专利名称：像素单元、阵列基板、液晶面板及显示设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及像素单元、阵列基板、液晶面板及显示设备。
背景技术：
高级超维场开关技术(Advanced-SuperDimensional Switching ;简称AD_SDS)通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。现有的AD-SDS模式液晶显示器中阵列基板的结构如图I所示，该阵列基板包括形成在透明衬底上的多条相互平行的栅极线101、公共布线(图中未示出)；垂直于栅极线101的多条数据线102，相邻的两条栅极线101与相邻的两条数据线102所包围的部分为一个最小单元，该最小单元构成一个像素单元。图I示出了 4个结构完全相同的像素单元，此处仅对左上角的一个像素单元中各组成部分进行了标注。像素单元包括连接公共电极的透明的对置电极103，其覆盖整个像素单元；在对置电极103表面上隔着透明绝缘膜(图中未示出)设置的像素电极104，该像素电极104具有多条狭缝105，呈 < 状排列，即该像素单元内上半部分像素电极104狭缝105的倾斜方向与下半部分像素电极104狭缝105的倾斜方向沿像素电极的中轴线X对称，按此方式设置狭缝105，可以防止具有该像素单元的液晶显示器因视角变化而导致的颜色变化。图I所示的阵列基板还包括设置在栅极线101与数据线102交点附近的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称为TFT) 106, TFT106的源极部分与数据线102的延伸部分电连接，该TFT106的漏极部分通过过孔(图中未示出)与具有多条狭缝105的像素电极104电连接。在使用上述AD-SDS模式液晶显示器的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题像素电极的中轴线附近为两种不同倾斜方向的狭缝交汇的位置，当在像素电极与对置电极间施加电压时，对应该位置的液晶分子会受到两个方向的电场作用，由于两个电场相互抵消，因此该位置的液晶分子基本不旋转，导致该位置的透光率很低，进而降低了整个液晶显示器的开口率
发明内容
本发明的实施例提供一种像素单元、阵列基板、液晶面板及显示设备，可提高像素单元的透光率。为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案一种像素单元，包括分别位于栅极线两侧的具有第一狭缝的第一部分像素电极及具有第二狭缝的第二部分像素电极，所述第一部分像素电极与第二部分像素电极电连接，且所述第一狭缝的倾斜方向与所述第二狭缝的倾斜方向沿所述栅极线对称；在所述第一部分像素电极所属的第一最小单元内，除所述第一部分像素电极之外的区域上覆盖有具有第三狭缝的第三部分像素电极；所述第三狭缝的倾斜方向与所述第一狭缝的倾斜方向相同，且所述第三部分像素电极与所述第一部分像素电极在电学上相互隔离；在所述第二部分像素电极所属的第二最小单元内，除所述第二部分像素电极之外的区域上覆盖有具有第四狭缝的第四部分像素电极；所述第四狭缝的倾斜方向与所述第二狭缝的倾斜方向相同，且所述第四部分像素电极与所述第二部分像素电极在电学上相互隔离。一种阵列基板，具有上述像素单元。一种液晶面板，包括彩膜基板及上述阵列基板。一种液晶面板，其彩膜基板上的黑矩阵与阵列基板上的数据线和栅极线相对应。 一种显示设备，包括上述的液晶面板。本发明实施例提供的像素单元、阵列基板、液晶面板及显示设备中，由于组成该像素单元的一部分像素电极包含于一个最小单元内，且该最小单元内组成不同像素单元的各部分像素电极上的狭缝具有相同的倾斜方向，因此，解决了现有技术中，最小单元内不同倾斜方向的狭缝在最小单元中心区域形成交汇区，导致对应于该中心区域的液晶分子不能正常旋转、影响透光率的问题，可增加该像素单元的透光率。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为现有AD-SDS模式液晶显示器中阵列基板的局部平面示意图；图2为本发明实施例I 一种像素单元的平面示意图；图3为本发明实施例I另一种像素单元的平面示意图；图4为本发明实施例2 —种阵列基板的平面示意图。
