专利名称：液晶显示装置及其阵列基板、阵列基板的制造方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示领域，更具体的说，涉及一种液晶显示装置及其阵列基板、阵列基板的制造方法。
背景技术：
TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)因其体积小，功耗低，无辐射等特点，占据了当前平板显示器市场的主导地位。TFT-IXD器件是由阵列板和彩膜基板对盒形成的。如图I至图3所示，阵列基板的玻璃基板100上分别设置有数据线115、栅极扫描线110、TFT140以及像素电极130等。Cst On Gate (栅线寄生电容)结构通过像素电极130(IT0材料)与上一级的栅极扫描线110 (gateline)覆盖层的重叠区域135形成寄生电容Cst，从而大大提高了液晶面板的开口率。但这种结构形成的寄生电容Cst也成为了栅极扫描线110的电容负载，增加了栅极扫描线110的讯号的阻容延迟(RC delay)，造成液晶显示装置的画面闪烁感。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种减小栅极扫描线信号延迟的液晶显示装置及其阵列基板、阵列基板的制造方法。本发明的目的是通过以下技术方案来实现的一种液晶显示装置的阵列基板，包括玻璃基板，所述玻璃基板上形成有栅极扫描线以及像素电极，所述像素电极的边缘与所述栅极扫描线具有重叠区域，所述像素电极与栅极扫描线在该重叠区域形成寄生电容，所述栅极扫描线与所述像素电极之间在重叠区域设置有至少一层用于减小所述寄生电容的保护材料层。优选的，所述保护材料层为a-si材料层。a-si材料层介电系数低。优选的，所述a-si材料层设置在所述绝缘层的上方。在制备TFT的a_si材料层时，可以一并制成该用作保护材料层的a-si材料层，不需要再增加一次刻蚀工艺。优选的，所述a-si材料层与所述阵列基板的TFT的a_si材料层属于同一层。在制作TFT时同时制作a-si材料层。优选的，所述像素电极为ITO材料。ITO材料是透明的导电材料，可以提高液晶面板的透光率。一种液晶显示装置，包括上述的阵列基板。一种上述阵列基板的制造方法，包括步骤SI、在玻璃基板上形成金属材料层，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成栅极扫描线，并在栅极扫描线上方形成绝缘层；S2、在栅极扫描线上方形成绝缘层以及保护材料层；S3、在玻璃基板上继续形成阵列基板的其它材料层以及所述像素电极材料层，并形成TFT以及像素电极。
优选的，所述步骤S2中，所述保护材料层为a-si材料层。优选的，所述步骤S2中，形成a-si材料层时同时形成阵列基板的TFT的a_si材料层。优选的，所述像素电极材料层为ITO材料。本发明通过在像素电极的边缘与栅极扫描线之间的重叠区域设置有至少一层用于减小寄生电容的保护材料层，可以在像素电极与栅极扫描线之间增加一层保护层，这样能够有效的减小像素电极跟栅极扫描线之间的寄生电容Cst，进而减少了栅极扫描线的信号延迟，提高液晶显示装置的显示效果，避免出现闪烁现象。
图I是现有阵列基板一个像素区域的结构示意图，图2是图I中A的放大图，图3是阵列基板中像素电极与栅极扫描线的重叠区域的结构剖面图，图4是本发明实施例一阵列基板一个像素区域的结构简图，图5是本发明实施例一阵列基板中像素电极与栅极扫描线的重叠区域的结构剖面图。其中100、玻璃基板，110、栅极扫描线，115、数据线，120、绝缘层，130、像素电极，125、保护材料层，135、重叠区域，140、TFT。
具体实施例方式下面结合附图和较佳的实施例对本发明作进一步说明。如图4及图5所示,液晶显示装置的阵列基板包括玻璃基板100,形成于玻璃基板100上的数据线(图中未示出)和栅极扫描线110，所述数据线和栅极扫描线110所围成的像素区域设置有像素电极130和TFT140。所述像素电极130的边缘与所述栅极扫描线110具有重叠区域135，像素电极130与栅极扫描线110在该重叠区域135形成了寄生电容Cst0如图4及图5所示,栅极扫描线110上方设置有绝缘层120 (图4中未显示),在绝缘层120的上方设置有一保护材料层(a-si材料层125)，像素电极130设置在该a_si材料层125之上。该a-si材料层在栅极扫描线110以及像素电极130之间形成一层保护层。这样能够有效的减小像素电极130跟栅极扫描线110之间的寄生电容Cst，进而减少了栅极扫描线110的信号延迟，提高液晶显示装置的显示效果，避免出现闪烁现象。所述的a-si材料层125与阵列基板上的TFT的有源层即a_si材料层为同一层材料层，其设置在绝缘层的上方，这样在阵列基板的制造工艺中，在形成TFT的有源层即a-si材料层的时候同时在像素电极与栅极扫描线的重叠区域形成该a-si材料层，进而不需要再另行增加工艺形成一层有机半导体层。当然，也可以在形成绝缘层之前制作a-si保护材料层，但这样需要增加一道材料形成工艺。在本实施例中，所述的像素电极130采用的是ITO材料，所述数据线也是ITO材料，ITO是透明的导电材料，有助于提高液晶面板的透光率。本实施例同时提供了阵列基板的制造方法，包括步骤
