼或钼合金的挥发物容易在内壁面凝固而生成结晶。即使在这样的情况下，通过使惰性气体在流路中流通，可抑制挥发物，因此能够抑制结晶的生成。
[0059]在这样的预先加热中，构成流路的流路形成部件加热控制在例如1000°C~1600°C。更具体而言，玻璃供给管104在操作时例如被加热至1500°C~1700°C，因此在预先加热中，将玻璃供给管104加热至例如1000°C~1600°C。澄清管102在操作时被加热至例如1500°C~1750°C，因此在预先加热中，将澄清管102加热至作为操作时的温度附近的例如1000°C~1600°C。另外，玻璃供给管105在操作时被加热至例如1000°C~1600°C，因此在预先加热中，将玻璃供给管105加热至作为操作时的温度附近的例如1000°C~1500°C。搅拌槽103在操作时被加热至例如1000°C~1500°C，因此在预先加热中，将搅拌槽103加热至作为操作时的温度附近的例如1000°C~1400°C。玻璃供给管106在操作时被加热至例如1000°C~1400°C，因此在预先加热中，将其加热至作为操作时的温度附近的例如1000°C ~1300°C。
[0060]特别是，在从熔解炉101到成型装置200的流路中，澄清管102是熔融玻璃MG温度最高的部分。而且，澄清管102形成有气相空间，该气相空间为了将熔融玻璃MG的气泡中所含有的气体排出到外部空气中而与外部空气连通。因此，在气相空间中含有促进钼或钼合金挥发的氧。因此，澄清管102的气相空间大量含有钼或钼挥发物。在玻璃基板的制造中(操作中)，在澄清管102中，钼或钼合金的挥发物凝固而成的结晶容易大量附着在内壁面上。因此，为了防止在澄清管102的内壁面上生成的挥发物的结晶的一部分形成微粒而脱落，从而落在熔融玻璃MG中，因此对于澄清管102，期望从操作前的阶段开始就能够抑制钼或钼合金的挥发物凝固在内壁面而生成结晶。因此，特别是在澄清管102中，特别优选在预先加热中流通惰性气体来抑制钼或钼合金的挥发，由此来抑制钼或钼合金附着在澄清管102的内壁上。
[0061]需要说明的是，在操作时可以停止向流路供给在预先加热中流通的惰性气体。这是因为，若在操作时流通惰性气体，则`有时会对涉及气泡等的玻璃品质产生影响。
[0062](流路形成部件的预先加热2)
[0063]上述的流路形成部件的预先加热是在熔解装置100组装完成后，对由钼或钼合金构成的流路构成部件进行预先加热，但预先加热也可以在熔解装置100的组装时进行。
[0064]图4是示出在熔解装置100的制造现场进行组装时的一个示例的图。玻璃供给管104、澄清管102、玻璃供给管105、搅拌槽103以及玻璃供给管106在工厂制作完成后，搬入到制造现场。图4中代表性地示出了玻璃供给管104以及澄清管102。
[0065]玻璃供给管104被浇铸水泥114a包覆，在其外侧堆叠有耐火砖等绝热部件114b从而形成移送管单元114。即，在玻璃供给管104的周围设置有绝热部件114b。需要说明的是，作为浇铸水泥114a，特别优选使用耐火性以及耐腐蚀性优异的高铝水泥。
[0066]另外，玻璃供给管104的两个端部104c、104d呈法兰形状，向绝热部件114b的外侧突出。两个端部104c、104d呈法兰形状，但也可以不是法兰形状。
[0067]另一方面，澄清管102被浇铸水泥112a包覆，在其外侧堆叠有耐火砖等绝热部件112b从而形成澄清管单元112。即，在澄清管102的周围设置有绝热部件112b。[0068]另外，澄清管102的端部102d呈法兰形状，向绝热部件112b的外侧突出。端部102d呈法兰形状，但也可以不是法兰形状。
[0069]移送管单元114的端部104c相对熔解炉101的流出口 IOla的端部对接，由此使熔解炉101与玻璃供给管104连接。移送管单元114的端部104d与澄清管单元112的端部102d对接，由此使玻璃供给管104与澄清管102连接。因此，如图4所示，在端部彼此对接前的状态下，按照端部彼此接近的方式来配置移送管单元114和澄清管单元112。
