一种像素结构、阵列基板和显示器件的制作方法

文档序号:2708404阅读:116来源:国知局
一种像素结构、阵列基板和显示器件的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种像素结构、阵列基板和显示器件,其中像素结构包括像素单元,每个像素单元包括多行子像素单元,每行子像素单元对应两条扫描线,两条扫描线分别对应该行子像素单元中相邻两列的子像素,每行子像素单元中相邻两列的子像素对应一条信号线。相对于传统的像素结构,本实用新型通过增加扫描线的数目,来减少信号线的数目,从而减少信号线驱动集成电路的数目。该像素结构中一行像素对应六条扫描线和一条信号线,信号线逐行打开,对相应的子像素进行充电,达到显示效果,由于信号线驱动集成电路的成本高于扫描线驱动集成电路的成本,所以减少信号线的数目,就可以达到节约成本的目的。
【专利说明】一种像素结构、阵列基板和显示器件
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示【技术领域】,特别涉及一种像素结构、阵列基板和显示器件。
【背景技术】
[0002]TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器,以下简称显示器)中的阵列基板(即TFT基板)一般包含有扫描线、信号线、薄膜晶体管、像素区和周边电路。显示区域是由排成阵列的像素组成的,每个像素又有多个子像素组成(一般是红绿蓝三个子像素),其中像素的个数是由分辨率决定的,对于分辨率为aXb的显示器来说,显示区域是由a行、b列像素组成的;工作时,扫描线依次逐行打开,所有信号线同时对打开的这行像素进行充电,从而达到显示效果。
[0003]传统的阵列基板显示结构,一行像素对应一条、两条或者三条扫描线,如图1-图3所示,其中图1为一行像素对应一条扫面线的示意图,图2为一行像素对应两条扫面线的示意图,图3为一行像素对应三条扫面线的示意图。以图1中一行像素对应一条扫描线的情况为例,对于分辨率为aXb的显不器一共有a条扫描线,由于一个子像素对应一条信号线,每个像素包括3个子像素,所以乘以3,即bX3条信号线。在显示器工作过程中扫描线和信号线的工作都是由IC (Integrated Circuit,即集成电路)驱动的,但是IC所能驱动的线的条数是有限制的,所以需要多个IC进行驱动,扫描线和信号线数量越多,需要的IC数量也就越多,也就是说减少信号线的条数,就可以减少信号线驱动IC的数量,增加信号线的条数,就会增加信号线驱动IC的数量。同理,对于扫描线驱动IC的数量也是由扫面线的条数决定,信号线和扫描线的总数量无法减少,减少信号线,就会增加扫描线。
[0004]因此采用传统的阵列基板显示结构,信号线的数目较多,为了保证阵列基板的正常工作,每条信号线和扫描线都需要一条对应的驱动IC进行驱动,由于信号线驱动IC的成本要高于扫描线驱动1C,上述阵列结构耗费的成本比较高。
实用新型内容
[0005](一)要解决的技术问题
[0006]本实用新型要解决的技术问题是如何设计一种阵列结构,减少信号线驱动IC的数目,以达到节约成本的目的。
[0007](二)技术方案
[0008]为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种像素结构,包括像素单元,每个像素单元中包括多行子像素单元,每行子像素单元对应两条扫描线,两条扫描线分别对应该行子像素单元中相邻两列的子像素,每行子像素单元中相邻两列的子像素对应一条信号线。
[0009]进一步地,所述子像素中包括薄膜晶体管。
[0010]进一步地,所述多行子像素单元中的第一行子像素单元的显示颜色为红色,包括第一子像素和第二子像素,分别位于所述信号线的两侧;
[0011]第二行子像素单元的显示颜色为绿色,包括第三子像素和第四子像素,分别位于所述信号线的两侧;
[0012]第三行子像素单元的显示颜色为蓝色,包括第五子像素和第六子像素,分别位于所述信号线的两侧。
[0013]进一步地,所述第一行子像素单元的上方为第一扫描线,所述第一行子像素单元和所述第二行之间设置有第二扫描线和第三扫描线,所述第二行子像素单元和所述第三行之间设置有第四扫描线和第五扫描线,所述第三行子像素单元的下方设置有第六扫描线。
[0014]进一步地,所述第一扫描线打开时,所述信号线对所述第二子像素充电;
[0015]所述第二扫描线打开时,所述信号线对所述第一子像素充电;
[0016]所述第三扫描线打开时,所述信号线对所述第四子像素充电;
[0017]所述第四扫描线打开时,所述信号线对所述第三子像素充电;
[0018]所述第五扫描线打开时,所述信号线对所述第六子像素充电;
[0019]所述第六扫描线打开时,所述信号线对所述第五子像素充电。
[0020]进一步地,所述信号线和所述扫描线分别由集成电路驱动。
[0021]进一步地,所述薄膜晶体管的栅极连接对应的扫描线,源极连接所述信号线,所述漏极连接对应子像素的像素电极。
[0022]进一步地,所述信号线隔列分布。
[0023]为解决上述技术问题,本实用新型还提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括以上所述的像素结构。
