专利名称：像素结构及tft-lcd阵列基板的制作方法
技术领域：
像素结构及TFT-LCD阵列基板技术领域[0001]本实用新型涉及像素结构，尤其涉及一种像素结构及TFT-1XD (Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)阵列基板。
背景技术：
[0002]TFT-LCD具有体积小、低功耗、无辐射等特点，在当前平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-LCD主要包括对盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板，其中阵列基板上形成有栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，每个像素电极由薄膜晶体管控制。当薄膜晶体管打开时，像素电极在打开时间内充电，薄膜晶体管关断后，像素电极电压降维持到下一次扫描时重新充电。[0003]目前，为了保护液晶的特性不受破坏，现有液晶显示器都采用极性反转的方式进行驱动，然而由于部分的TFT-LCD阵列基板结构并不适合点反转的驱动方式，因此有必要对其结构进行改进。实用新型内容[0004]为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种像素结构及TFT-1XD阵列基板，使得该结构能够采用点反转的驱动方式。[0005]为了达到上述目的，本实用新型提供一种像素结构，设置在第一栅线和第二栅线之间，包括:[0006]像素电极；[0007]第一薄膜晶体管，与所述第一栅线连接；[0008]第二薄膜晶体管，与所述第二栅线连接，当所述第一栅线工作时，控制所述第一薄膜晶体管对所述像素电极进行预充电，当所述第二栅线工作时，控制所述第二薄膜晶体管对所述像素电极进行充电。[0009]本实用新型还提供一种TFT-1XD阵列基板，包括:形成在基板上的多行栅线和多列数据线，所述栅线和所述数据线定义并限定多个像素区域，其特征在于，每个像素区域包括:像素电极、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管可在不同时刻分别对所述像素电极进行充电。[0010]优选地，当第η行栅极线工作时，控制第η行的像素电极的第二薄膜晶体管对第η行的像素电极进行充电，控制第η+1行的像素电极的第一薄膜晶体管对第η+1行的像素电极进行预充电；[0011]当第η+1行栅极线工作时，控制第η+1行的像素电极的第二薄膜晶体管对第η+1行的像素电极进行充电，控制第η+2行的像素电极的第一薄膜晶体管对第η+2行的像素电极进行预充电。[0012]由上述技术方案可知，本实用新型的实施例具有如下有益效果:通过采用上述像素结构，可实现第η行像素电极进行充电的时候，同时对第η+1行的像素电极进行预充电，这样可以保证点反转驱动工作时，有效降低像素充电电压差，即缩短了充放电时间，从而降低了驱动功耗。
[0013]图1表示为本实用新型的实施例中像素结构的结构示意图；[0014]图2表示为本实用新型的实施例中TFT-LCD阵列基板的结构示意图；[0015]图3表示为本实用新型的实施例中第η行栅线工作时，像素工作状态示意图；[0016]图4表示为本实用新型的实施例中第η+1行栅线工作时，像素工作状态示意图。
具体实施方式
[0017]为了使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本实用新型实施例做进一步详细地说明。在此，本实用新型的示意性实施例及说明用于解释本实用新型，但并不作为对本实用新型的限定。[0018]参见图1，为本实用新型的实施例中像素结构的结构示意图，如图所示，该像素结构设置在第一栅线11和第二栅线12之间，包括:[0019]像素电极(图中未示出)；[0020]第一薄膜晶体管13，与第一栅线11连接；[0021]第二薄膜晶体管14，与第二栅线12连接，当第一栅线11工作时，控制第一薄膜晶体管13对像素电极进行预充电，当第二栅线12工作时，控制第二薄膜晶体管14对像素电极进行充电。[0022]如图2所示，为本实用新型的实施例中TFT-LCD阵列基板的结构示意图，该TFT-LCD阵列基板包括:形成在基板上的多行栅线15和多列数据线16，所述栅线15和所述数据线16定义并限定多个像素区域18，其中，每个像素区域18包括:像素电极(图中未示出)、第一薄膜晶体管13和第二薄膜晶体管14，所述第一薄膜晶体管13和所述第二薄膜晶体管14可在不同时刻分别对所述像素电极进行充电。[0023]由于每一行栅极线开启的薄膜晶体管的数量翻倍，所以栅极线上的电容增大，导致信号延迟比较大，但同时由于具有预充电的功能，充电时间缩短，与信号延迟带来的劣势相抵消，因此该结构不会改变显示的质量，但能够降低驱动功耗。[0024]由图2可知，每个像素区域18包括有第一薄膜晶体管13和第二薄膜晶体管14，可分别对第η行像素电极进行充电和对第η+1行像素电极充电。当第η行栅极线工作时，对第η行像素电极进行充电时，同时对第η+1行的像素电极进行预充电，从而降低了第η+1行像素电极充电的电压差，有效缩短了充放电时间，另一方面有效降低驱动功耗。[0025]如图3所示，当第η行栅极线工作时，控制第η行的像素电极的第二薄膜晶体管对第η行的像素电极进行充电，控制第η+1行的像素电极的第一薄膜晶体管对第η+1行的像素电极进行预充电；[0026]参见图4，当第η+1行栅极线工作时，控制第η+1行的像素电极的第二薄膜晶体管对第η+1行的像素电极进行充电，控制第η+2行的像素电极的第一薄膜晶体管对第η+2行的像素电极进行预充电。[0027]由于目前的驱动方式大部分都是点反转，因此对第η行像素电极进行充电的时候，同时对第η+1行的像素电极进行预充电，这样可以保证点反转驱动工作时，有效降低像素充电电压差，即缩短了充放电时间，从而降低了驱动功耗。[0028]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种像素结构，设置在第一栅线和第二栅线之间，其特征在于，包括: 像素电极； 第一薄膜晶体管，与所述第一栅线连接； 第二薄膜晶体管，与所述第二栅线连接，当所述第一栅线工作时，控制所述第一薄膜晶体管对所述像素电极进行预充电，当所述第二栅线工作时，控制所述第二薄膜晶体管对所述像素电极进行充电。
2.—种TFT-LCD阵列基板，包括:形成在基板上的多行栅线和多列数据线，所述栅线和所述数据线定义并限定多个像素区域，其特征在于，每个像素区域包括:像素电极、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管可在不同时刻分别对所述像素电极进行充电。
专利摘要本实用新型提供一种像素结构及TFT-LCD阵列基板，其中像素结构，设置在第一栅线和第二栅线之间，包括一像素电极；第一薄膜晶体管，与所述第一栅线连接；第二薄膜晶体管，与所述第二栅线连接，当所述第一栅线工作时，控制所述第一薄膜晶体管对所述像素电极进行预充电，当所述第二栅线工作时，控制所述第二薄膜晶体管对所述像素电极进行充电。通过采用上述像素结构，可实现第n行像素电极进行充电的时候，同时对第n+1行的像素电极进行预充电，这样可以保证点反转驱动工作时，有效降低像素充电电压差，即缩短了充放电时间，从而降低了驱动功耗。
文档编号G02F1/133GK202975544SQ20122034978
公开日2013年6月5日 申请日期2012年7月18日 优先权日2012年7月18日
发明者王宝强 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司