专利名称：抗蚀材料用感光性树脂组合物以及感光性树脂层压体的制作方法
技术领域：
本发明涉及感光性树脂组合物和感光性树脂层压体，特别是涉及作为用于LSI芯片或CSP(Chip Size lockage，芯片尺寸封装)的凸块形成的抗蚀剂而优选的感光性树脂组合物以及感光性树脂层压体。
背景技术：
凸块是指在连接部件端子和电路板时为了容易连接而设置的小的凸状导体的突起。将LSI芯片与搭载的基板直接接合的情况称为裸芯片安装，此时，在LSI芯片端子上形成凸块。另外，将用有机树脂等暂时密封LSI芯片的封装体与搭载的基板连接时，在该封装体端子上形成凸块。CSP是将LSI芯片进行封装体化的部件，通常是指与LSI芯片尺寸相同或稍微大的封装体，伴随最近的电子机器的小型化而快速普及。CSP包括根据封装体的类型分类的 BGA(球栅阵列，Ball Grid Array)类型、LGA(触点阵列，Land Grid Array)类型、SON(小型无引线，Small Outline Non-leaded)类型等。以往，作为在LSI芯片或CSP上形成凸块的方法，使用利用引线接合装置的柱形凸块法、镀敷法、覆金属球的方法等。近年来，LSI芯片或CSP上的端子的微细化在进行，并且端子自身、对应的基板焊盘的间距变小。其结果是，为了获得连接可靠性，期望提高凸块高度。另外，由于在利用焊接的连接中发生桥接等不良的频率增加，因而期望端子间、焊盘间不易短路的连接方法。在能够依据抗蚀剂的分辨率而使凸块间距微细化的方面，优选镀敷法。另外，由于使用干膜等厚膜抗蚀剂，因而能够较高地堆积镀层，能够制作具有足够高度的可靠性高的凸块(以下，参照专利文献1)。在感光性树脂层的膜较厚的情况下，更难以进行至底部的完全显影。在底部有残渣时，成为镀敷不良的原因。另外，在镀敷法中必须在通过镀敷形成凸块后剥离抗蚀剂，但在该剥离过程中，必须无剥离残留地完全剥离抗蚀剂。在抗蚀剂的溶胀较大的情况下，也有因对凸块施加应力而产生凸块缺失的情况。这些问题由于凸块间距的狭小化而变得显著。这样，期望具有高分辨率、且在狭小间距下也不发生剥离残留的抗蚀剂。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2000-305^6号公报
发明内容
发明要解决的问题本发明所要解决的课题在于提供抗蚀材料用感光性树脂组合物以及感光性树脂层压体，该抗蚀材料用感光性树脂组合物的显影性优异、具有与狭小间距对应的高分辨率， 其固化后的抗蚀膜能够在短时间内溶解到剥离液中。
用于解决问题的方案本发明人发现通过使用特定的感光性树脂组合物，从而显影性优异、具有高分辨率，并且固化后的抗蚀膜在短时间内溶解到剥离液中，由此完成了本发明。即，本发明为以下的[1] [9][1] 一种抗蚀材料用感光性树脂组合物，其包含㈧碱可溶性高分子30 70质量％、(B)具有烯属不饱和双键的化合物20 60质量％、以及(C)光聚合引发剂0. 1 20 质量％，其中，作为前述(B)具有烯属不饱和双键的化合物，包含分子内至少具有羟基、苯基和2个以上烯属不饱和双键的化合物(B-I)、以及分子内具有环氧乙烷基和(甲基)丙烯酰基的化合物(B-2)。[2]根据前述[1]所述的抗蚀材料用感光性树脂组合物，其中，前述分子内至少具有羟基、苯基和2个以上的烯属不饱和双键的化合物(B-I)为由下述式(I)表示的化合物。
权利要求
1.一种抗蚀材料用感光性树脂组合物，其包含(A)碱可溶性高分子30 70质量％、 (B)具有烯属不饱和双键的化合物20 60质量％、以及(C)光聚合引发剂0.1 20质量％，其中，作为所述(B)具有烯属不饱和双键的化合物，包含分子内至少具有羟基、苯基和2个以上烯属不饱和双键的化合物(B-I)、以及分子内具有环氧乙烷基和(甲基)丙烯酰基的化合物(B-2)。
2.根据权利要求1所述的抗蚀材料用感光性树脂组合物，其中，所述分子内至少具有羟基、苯基和2个以上的烯属不饱和双键的化合物(B-I)为由下述式(I)表示的化合物，
3.根据权利要求1或2所述的抗蚀材料用感光性树脂组合物，其中，所述化合物(Β-2) 为分子内具有环氧乙烷基和丙烯酰基的化合物。
4.根据权利要求1或2所述的抗蚀材料用感光性树脂组合物，其中，所述化合物(Β-2) 为选自由下述式(II) (IV)表示的化合物所组成的组中的至少一种化合物，
5.根据权利要求4所述的抗蚀材料用感光性树脂组合物，其中，所述化合物(B-幻为由上述式(III)表示的化合物。
6.一种感光性树脂层压体，其在支撑膜上层压有包含根据权利要求1或2所述的抗蚀材料用感光性树脂组合物的层。
7.根据权利要求6所述的感光性树脂层压体，其中，所述包含抗蚀材料用感光性树脂组合物的层的膜厚为70 150 μ m。
8.一种抗蚀图案的形成方法，其特征在于，其包括如下工序将权利要求6所述的感光性树脂层压体层压到基材的工序、对该已层压的感光性树脂层压体进行曝光的工序、以及使该已曝光的感光性树脂层压体显影的工序。
9.一种半导体凸块的形成方法，其特征在于，其包括如下工序使权利要求6所述的感光性树脂层压体层压到溅射铜薄膜上的工序、对该已层压的感光性树脂层压体进行曝光的工序、使该已曝光的感光性树脂层压体显影的工序、以及对该显影后的溅射铜薄膜进行镀铜或焊镀的工序。
全文摘要
本发明提供一种抗蚀材料用感光性树脂组合物，其包含(A)碱可溶性高分子30～70质量％、(B)具有烯属不饱和双键的化合物20～60质量％、以及(C)光聚合引发剂0.1～20质量％，其中，作为前述(B)具有烯属不饱和双键的化合物，包含分子内至少具有羟基、苯基和2个以上烯属不饱和双键的化合物(B-1)、以及分子内具有环氧乙烷基和(甲基)丙烯酰基的化合物(B-2)。
文档编号G03F7/027GK102549498SQ201080042328
公开日2012年7月4日 申请日期2010年9月24日 优先权日2009年9月25日
发明者筒井大和 申请人:旭化成电子材料株式会社