第一像素电极和第二像素电极的结构示意图，图5c本发明实施例中第一像素电极和第二像素电极的垂直剖面示意图。
[0071]本发明实施例仅对第一像素电极在像素单元中的具体形状做进一步限定，关于像素单元的其它结构可以参考上述实施例。
[0072]在本发明实施例中，第一像素电极在像素单元中的分布参见图5a，第一像素电极501a(图中未示出)在像素单元中呈“米”字结构，包括呈“”字排布的两个第一条形电极组501a-l，呈“八”字排布的两个第二条形电极组501a-2，以及与各条形电极组连接的、呈“十”字状的畴间电极501a_3。
[0073]需要说明的是，第一像素电极包括的第一条形电极组501a_l和第二条形电极组50la-2中的电极形状可以完全相同，也可以部分相同，本发明实施例中，对第一条形电极组501a-l和第二条形电极组501a-2的形状是否相同，不做具体的限定。
[0074]具体地，第一条形电极组501a_l的左侧的电极和畴间电极501a_3中的横向电极之间的夹角为a，其中，夹角a介于35?55°之间；第一条形电极组501a_l的右侧的电极和畴间电极501a-3中的横向电极之间的夹角为b，其中，夹角b介于35?55°之间；第二条形电极组501a-2的左侧电极和畴间电极501a-3中的横向电极之间的夹角为d，其中，夹角d介于35?55°之间；第二条形电极组501a-2的右侧电极和畴间电极501a_3中的横向电极之间的夹角为c，其中，夹角c介于35?65°之间。
[0075]在本发明实施例中，对第一条形电极组501a_l中的电极与畴间电极501a_3中的横向电极之间的夹角不做具体的限定，对第二条形电极组501a_2中的电极与畴间电极501a-3中的横向电极之间的夹角也不做具体的限定。
[0076]由于第一像素电极包括的条形电极组中的电极之间具有狭缝，若第一像素电极中的狭缝间距比较小，第一像素电极中的条形电极组中的电极在和设置在彩膜基板的公共电极之间形成的电场，会和重叠于或部分重叠于第一像素电极狭缝区域的第二像素电极和设置在彩膜基板上的公共电极之间形成的电场之间相互干扰。
[0077]在本发明实施例中，为了减小第一像素电极中条形电极组中电极和设置在彩膜基板上的公共电极之间形成的电场，与重叠于或部分重叠于第一像素狭缝区域的第二像素电极和设置在彩膜基板上的公共电极之间形成的电场之间会相互干扰，优选地，第一像素电极条形电极组中的电极之间的狭缝间距介于3?20微米之间。
[0078]在本发明实施例中，第二像素电极位于第一像素电极的下方，且第二像素电极至少部分重叠或者全部重叠于第一像素的狭缝所在区域。本发明实施例中提供的第二像素电极的形状至少包括以下两种情况:
[0079]—种实施例中，可以将第二像素电极制作成与第一像素电极类似的形状，比如，第二像素电极包括相互连接的至少两个方向的条形电极组，每个条形电极组中的电极之间具有狭缝。由于第二像素电极需至少重叠于第一像素电极的狭缝所在区域，因此，第二像素电极的条形电极组中的电极可以部分或者全部位于第一像素电极的狭缝所在区域，第二像素电极的条形电极组中的电极之间的狭缝也恰好位于第一像素电极的条形电极下方。
[0080]如图5b所示，第二像素电极501b的形状和第一像素电极501a具有类似的形状，由于第一像素电极的狭缝宽度介于3?20微米，所以，在本发明实施例中，第一像素电极501a的狭缝间距可以小于第二像素电极501b的电极宽度；可以大于第二像素电极501b的电极宽度；还可以等于第二像素电极501b的电极宽度。
[0081]当第一像素电极501a的狭缝间距大于第二像素电极501b的电极宽度时，第二像素电极501b的电极只能部分重叠于第一像素电极的狭缝所在区域，即第一像素电极501a的狭缝所在区域会有部分没有被第二像素电极的电极所占用；当第一像素电极501a的狭缝间距等于第二像素电极501b的电极宽度时，第二像素电极501b的电极可以全部重叠于第一像素电极的狭缝所在区域；当第一像素电极501a的狭缝间距小于第二像素电极501b的电极宽度时，第二像素电极501b的电极不但可以全部重叠于第一像素电极的狭缝所在区域，而且会有部分区域会延伸至第一像素电极的电极下方。在本发明实施例中，对第一像素电极的狭缝宽度和第二像素电极的电极宽度的大小不做具体的限定。
