一种阵列基板、显示面板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及平板显示技术，特别涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
【背景技术】
[0002] 在液晶显示领域中，相较于TN(TwistedNematic，扭转向列）型显示面板中液晶 分子的垂直排列，平面转换式显示面板通过同一平面内像素的电极间产生平面电场，使电 极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在平行于基板的平面方向发生旋转转换，从而提 高液晶层的透光效率，同时，当遇到外界压力时，分子结构向下稍微下陷，但是整体分子还 呈水平状，所以不会产生画面失真和影响画面色彩，可以最大程度的保护画面效果不被损 害。由于平面转换式显示面板具有响应速度快、可视角度大、触摸无水纹、色彩真实等优点， 被广泛应用于各种领域。
[0003] 如图1所示，现有平面转换式显示面板的像素单元中包括依次层叠设置的公共电 极101和像素电极102,以及设置在公共电极101与像素电极102之间的绝缘层（图中未示 出），公共电极101具有多个条状的支电极103,支电极103包括由第一直线部1031和第二 直线部1032组成的中部电极，第一直线部1031和第二直线部1032反向倾斜连接，在中部 电极的两端还设置有第一弯折电极1033和第二弯折电极1034。在公共电极101和像素电 极102施加电压后，会在两者之间产生平面电场以控制液晶分子旋转。
[0004] 图2为图1平面转换式显示面板在位置a的局部放大图，结合图2所示，在公共电 极的支电极103与像素电极102之间形成第一电场E1，液晶分子100a在第一电场E1的作用 下从初始取向方向（虚线液晶分子长轴方向）旋转至于第一电场E1平行的方向，但是在公 共电极103中部电极的第一直线部1031和第二直线部1032的连接交界处，液晶分子会受 到与第一电场E1方向不同的第二电场E2的控制，而在第一直线部1031和第二直线部1032 的连接交界处附近的第二电场E2存在多个电场方向，液晶分子在不同方向第二电场E2作 用下从初始取向方向旋转至平行于第二电场E2时，会出现液晶分子旋转方向不同，例如图 2中，液晶分子100bl向右旋转，液晶分子100b-2基本不旋转。另外，在第一直线部1031和 第二直线部1032的连接交界处，液晶分子受到第一电场E1和第二电场E2的综合作用，会 进一步造成该位置液晶分子的乱排现象，进而在第一直线部1031和第二直线部1032的连 接交界位置形成黑色畴线。当在显示面板表面施加外力且滑动时，液晶分子排列更加紊乱， 导致像素单元边缘位置的黑色畴错区域增加，像素单元的透过率降低，亮度下降，表现为显 示面板的滑动拖尾显示不均。
【发明内容】
[0005] 有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板，包括多个像素单元，覆盖所述像素单 元的取向层，所述取向层具有具有平行于所述阵列基板平面的取向方向，设置于所述像素 单元内的第一电极和第二电极，所述第一电极具有至少一个支电极，所述支电极包括中部 电极以及设置在所述中部电极两端的弯折电极，所述中部电极包括反向倾斜的两个直线 部，所述弯折电极与取向方向之间形成的夹角大于所述中部电极的直线部与取向方向之间 形成的夹角，其中，所述中部电极的直线部与取向方向之间形成的夹角大于等于21°且小 于等于32°。
[0006] 本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述阵列基板，与所述阵列基板相对设 置的对向基板，和设置在所述阵列基板与对向基板之间的液晶层。
[0007] 本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
[0008] 通过将像素单元内中部电极的直线部与取向方向之间形成的夹角大于等于21° 且小于等于32°，当液晶分子在受到外力按压时，液晶分子由初始位置回复至液晶分子正 常工作状态位置的转动角度较小，进而使支电极的第一直线部和第二直线部的连接交界位 置的畴错暗区面积的回复时间缩短，有效解决了显示画面的滑动拖尾显示不均问题。
【附图说明】
[0009] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于 本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他 的附图。
[0010] 图1是现有技术提供的平面转换式显示面板的像素单元结构示意图；
