以下。因此，当基层具有以上所述的高折射率时，无机层应具有相同水平的折射率。例如，无机层的折射率可为大约1.5、1.6、1.7或1.75以上。当应用了本申请的基板的0ED为0LED时，基层的折射率的范围有利于提高器件的光效率。无机层的折射率的上限可以为，例如，但不特别限于，大约2.0。
[0055]无机层的厚度可根据由所需用途产生的效果来确定，且在一个实例中，厚度的范围可以为，但并不特别限制于，大约lOnm至lOOnm、lOnm至90nm、lOnm至80nm、lOnm至70nm、lOnm 至 60nm、lOnm 至 50nm 或 20nm 至 50nm。
[0056]当无机层可具有单层或多层结构时，其可能需要具有多层结构以满足上述的结晶度。所述多层结构可包括其中将相同类型或不同类型的无机层堆叠的结构。以多层结构形成无机层可有助于形成具有上述界面结合特性及具有上述结晶度的无机层。此外，以多层结构形成无机层可有助于形成具有上述折射率的无机层。
[0057]所述具有多层结构的无机层可至少包含第一子层与第二子层的堆叠结构。考虑到无机层所需的界面结合特性、结晶度、阻挡性或折射率，可调节第一子层及第二子层的厚度。例如，第一子层及第二子层的厚度均可调节在7nm、6nm、5nm、4nm、3nm或2nm以下的范围内。子层厚度的下限没有特别的限制。当子层厚度较小时，可增大对界面结合特性、结晶度、阻挡性以及折射率的调节的贡献，但当子层厚度较小时，可增加所需过程的数目以达到所需的厚度。因此，子层的厚度的下限可根据所需的厚度等在合适的范围内确定，且可被调节至大约0.lnm以上。
[0058]考虑到界面结合特性、结晶度、阻挡性及折射率，包含于具有多层结构的无机层中的所有子层的厚度均可在以上范围内进行调节。在此情况下，该无机层可不包含厚度超过10nm、9nm、8nm、7nm、6nm 或 5nm 的子层。
[0059]包含于无机层中的子层的数目没有特别的限制。其可根据子层的厚度及所需无机层的厚度来确定。在一个实例中，无机层可包含2至50个子层。在此范围中，可包含4、6、8或10个以上子层。此外，在此范围中，可包含45、40、35、30、25、20或15个以下子层。当无机层包含3个以上子层时，所有子层均可为第一或第二子层，且此外，可包含第三子层或更高序数子层。
[0060]所述子层可由各种材料中的一种形成，且可由各种金属或非金属的氧化物、氮化物或氮氧化物形成，以有助于界面结合特性、结晶度、阻挡性及折射率。因此，第一及第二子层可为氧化物层、氮化物层或氮氧化物层。但需要时，所有包含于无机层中的子层均可由氧化物形成。能够用于此情况的氧化物的类型可适当地选自能够形成上述阻挡层的氧化物，而没有特别的限制。在子层中，只要所述子层由不同的材料形成，彼此接触的子层就可有助于界面结合特性、结晶度、阻挡性或折射率。因此，当第一及第二子层彼此接触时，所述不同的材料可以为(例如)不同的氧化物、氮化物或氮氧化物。即使所述无机层包含如上所述的第三子层、第四子层或更高序数的子层，但有利的是彼此接触的子层可由不同的材料(例如，不同的氧化物)来形成。
[0061]第一子层可具有第一折射率，且第二子层可具有与第一折射率不同的第二折射率。当堆叠此层时，有利的是可确保上述效果且可在上述范围中调节无机层的折射率。第一折射率及第二折射率之间的差的绝对值可为(例如)0.1以上。在另一个实例中，该绝对值可为0.2,0.3,0.4,0.5或0.6以上。此外，在另一个实例中，该绝对值可为2、1.8,1.6、1.4或1.2以下。只要确保了折射率的范围，第一及第二折射率的范围就没有特别的限制，但例如，第一子层的折射率可在1.4至1.9的范围内，且第二子层的折射率可在2.0至2.6的范围内。第一及第二子层可为金属氧化物层。例如，第一子层的合适材料可为A1203，且第二子层的合适材料为Ti02。只要可获得以上范围的折射率且最终堆叠结构可具有阻挡性，就可应用除以上所述的那些材料之外的各种材料。