[0082]图5c为图5b中AA线的剖面示意图，在图5b中，AA线包括第一像素电极501a和第二像素电极501b，其中，第一像素电极501a电极组中有三个电极，第二像素电极501b电极组中有四个电极，且第一像素电极501a的狭缝所在区域的宽度和第二像素电极的电极宽度相等。如图5c所示，第二像素电极501b电极组中的电极宽度和第一像素电极501a的狭缝所在区域的宽度相等，即第二像素电极501b完全重叠于第一像素电极501a的狭缝所在区域，且第二像素电极501b的电极没有延伸至第一像素电极501a的电极下方。
[0083]上述实施例中，第一像素电极的狭缝区域与设置在彩膜基板上的公共电极形成的电场，比第一像素电极的电极组中的电极与设置在彩膜基板上的公共电极形成的电场弱，由于第二像素电极的位于第一像素电极的下方，且第二像素电极的至少部分重叠于第一像素电极的狭缝所在区域，即狭缝所在区域为液晶层内的液晶提供的偏转作用力小于电极所在区域为液晶层内的液晶提供的偏转作用力时，第二像素电极的电极组中的电极与设置在彩膜基板上的公共电极所形成的电场，会为狭缝所在区域对应的液晶层内的液晶提供偏转作用力。因此，当第二像素电极位于第一像素电极下方，且至少有部分像素电极重叠于第一像素电极的狭缝所在区域时，可以提高了液晶的偏转率，同时减少现有技术中暗条纹的数量。
[0084]另一种实施例，可以将第二像素电极做成面状结构。如图5d所示，第二像素电极502b位于第一像素电极502a的下方，由于第二像素电极502b的形状为面状，所以第二像素电极502b可以完全重叠于第一像素电极502a的下方。图5e为图5d中的BB线的剖面示意图，由于第二像素电极502b为面状结构，在图5e中，第二像素电极502b不但完全重叠于第一像素电极502a的狭缝所在区域的下方，而且完全重叠于第一像素电极502a的电极所在区域的下方。
[0085]当第一像素电极的条形电极组中的电极之间的狭缝区域与设置在彩膜基板上的公共电极形成的电场，比第一像素电极与设置在彩膜基板上的公共电极形成的电场弱，且为液晶层的液晶提供的偏转作用力比较小时，位于第一像素电极狭缝区域下方的第二像素电极与设置在彩膜基板上的公共电极所形成的电场，恰好可以为液晶层的液晶提供足够的偏转作用力。因此，当第二像素电极位于第一像素电极下方，且第二像素电极完全重叠于第一像素电极的狭缝所在区域时，可以提高了液晶的偏转率，同时减少现有技术中暗条纹的数量。
[0086]在本发明实施例中的像素单元中，还包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管。这里，第一薄膜晶体管的栅极、源极和漏极，分别与第一扫描线，数据线和第一像素电极电联接；第二薄膜晶体管的栅极、源极和漏极分别与第一扫描线、数据线和第二像素电极电联接；优选地，如图3所示，可以通过将第一薄膜晶体管303的源极和第二薄膜晶体304的源极直接相连，而第二薄膜晶体管304的源极通过第一薄膜晶体管303的源极与数据线相连接，从而，可以减少像素单元中的引线数量，简化像素单元的制作工艺。
[0087]可选的，第二薄膜晶体管的源极还可以直接与数据线电连接，第一薄膜晶体管的源极也直接与数据线电连接。
[0088]在此基础上，对本发明实施例中的第二薄膜晶体管的源极与数据线之间的连接方法不做具体的限定。
[0089]在本发明实施例中，为了控制显示画面的灰度，改善大视角颜色洗白的问题。
[0090]一种实施方式，可以通过调整第一像素电极和第二像素电极的相对面积，改变第一像素电极和设置在彩膜基板上的公共电极之间的形成的电场的大小，以及改变第二像素电极和设置在彩膜基板上的公共电极之间形成的电场的大小。
[0091]当第二像素电极为面状结构时，由于第二像素电极的形状是固定，可以通过调节第一像素电极的条形电极组中电极宽度，改变第一像素电极和第二像素电极之间的相对面积比例，通过改变第一像素电极和第二像素电极之间的相对面积比例，可以改变第一像素电极和第二像素电极与设置在彩膜基板上的公共电极之间形成的电场力；当第二像素电极的形状和第一像素电极的形状形式，可以调整第一像素电极的条形电极组中的电极宽度，保持第二像素电极的形状不变；可以调节第二像素电极的条形电极组中的电极宽度，保持第一像素电极的形状不变；还可以同时调整第一像素电极的条形电极组中的电极宽度和第二像素电极的条形电极组中的电极宽度；从而改变第一像素电极和第二像素电极的相对面积比例，改变了第一像素电极和第二像素电极与设置在彩膜基板上的公共电极之间形成的电场力；即进一步的改变液晶层内液晶的偏转作用力，从而实现控制显示画面的灰度，改善大视角颜色洗白的问题。
[0092]另一种实施方式，由于第三薄膜晶体管的源极为第二薄膜晶体管的漏极的一部分，即第二薄膜晶体管的漏极中的一段被第三薄膜晶体管共用、作为第三