具体实施例方式本发明实施例提供一种像素单元，包括分别位于栅极线两侧的具有第一狭缝的第一部分像素电极及具有第二狭缝的第二部分像素电极，所述第一部分像素电极与第二部分像素电极电连接，且所述第一狭缝的倾斜方向与所述第二狭缝的倾斜方向沿所述栅极线对称；在所述第一部分像素电极所属的第一最小单元内，除所述第一部分像素电极之外的区域上覆盖有具有第三狭缝的第三部分像素电极；所述第三狭缝的倾斜方向与所述第一狭缝的倾斜方向相同，且所述第三部分像素电极与所述第一部分像素电极在电学上相互隔离；在所述第二部分像素电极所属的第二最小单元内，除所述第二部分像素电极之外的区域上覆盖有具有第四狭缝的第四部分像素电极；所述第四狭缝的倾斜方向与所述第二狭缝的倾斜方向相同，且所述第四部分像素电极与所述第二部分像素电极在电学上相互隔离。本发明实施例还提供一种阵列基板，具有上述像素单元。
本发明实施例又提供一种液晶面板，包括彩膜基板及上述阵列基板。本发明实施例再提供一种液晶面板，其彩膜基板上的黑矩阵与阵列基板上的数据线和栅极线相对应。本发明实施例还提供一种显示设备，包括上述的液晶面板。本发明实施例提供的像素单元、阵列基板、液晶面板及显示设备中，由于组成该像素单元的一部分像素电极包含于一个最小单元内，且该最小单元内组成不同像素单元的各部分像素电极上的狭缝具有相同的倾斜方向，因此，解决了现有技术中，最小单元内不同倾斜方向的狭缝在最小单元中心区域形成交汇区，导致对应于该中心区域的液晶分子不能正常旋转、影响透光率的问题，可增加该像素单元的透光率。下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。实施例I本实施例提供一种像素单元，如图2所示，该像素单元为图2中虚线框所围的部分，包括分别位于栅极线201两侧的具有第一狭缝202的第一部分像素电极203及具有第二狭缝204的第二部分像素电极205，所述第一部分像素电极203与第二部分像素电极205电连接，且所述第一狭缝202的倾斜方向与所述第二狭缝204的倾斜方向沿所述栅极线201对称。在第一部分像素电极203所属的第一最小单元206内，除第一部分像素电极203之外的区域上覆盖有具有第三狭缝207的第三部分像素电极208 ;第三狭缝207的倾斜方向与第一狭缝202的倾斜方向相同，且第三部分像素电极208与第一部分像素电极203在电学上相互隔离。在第二部分像素电极205所属的第二最小单元209内，除第二部分像素电极205之外的区域上覆盖有具有第四狭缝210的第四部分像素电极211 ;第四狭缝210的倾斜方向与第二狭缝204的倾斜方向相同，且第四部分像素电极211与第二部分像素电极205在电学上相互隔离。通常在AD-SDS模式液晶显示器的阵列基板中，同一个像素单元内狭缝倾斜方向不同的两部分像素电极的面积近似相等，以达到最好的透光率，因此，本实施例中，第三部分像素电极208的面积与第一部分像素电极203的面积近似相等，且第四部分像素电极211的面积与第二部分像素电极205的面积近似相等。该像素单元还包括与第一部分像素电极203隔着绝缘层(图中未示出)相对设置的第一对置电极212 ;与第二部分像素电极205隔着绝缘层(图中未示出)相对设置的第二对置电极213 ;薄膜晶体管(TFT)，其位于栅极线201与数据线214交点附近，其源极与数据线214电连接，而其漏极与相互电连接的第一部分像素电极203及第二部分像素电极205通过过孔电连接。 在本实施例中，第一对置电极和第二对置电极是公共电极，第一部分像素电极和第二部分像素电极等是像素电极，在本实施例的像素单元中，像素电极可以设置在公共电极之上，也可以设置在公共电极之下；像素电极和公共电极之间可以仅间隔一层绝缘层(比如透明树脂)，也可以间隔多层膜层(比如间隔栅绝缘层和钝化层)；像素电极可以通过过孔与TFT漏极电连接，也可以直接与漏极搭接实现电连接。以上，均不脱离本实施例的保护范围。
具有上述结构的像素单元中，由于组成该像素单元的一部分像素电极包含于一个最小单元内，且该最小单元内组成不同像素单元的各部分像素电极上的狭缝具有相同的倾斜方向，因此，解决了现有技术中，最小单元内不同倾斜方向的狭缝在最小单元中心区域形成交汇区，导致对应于该中心区域的液晶分子不能正常旋转、影响透光率的问题，可增加该像素单元的透光率。另外，由于该像素单元中两部分像素电极上狭缝的倾斜方向沿栅极线对称，与现有像素单元中像素电极狭缝的排列方式保持一致，因此，也可以防止具有该像素单元的液晶显示器因视角变化而导致的颜色变化。当然，像素电极上狭缝的结构并不限于图2所示的封闭结构，也可采用图3所示的单边开放结构，由此可增加狭缝的开口长度，提高空间的利用率，从而进一步增加了该像素单元的透光率，并节省了生产成本。