[0062]当无机层或各个子层可由已知的方法形成时，为了确保界面结合特性，有利的是通过原子层沉积(ALD)来形成。ALD可包括在粘附体表面上交替地沉积诸如有机金属的前体和诸如水的前体的过程，且在此过程中，前体的单层可交替地形成且彼此反应以形成无机层。当在基层中包含预定官能团(例如，上述的羟基)时，通过ALD形成的层可在形成期间与官能团反应，由此确保所需的界面结合特性。除非另有特别限定，本文中所用的术语“ALD层”可为通过ALD形成的无机层。
[0063]除ALD以外，可被应用形成无机层或子层的方法可包括物理气相沉积(PVD)(例如，溅射、脉冲激光沉积(PLD)、电子束蒸发、热蒸发或激光分子束外延(L-MBE))、或化学气相淀积(CVD)(例如金属有机化学气相淀积(M0CVD)、氢化物气相外延(HVPE)、引发性化学气相淀积(iCVD)或等离子增强化学气相淀积(PECVD)。当需要时，可根据待使用的材料来选自以上方法中合适的一种，由此使无机层的性能最大化。
[0064]本申请的基板可包含额外的层。例如，本申请的基板还可包含位于无机层与基层之间的缓冲层以获得无机层与基层之间的界面结合特性。因此，所述方法还可包括在基层上形成缓冲层的操作。例如，当在具有凹凸图案的基层上依次形成缓冲层及无机层时，可实现以上所述的结构。然而，缓冲层不是必须的组分，且例如，只要获得了界面结合特性，就可不需要缓冲层。
[0065]本申请的基板还可包含存在于无机层或基层上的电极层。因此，所述制造方法还包括在基层或无机层上形成电极层的操作。
[0066]作为电极层，可使用通常用于0ED的空穴注入或电子注入电极层。电极层可为透明电极层或反射电极层。
[0067]例如，所述空穴注入电极层可由具有相对较高功函数的材料来形成，并且当需要时，可由透明或反射材料形成。例如，该空穴注入电极层可包含金属、合金、具有大约4.0eV以上的功函数的导电化合物或其至少两种的混合物。此材料可为金属(例如，金)、Cu1、氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(ΙΖ0)、氧化锌锡(ΖΤ0)、掺杂铝或铟的氧化锌、氧化镁铟、氧化镍钨、氧化物(例如，ZnO、Sn02S In 203)、金属氮化物(例如，氮化镓)、金属砸化物(例如，砸化锌)或金属硫化物(例如硫化锌)。透明空穴注入电极层也可由金属薄膜(例如，Au、Ag或Cu)和高折射透明材料(例如，ZnS、1102或ΙΤ0)的堆叠而形成。
[0068]所述空穴注入电极层可由任选方式(例如，沉积、溅射、化学沉积或电化学方式)形成。此外，根据其用途而形成的电极层可通过已知的光刻法或阴影掩膜的方法进行图案化。
[0069]所述电子注入电极层可(例如)由具有相对低功函数的材料形成，且可(例如)由在用于形成空穴注入电极层的材料中的合适的透明或反射材料来形成，但本申请并不限于此。该电子注入电极层还可通过例如沉积或溅射来形成，或当需要时可适当地进行图案化。
[0070]所述电极层可形成为具有(例如)大约90nm至200nm、90nm至180nm或90nm至150nm的厚度。
[0071]在另一个方面中，本申请提供用于有机电子元件的基板。用于制造该基板的方法的描述可以相同方式应用于该基板。
[0072]S卩，该基板可通过上述方法来制造，且可为在至少一个表面上具有凹凸图案的聚合物基层。此外，所述基板可包含在聚合物基层的具有凹凸图案的表面上形成的第二聚合物基层，且由于该凹凸图案而在其内部具有空洞。此结构可为(例如)图2中所示的结构。
[0073]以上描述可应用于用于聚合物基层的材料、凹凸图案的凹痕、可填充至内部空洞中的材料或另外在基层上形成的层。
[0074]在另一个方面中，本申请提供了制造0ED的方法。所述制造0ED的方法可包括使用该基层作为基板来制造0ED的操作。在又一个方面中，本申请提供了通过上述方法制造的0ED。使用上述基层制造0ED的方法可为已知方法，而没有特别的限制。例如，所述0ED可包含上述用于0ED的基板的基层以及存在与该基板上的元件区域。该元件区域可包含第一电极层、有机层及第二电极层，且该0ED可通过在如上所述的通过已知方法形成的基层上形成电极层或有机层而制造。此外，当在用于0ED的基板上预先形成上述电极层时，该电极层可用作第一电极层。
