负型感光性树脂组合物的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种负型感光性树脂组合物，尤其是设及一种适用于高溫工艺的负型 感光性树脂组合物。
【背景技术】
[0002] 在显示面板W及触控面板的制备过程中，向来W正型或负型等各种感光性树脂组 合物作为材料，并利用其感光特性进行图案化W及硬化运些树脂组合物W形成纯化层、保 护层或绝缘层等构件。
[0003] 有鉴于作为面板构件的透明导电层（如氧化铜锡，IT0)被要求须达到高透明化 与高导电性的性质，故在瓣锻口0时的溫度亦需越来越高，目前普遍的瓣射溫度已高达 280°C，而用于作为保护层或纯化层等构件亦需在该工艺中承受高溫。然而，目前公知W丙 締酸树脂或硅氧烷树脂为主体的感光性树脂组合物在高溫工艺中产生严重的黄变现象，并 造成该树脂组合物体积的收缩，进而导致显示面板或触控面板中密合性不佳等问题。此外， 公知的保护层或纯化层等构件对于IT0的蚀刻液等的抗蚀刻性质也需要提升，W确保IT0 层或金属取向的密着性，故无法应用在具有高透明及高导电特性的IT0的显示面板或触控 面板的工艺当中。
[0004] 因此，目前亟需一种新颖的负型感光性树脂组合物，其具有高耐热性、高透明性、 高耐化学药品性及高耐湿性等优异特性，W应用于具有高透明及高导电特性的IT0高溫工 艺中。
【发明内容】
阳〇化]本发明的主要目的在于提供一种负型感光性树脂组合物，并能通过该组合物的高 耐热性、高透明性、高耐化性、W及高耐湿性等特性，进而应用于高溫工艺中W提供显示面 板或触控面板中的纯化层、保护层或绝缘层等构件。
[0006] 为达成上述目的，本发明所提供的负型感光性树脂组合物可包括：(A) 5至25重 量百分比的聚硅氧烷化合物，其由多种单体聚合而成，其中，运些单体可至少包括：一如式 (a-1)所示的硅氧烷单体及一含酸酢基团的硅氧烷单体；
[0007]
阳00引其中，Ri各自独立地为C1 6的烷基；
[0009] 做0. 1至20重量百分比的娃酸醋低聚物，其如式化-1)所示；
[0010]
W11] 其中，R2各自独立地为C1e的烷基拟及η为2至10的整数；
[0012] 似0. 1至10重量百分比的光酸产生剂；W及 阳01引 （D)余量溶剂。
[0014] 在上述本发明所提供的负型感光性树脂组合物中，（Α)聚硅氧烷化合物是作为树 脂组合物的主要成分，而用于聚合（Α)聚硅氧烷化合物的单体中，如式（a-1)所示的硅氧烷 单体包括四个连接在娃原子上的烷氧基，可提供彼此缩合聚合的交联点，而该含酸酢基团 的硅氧烷单体中，其酸酢基团可提升显影溶解度。另外，通过曝光（C)光酸产生剂所产生的 酸，可进一步使得（A)聚硅氧烷化合物进行缩合反应，W提高其树脂组合物的交联密度，由 此改善其耐热性。再者，为了增加本发明的负型感光性树脂组合物的耐化学药品性（如对 于IT0蚀刻液的耐蚀刻性），本发明是在该树脂组合物中提供度）娃酸醋低聚物作为交联 剂，也通过（C)光酸产生剂曝光时所产生的酸，更进一步地与（A)聚硅氧烷化合物交联，W 达到更大的交联密度。
[0015] 在上述本发明的负型感光性树脂组合物的（A)聚硅氧烷化合物中，该含酸酢基团 的硅氧烷单体可如式（a-2)所示：
[0016]
阳017] 其中，Rs可选自由直接键结、C1 6的烷基及C1e烷氧基所组成的组；R4为C1 6的烧 氧基；W及Rs各自独立地为C1e的烷基或C1e的烷氧基。
[001引如上述的负型感光性树脂组合物中，式（a-1)所示的硅氧烷单体中，Ri优选地可W为。3的烷基，而最优选地为四乙氧基硅烷。再者，如式（a-2)所示的该含酸酢基团的娃氧 烧单体中，Rs优选为C2 4的烷基，其中WC3的烷基为更优选；R4及R5优选为Cl3的烷氧基， 其中，如式（a-2)所示的该含酸酢基团的硅氧烷单体最优选为二氨-3-[3-(Ξ乙氧基娃基） 丙基]巧喃-2, 5-二酬。
[0019] 此外，基于运些单体占（Α)聚硅氧烷化合物的总重量比，式（a-1)所示的硅氧烷单 体可占5至60 % ;W及该含酸酢基团的硅氧烷单体可占0. 1至40 %。
[0020] 如上述的负型感光性树脂组合物中，（A)聚硅氧烷化合物还可包括至少一如式 (a-3)所示的硅氧烷单体，