像素电极上狭缝的结构也可采用本领域技术人员所知的其它结构。图3所示的像素单元中除像素电极的狭缝结构有变化外，其它部分结构均与图2相同，因此采用与图2相同的附图标记。实施例2本实施例提供一种阵列基板，其具有实施例I提供的像素单元。在该阵列基板上跨越同一条栅极线的上述像素单元，即由同一条栅极线进行控制的像素单元，可具有相同的狭缝排列结构。如图4所示，虚线框所围的第一像素单元41与虚线框所围的第二像素单元42跨越相同的栅极线43，两个像素单元具有相同狭缝排列结构。也可具有不同的狭缝排列结构。不同像素单元上的像素电极狭缝的排列结构可根据不同的工艺需求来选择。由于本实施例提供的阵列基板采用了实施例I提供的像素单元，不仅可以防止液晶显示器因视角变化而导致的颜色变化，还能提高透光率。实施例3本实施例提供一种液晶面板，其包括彩膜基板及实施例2提供的阵列基板。该彩膜基板可以是具有条形彩色滤光片的彩膜基板，或是本领域技术人员所知的其它类型的彩膜基板。例如，本实施例的液晶面板可以按如下方式进行设置，彩膜基板可以采用条形R、G、B结构；为保证遮光效果，彩膜基板上的黑矩阵(Black matrix，简称BM)与阵列基板上的数据线和栅极线相对应。该液晶面板的阵列基板上的信号驱动模式采用列反转模式，或是本领域技术人员所知的其它信号驱动模式。由于本实施例提供的液晶面板采用了实施例2提供的阵列基板，不仅可以防止因视角变化而导致的颜色变化，还能提高透光率。实施例4本实施例提供一种显示设备，其包括实施例3提供的液晶面板。所述显示设备可以是液晶显示器、液晶电视、平板电脑、手机、笔记本电脑等具有显示功能的设备。由于本实施例提供的显示设备采用了实施例3所述的液晶面板，不仅可以防止因视角变化而导致的颜色变化，还能提高透光率。本发明实施例主要用 于AD-SDS模式液晶面板中。以上所述，仅为本发明的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
权利要求
1.一种像素单元，其特征在于，包括分别位于栅极线两侧的具有第一狭缝的第一部分像素电极及具有第二狭缝的第二部分像素电极，所述第一部分像素电极与第二部分像素电极电连接，且所述第一狭缝的倾斜方向与所述第二狭缝的倾斜方向沿所述栅极线对称； 在所述第一部分像素电极所属的第一最小单元内，除所述第一部分像素电极之外的区域上覆盖有具有第三狭缝的第三部分像素电极；所述第三狭缝的倾斜方向与所述第一狭缝的倾斜方向相同，且所述第三部分像素电极与所述第一部分像素电极在电学上相互隔离； 在所述第二部分像素电极所属的第二最小单元内，除所述第二部分像素电极之外的区域上覆盖有具有第四狭缝的第四部分像素电极；所述第四狭缝的倾斜方向与所述第二狭缝的倾斜方向相同，且所述第四部分像素电极与所述第二部分像素电极在电学上相互隔离。
2.根据权利要求I所述的像素单元，其特征在于，所述第一狭缝、第二狭缝、第三狭缝及第四狭缝为封闭结构，或者为单边开放结构。
3.一种阵列基板，其特征在于，具有权利要求I或2所述的像素单元。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，跨越同一条所述栅极线的所述像素单元，具有相同的狭缝排列结构。
5.一种液晶面板，其特征在于，包括彩膜基板及权利要求3或4所述的阵列基板。
6.一种如权利要求5所述的液晶面板，其特征在于，彩膜基板上的黑矩阵与阵列基板上的数据线和栅极线相对应。
7.—种显示设备，其特征在于，包括权利要求5或6所述的液晶面板。
全文摘要
本发明公开了一种像素单元、阵列基板、液晶面板及显示设备，涉及液晶显示技术领域，解决了现有高级超维场开关模式液晶显示器中像素单元的透光率低的问题。本发明实施例中，由于组成像素单元的一部分像素电极包含于一个最小单元内，且该最小单元内组成不同像素单元的各部分像素电极上的狭缝具有相同的倾斜方向，因此，解决了现有技术中，最小单元内不同倾斜方向的狭缝在最小单元中心区域形成交汇区，导致对应于该中心区域的液晶分子不能正常旋转、影响透光率的问题，可增加该像素单元的透光率。
文档编号G02F1/1343GK102629047SQ20111019506
公开日2012年8月8日 申请日期2011年7月12日 优先权日2011年7月12日
发明者孙亮, 廖燕平, 王丹, 邵喜斌 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司