[0043]透明导电层A 6的厚度为800nm ;阳极电致变色层5的厚度为400nm ;离子储存层4厚度为600nm ;快离子传输层3厚度为400nm ;阴极电致变色层2厚度为400nm ;透明导电层B 1厚度为800nmo
[0044]实施例3
[0045]互补型无机全固态电致变色器件，包括由下至上依次设置的衬底7、透明导电层A6、阳极电致变色层5、离子储存层4、快离子传输层3、阴极电致变色层2和透明导电层B 1。
[0046]其中，衬底7为PI薄膜，透明导电层A 6为掺铝氧化锌薄膜，透明导电层B 1为掺锡氧化铟薄膜。阳极电致变色层5为氧化镍薄膜N1u;阴极电致变色层2为氧化钨薄膜。离子储存层4为钛酸锂薄膜Li4Ti507，钛酸锂薄膜为非晶膜。快离子传输层3为氧化坦薄膜Ta02.5，氧化坦薄膜为非晶膜。
[0047]透明导电层A 6的厚度为500nm ;阳极电致变色层5的厚度为300nm ;离子储存层4厚度为400nm ;快离子传输层3厚度为300nm ;阴极电致变色层2厚度为300nm ;透明导电层B 1厚度为600nmo
[0048]实施例4
[0049]互补型无机全固态电致变色器件，包括由下至上依次设置的衬底7、透明导电层A6、阳极电致变色层5、离子储存层4、快离子传输层3、阴极电致变色层2和透明导电层B 1。
[0050]其中，衬底7为玻璃基片，透明导电层A 6为掺铝氧化锌薄膜，透明导电层B 1为掺铝氧化锌薄膜。阳极电致变色层5为氧化镍薄膜N1u;阴极电致变色层2为氧化钨薄膜。离子储存层4为钛酸锂薄膜Li4Ti40s，钛酸锂薄膜为微晶膜。快离子传输层3为氧化坦薄膜Ta02.3，氧化坦薄膜为非晶膜。
[0051]透明导电层A 6的厚度为300nm ;阳极电致变色层5的厚度为300nm ;离子储存层4厚度为500nm ;快离子传输层3厚度为300nm ;阴极电致变色层2厚度为300nm ;透明导电层B 1厚度为300nmo
[0052]实施例5
[0053]互补型无机全固态电致变色器件，包括由下至上依次设置的衬底7、透明导电层A6、阳极电致变色层5、离子储存层4、快离子传输层3、阴极电致变色层2和透明导电层B 1。
[0054]其中，衬底7为玻璃基片，透明导电层A 6为掺锡氧化铟薄膜，透明导电层B 1为掺锡氧化铟薄膜。阳极电致变色层5为氧化镍薄膜N1u;阴极电致变色层2为氧化钨薄膜。离子储存层4为钛酸锂薄膜Li4Ti606，钛酸锂薄膜为非晶膜。快离子传输层3为氧化坦薄膜Ta02.s，氧化坦薄膜为非晶膜。
[0055]透明导电层A 6的厚度为200nm ;阳极电致变色层5的厚度为300nm ;离子储存层4厚度为500nm ;快离子传输层3厚度为300nm ;阴极电致变色层2厚度为300nm ;透明导电层B 1厚度为300nm
[0056]实施例1?5是通过实施例6?8中的方法制备得到。
[0057]实施例6
[0058]互补型无机全固态电致变色器件的制备方法，包括以下步骤:
[0059]S1、取清洗后的衬底7干燥后，放入磁控溅射系统真空室中，真空抽至8X10 4Pa，在衬底7上，以掺铝氧化锌陶瓷或掺锡氧化铟作为靶材，采用直流磁控溅射法制备透明导电层A 6 ；
[0060]S2、在透明导电层A 6上，以金属镍作为靶材，采用直流磁控溅射法制备氧化镍薄膜N1y，即为阳极电致变色层5 ;
[0061]S3、以钛酸锂Li4Tix012.作为靶材，采用射频溅射法，在阳极电致变色层5上制备钛酸锂薄膜Li4Tix012 x，即为离子储存层4 ;
[0062]S4、以金属坦作为靶材，采用直流磁控溅射法，在离子储存层4上制备氧化坦薄膜TaOz，即为快离子传输层3 ；
[0063]S5、以金属钨作为靶材，采用直流磁控溅射法，在快离子传输层3上制备氧化钨薄膜，即为阴极电致变色层2;
[0064]S6、以掺铝氧化锌陶瓷靶或掺锡氧化铟靶作为靶材，采用直流磁控溅射法，在阴极电致变色层2上制备透明导电层B 1 ；
[0065]S7、停机，取出样品得互补型无机全固态电致变色器件。
[0066]其中，步骤S1?S6中，在进行直流磁控派射或射频派射前，先对革E1材进行10?15min预派射。直流磁控派射法或射频派射法中，革E1基距:6?8cm，气体流量:20?40sccm，气体:纯氩或者按照体积比，氩:氧=18?4:2?16，沉积气压:0.8?2.3Pa，基片温度:室温，溅射功率:75?90W。
[0067]实施例7
[0068]互补型无机全固态电致变色器件的制备方法，包括以下步骤:
[0069]S1、先将衬底经过丙酮、无水乙醇、去离子水依次清洗后备用，取清洗后的衬底7干燥后，放入磁控派射系统真空室中，真空抽至8X 10-4Pa ;先对革E材进行15min预派射，随后在衬底7上，以掺铝氧化锌陶瓷(A1质量分数为3wt% )作为靶材，采用直流磁控溅射法制备透明导电层A 6 ;直流磁控派射法中，革E1基距:6cm，气体流量:20sccm，气体:按照体积比，氩:氧=18:2，沉积气压:0.8Pa，基片温度:室温，溅射功率:80W ；
[0070]S2、先对革El材进行lOmin预派射，随后在透明导电层A 6上，以金属镍作为革El材，采用直流磁控溅射法制备氧化镍薄膜N1y，即为阳极电致变色层5 ;直流磁控溅射法中，靶基距:6cm，气体流量:20sccm，气体:按照体积比，氩:氧=12:8，沉积气压'2.3Pa，基片温度:室温，溅射功率:80W;
[0071]S3、先对靶材进行15min预溅射，随后以钛酸锂Li4Tix012 x作为靶材，采用射频溅射法，在阳极电致变色层5上制备钛酸锂薄膜Li4Tix012 x，即为离子储存层4 ;射频溅射法中，革E基距:6cm，气体流量:20sccm，气体:按照体积比，氩:氧=18:2，沉积气压:0.8Pa，基片温度:室温，溅射功率:90W ;
[0072]S4、先对靶材进行lOmin预溅射，随后以金属坦作为靶材，采用直流磁控溅射法，在离子储存层4上制备氧化坦薄膜TaOz，即为快离子传输层3 ;直流磁控溅射法中，靶基距:6cm，气体流量:20sccm，气体:按照体积比，氩:氧=16:4，沉积气压:2.3Pa，基片温度:室温，溅射功率:80W;
[0073]S5、先对靶材进行lOmin预溅射，随后以金属钨作为靶材，采用直流磁控溅射法，在快离子传输层3上制备氧化钨薄膜，即为阴极电致变色层2 ;直流磁控溅射法中，靶基距:6cm，气体流量:20sccm，气体:按照体积比，氩:氧=4:16，沉积气压:2.3Pa，基片温度:室温，溅射功率:80W;
[0074]S6、先对靶材进行15min预溅射，随后以掺铝氧化锌陶瓷(A1质量分数为3wt% )作为靶材，采用直流磁控溅射法，在阴极电致变色层2上制备透明导电层B 1 ;直流磁控派射法中，革E基距:6cm，气体流量:20sccm，气体:按照体积比，氩:氧=18:2，沉积气压:0.8Pa，基片温度:室温，溅射功率:80W ;
[0075]S7、停机，取出样品得互补型无机全固态电致变色器件。
[0076]实施例8
[0077]互补型无机全固态电致变色器件的制备方法，包括以下步骤:
[0078]S1、先将衬底经过丙酮、无水乙醇、去离子水依次清洗后备用，取清洗后的衬底7干燥后，放入磁控派射系统真空室中，真空抽至8X 10-4Pa ;先对革E材进行15min预派射，随后在衬底7上，以掺锡氧化铟作为靶材，采用直流磁控溅射法制备透明导电层A 6 ;直流磁控溅射法中，靶基距:6cm，气体流量:20sCCm，气体:纯氩，沉积气压:1.0Pa，基片温度:室温，溅射功率:75W;
[0079]S2、先对革El材进行lOmin预派射，随后在透明导电层A 6上，以金属镍作为革El材，采用直流磁控溅射法制备氧化镍薄膜N1y，即为阳极电致变色层5 ;直流磁控溅射法中，靶基距:6cm，气体流量:20sccm，气体:按照体积比，氩:氧=12:8，沉积气压'2.3Pa，基片温度:室温，溅射功率:80W;
[0080]S3、先对靶材进行15min预溅射，随后以钛酸锂Li4Tix012 x作为靶材，采用射频溅射法，在阳极电致变色层5上制备钛酸锂薄膜Li4Tix012 x，即为离子储存层4 ;射频溅射法中，革E基距:6cm，气体流量:20sccm，气体:按照体积比，氩:氧=18:2，沉积气压:0.8Pa，基片温度:室温，溅射功率:90W ;
[0081]S4、先对靶材进行lOmin预溅射，随后以金属坦作为靶材，采用直流磁控溅射法，在离子储存层4上制备氧化坦薄膜TaOz，即为快离子传输层3 ;直流磁控溅射法中，靶基距:6cm，气体流量:20sccm，气体:按照体积比，氩:氧=16:4，沉积气压:2.3Pa，基片温度:室温，溅射功率:80W;
[0082]S5、先对靶材进行lOmin预溅射，随后以金属钨作为靶材，采用直流磁控溅射法，在快离子传输层3上制备氧化钨薄膜，即为阴极电致变色层2 ;直流磁控溅射法中，靶基距:6cm，气体流量:20sccm，气体:按照体积比，氩:氧=4:16，沉积气压:2.3Pa，基片温度:室温，溅射功率:80W;
[0083]S6、先对靶材进行15min预溅射，随后以掺锡氧化铟作为靶材，采用直流磁控溅射法，在阴极电致变色层2上制备透明导电层B 1 ;直流磁控溅射法中，靶基距:6cm，气体流量:20sccm，气体:纯氩，沉积气压:1.0Pa，基片温度:室温，溅射功率:75W ；