液晶显示器件用基板检查装置和利用其的基板检查方法

专利名称：液晶显示器件用基板检查装置和利用其的基板检查方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示器件用基板检查装置，更具体地说，涉及一种 能够通过缩短基板检查时间而提高生产效率的液晶显示器件用基板检查 装置和利用其的液晶显示器件用基板检查方法。
背景技术：
常规上，液晶显示(LCD)器件被设计为根据视频信号来调节液晶 单元的透光率，由此在以矩阵形式排列有多个液晶单元的液晶基板上形 成与该视频信号相对应的图像。
液晶显示器件包括通过密封材料彼此接合的两个基板，和形成在这 两个基板之间的液晶层。在这两个基板当中，下基板形成有薄膜晶体管、 像素电极等，而上基板形成有滤色器、公共电极等。即，下基板被称为 TFT阵列基板，而上基板被称为滤色器阵列基板。
TFT阵列基板和滤色器阵列基板是经由独立的制造工艺单独完成 的，然后经由接合工艺彼此接合。
同时，在接合工艺之前，要进行确定设置在TFT阵列基板上的每一 个像素的薄膜晶体管是否正常工作的检査工艺。该检查工艺需要检查装 置。该检查装置被设计成，在TFT阵列基板上方水平和垂直移动的同时对 形成在TFT阵列基板的整个表面上的所有像素电极进行检查。
上述检查装置包括调制器和相机。调制器包括用于和形成在TFT阵 列基板上的像素电极一起生成电场的公共电极，以及其中透光率经由公 共电极和像素电极所生成的电场而改变的液晶层。
图1例示了利用上述常规检查装置来检查TFT阵列基板的缺陷的方 法。如图1所示，单个母板上排列有多个TFT阵列基板。
为了单独地检査这些TFT阵列基板，由标号22表示的检查装置在检查了第一 TFT阵列基板1之后沿水平方向移动，以检查第二 TFT阵列 基板2。检查装置22又沿对角方向移动，以检查第三TFT阵列基板3。 按这种方式，检查装置22可以顺序地检查第一 TFT阵列基板1到第六 TFT阵列基板6的所有TFT阵列基板。
检查装置22中包括的调制器没有足够的尺寸来覆盖单个TFT阵列 基板的整个面积。因此，为了检查形成在单个TFT阵列基板的整个表面 上的所有像素，必须预先执行将TFT阵列基板分割成多个部分并且将调 制器定位在每个部分上方的操作。
为此，检查形成在单个基板上的全部像素需要将调制器移至每个部 分并且使调制器准确地对准该部分的对准操作。无论何时要检查任何像 素部分都必须预先执行这种对准操作。因为这种部分的数量越大，对准 操作的次数就越大，所以常规检査装置存在过度增加了整体工艺时间的 问题。
为了解决上述问题，尽管可以尝试将调制器尺寸增大到至少一个 TFT阵列基板的尺寸，但仍存在以下问题。
图2例示了增大调制器尺寸时可能造成的问题。如图2所示，如果 调制器30的面积增大，则调制器30的中央可能因重力而下垂。调制器 30的面积越大，调制器30下垂的程度就越大。
调制器30的这种下垂可能不利地造成调制器30的中央接触到TFT 阵列基板1。考虑到TFT阵列基板1的像素电极暴露在外的事实，如果 将像素电极定位在TFT阵列基板1与调制器30之间的接触区域处，则不 可避免地会破坏像素电极。
当然，即使调制器30的中央下垂，也有防止调制器30接触到TFT 阵列基板l的解决方案。具体来说，可以考虑下垂程度来增大调制器30 与TFT阵列基板1之间的间隙。然而，由于TFT阵列基板1的中央仍然 比TFT阵列基板1的边缘更靠近调制器30的事实，存在这样一个问题， 即，经过TFT阵列基板1中央的光的透光率与经过TFT阵列基板1边缘 的光的透光率之间有较大的偏差。这种透光率偏差造成无法在TFT阵列 基板1的整个表面上进行图像质量的准确检查。因此，上述常规检查装置22中包括的调制器30的尺寸受到了限制，从而，存在如先前所示的
工艺时间增加的问题。

