一种像素单元、阵列基板及垂直配向型液晶显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素单元、阵列基板及垂直配向型液晶显示装置。
【背景技术】
[0002]聚合物稳定垂直配向(PolymerStabilizat1n Vertical Alignment，简称PSVA)技术是在配向膜上生成一层可以使VA液晶形成预倾角的聚合物层。其中，聚合物层的形成过程如图1a至图1c所示。如图1a所示，未在上下基板施加电压之前，普通液晶分子的指向矢是垂直于上下基板排列的。在施加电压之前，先在普通的VA液晶中掺入一定比例的高纯度的反应型液晶(英文为=Reactive Mesogen)，反应型液晶具有普通液晶分子的液晶核，末端带有一个或多个亚克力基(英文为:Acrylate Group)之类的可反应官能基。可反应官能基经过紫外光(Ultra V1let，简称UV)照射之后聚合成高分子网络，可以达到永久固定。
[0003]如图1b所示，在UV光照射之前，先在上下基板上施加电压，使液晶分子产生一个预倾角，其中，对应于像素单元中的不同畴中的液晶分子，倾斜方向分别不同(图1b未示出不同畴中液晶分子的倾斜方向)；当因为施加的外加电压，而导致液晶产生倾角之后，可以进行UV照射，由于在普通液晶中掺入了反应型液晶，而反应型液晶受到UV照射后，可以聚合成高分子网络，达到永久固定，因此可以使得靠近上下基板的液晶分子形成固定的预倾角。如图1c所示，当UV照射结束后，撤去外加电压之后。由于靠近上下基板的液晶分子受到高分子网络的影响，形成固定的预倾角，而中间层的液晶分子未受到高分子网络分子的影响，则恢复为垂直于上下基板的排列方式。
[0004]图2示例性示出了现有技术中多畴垂直配向型液晶显示装置中像素电极的平面示意图。如图2所示，为了实现垂直配向多畴显示，通常会将像素电极图形(英文为=Pixelpattern)做成带有狭缝的像素电极(英文为:pixel slit)，使得液晶在该像素电极和彩膜基板上的公共电极的作用下，可以向多个方向倾斜，形成液晶多畴配向。由于像素电极的电极条纹之间存在间隙，导致电极条纹之间的间隙与公共电极之间形成的电场强度会弱于电极条纹与公共电极之间所形成的电场强度，所以电极条纹与公共电极之间所形成的电场对液晶分子产生作用力会大于电极条纹之间的间隙与公共电极之间所形成的电场对液晶分子产生的作用力，导致液晶的偏转效率比较低，从而会在间隙位置处形成暗条纹。
[0005]为了解决上述暗条纹问题，行业中利用像素电极制作工艺来减小像素电极的电极条纹之间的间隙，可以减小暗条纹的宽度。采用上述方法，虽然可以减小暗条纹的宽度，但是仍然不能减少暗条纹。
【发明内容】
[0006]本发明实施例提供一种像素单元、阵列基板及垂直配向型液晶显示装置，可以在提高液晶偏转率的同时，减少暗条纹的数量。
[0007]本发明实施例提供一种像素单元，包括:
[0008]第一像素电极，所述第一像素电极包括相互连接的至少两个方向的条形电极组，每个所述条形电极组中的电极之间具有狭缝；
[0009]位于所述第一像素电极下方的第二像素电极，所述第二像素电极至少重叠于所述第一像素电极的狭缝所在区域；
[0010]第一薄膜晶体管用于向所述第一像素电极传输数据线信号；
[0011]第二薄膜晶体管用于向所述第二像素电极传输所述数据线信号；
[0012]第三薄膜晶体管用于将所述第一像素电极或者所述第二像素电极的数据线信号传输给分压电极。
[0013]较佳地，所述第一薄膜晶体管的栅极、源极、漏极分别与第一扫描线、数据线、所述第一像素电极电联接；
[0014]所述第二薄膜晶体管的栅极、源极、漏极分别与所述第一扫描线、所述数据线、所述第二像素电极电联接，其中，所述数据线用于传输数据线信号；
[0015]所述第三薄膜晶体管的栅极、源极、漏极分别与第二扫描线、所述第一像素电极或者所述第二像素电极、分压电极电联接。
[0016]较佳地，所述第一像素电极呈“米”字结构，包括:呈“”字排布的两个第一条形电极组，呈“八”字排布的两个第二条形电极组，以及与各条形电极组连接的、呈“十”字状的畴间电极。
[0017]较佳地，两个所述第一条形电极组中的电极分别与畴间电极中的横向电极之间的夹角介于35?55° ;位于左侧的所述第二条形电极组中的电极与畴间电极中的横向电极之间的夹角介于35°?55° ;位于右侧的所述第二条形电极组中的电极与畴间电极中的横向电极之间的夹角介于35°?65°之间。