[0024]为解决上述技术问题,本实用新型还提供了一种显示器件,包括阵列基板和彩膜基板,所述阵列基板为以上所述的阵列基板。
[0025](三)有益效果
[0026]本实用新型实施例提供了一种像素结构,包括像素单元,每个像素单元包括多行子像素单元,每行子像素单元对应两条扫描线,两条扫描线分别对应该行子像素单元中相邻两列的子像素,每行子像素单元中相邻两列的子像素对应一条信号线。相对于传统的像素结构,本实用新型通过增加扫描线的数目,来减少信号线的数目,从而减少信号线驱动集成电路的数目。该像素结构中一行像素对应六条扫描线和一条信号线,信号线逐行打开,对相应的子像素进行充电,达到显示效果,由于信号线驱动集成电路的成本高于扫描线驱动集成电路的成本,所以减少信号线的数目,就可以达到节约成本的目的。
[0027]同时,本实用新型基于上述像素结构还提供了一种包括上述像素结构的阵列基板以及一种包括该阵列基板的显示器件。
【专利附图】

【附图说明】
[0028]图1是传统的一行像素对应一条扫描线的像素结构示意图;
[0029]图2是传统的一行像素对应两条扫描线的像素结构示意图;
[0030]图3是传统的一行像素对应三条扫描线的像素结构示意图;
[0031]图4是本实用新型实施例提供的一行像素对应六条扫描线的像素结构示意图;
[0032]图5是本实用新型实施例中的薄膜晶体管的各个电极连接关系示意图。
【具体实施方式】[0033]下面结合附图和实施例,对本实用新型的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。
[0034]本实用新型实施例提供了一种像素结构,通过改变现有的像素分布的阵列结构,图1为本实用新型实施例提供的像素结构示意图,像素结构中包括像素单元,每个像素单元中包括多行子像素单元,每行子像素单元对应两条扫描线,两条扫描线分别对应该行子像素单元中相邻两列的子像素,每行子像素单元中相邻两列的子像素对应一条信号线。
[0035]本实施例通过采用像素横排分布的方式,增加扫描线数目,以减少信号线数目,从而减少信号线驱动集成电路的数目,实现节省成本的目的。
[0036]优选地,本实施例中的多行子像素单元为三行子像素,即第一行子像素单元的显示颜色为红色,包括第一子像素和第二子像素,分别位于信号线的两侧;第二行子像素单元的显示颜色为绿色,包括第三子像素和第四子像素,分别位于信号线的两侧;第三行子像素单元的显示颜色为蓝色,包括第五子像素和第六子像素,分别位于信号线的两侧。
[0037]图1中以一个像素单元为例,包括三行子像素单元,第一行子像素单元的显示颜色为红色(即R),对应两条扫描线111和112,分别对应该行子像素单元中相邻两列的子像素,即第二子像素142和第一子像素141 ;第二行子像素单元的显示颜色为绿色(即G),对应两条扫描线113和114,分别对应该行子像素单元中相邻两列的子像素,即第四子像素144和第三子像素143 ;第三行子像素单元的显示颜色为蓝色(即B),对应两条扫描线115和116,分别对应该行子像素单元中相邻两列的子像素,即第六子像素146和第五子像素145。每行子像素单元中相邻两列的子像素对应一条信号线121,图1中信号线121能够对分布在信号线121两侧的子像素141、142、143、144、145和146进行充电,即实现图1中的一行像素对应6条扫描线以及I条信号线。
[0038]具体的,本实施例中的第一行子像素单元的上方为第一扫描线111,第一行子像素单元和第二行之间设置有两条扫描线,分别是第二扫描线112和第三扫描线113,第二行子像素单元和第三行之间设置有两条扫描线,分别是第四扫描线114和第五扫描线115,第三行子像素单元的下方设置有第六扫描线116,如图1所示。
[0039]优选地,本实施例中的子像素中包括薄膜晶体管,如图1中所示,第一子像素141中包括薄膜晶体管132,第二子像素142中包括薄膜晶体管131,第三子像素143中包括薄膜晶体管134,第四子像素144中包括薄膜晶体管133,第五子像素145中包括薄膜晶体管136,第六子像素146中包括薄膜晶体管135。其中位于同一行相邻两列的薄膜晶体管的设置方向相反,并靠近两列子像素之间的信号线121 —侧。
[0040]具体的,对于每一个子像素中的薄膜晶体管,其各个电极的连接分别为:薄膜晶体管的栅极连接对应的扫描线,源极连接信号线,漏极连接对应子像素的像素电极。本实施例中以第六子像素146中的薄膜晶体管135各个电极的连接关系示意图如图5所示,具体的,薄膜晶体管135的栅极G连接第五扫描线115,薄膜晶体管135的源极S连接信号线121,薄膜晶体管135的漏极D连接第六子像素146的像素电极。
[0041]需要说明的是,本实施例中的信号线是隔列分布。图1中示出的仅仅是一个像素单元,如果将其沿水平方向扩展并用序号排序,则只在序号为奇数或偶数的列才分布有信号线。图1中对于第一子像素,右侧有信号线,在左侧没有信号线,对于第二子像素,在左侧有信号线,在右侧没有信号线。[0042]对于上述信号线121和六条扫描线111?116分别由集成电路(IC)进行驱动。
[0043]对于上述像素结构,其工作时的原理如下:
[0044]第一扫描线111打开时,信号线121对第二子像素142充电;