[0011] 图2是图1实施例中像素单元的液晶分子排布在位置a的局部放大图；
[0012] 图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的像素单元结构示意图；
[0013] 图4是图3实施例中的阵列基板沿A-A'截面的剖视图；
[0014] 图5是图3实施例中位置b处像素电极支电极的结构示意图；
[0015] 图6是图3实施例中实施例中在像素电极中部电极直线部的电场控制示意图；
[0016] 图7是图6实施例中像素电极bl?b4处液晶分子扭转角度随液晶分子与衬底基 板距离的变化曲线图；
[0017] 图8是图6实施例中像素电极bl?b4处液晶分子受到电场力大小随液晶分子与 衬底基板距离的变化曲线图；
[0018] 图9是本发明实施例提供的显示面板滑动拖尾回复时间及穿透率随中部电极直 线部角度的变化曲线；
[0019] 图10是本发明实施例提供的另一种阵列基板的像素单元结构示意图；
[0020] 图11是图8实施例中的阵列基板沿B-B'截面的剖视图；
[0021] 图12是本发明实施例提供的一种显示面板结构的剖视图；
[0022] 图13是本发明实施例提供的一种显示装置结构的剖视图。
【具体实施方式】
[0023] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0024] 本发明实施例提供一种阵列基板，包括多条栅极线和数据线，栅极线与数据线之 间绝缘交叉限定出多个像素单元，薄膜晶体管设置在栅极线与数据线的交叉位置，并与栅 极线和数据线电连接。像素单元可以呈阵列排布或者交错式排布。取向层覆盖在像素单元 上，该取向层具有平行于阵列基板平面的取向方向。设置于像素单元内的第一电极和第二 电极，第一电极与第二电极可以形成平面电场控制液晶分子的扭转，第一电极具有至少一 个支电极，支电极包括中部电极以及设置在中部电极两端的弯折电极，中部电极包括反向 倾斜的两个直线部，弯折电极与取向方向之间形成的夹角大于中部电极的直线部与取向方 向之间形成的夹角，其中，中部电极的直线部与取向方向之间形成的夹角大于等于21°且 小于等于32°。中部电极的直线部与取向方向之间形成的夹角具体是指，中部电极的直线 部在平行于阵列基板上的延伸方向与取向层上平行于阵列基板的取向方向之间的夹角。第 一电极可以为像素电极，所述第二电极为公共电极，或者所述第一电极为公共电极，第二电 极为像素电极。
[0025] 在FFS(FringeFieldSwitching，边缘场开关）显示模式下，第一电极与第二电极 可以位于不同层，即第一电极与第二电极依次绝缘层叠设置，通过同一平面内第一电极与 第二电极产生边缘电场，使电极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在（平行于阵列基 板）平面方向发生旋转转换，从而提高液晶层的透光效率。在IPS(InPlaneSwitch，平面 转换）显示模式下，第一电极与第二电极可以位于不同层或者第一电极与第二电极位于同 层，第一电极和第二电极分别包括多条支电极，第一电极的支电极与第二电极的支电极交 替间隔排布，通过第一电极与第二电极之间产生平行于阵列基板的电场，控制液晶分子偏 转以显示视角良好的显示画面。
[0026] 为了使本发明实施例提供的技术方案更加清楚，下面以FFS显示模式下，第一电 极为像素电极，第二电极为公共电极为例进行详细描述。
[0027] 图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的像素单元结构示意图，图4是图3实 施例中的阵列基板沿A-A'截面的剖视图。如图3所示，阵列基板2包括多条栅极线21和数 据线22,栅极线21与数据线22之间绝缘交叉限定出多个像素单元，薄膜晶体管23设置在 栅极线21与数据线22的交叉位置，并与栅极线21和数据线22电连接。像素单元可以呈 阵列排布或者交错式排布，本实施例以一个像素单元为例，对像素单元结构进行具体描述。
[0028] 结合图4所示，阵列基板包括衬底基板2,衬底基板可以采用玻璃基板或者柔性的 树脂基板。在衬底基板2上设置有覆盖栅极线22的栅极绝缘层26,在栅极绝缘层26上设 置有数据线21，绝缘层211覆盖数据线21和栅极绝缘层26,在绝缘层211上设置有像素电 极24,像素电极24通过绝缘层211上的过孔（图中未示出）与薄膜晶体管23的漏极电连 接。像素电极24包括至少一个支电极241，本实施例中像素电极24具有三个支电极241， 在支电极241的端部分别具有连接多条支电极241的连接电极242,这样可以将数据信号 输出到每条支电极241上。层间绝缘层251覆盖像素电极24和绝缘层211，在层间绝缘层 251上设置有整面的公共电极25,公共电极25与像