[0070]正在利用这样的端部彼此的对接而组装熔解装置100时，通过玻璃供给管104以及澄清管102分别设置的未图示的电极板(如图2所示的电极板)使电流在玻璃供给管104以及澄清管102中流通，从而对玻璃供给管104以及澄清管102进行通电加热。此时，惰性气体从通气管102c通过未图示的配管流向澄清管102内。对于通过澄清管102并通过端部102d的惰性气体，其一部分排放到外部，但大部分进入至玻璃供给管104内。进一步，通过端部104c的惰性气体通过熔解炉101，从烟囱(未图示)等排出。同样地，供给到澄清管102内的惰性气体通过玻璃供给管105、搅拌槽103以及玻璃供给管106，然后通过成型装置200排出。
[0071 ] 需要说明的是，在移送管单元114以及澄清管单元112的端部彼此对接之前，在玻璃供给管104与澄清管102之间存在间隙。因此，从玻璃供给管104的端部通过未图示的配管向玻璃供给管104的内侧补充惰性气体而使其流动。
[0072]如上所述，即使在组装熔解装置100时，也能够将玻璃供给管104、澄清管102等流路形成部件加热至操作时的温度附近，同时流通惰性气体。
[0073]通过一边流通惰性气体一边进行预先加热，由此构成熔融玻璃MG的流路的内壁面的钼或钼合金难以挥发，在流路的内壁面上由钼或钼合金的挥发物凝固而形成的结晶减少。因此，开始制造玻璃基板时、即操作开始时所形成的熔融玻璃MG内钼或钼合金的结晶的一部分以微粒的形式混入的情况减少。其结果是，上述金属杂质难以混入玻璃基板，成品率大幅提高。特别是用于通电加热 的电极板，其与外部空气接触而被冷却，因此对应于该电极位置的壁的温度局部性下降。因此，若壁的温度为钼挥发物的凝固温度以下，则钼或钼合金的挥发物容易在内避面凝固而生成结晶。即使在这种情况下，通过使惰性气体在流路中流通，可抑制挥发物，因此能够抑制结晶的生成。
[0074]特别是，在从熔解炉101到成型装置200的流路中，澄清管102是熔融玻璃MG温度最高的部分，因此与上述的预先加热I同样，在澄清管102中，特别优选在预先加热中流通惰性气体从而抑制钼或钼合金的挥发，由此抑制钼或钼合金附着在澄清管102的内壁面。
[0075]需要说明的是，多数情况下，熔融玻璃MG设定为高于以往的温度。作为这样的情况，可以举出以下(A)~(C)的示例。在下述(A)~(C)的示例中，能够更有效地发挥如上所述的一边流通惰性气体一边进行预先加热1、2的效果。
[0076](A)与以往一直作为澄清剂使用的As2O3等相比，SnO2毒性少，因此从降低环境负荷的观点出发，优选使用SnO2作为澄清剂。但是，为了使与作为澄清剂一直使用的As2O3相比澄清功能较差的SnO2的澄清功能有效地发挥，需使澄清管内的熔融玻璃的温度比以往闻。
[0077](B)可以举出熔融玻璃MG的IO2 5泊的温度为1500°C以上的情况。这样的熔融玻璃MG的高温粘性高，因此在澄清工序的脱泡处理中，为了保持与以往同样的粘性要使熔融玻璃MG为较高温度。
[0078](C)可以举出将本实施方式中制作的玻璃基板用于平板显示器用玻璃基板的情况。在用于平板显示器(液晶显示器或有机EL显示器等)的玻璃基板中，其表面上使用有TFT (Thin Film Transistor)。该情况下,从抑制TFT的影响的观点出发,优选使用下述玻璃板:使用了无碱玻璃的无碱玻璃玻璃板、或使用了微量含有碱性成分的微量含碱玻璃的微量含碱玻璃板。但是，微量含碱玻璃板或无碱玻璃板的高温粘性高。在制造高温粘性高的玻璃板的情况下，如上所述，需使澄清工序中的熔融玻璃MG的温度比以往的制造碱玻璃的玻璃板的情况高。[0079](玻璃组成)
[0080]玻璃基板的玻璃组成可以举出例如以下组成。
[0081]以下所示的组成的含有率以质量％表示。
[0082]优选为含有下述成分的无碱玻璃。
[0083]SiO2:50% ~70%、
[0084]Al2O3:0% ~25%、
[0085]B203:1% ~15%、
[0086]MgO:0% ~10%、
[0087]CaO:0% ~20%、