[0045]第二扫描线112打开时,信号线121对第一子像素141充电;
[0046]第三扫描线113打开时,信号线121对第四子像素144充电;
[0047]第四扫描线114打开时,信号线121对第三子像素143充电;
[0048]第五扫描线115打开时,信号线121对第六子像素146充电;
[0049]第六扫描线116打开时,信号线121对第五子像素145充电。
[0050]因此,通过对像素结构采取横向排布的方式进行布局,增加扫描线的数目,减少信号的数目。
[0051]需要说明的是,上述实施例中是以TN (Twisted Nematic,扭曲向列)型TFT-LCD为例进行说明的,其实对于IPS (In-Plane Switching,横向电场效应显示)、FFS (FringeField Switching,边缘场开关)、VA (Vertical Alignment,垂直配向)结构的 TFT-1XD 也同样适用,此处不再赘述。
[0052]综上,本实施例提供的像素结构,相对于传统的像素结构,通过增加扫描线的数目,来减少信号线的数目,从而减少信号线驱动集成电路的数目。该像素结构中一行像素对应六条扫描线和一条信号线,信号线逐行打开,对相应的子像素进行充电,达到显示效果,由于信号线驱动集成电路的成本高于扫描线驱动集成电路的成本,所以减少信号线的数目,就可以达到节约成本的目的。
[0053]基于上述像素结构,本实用新型实施例中还提供了一种阵列基板,该阵列基板包括以上所述的像素结构。
[0054]基于上述阵列基板,本实用新型实施例中还提供了一种显示器件,包括阵列基板和彩膜基板,其中的阵列基板为以上所述的阵列基板。
[0055]以上实施方式仅用于说明本实用新型,而并非对本实用新型的限制,有关【技术领域】的普通技术人员,在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下,还可以做出各种变化和变型,因此所有等同的技术方案也属于本实用新型的范畴,本实用新型的专利保护范围应由权利要求限定。
【权利要求】
1.一种像素结构,包括像素单元,其特征在于,每个像素单元中包括多行子像素单元,每行子像素单元对应两条扫描线,两条扫描线分别对应该行子像素单元中相邻两列的子像素,每行子像素单元中相邻两列的子像素对应一条信号线。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述子像素中包括薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述多行子像素单元中的第一行子像素单元的显示颜色为红色,包括第一子像素和第二子像素,分别位于所述信号线的两侧; 第二行子像素单元的显示颜色为绿色,包括第三子像素和第四子像素,分别位于所述信号线的两侧; 第三行子像素单元的显示颜色为蓝色,包括第五子像素和第六子像素,分别位于所述信号线的两侧。
4.如权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述第一行子像素单元的上方为第一扫描线,所述第一行子像素单元和所述第二行之间设置有第二扫描线和第三扫描线,所述第二行子像素单元和所述第三行之间设置有第四扫描线和第五扫描线,所述第三行子像素单元的下方设置有第六扫描线。
5.如权利要求4所述的像素结构,其特征在于,所述第一扫描线打开时,所述信号线对所述第二子像素充电; 所述第二扫描线打开时,所述信号线对所述第一子像素充电; 所述第三扫描线打开时,所述信号线对所述第四子像素充电; 所述第四扫描线打开时,所述信号线对所述第三子像素充电; 所述第五扫描线打开时,所述信号线对所述第六子像素充电; 所述第六扫描线打开时,所述信号线对所述第五子像素充电。
6.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述信号线和所述扫描线分别由集成电路驱动。
7.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述薄膜晶体管的栅极连接对应的扫描线,源极连接所述信号线,所述漏极连接对应子像素的像素电极。
8.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述信号线隔列分布。
9.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括权利要求1-8中任一项所述的像素结构。
10.一种显示器件,包括阵列基板和彩膜基板,其特征在于,所述阵列基板为权利要求9所述的阵列基板。
【文档编号】G02F1/1362GK203595880SQ201320844020
【公开日】2014年5月14日 申请日期:2013年12月19日 优先权日:2013年12月19日
【发明者】刘永, 李小和, 李红敏, 邵贤杰, 姜清华, 张晓洁 申请人:合肥京东方光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司
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