[0075]示例性的0ED可包含基层、第一电极层、有机层、第二电极层、第二无机层及覆盖膜，其在向上方向上依序存在。所述层可以其中相邻层之间不存在不同层的状态直接堆叠，或借助于另一层进行堆叠。
[0076]除非另有特别限定，本文中所用的术语“向上方向”意指从第一电极层至第二电极层的方向，且除非另有特别限定，本文中所用的术语“向下方向”意指从第二电极层至第一电极层的方向。
[0077]在本文中，为了便于本说明书的解释，包含存在于所述结构中的第一电极层的下方的所有组分(不包括第一电极层)的区域称为基板区域，包含第一电极层、第二电极层以及存在于其间的所有组分的区域称为元件区域，且包含存在于第二电极层上方的所有组分(不包括第二电极层)的区域称为上部区域。
[0078]所述基板区域除上述的基层以外还可包含其他层。作为额外存在于基板区域中的层，可使用载体基板、阻挡膜或粘合层。
[0079]作为可包含于基板区域中的其他层，可使用阻挡膜。就诸如玻璃基板的材料的特性而言，与使用具有优异阻挡性的基板的刚性结构相比，在柔性结构中，应用具有相对较低阻挡性的基层，且因此为了补偿阻挡性，额外的阻挡膜可存在于，例如，该基层下方。作为阻挡膜，当需要时，可使用具有合适阻隔性及透明性的膜，而没有特别的限制。
[0080]所述阻挡膜可例如通过粘合层粘附至所述基层。此处，该阻挡膜可粘附至其上形成有元件区域的基层表面的相反表面上。除常规称为粘合剂的材料以外，本文中所用的术语“粘合层”还包含使用称为压敏粘合剂的材料或称为压敏粘合剂/粘合剂的材料而形成的层。用于形成粘合层的材料可为已知的压敏粘合剂/粘合剂材料(例如，丙烯酸聚合物、硅聚合物、橡胶类聚合物、乙烯乙酸乙烯酯(EVA)聚合物)或烯烃聚合物(例如，聚异丁烯(PIB))0
[0081]可将合适的防水材料混合在粘合层中。在下文中，本文中所用的术语“与防水材料混合的粘合层”可为具有阻挡性的粘合层。本文中所用的术语“防水材料”可用作可通过物理或化学反应吸附或去除从外部环境中引入的水或蒸气的组分。可与粘合层混合的特定类型的防水材料可为，但不特别限于，例如，金属氧化物、有机金属氧化物、金属盐以及五氧化二磷(p2o5)的一种或至少两种的混合物。此处，金属氧化物的具体实例可为，但并不限于，氧化锂(Li20)、氧化钠(Na20)、氧化钡(BaO)、氧化|丐(CaO)或氧化镁(MgO)，且金属盐可为，但并不限于，硫酸盐，例如硫酸锂(Li2S04)、硫酸钠(Na2S04)、硫酸钙(CaS04)、硫酸镁(MgS04)、硫酸钴(CoS04)、硫酸镓(Ga2(S04)3)、硫酸钛(Ti(S04)2)或硫酸镍(NiS04);金属卤化物，例如氯化钙(CaCl2)、氯化镁(MgCl2)、氯化锶(SrCl2)、氯化钇(YC13)、氯化铜(CuCl2)、氟化锶(CsF)、氟化钽(TaF5)、氟化铌(NbF5)、溴化锂(LiBr)、溴化钙(CaBr2)、溴化铯(CeBr3)、溴化砸(SeBr4)、溴化钒(VBr3)、溴化镁(MgBr2)、碘化钡(Bal2)或碘化镁(Mgl2);或金属氯酸盐例如高氯酸钡(Ba(C104)2)或高氯酸镁(Mg(C104)2)。
[0082]可将合适的散射颗粒混合在所述粘合层中，且因此该粘合层可呈现出合适的雾度。当该粘合层呈现出雾度时，可提高光提取效率。可混合在粘合层中的光散射颗粒的类型没有特别的限制，并且考虑到用于形成该粘合层的树脂的折射率，可选择包括在该散射层中的散射颗粒的合适类型。
[0083]作为可存在于基板区域中的其他层，可使用可暂时地或永久地粘附在所述基层下方的载体基板。通常，作为载体基板，可应用刚性基板(例如，玻璃基板)。
[0084]所述基板区域可以各种结构形成。例如，该基