发明内容
因此，本发明致力于提供一种基本上消除了因现有技术的局限性和 缺点而造成的一个或更多个问题的液晶显示器件用基板检查装置和利用 其的基板检查方法。
本发明的一个目的是提供一种液晶显示器件用基板检查装置和利用
其的基板检查方法，在该基板检查装置中，调制器在其与TFT阵列基板 的除了像素区以外的局部区域相对应的表面上设置有多个支承杆 (supporting pole)，由此防止调制器接触到TFT阵列基板同时还防止调 制器的中央下垂，从而使得能够使用与现有技术相比更大的调制器。
本发明的其它优点、目的以及特征将在下面的描述中加以阐述，并 且对于本领域普通技术人员而言在研究下面的内容后将部分变得明了， 或者可以通过对本发明的具体实践而获知。通过在文字说明及其权利要 求以及附图中具体指出的结构可以实现并获得本发明的这些目的和其它 优点。
为了实现这些目的和其它优点，并且根据在此具体实施和广泛描述 的本发明的目的，提供了一种液晶显示器用基板检查装置，该液晶显示 器用基板检査装置包括其上放置有基板的基座(seating base);位于该 基座上方面对该基板的调制器，其被用于检查形成在该基板上的各个像 素是否存在缺陷；以及形成在该基板与该调制器的相面对的表面中的一 个表面上的多个支承杆。
本发明的另一方面提供了一种液晶显示器件用基板检查装置，该液 晶显示器件用基板检查装置包括其上放置有基板的基座；位于该基座 上方面对该基板的调制器，其被用于检查形成在该基板上的像素是否存 在缺陷；以及形成在该基板与该调制器的相面对的表面中的一个表面上 的保护层。
本发明的又一方面提供了一种利用液晶显示器用基板检查装置的液晶显示器用基板检查方法，该基板检查装置包括其上放置有基板的基 座；位于该基座上方面对该基板的调制器，其被用于检查形成在该基板 上的像素是否存在缺陷；以及形成在该调制器的与该基板相面对的一个 表面上的多个支承杆，该方法包括以下步骤将该基板座装在该基座上; 使该调制器与该基板对准；以及使该调制器朝向该基板移动，以使那些 支承杆与该基板相接触。
本发明的又一方面提供了一种利用液晶显示器件用基板检查装置的 液晶显示器用基板检查方法，该基板检查装置包括其上放置有基板的 基座；位于该基座上方面对该基板的调制器，其被用于检査形成在该基 板上的像素是否存在缺陷；以及形成在该调制器的面对该基板的一个表 面上的保护层，该方法包括以下步骤将该基板座装在该基座上；使该 调制器与该基板对准；以及使该调制器朝向该基板移动，以使该保护层 与该基板相接触。
应当明白，本发明的前述一般描述和下面的详细描述都是示范性和 解释性的，并且旨在提供对要求保护的本发明的进一步阐释。


所包括的提供对本发明的进一步理解且被并入而构成本申请一部分 的附图例示了本发明的实施方式并与文字说明一起用于解释本发明的原 理。在图中
图1例示了利用常规检查装置来检查TFT阵列基板的缺陷的方法； 图2例示了增大调制器尺寸时可能造成的问题；
图3是例示根据本发明第一实施方式的液晶显示器件用基板检査装 置的截面图4例示了 TFT阵列基板的排布结构； 图5是沿图4的I-I线截取的截面图6例示了利用图3的检查装置来检查TFT阵列基板的方法； 图7例示了利用图3的调制器来顺序地检查形成在母板上的多个 TFT阵列基板的方法；图8是例示根据本发明第二实施方式的液晶显示器件用基板检査装置的截面图；图9是例示根据本发明第三实施方式的液晶显示器件用基板检查装 置的截面图；而图10是例示根据本发明第四实施方式的液晶显示器件用基板检查装置的截面图。
具体实施方式
