[0084]S7、停机，取出样品得互补型无机全固态电致变色器件
[0085]实施例9
[0086]互补型无机全固态电致变色器件的制备方法，包括以下步骤:
[0087]S1、取清洗后的衬底7干燥后，放入磁控溅射系统真空室中，真空抽至8X10 4Pa ;先对靶材进行15min预溅射，随后在衬底7上，以掺铝氧化锌陶瓷(A1质量分数为3wt% )作为靶材，采用直流磁控溅射法制备透明导电层A 6 ;直流磁控溅射法中，靶基距:6cm，气体流量:20sCCm，气体:按照体积比，氩:氧=18:2，沉积气压:0.8Pa，基片温度:室温，溅射功率:80ff ；
[0088]S2、先对靶材进行12min预溅射，随后在透明导电层A 6上，以金属镍作为靶材，采用直流磁控溅射法制备氧化镍薄膜N1y，即为阳极电致变色层5 ;直流磁控溅射法中，靶基距:7cm，气体流量:30sccm，气体:按照体积比，氩:氧=12:8，沉积气压'2.3Pa，基片温度:室温，溅射功率:80W;
[0089]S3、先对靶材进行15min预溅射，随后以钛酸锂Li4Tix012 x作为靶材，采用射频溅射法，在阳极电致变色层5上制备钛酸锂薄膜Li4Tix012 x，即为离子储存层4 ;射频溅射法中，革E基距:8cm，气体流量:40sccm，气体:按照体积比，氩:氧=18:2，沉积气压:0.8Pa，基片温度:室温，溅射功率:90W ;
[0090]S4、先对靶材进行13min预溅射，随后以金属坦作为靶材，采用直流磁控溅射法，在离子储存层4上制备氧化坦薄膜TaOz，即为快离子传输层3 ;直流磁控溅射法中，靶基距:6cm，气体流量:30sccm，气体:按照体积比，氩:氧=16:4，沉积气压:2.3Pa，基片温度:室温，溅射功率:80W;
[0091]S5、先对靶材进行12min预溅射，随后以金属钨作为靶材，采用直流磁控溅射法，在快离子传输层3上制备氧化钨薄膜，即为阴极电致变色层2 ;直流磁控溅射法中，靶基距:8cm，气体流量:25sccm，气体:按照体积比，氩:氧=4:16，沉积气压:2.3Pa，基片温度:室温，溅射功率:80W;
[0092]S6、先对靶材进行15min预溅射，随后以掺铝氧化锌陶瓷(A1质量分数为3wt% )作为靶材，采用直流磁控溅射法，在阴极电致变色层2上制备透明导电层B 1 ;直流磁控派射法中，革E基距:6cm，气体流量:20sccm，气体:按照体积比，氩:氧=18:2，沉积气压:0.8Pa，基片温度:室温，溅射功率:80W ;
[0093]S7、停机，取出样品得互补型无机全固态电致变色器件。
[0094]实施例10
[0095]互补型无机全固态电致变色器件的制备方法，包括以下步骤:
[0096]S1、先将衬底经过丙酮、无水乙醇、去离子水依次清洗后备用，取清洗后的衬底7干燥后，放入磁控溅射系统真空室中，真空抽至8X 10 4Pa ;先对靶材进行14min预溅射，随后在衬底7上，以掺锡氧化铟作为靶材，采用直流磁控溅射法制备透明导电层A 6 ;直流磁控溅射法中，靶基距:6cm，气体流量:20sccm，气体:纯氩，沉积气压:1.0Pa,基片温度:室温，溅射功率:75W;
[0097]S2、先对革El材进行llmin预派射，随后在透明导电层A 6上，以金属镍作为革El材，采用直流磁控溅射法制备氧化镍薄膜N1y，即为阳极电致变色层5 ;直流磁控溅射法中，靶基距:8cm，气体流量:30sccm，气体:按照体积比，氩:氧=12:8，沉积气压'2.3Pa，基片温度:室温，溅射功率:80W;
[0098]S3、先对靶材进行13min预溅射，随后以钛酸锂Li4Tix012 x作为靶材，采用射频溅射法，在阳极电致变色层5上制备钛酸锂薄膜Li4Tix012 x，即为离子储存层4 ;射频溅射法中，革E基距:6cm，气体流量:20sccm，气体:按照体积比，氩:氧=18:2，沉积气压:0.8Pa，基片温度:室温，溅射功率:90W ;
[0099]S4、先对靶材进行lOmin预溅射，随后以金属坦作为靶材，采用直流磁控溅射法，在离子储存层4上制备氧化坦薄膜TaOz，即为快离子传输层3 ;直流磁控溅射法中，靶基距:7cm，气体流量:35sccm，气体:按照体积比，氩:氧=16:4，沉积气压:2.3Pa，基片温度:室温，溅射功率:80W;
[0100]S5、先对靶材进行lOmin预溅射，随后以金属钨作为靶材，采用直流磁控溅射法，在快离子传输层3上制备氧化钨薄膜，即为阴极电致变色层2 ;直流磁控溅射法中，靶基距:7cm，气体流量:30sccm，气体:按照体积比，氩:氧=4:16，沉积气压:2.3Pa，基片温度:室温，溅射功率:80W;