I、在基板上形成金属层，该金属层材料可使用钥、铝、铝镍合金、钥钨合金、铬或铜等金属，也可以使用上述材料薄膜的组合；通过光刻工艺和刻蚀工艺形成栅极扫描线；2、在形成栅极扫描线的基板上形成绝缘层；3、在形成了绝缘层的基板上再形成金属层，然后通过光刻工艺和刻蚀工艺在形成数据线；4、在上述基础上形成TFT所需要的其它材料层，其中，包括形成TFT的有源掺杂层即a-si材料层，在刻蚀该a-si材料层时，掩膜的制作需使a-si材料层露出在像素电极与栅极扫描线的重叠区域，5、最后形成像素电极。以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
权利要求
1.一种液晶显示装置的阵列基板，包括玻璃基板，所述玻璃基板上形成有栅极扫描线以及像素电极，所述栅极扫描线上设置有绝缘层；所述像素电极的边缘与所述栅极扫描线具有重叠区域，所述像素电极与栅极扫描线在该重叠区域形成寄生电容，其特征在于，所述栅极扫描线与所述像素电极之间在重叠区域还设置有至少一层用于减小所述寄生电容的保护材料层。
2.如权利要求I所述的液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述保护材料层为a-si材料层。
3.如权利要求2所述的液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述a-si材料层设置在所述绝缘层的上方。
4.如权利要求2所述的液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述a-si材料层与所述阵列基板的TFT的a-si材料层属于同一层。
5.如权利要求I所述的液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述像素电极为ITO材料。
6.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任一所述的阵列基板。
7.—种如权利要求I所述的液晶显示装置的阵列基板的制造方法，其特征在于，包括步骤 51、在玻璃基板上形成金属材料层，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成栅极扫描线； 52、在栅极扫描线上方形成绝缘层以及保护材料层； 53、在玻璃基板上继续形成阵列基板的其它材料层以及所述像素电极材料层，并形成TFT以及像素电极。
8.如权利要求7所述的液晶显示装置的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述保护材料层为a-si材料层。
9.如权利要求8所述的液晶显示装置的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S2中，形成a-si材料层时同时形成阵列基板的TFT的a_si材料层。
10.如权利要求7所述的液晶显示装置的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述像素电极材料层为ITO材料。
全文摘要
本发明公开一种液晶显示装置及其阵列基板、阵列基板的制造方法，所述的阵列基板包括玻璃基板，所述玻璃基板上形成有栅极扫描线以及像素电极，所述像素电极的边缘与所述栅极扫描线具有重叠区域，所述像素电极与栅极扫描线在该重叠区域形成寄生电容，所述栅极扫描线与所述像素电极之间在重叠区域设置有至少一层用于减小所述寄生电容的保护材料层。本发明通过在像素电极的边缘与栅极扫描线之间的重叠区域设置有至少一层用于减小寄生电容的保护材料层，可以在像素电极与栅极扫描线之间增加一层保护层，这样能够有效的减小像素电极跟栅极扫描线之间的寄生电容Cst，进而减少了栅极扫描线的信号延迟，提高液晶显示装置的显示效果，避免出现闪烁现象。
文档编号G02F1/1368GK102981334SQ20121048735
公开日2013年3月20日 申请日期2012年11月27日 优先权日2012年11月27日
发明者董成才, 许哲豪, 党娟宁 申请人:深圳市华星光电技术有限公司