下面对本发明的优选实施方式进行详细说明，附图中例示了其实例。 尽可能在所有图中使用相同标号来指代相同或相似的部件。 第一实施方式图3是例示根据本发明第一实施方式的液晶显示器件用基板检査装置的截面图。如图3所示，根据本发明第一实施方式的液晶显示器件用基板检査 装置包括其上放置有TFT阵列基板104的基座103;位于基座103上 方面对TFT阵列基板104的调制器105，调制器105被用于检查形成在 TFT阵列基板104上的像素是否存在缺陷；形成在调制器105的面对TFT 阵列基板104的表面上的多个支承杆450;位于基座103下方的光源101; 以及相机106，该相机106用于对从光源101发出并顺序地经过第一偏振 片102a、基座103、 TFT阵列基板104、调制器105以及第二偏振片102b 的光束进行分析，以确定像素是否存在缺陷。第一偏振片102a位于光源101与基座103之间。第二偏振片102b 位于相机106与调制器105之间。第一偏振片102a和第二偏振片102b 具有交叉的透光轴。TFT阵列基板104包括按一个方向排列的多条选通线、与这些选通 线相交地排列的多条数据线，以及形成在选通线与数据线的交叉点附近 的薄膜晶体管TFT。在选通线和数据线所限定的多个像素中分别形成有像素电极PE。相机106可以是电荷耦合器件(CCD)相机106。调制器105包括上基板lllb、下基板llla、液晶层510、第一定向 层222a、第二定向层222b以及公共电极244。
第一定向层222a形成在下基板llla的上表面上。下基板llla的下 表面上形成有多个支承杆450。支承杆450的高度可以为3 20 pm。
下基板llla和上基板111b彼此接合以使第一定向层222a和第二定 向层222b彼此面对。液晶层510形成在下基板111 a与上基板111 b之间。 液晶层510包含扭曲向列液晶，并且液晶内部的液晶分子被有机物制成 的囊(capsule)所包围。
公共电极244和第二定向层222b依次形成在上基板lllb的下表面 上。第一定向层222a和第二定向层222b用于将液晶层510的液晶分子 定向在一个方向上。
上基板lllb与下基板llla之间形成有多个柱状间隔体654。柱状间 隔体654用于在上基板111 b与下基板111 a之间维持恒定的间隙。柱状间 隔体654和支承杆450可以由树脂制成。
如图3所示，各个柱状间隔体654和各个支承杆450可以位于彼此 对应的位置。
在上基板lllb的公共电极244与TFT阵列基板104的相应像素电极 PE之间生成了电场。该电场对位于像素电极PE与公共电极244之间的 液晶层510的透光率产生了影响。
支承杆450形成在下基板llla的下表面上。更具体地说，按照与TFT 阵列基板104的除像素以外的局部区域相对应的方式将支承杆450形成 在下基板llla的下表面上。更具体地说，为了防止在彼此对准TFT阵列 基板104和调制器105时支承杆450接触到像素电极PE，按照不与像素 电极PE对应的方式将支承杆450形成在下基板1 lla的下表面上。
为此，将支承杆450形成在下基板llla的下表面上与选通线或数据 线相对应的位置处，或者与选通线和数据线的交叉点相对应的位置处。
图4例示了 TFT阵列基板的排布结构，而图5是沿图4的I-I线截 取的截面图。
如图4和图5所示，支承杆450位于除像素以外的位置处，从而不与像素电极PE接触。在图4和5中，支承杆450位于选通线GL与数据 线DL的交叉点处。当然，另选的是，支承杆450可以形成在与选通线 GL相同的位置处或者与数据线DL相同的位置处。
同时，如图5所示，薄膜晶体管TFT包括形成在TFT阵列基板 104上的栅极GE;形成在包括栅极GE的TFT阵列基板104的整个表面 上的栅极绝缘层GI;形成在栅极绝缘层上与栅极GE相交叠的半导体层 740;形成在半导体层740的两侧与栅极GE的两边缘相交叠的欧姆接触 层741;以及形成在欧姆接触层741上的源极SE/漏极DE。这里，标号 770表示保护层。