[0018]较佳地，所述狭缝的间距介于3?20微米。
[0019]较佳地，所述第二像素电极包括相互连接的至少两个方向的条形电极组，每个所述条形电极组中的电极之间具有狭缝。
[0020]较佳地，所述第二像素电极为面状电极。
[0021]较佳地，所述第一薄膜晶体管的源极与所述数据线连接，且所述第二薄膜晶体管的源极与所述第一薄膜晶体管的源极连接。
[0022]较佳地，所述第三薄膜晶体管的源极为所述第二薄膜晶体管的漏极中的一部分。
[0023]较佳地，所述分压电极与所述第一像素电极重叠区域形成第一存储电容；
[0024]所述分压电极与所述第二像素电极重叠区域形成第二存储电容。
[0025]本发明实施例还提供一种阵列基板，包括:
[0026]成对排列的第一扫描线、第二扫描线；
[0027]与所述第一扫描线和所述第二扫描线交叉设置的数据线；
[0028]与所述第一扫描线、所述第二扫描线和所述数据线连接的像素单元，该像素单元为上述实施例中的像素单元。
[0029]本发明实施例还提供一种垂直配向型液晶显示装置，包括:
[0030]上述实施例中的阵列基板；
[0031]彩膜基板，所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置，且所述彩膜基板上设置有公共电极；
[0032]液晶层，设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间。
[0033]本发明实施例中，提供的第一像素电极包括相互连接的至少两个方向的条形电极组，每个所述条形电极组中的电极之间具有狭缝；位于所述第一像素电极下方的第二像素电极，所述第二像素电极至少重叠于所述第一像素电极的狭缝所在区域；第一薄膜晶体管用于向所述第一像素电极传输数据线信号；第二薄膜晶体管用于向所述第二像素电极传输所述数据线信号；第三薄膜晶体管用于将所述第一像素电极或所述第二像素电极的数据线信号传输给分压电极；在该像素结构中，第二像素电极重叠于第一像素电极的条形电极间隔区域，当第一像素电极的条形电极和设置在彩膜基板上的公共电极之间形成的电场大于条形电极间隔区域和设置在彩膜基板上的公共电极之间形成的电场时，由于第二像素电极重叠于第一像素电极的条形电极间隔区域，从而第二像素电极可以与设置在彩膜基板上的公共电极之间也形成电场。即位于第一像素电极条形电极间隔区域的液晶受到第二像素电极和设置在彩膜基板上的公共电极之间形成的电场的作用力，可以产生足够的偏转，从而在提高液晶偏转率的同时，减少了位于第一像素电极条形电极间隔区域产生的暗条纹数量。
【附图说明】
[0034]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1a为现有技术中，普通液晶分子在上下基板中的排列示意图；
[0036]图1b为现有技术中，在上下基板施加电压后，液晶分子在上下基板的排列示意图；
[0037]图1c为现有技术中，在UV照射后，液晶分子在上下基板的排列不意图；
[0038]图2为现有技术中多畴垂直配向型像素单元的平面示意图；
[0039]图3为本发明实施例提供的一种像素单元结构示意图；
[0040]图4a为本发明实施例提供的第一像素电极在像素单元中的一种分布情况示意图；
[0041]图4b为本发明实施例提供的第一像素电极在像素单元中的另一种分布情况示意图；
[0042]图5a为本发明实施例提供的第一像素电极为“米”字结构的像素单元结构示意图；
[0043]图5b为本发明实施例提供的一种包括第一像素电极和第二像素电极的像素单元结构示意图；
[0044]图5c为本发明实施例提供的第一像素电极和第二像素电极的垂直剖面示意图；
[0045]图5d为本发明实施例提供的另一种包括第一像素电极和第二像素电极的像素单元结构示意图；
[0046]图5e为本发明实施例提供的另一种第一像素电极和第二像素电极的垂直剖面示意图；
[0047]图6为本发明实施例提供的一种阵列基板结构示意图；
[0048]图7为本发明实施例提供的一种液晶显示器结构示意图。
【具体实施方式】
[0049]以下结合说明书附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述