薄膜晶体管的源极。而第三薄膜晶体管的漏极与分压电极电连接，在本发明实施例中，由于分压电极位于像素电极的边缘区域以及下方，即可以确定，分压电极与第一像素电极重叠区域形成第一存储电容，分压电极与所述第二像素电极重叠区域形成第二存储电容。当分压电极和第一像素电极重叠的区域形成第一存储电容时，可以通过调整第一像素电极和分压电极之间的相对面积，从而改变第一存储电容内的电荷量；当分压电极和第二像素电极重叠的区域形成第二存储电容时，可以通过调整第二像素电极和分压电极之间的相对面积，从而改变第二存储电容内的电荷量。
[0093]由于第三薄膜晶体管的栅极、源极、漏极分别与第二扫描线、第一像素电极或者第二像素电极、分压电极电连接。若第三薄膜晶体管的源极和第二像素电极电连接，由于第二像素电极在第一扫描线呈高压状态时，已经完成对第二像素电极充电。由于分压电极可以与第一像素电极重叠区域形成第一存储电容，与第二像素电极重叠区域形成第二存储电容。当第二扫描线呈高电压状态，第三薄膜晶体管会被打开，若第一存储电容和第二存储电容串联后的电容存储的电荷量小于第二像素电极内的电荷量，则第二像素电极会向存储电极充电，等分压电极的存储电容内存储的电荷和第二像素电极内的存储电荷相等后，第二像素电极会停止向分压电极的存储电容充电。若第一存储电容和第二存储电容串联后的电容存储的电荷量大于第二像素电极内的电荷量，则分压电极的存储电极会向第二像素电极充电，等分压电极的存储电容内存储的电荷和第二像素电极内的存储电荷相等后，分压电极的存储电容会停止向第二像素电极充电。
[0094]在本发明实施例中，可以通过改变分压电极和第一像素电极之间重叠区域的面积；或者通过改变分压电极和第二像素电极之间重叠区域的面积；或者同时改变分压电极和第一像素电极和第二像素电极之间重叠区域的面积。来改变分压电极的存储电容内的电荷量的多少。同时，在第三薄膜晶体管打开后，若第三薄膜晶体管和第一像素电极电连接，可以改变第一像素电极内的电荷量的多少；若第三薄膜晶体管和第二像素电极电连接，可以改变第二像素电极内的电荷量的多少。从而可以实现控制显示画面的灰度，改善大视角颜色洗白的问题。
[0095]上述实施例中，第一像素电极和第二像素电极为透明电极，且透明电极可以采用锡氧化物(Indium Tin Oxide，简称 ITO)、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，简称 IZO)、以及招锌氧化物(Aluminum Zinc Oxide，简称AZ0)等透明导电氧化物材料中的至少一种。本发明实施例中，对第一像素电极和第二像素电极的组成材料不做具体的限定。
[0096]如图6所不，本发明实施例提供一种阵列基板，包括:成对排列的第一扫描线601、第二扫描线602 ;与第一扫描线601和第二扫描线602交叉设置的数据线603 ;与第一扫描线601、第二扫描线602和数据线603连接的像素单元604，其中，该像素单元为上述实施例中所述的像素单元。
[0097]如图7所示，本发明实施例还提供一种垂直配向型液晶显示装置，包括上述实施例讲述的阵列基板701，彩膜基板702，该彩膜基板与阵列基板相对设置，且该彩膜基板702上设置有公共电极(图中未示出);液晶层703，设置于阵列基板701与所述彩膜基板702之间。
[0098]其中，彩膜基板702上具有公共电极，且公共电极的形状优选为面状。液晶层703中的液晶为电负性液晶。
[0099]本发明实施例中，提供的第一像素电极包括相互连接的至少两个方向的条形电极组，每个所述条形电极组中的电极之间具有狭缝；位于所述第一像素电极下方的第二像素电极，所述第二像素电极至少重叠于所述第一像素电极的狭缝所在区域；第一薄膜晶体管用于向所述第一像素电极传输数据线信号；第二薄膜晶体管用于向所述第二像素电极传输所述数据线信号；第三薄膜晶体管用于将所述第一像素电极或所述第二像素电极的数据线信号传输给分压电极；在该像素结构中，第二像素电极重叠于第一像素电极的条形电极间隔区域，当第一像素电极的条形电极和设置在彩膜基板上的公共电极之间形成的电场大于条形电极间隔区域和设置在彩膜基板上的公共电极之间形成的电场时，由于第二像素电极重叠于第一像素电极的条形电极间隔区域，从而第二像素电极可以与设置在彩膜基板上的公共电极之间也形成电场。即位于第一像素电极条形电极间隔区域的液晶受到第二像素电极和设置在彩膜基板上的公共电极之间形成的电场的作用力，可以产生足够的偏转，从而在提高液晶偏转率的同时，减少了位于第一像素电极条形电极间隔区域产生的暗条纹数量。
[0100]以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用于限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
[0101]尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。