如上所述，在本发明中，通过提供多个支承杆450来支承调制器105， 即使调制器105的面积增大，也可以防止调制器105的中央下垂。
同时，考虑到调制器105的中央下垂，位于调制器105的中央处的 支承杆450高于位于调制器105的边缘处的支承杆450。
下面，对利用上述液晶显示器件用基板检查装置来检査TFT阵列基 板104的方法进行说明。
图6例示了利用图3的检查装置来检查TFT阵列基板的方法。
首先，制备其上形成有薄膜晶体管TFT和像素电极PE的TFT阵列 基板104。将制备好的TFT阵列基板104座装在基座103上。
随后，将调制器105定位在TFT阵列基板104上方，并且与TFT阵 列基板104对准。这里，假定调制器105与单个TFT阵列基板104的尺 寸相同。
通过上述对准操作，将安装在调制器105上的支承杆450定位在TFT 阵列基板104的除像素以外的区域处。
接下来，朝向TFT阵列基板104降低调制器105，直到支承杆450 接触到TFT阵列基板104为止。在这种情况下，当支承杆450接触到TFT 阵列基板104时，停止降低调制器105。
这里，由于存在用于支承调制器105的支承杆450，因而调制器105 的中央没有下垂。
此后，向TFT阵列基板104的选通线GL顺序地施加扫描脉冲(即，用于测试的扫描脉冲)，使得一次一条选通线GL地使连接至相应选通线
GL的薄膜晶体管TFT顺序地导通。只要向相应选通线GL施加了扫描脉 冲，就额外地向数据线DL施加数据电压(即，用于测试的数据电压)， 以向所有像素施加数据电压。同时，向调制器105的公共电极244施加 公共电压(即，用于测试的公共电压)。
由此，在相应像素电极PE与公共电极244之间生成了电场。该电场 改变了位于像素电极PE与公共电极244之间的液晶层510的透光率。
来自位于基座103下方的光源101的光束顺序地经过第一偏振片 102a、基座103、 TFT阵列基板104、第二偏振片102b以及调制器106， 从而被引入到相机106中。相机106分析该光束，以确定像素是否存在 缺陷。
在这种情况下，在TFT阵列基板104和调制器105的整个表面上将 它们都分割成多个拍照部分Dl到D9。相机106通过在从拍照部分Dl 向拍照部分D9移动的同时对每个部分拍照若干次来捕获TFT阵列基板 104的整个表面的图像。
作为一个实例，图6例示了均被分割成九个拍照部分Dl到D9的调 制器105和TFT阵列基板104。
当然，相机106可以被制成为具有与TFT阵列基板104的面积相对 应的更宽的透镜，并且可以一次对TFT阵列基板104的整个面积进行拍 照，而无需分割成拍照部分D1到D9。然而，大尺寸透镜可能存在需要 特高分辨率的缺点。
因此，在本发明中，尝试增大调制器105的尺寸，使其对应于单个 TFT阵列基板104的尺寸，由此允许调制器105和TFT阵列基板104通 过对每个TFT阵列基板104进行一次对准操作即可彼此对准。
图7例示了利用图3的调制器来检查形成在母板上的多个TFT阵列 基板的方法。
如图7所示，为了使用本发明的检查装置来检查其上形成有多个TFT 阵列基板104的单个母基板(mother substrate) 800内的所有像素，必须 预先执行使相应TFT阵列基板801到806与调制器105对准的操作。在此，单个母基板800上形成有总共六片TFT阵列基板801到806，需要 总共六次对准操作来检査形成在六片TFT阵列基板801到806上的全部 像素。
同时，调制器105可以具有与母基板800 (更具体地说，与其上形 成有多个TFT阵列基板801到806的母基板800)的尺寸相对应的尺寸。 在这种情况下，可以通过单个对准操作而将调制器105与全部六片TFT 阵列基板801到806对准。