[0021]
阳0巧其中，Re为氨或c1 2。的非水解性有机基团，该C1 2。的非水解性有机基团例如可W为Cl2。的直链或支链的烷基、C1 2。的直链或支链的締基、C1 2。的芳基或其类似取代基等，此 夕F，上述的该非水解性有机基团可经取代或未经取代，例如，可为经面素、环氧基、胺基、甲 基丙締酷基、氯基、巧或乙締基等取代基取代，然而Re并不受限于此；W及R7各自独立地选 自由Cl e烷氧基及芳氧基所组成的组。举例而言，式（a-3)所示的单体可为甲基Ξ甲氧基 硅烷、甲基二乙氧基硅烷、甲基二异丙氧基硅烷、甲基二正了氧基硅烷、乙基二甲氧基硅烷、 乙基Ξ乙氧基硅烷、乙基Ξ异丙氧基硅烷、乙基Ξ正下氧基硅烷、正丙基Ξ甲氧基硅烷、正 丙基Ξ乙氧基硅烷、正下基Ξ甲氧基硅烷、正下基Ξ乙氧基硅烷、正己基Ξ甲氧基硅烷、正 己基Ξ乙氧基硅烷、苯基Ξ甲氧基硅烷或苯基Ξ乙氧基硅烷。
[0023] 其中，（A)聚硅氧烷化合物由如式（a-1)所示的硅氧烷单体、该含酸酢基团的娃氧 烧单体、至少一如式（a-3)所示的硅氧烷单体聚合而成，其中，基于运些单体占（A)聚娃氧 烧化合物的总重量比，式（a-1)所示的硅氧烷单体占10至60%、该含酸酢基团的硅氧烷单 体占0.5至40%、W及至少一如式（a-3)所示的硅氧烷单体占0至80%。 阳024] 而如式（a-3)所示的硅氧烷单体中，Re优选为C13的烷基或苯基；而R7优选各自 独立地选自由。3的烷氧基，其中，如式（a-3)所示的硅氧烷单体更优选地可W为至少一选 自由苯基二甲氧基硅烷、苯基二乙氧基硅烷、甲基二甲氧基硅烷及乙基二乙氧基硅烷所组 成的组。
[00巧]此外，上述的（A)聚硅氧烷化合物的分子量可为1000~6000克/摩尔，优选为 1500~4500克/摩尔。
[00%] 再者，根据本案所提供的树脂组合物，其中，式化-1)所示的该娃酸醋低聚物中，R2 优选为。3的烷基，而其中又W娃酸甲醋为更优选。
[0027] 另外，根据本案所提供的树脂组合物，其中（C)光酸产生剂可在曝光后提供质子， 举例而言，可为Ξ氯甲基-s-Ξ嗦类、二芳基舰鐵盐类、Ξ芳基梳盐等，而其中优选可W为 Ξ苯基梳盐，在Ξ苯基梳盐中，又优选可W为如式（C-1)至式（C-3)中任一所示的Ξ苯基梳 盐：
[0028]
[0030] 本发明所提供的负型感光性树脂组合物可作为新世代绝缘层的透明光致抗蚀剂， 其具有耐高溫后透明性、金属基材密着性佳、低曝光能量、易显影及耐湿、耐蚀刻等良好的 特性，可应用于具有高透明及高导电特性的IT0高溫工艺中。
【具体实施方式】
[0031] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，W下结合具体实施例，对本发 明作进一步的详细说明。
[0032] 制备例1-聚硅氧烷化合物A-1的制备 W33] 取83. 2克的四乙氧基硅烷、40. 92克的甲基S甲氧基硅烷、30.44克的二 氨-3-[3-(Ξ乙氧基娃基）丙基]巧喃-2,5-二酬，W及39.66克的苯基Ξ甲氧基硅烷在 172克的二丙酬醇（DAA)溶剂中进行揽拌，缓缓滴入憐酸水溶液54克化0092克H3PO4溶 于54克水中）后，升溫至110°C进行一缩合聚合反应，反应时间为2小时。反应完成后，使 用蒸馈方式除去醇与水，所得的聚硅氧烷化合物A-1的固含量为45%，其分子量为3800克 /摩尔。
[0034] 制备例2-聚硅氧烷化合物A-2的制备
[0035] 取52. 0克的四乙氧基硅烷、13. 64克的甲基Ξ甲氧基硅烷、15. 22克的二 氨-3-[3-(二乙氧基娃基）丙基]巧喃-2, 5-二酬，W及118. 98克的苯基二甲氧基硅烷在 172克的二丙酬醇（DAA)溶剂中进行揽拌，缓缓滴入憐酸水溶液54克化0092克H3PO4溶 于54克水中）后，升溫至110°C进行一缩合聚合反应，反应时间为2小时。反应完成后，使 用蒸馈方式除去醇与水，所得的聚硅氧烷化合物A-2的固含量为45%，其分子量为2000克 /摩尔。
[0036] 制备例3-聚硅氧烷化合物A-3的制备
[0037] 本制备例大略与上述的制备例2相同，其不同之处在于，本制备例中不使用四 乙氧基硅烷作为合成中的单体，而是使用47.66克的甲基Ξ甲氧基硅烷、15. 22克的二 氨-3-[3-(