[0102]显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种像素单元，其特征在于，包括: 第一像素电极，所述第一像素电极包括相互连接的至少两个方向的条形电极组，每个所述条形电极组中的电极之间具有狭缝； 位于所述第一像素电极下方的第二像素电极，所述第二像素电极至少重叠于所述第一像素电极的狭缝所在区域； 第一薄膜晶体管用于向所述第一像素电极传输数据线信号； 第二薄膜晶体管用于向所述第二像素电极传输所述数据线信号； 第三薄膜晶体管用于将所述第一像素电极或者所述第二像素电极的数据线信号传输给分压电极。2.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的栅极、源极、漏极分别与第一扫描线、数据线、所述第一像素电极电联接； 所述第二薄膜晶体管的栅极、源极、漏极分别与所述第一扫描线、所述数据线、所述第二像素电极电联接，其中，所述数据线用于传输数据线信号； 所述第三薄膜晶体管的栅极、源极、漏极分别与第二扫描线、所述第一像素电极或者所述第二像素电极、分压电极电联接。3.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第一像素电极呈“米”字结构，包括:呈“”字排布的两个第一条形电极组，呈“八”字排布的两个第二条形电极组，以及与各条形电极组连接的、呈“十”字状的畴间电极。4.如权利要求3所述的像素单元，其特征在于，两个所述第一条形电极组中的电极分别与畴间电极中的横向电极之间的夹角介于35?55° ;位于左侧的所述第二条形电极组中的电极与畴间电极中的横向电极之间的夹角介于35°?55° ;位于右侧的所述第二条形电极组中的电极与畴间电极中的横向电极之间的夹角介于35°?65°之间。5.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述狭缝的间距介于3?20微米。6.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第二像素电极包括相互连接的至少两个方向的条形电极组，每个所述条形电极组中的电极之间具有狭缝。7.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第二像素电极为面状电极。8.如权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的源极与所述数据线连接，且所述第二薄膜晶体管的源极与所述第一薄膜晶体管的源极连接。9.如权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述第三薄膜晶体管的源极为所述第二薄膜晶体管的漏极中的一部分。10.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述分压电极与所述第一像素电极重叠区域形成第一存储电容； 所述分压电极与所述第二像素电极重叠区域形成第二存储电容。11.一种阵列基板，其特征在于，包括: 成对排列的第一扫描线、第二扫描线； 与所述第一扫描线和所述第二扫描线交叉设置的数据线； 与所述第一扫描线、所述第二扫描线和所述数据线连接的像素单元，所述像素单元为权利要求1?10任意项所述的像素单元。12.一种垂直配向型液晶显示装置，其特征在于，包括: 权利要求11所述的阵列基板； 彩膜基板，所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置，且所述彩膜基板上设置有公共电极； 液晶层，设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间。
【专利摘要】本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素单元、阵列基板及垂直配向型液晶显示装置，可以在提高液晶的偏转率的同时，减少细暗纹的数量。本发明实施例提供的一种像素单元，包括：第一像素电极，所述第一像素电极包括相互连接的至少两个方向的条形电极组，每个所述条形电极组中的电极之间具有狭缝；位于所述第一像素电极下方的第二像素电极，所述第二像素电极至少重叠于所述第一像素电极的狭缝所在区域；第一薄膜晶体管，第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管。用于像素单元、阵列基板及垂直配向型液晶显示装置的制备。
【IPC分类】G02F1/1343, G02F1/1368
【公开号】CN105137676
【申请号】CN201510648818
【发明人】林家强
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年10月9日