为了检査相应TFT阵列基板801到806，相机106在检查了第一 TFT 阵列基板801之后沿水平方向移动，以检查第二 TFT阵列基板802。接 着，相机106又沿对角方向移动，以检查第三TFT阵列基板803。这样， 相机106可以顺序地检查所有第一到第六TFT阵列基板801到806。
相机106对经过了 TFT阵列基板801到806的光束进行分析，由此 确定形成在TFT阵列基板801到806上的所有相应像素是否存在缺陷。
更具体地说，相机106利用预定的透光率-电压(T-V)特性曲线来 判断每个像素的透光率是否处于允许范围内，由此确定每个像素是存在 缺陷还是正常。具体来说，如果经过了任意像素的光束的透光率处于在 上述特性曲线中限定的透光率的允许范围内，则相机106判定该像素正 常。与此相反，如果透光率偏离该允许范围，则相机106判定该像素存 在缺陷。
第二实施方式
图8是例示根据本发明第二实施方式的液晶显示器件用基板检查装 置的截面图。
如图8所示，根据本发明第二实施方式的液晶显示器件用基板检查 装置包括其上放置有TTT阵列基板104的基座103;位于基座103上 方面对TFT阵列基板104的调制器105，该调制器105被用于检査形成 在TFT阵列基板104上的像素是否存在缺陷；形成在调制器105的面对 TFT阵列基板104的表面上的多个支承杆450;用于发出光束的光源101; 用于使来自光源101的光束偏振的第一偏振片102a;用于改变来自第一 偏振片102a的光的光路的反射器199;用于使来自反射器199的光路变
14向基座103同时使从基座103反射来的光束透过的分束器188;用于改变 来自分束器188的光束的相位的相衬(phase-contmst)片177;用于使来 自相衬片177的光束偏振的第二偏振片102b;以及相机106，用于对来 自第二偏振片102b的光束进行分析，以确定形成在TFT阵列基板104 上的所有各个像素是存在缺陷还是正常。
调制器105、第一偏振片102a、第二偏振片102b以及相机106和上 述第一实施方式的调制器105、第一偏振片102a、第二偏振片102b以及 相机106相同，因此省略了对它们的说明。
基座103的表面涂覆有反射材料。如果从分束器188向基座103传 播光束，则该光束被反射材料反射，由此，再次传播到分束器188。在从 基座103反射而经过分束器188之后，该光束顺序地经过相衬片177和 第二偏振片102b。
第二实施方式中采用的调制器105具有和第一实施方式的调制器 105相同的构造和效果。
第三实施方式图9是例示根据本发明第三实施方式的液晶显示器件用基板检查装 置的截面图。
根据本发明第三实施方式的液晶显示器件用基板检查装置和上述第 一实施方式的几乎相同。它们之间的唯一差别在于保护层123替换了支 承杆450，如图9所示。
保护层123形成在调制器105中所包括的下基板llla的整个下表面上。
不同于上述支承杆450，保护层123与像素电极PE物理地接触。保 护层123根据其尺寸可以接触到形成在TFT阵列基板104上的所有像素 电极PE，或者可以仅接触到形成在TFT阵列基板104上的某些像素电极 PE。
保护层123可以由选自由以下材料构成的组中的任意一种材料来制 成聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene-terephthalate) (PET)、聚丙烯 (polypropylene ) ( PP )、低密度聚乙烯(low-density-poly ethylene) (LDPE )、高密度聚乙烯(high-density-polyethylene ) (HDPE )、聚苯乙烯(polystyrene ) (PS)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride) (PVC)以及纳米纤维，或上列材 料中的任意两种或更多种材料的组合。