[0101]S6、先对靶材进行15min预溅射，随后以掺锡氧化铟作为靶材，采用直流磁控溅射法，在阴极电致变色层2上制备透明导电层B 1 ;直流磁控溅射法中，靶基距:6cm，气体流量:40sccm，气体:纯氩，沉积气压:1.0Pa，基片温度:室温，溅射功率:75W ；
[0102]S7、停机，取出样品得互补型无机全固态电致变色器件。
【主权项】
1.互补型无机全固态电致变色器件，其特征在于:包括由下至上依次设置的衬底(7)、透明导电层A ￠)、阳极电致变色层(5)、离子储存层(4)、快离子传输层(3)、阴极电致变色层⑵和透明导电层B(l)。2.根据权利要求1所述的互补型无机全固态电致变色器件，其特征在于:所述衬底(7)为玻璃基片、PET薄膜或PI薄膜；所述透明导电层A(6)和透明导电层B(l)均为掺铝氧化锌薄膜或掺锡氧化铟薄膜。3.根据权利要求1所述的互补型无机全固态电致变色器件，其特征在于:所述阳极电致变色层(5)为氧化镍薄膜N1y，1.5 ;所述阴极电致变色层(2)为氧化钨薄膜。4.根据权利要求1所述的互补型无机全固态电致变色器件，其特征在于:所述离子储存层(4)为钛酸锂薄膜Li4Tix012 x，4 < X < 6 ;钛酸锂薄膜为非晶膜或微晶膜。5.根据权利要求1所述的互补型无机全固态电致变色器件，其特征在于:所述快离子传输层(3)为氧化坦薄膜TaOz，2 < z ( 3 ;氧化坦薄膜为非晶膜。6.根据权利要求1所述的互补型无机全固态电致变色器件，其特征在于:所述透明导电层A (6)的厚度为200?800nm ;阳极电致变色层(5)的厚度为200?400nm ;离子储存层(4)厚度为200?600nm ;快离子传输层(3)厚度为150?400nm ;阴极电致变色层⑵厚度为200?400nm ;透明导电层B(l)厚度为200?800nm ;优选地，透明导电层A (6)的厚度为200?600nm ;透明导电层B(l)厚度为200?600nm。7.如权利要求1?6任一项所述的互补型无机全固态电致变色器件的制备方法，其特征在于:包括以下步骤: 51、取清洗后的衬底(7)干燥后，放入磁控溅射系统真空室中，真空抽至8X104Pa，在衬底(7)上，以掺铝氧化锌陶瓷或掺锡氧化铟作为靶材，采用直流磁控溅射法制备透明导电层A (6)； 52、在透明导电层A(6)上，以金属镍作为靶材，采用直流磁控溅射法制备氧化镍薄膜N1y，即为阳极电致变色层(5); 53、以钛酸锂Li4Tix012#为靶材，采用射频溅射法，在阳极电致变色层(5)上制备钛酸锂薄膜Li4Tix012x，即为离子储存层(4); 54、以金属坦作为靶材，采用直流磁控溅射法，在离子储存层(4)上制备氧化坦薄膜TaOz，即为快离子传输层(3); 55、以金属钨作为靶材，采用直流磁控溅射法，在快离子传输层(3)上制备氧化钨薄膜，即为阴极电致变色层(2); 56、以掺铝氧化锌陶瓷或掺锡氧化铟作为靶材，采用直流磁控溅射法，在阴极电致变色层⑵上制备透明导电层B(l); 57、停机，取出样品得互补型无机全固态电致变色器件。8.根据权利要求7所述的互补型无机全固态电致变色器件的制备方法，其特征在于:步骤S1中，清洗后的衬底(7)是通过将衬底经过丙酮、无水乙醇、去离子水依次清洗后得到。9.根据权利要求7所述的互补型无机全固态电致变色器件的制备方法，其特征在于:步骤S1?S6中，在进行直流磁控派射或射频派射前，先对革E材进行10?15min预派射。10.根据权利要求7所述的互补型无机全固态电致变色器件的制备方法，其特征在于:直流磁控溅射法或射频溅射法中，靶基距:6?8cm，气体流量:20?40sCCm，气体:纯氩或者按照体积比，氩:氧=18?4:2?16，沉积气压:0.8?2.3Pa，基片温度:室温，溅射功率:75 ?90ffo
【专利摘要】本发明公开了一种互补型无机全固态电致变色器件，包括由下至上依次设置的衬底、透明导电层A、阳极电致变色层、离子储存层、快离子传输层、阴极电致变色层和透明导电层B。本发明提供的一种互补型无机全固态电致变色器件，采用互补型电致变色薄膜，器件同时包含阴极电致变色层及阳极电致变色层，在保证变色要求的前提下，实现低电压下电致变色薄膜器件快速互补变色；同时单独引入快离子传输层，使离子储存层与阴极电致变色层有效分离，有效避免电荷残留及电致变色薄膜器件的性能衰退，实现器件良好的电致变色性能。本发明器件中全部薄膜均由磁控溅射方法制备，制备方法简单，易操作，实施条件温和易实现。
【IPC分类】G02F1/153, G02F1/155
【公开号】CN105278198
【申请号】CN201510788811
【发明人】崔玉柱, 张红军, 王晓强, 王涛, 李明亚
【申请人】崔玉柱
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年11月17日