[0088]SrO:0% ~20%、
[0089]BaO:0% ~10%、
[0090]RO:5%~30%(其中，R是选自Mg、Ca、Sr以及Ba中的至少I种，并且是玻璃基板所含有的物质)
[0091]需要说明的是,本实施方式中为无碱玻璃，但玻璃基板也可以是微量含有碱金属的微量含碱玻璃。含有碱金属的情况下，优选含有R%0的总量为0.10%以上且0.5%以下、优选为0.20%以上且0.5%以下(其中，R’是选自L1、Na以及K中的至少I种，并且是玻璃基板所含有的物质)。当然，R’20的总量可以低于0.10%。另外，适用本实施方式的玻璃基板的制造方法的情况下，除了上述各成分之外，玻璃组成物还能够以质量％表示含有0.01%~1%(优选为0.01%~0.5%)的SnO2,0%~0.2%(优选为0.01%~0.08%)的Fe2O3 ;若考虑环境负荷，可以按照实质上不含有As203、Sb203以及PbO的方式调制玻璃原料。
[0092]以上，对本发明的玻璃基板的制造方法进行了详细的说明，但本发明并不限于上述实施方式，在不脱离本发明的主体思想的范围内，可以进行各种各样的改良及变更，这自不必而目。
[0093][符号说明]
[0094]100熔解装置
[0095]101熔解炉
[0096]IOla 流出口
[0097]102澄清管
[0098]102a, 102bU04a, 104bU05a, 105b 电极板
[0099]102c 通气管
[0100]102d、104c、104d 端部[0101]103搅拌槽
[0102]103a 搅拌器
[0103]103b加热单元
[0104]104、105、106 玻璃供给管
[0105]112澄清管单元
[0106]112a烧铸水泥
[0107]112b、114b 绝热部件
[0108]114移送管单元
[0109]114a烧铸水泥
[0110]200成型装置
[0111]210成型体
[0112]300切断 装置
【权利要求】
1.一种玻璃基板的制造方法,其用于制造玻璃基板,其特征在于,该玻璃基板的制造方法包括: 在熔解炉中将玻璃原料熔解从而制作熔融玻璃的工序； 进行所述熔融玻璃的澄清的工序；和 使用成型装置对澄清后的熔融玻璃进行成型从而形成玻璃基板的工序， 进一步，该制造方法在制作所述熔融玻璃的工序之前还包括将由钼或钼合金构成的流路形成部件的至少一部分预先加热到制造玻璃基板的操作时的温度附近的工序，所述预先加热时，在所述熔融玻璃的流路中流通惰性气体，所述流路形成部件用于形成所述熔解炉和所述成型装置之间的熔融玻璃的流路。
2.如权利要求1所述的玻璃基板的制造方法，其中，所述流路形成部件构成了用于进行所述熔融玻璃的澄清的澄清槽主体，该澄清槽主体是由钼或钼合金构成的管形状，并预先对所述澄清槽主体进行加热。
3.如权利要求1或权利要求2所述的玻璃基板的制造方法，其中，所述熔融玻璃含有SnO2作为澄清剂。
4.如权利要求1~3任一项所述的玻璃基板的制造方法，其中，所述熔融玻璃在IO25泊的温度为1500°C以上。
5.如权利要求1~4任一项所述的玻璃基板的制造方法，其中，在所述操作时停止所述惰性气体的供给。
6.如权利要求1~5任一项所述的玻璃基板的制造方法,其中，` 所述澄清工序在由钼或钼合金构成的管形状的澄清槽主体中进行， 所述澄清槽主体中设置有用于对所述澄清槽主体进行通电加热从而对所述熔融玻璃进行加热的I对电极板，使用所述电极板来进行所述澄清槽主体的所述预先加热。
7.如权利要求6所述的玻璃基板的制造方法，其中，所述电极板与外部空气接触而被冷却。
8.如权利要求1~7任一项所述的玻璃基板的制造方法，其中，所述玻璃基板是平板显不器用玻璃基板。
【文档编号】C03B17/06GK103508656SQ201310059383
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年2月26日 优先权日:2012年6月29日
【发明者】藤本慎吾, 毛利公一, 日冲宣之 申请人:安瀚视特控股株式会社