由于保护层123与像素电极PE接触，因而，即使调制器105的尺寸 增大，也可以防止调制器105的中央下垂。 第四实施方式
图10是例示根据本发明第四实施方式的液晶显示器件用基板检査 装置的截面图。
根据本发明第四实施方式的液晶显示器件用基板检查装置和上述第 二实施方式的几乎相同。唯一差别在于保护层123替换了支承杆450，如
图io所示。
本发明第四实施方式中采用的保护层123和以上第三实施方式的上 述保护层123相同。
本领域技术人员应当清楚，在不脱离本发明的精神或范围的情况下， 可以对本发明进行各种修改和变型。因而，本发明将覆盖落入所附权利 要求及其等同形式的范围内的对本发明的各种修改和变型。
根据上述描述可以清楚，上述根据本发明的液晶显示器件用基板检 查装置具有以下效果。
根据本发明，在调制器的下侧形成有保护层或支承杆，以防止调制 器的中央下垂。因此，与现有技术相比，调制器可以被制成为具有更大 的面积，并且本发明具有縮短使调制器与TFT阵列基板对准所需时间的 效果。
另外，通过减小调制器与TFT阵列基板之间的气隙，本发明具有改 进调制器的感测能力的效果。
本申请要求2008年6月1日提交的韩国专利申请10-2007-0053890
号的优先权，将其并入作为参考，如同在此进行了充分地阐述。
1权利要求
1、一种液晶显示器件用基板检查装置，该液晶显示器件用基板检查装置包括其上放置有基板的基座；位于该基座上方面对该基板的调制器，其被用于检查形成在该基板上的各个像素是否存在缺陷；以及形成在该基板与该调制器的相面对的表面中的一个表面上的多个支承杆。
2、 根据权利要求l所述的液晶显示器件用基板检査装置，其中， 该基板包括形成在相应像素上的像素电极，以及相交叉的多条选通线和多条数据线，并且这些支承杆按照位于除像素以外的区域处的方式形成在该基板与该 调制器的相面对的表面中的一个表面上。
3、 根据权利要求2所述的液晶显示器件用基板检查装置，其中，这 些支承杆按照位于那些选通线和那些数据线处的方式形成在该基板与该 调制器的相面对的表面中的一个表面上。
4、 根据权利要求l所述的液晶显示器件用基板检査装置，其中，这 些支承杆形成在该调制器的一个表面上。
5、 根据权利要求l所述的液晶显示器件用基板检查装置，其中，该 调制器包括形成有公共电极的上基板；位于该上基板与该基板之间并且接合至该上基板的下基板；以及 形成在该上基板与该下基板之间的液晶层，该液晶层的透光率根据 该基板的像素电极与公共电极之间生成的电场而改变。
6、 根据权利要求5所述的液晶显示器件用基板检查装置，其中，这些支承杆形成在该下基板的面对该上基板的表面的表面上。
7、 根据权利要求5所述的液晶显示器件用基板检查装置，其中，该调制器还包括形成该上基板与该下基板之间，用于在该上基板与该下基板之间维持一间隙的多个间隔体；禾口用于彼此接合该上基板和该下基板的密封材料，其中，这些支承杆是由与这些间隔体或该密封材料相同的材料制成的。
8、 根据权利要求1所述的液晶显示器件用基板检查装置，该液晶显示器件用基板检查装置还包括用于发出光束的光源；用于使来自该光源的光束偏振的第一偏振片；第二偏振片，用于接收从该光源发出并依次经过第一偏振片、基座、 基板以及调制器的光束并使之偏振；以及相机，用于对来自第二偏振片的光束进行分析，以确定形成在该TFT 阵列基板上的像素是否存在缺陷。
9、 根据权利要求l所述的液晶显示器件用基板检查装置，该液晶显 示器件用基板检查装置还包括用于发出光束的光源；用于使来自该光源的光束偏振的第一偏振片；用于改变来自第一偏振片的光束的路径的反射器；分束器，用于将来自该反射器的光束的路径变为朝向该基座，同时使从该基座反射来的光束透过；用于改变来自该分束器的光束的相位的相衬片；用于使来自该相衬片的光束偏振的第二偏振片；以及相机，用于对来自第二偏振片的光束进行分析，以确定形成在该TFT阵列基板上的像素是否存在缺陷。
10、 根据权利要求8或9所述的液晶显示器件用基板检查装置，其中检查单元的面对该基板的表面具有覆盖该基板的整体面积的尺寸； 该基板的要由该相机拍照一次的面积小于该基板的整体面积；以及 该检查单元保持在固定位置，而该相机进行移动来拍照整个基板。
11、 根据权利要求9所述的液晶显示器件用基板检査装置，其中，该相机是电荷耦合器件(CCD)相机。
12、 根据权利要求1所述的液晶显示器件用基板检査装置，其中， 这些支承杆的高度彼此不同。
13、 根据权利要求12所述的液晶显示器件用基板检查装置，其中， 位于该调制器的中央处的支承杆比位于该调制器的边缘的支承杆要高。
14、 根据权利要求1所述的液晶显示器件用基板检査装置，其中， 这些支承杆的高度为3 20 |im。
15、 一种液晶显示器件用基板检查装置，该液晶显示器件用基板检査装置包括其上放置有基板的基座；位于该基座上方面对该基板的调制器，其被用于检查形成在该基板 上的像素是否存在缺陷；以及形成在该基板与该调制器的相面对的表面中的一个表面上的保护层。
16、 根据权利要求15所述的液晶显示器件用基板检查装置，其中， 该保护层是由选自由以下材料构成的组中的任意一种材料制成的聚对 苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯(PP)、低密度聚乙烯(LDPE)、高 密度聚乙烯(HDPE)、聚苯乙烯(PS)、聚氯乙烯(PVC)以及纳米纤维， 或上列材料中的任意两种或更多种的组合。
17、 根据权利要求15所述的液晶显示器件用基板检查装置，其中，该保护层形成在该调制器的面对该基板的一个表面上。
18、 一种利用液晶显示器件用基板检查装置的液晶显示器件用基板 检查方法，该液晶显示器件用基板检查装置包括其上放置有基板的基 座；位于该基座上方面对该基板的调制器，其被用于检查形成在该基板 上的像素是否存在缺陷；以及形成在该调制器的面对该基板的一个表面 上的多个支承杆，该液晶显示器件用基板检查方法包括以下步骤将该基板座装在该基座上； 使该调制器与该基板对准；以及使该调制器朝向该基板移动，以使那些支承杆与该基板相接触。
19、 一种利用液晶显示器件用基板检查装置的液晶显示器件用基板 检查方法，该液晶显示器件用基板检査装置包括其上放置有基板的基 座；位于该基座上方面对该基板的调制器，其被用于检查形成在该基板 上的像素是否存在缺陷；以及形成在该调制器的面对该基板的一个表面上的保护层，该液晶显示器件用基板检查方法包括以下步骤将该基板座装在该基座上； 使该调制器与该基板对准；以及使该调制器朝向该基板移动，以使该保护层与该基板相接触。
20、 根据权利要求19所述的液晶显示器件用基板检查方法，该液晶 显示器件用基板检査方法还包括以下步骤将该调制器保持在固定位置，以及在使相机在该调制器上移动的同时对经过了该基板和该调制器的光 束进行拍照。
全文摘要
本发明涉及液晶显示器件用基板检查装置和利用其的基板检查方法。公开了一种能够通过缩短基板检查时间而改进生产效率的液晶显示器件用基板检查装置和利用其的基板检查方法。该基板检查装置包括其上放置有基板的基座；位于该基座上方面对该基板的调制器，其被用于检查形成在该基板上的各个像素是否存在缺陷；以及形成在该基板与该调制器的相面对的表面中的一个表面上的多个支承杆。
文档编号G02F1/13GK101315471SQ20081010816
公开日2008年12月3日 申请日期2008年5月30日 优先权日2007年6月1日
发明者申东秀 申请人:乐金显示有限公司