等离子体显示面板的制作方法

文档序号:2966423阅读:189来源:国知局
专利名称:等离子体显示面板的制作方法
技术领域
本发明涉及一种等离子体显示面板,更具体地讲,涉及一种具有可更耐溅射的结构的等离子体显示面板。
背景技术
通常,等离子体显示面板(PDP)通过气体放电来显示图像。放电气体填充在具有多个电极的两个基板之间,对放电气体施加放电电压产生紫外线,紫外线激发以预定图案形成的荧光体层来显示图像。
PDP可为直流(DC)PDP或交流(AC)PDP。在DC PDP中,电极暴露在放电空间中,电荷在相应的电极之间直接移动。相反地,在AC PDP中,介电层至少覆盖一些放电电极。因此,放电通过移动积聚在介电层上的壁电荷来执行。
在DC PDP中,因为电荷在相应的电极之间直接移动,所以,电极可被损坏。因此,通常使用的是具有三电极表面放电结构的AC PDP。
普通AC PDP包括上基板,在其上显示图像;下基板,基本上平行于上基板排列。包括公共电极和扫描电极的维持电极对形成在上基板的下表面上,上介电层覆盖维持电极对。另外,寻址电极在与维持电极对交叉的方向上形成在下基板的上表面上,下介电层覆盖寻址电极。障肋形成在下介电层上以限定放电室。放电气体填充在放电室中,红色、绿色或者蓝色荧光体层排列在每个放电室中以显示相应的颜色。
在这种PDP中,氧化镁(MgO)层可覆盖上介电层。MgO层保护上介电层免受放电期间由于离子溅射导致的损坏,并发射二次电子。当MgO层发射大量二次电子时,放电操作可更容易地被执行,从而允许在公共电极和扫描电极之间应用较低的维持电压,这种低电压的应用降低了能耗。
MgO层可被沉积在上介电层的下表面上。然而,如果MgO层的密度太低,则MgO层防止溅射损坏的能力下降,这样将缩短PDP的寿命。

发明内容
本发明提供了一种PDP,该PDP可通过形成具有氧组份比镁组份高的MgO层更耐溅射,从而增加了MgO层的密度。
本发明的附加特点将在下面的描述中提到,一部分将通过描述而清楚,或者可通过本发明的实践可获知。
本发明公开了一种等离子体显示面板,包括上基板;下基板,面向上基板;多个放电室,在上基板和下基板之间;氧化镁层,对应于放电室形成。在氧化镁层中,氧组份超过镁组份。
本发明还公开了一种等离子体显示面板,包括上基板;多对维持电极对,排列在上基板的下表面上;上介电层,基本上覆盖成对的维持电极;下基板,面向上基板;寻址电极,在与成对的维持电极交叉的方向上排列在下基板的上表面上;下介电层,基本上覆盖寻址电极。障肋排列在上基板和下基板之间以限定放电室,每个放电室包括成对的维持电极和寻址电极。荧光体层形成在放电室中,放电气体在放电室中。氧化镁层形成在上介电层的下表面上,在氧化镁层中氧组份超过镁组份。
本发明还公开了一种用于包括多个放电室的显示面板的保护层,该保护层包括镁和氧。氧组份超过了镁组份。
可以理解,前面大概的描述和下面详细的描述都是示例性的和解释性的,并意图提供如权利要求所述的本发明的进一步的解释。


被包含于此的附图用于提供对本发明的进一步理解并且被包含于此构成本说明书的一部分,用来解释本发明的实施例,并和描述部分一起用来解释本发明的原理。
图1是示出根据本发明实施例PDP的分解透视图。
图2是沿图1的线II-II的剖视图。
图3是根据氧和镁之间的比的折射率的曲线图。
具体实施例方式
以下,参照附图更完整地描述本发明,其中示出了本发明的实施例。然而,本发明可以许多不同的形式实施而不应限于这里提到的实施例来解释。而且,提供这些实施例以使本公开彻底并将完全地将本发明的范围传达给本领域的技术人员。在附图中,为了清晰,层和区域的尺寸及相对尺寸可会被夸大。
可以理解,当元件或层被称作“在另一个元件或层之上”、“被连接到另一个元件或层”、“与另一个元件或层连接”时,该元件或层可直接在另一个元件或层之上、直接连接到另一个元件或层、与另一个元件或层连接,或者可表示为插入元件或层之间。
图1是示出根据本发明实施例的等离子体显示面板(PDP)的分解透视图,图2是沿图1的线II-II的剖视图。
参照图1和图2,PDP 100可包括上基板111和面向上基板111的下基板131。多个维持电极对121排列在面向下基板131的上基板111的表面上,上介电层112基本上覆盖维持电极对121。如下面所述的MgO保护层113基本上覆盖上介电层112。
每对维持电极121包括公共电极122和扫描电极125,在公共电极122与扫描电极125之间具有放电间隙G。公共电极122包括透明电极123和与透明电极123结合的汇流电极124,扫描电极125包括透明电极126和与透明电极126结合的汇流电极127。
透明电极123和126可由例如氧化铟锡(ITO)等透明材料制成,以使它们可透过从荧光体层136发射的可见光。汇流电极124和127分别与透明电极123和126结合,并对透明电极123和126施加电压。为了改善由低导电性的ITO制成的透明电极123和126的电阻,汇流电极124和127可由高导电性的金属制成。
汇流电极124和127比透明电极123和126窄,并且它们基本上平行于横向障肋134b排列。另外,透明电极123包括彼此分开并在其间具有纵向障肋134a且与汇流电极124结合的多个凸出电极123a。另外,透明电极126包括彼此分开并在其间具有纵向障肋134a且与汇流电极127结合的多个凸出电极126a。凸出电极123a和凸出电极126a在每个放电室135中排列,在凸出电极123a和凸出电极126a之间具有放电间隙G。由于去除了透明电极123和126相应于纵向障肋134a的部分,因此,透明电极123和126的放电区可被减小,从而限制了电流在放电区中的流动并降低了能耗。
寻址电极132在与维持电极对121交叉的方向上排列在面向上基板111的下基板131的表面上。下介电层133基本上覆盖寻址电极132,障肋134形成在下介电层133上。
障肋134将上基板111和下基板131之间的空间划分为多个放电室135以防止相邻放电室135之间的串扰。障肋134包括彼此分开预定间隔或在其间隔开的纵向障肋134a和在与纵向障肋134a交叉的方向上从纵向障肋134a的侧面延伸的横向障肋134b。这里,纵向障肋134a在相邻的寻址电极132之间并平行于相邻的寻址电极132排列。纵向障肋134a和横向障肋134b形成以矩阵划分的放电室135的四个侧面。
荧光体被涂敷到障肋134的侧面和下介电层133的上表面上以形成荧光体层136。荧光体发射红色、绿色或蓝色光来显示彩色图像,从而根据荧光体发射的颜色形成红色、绿色和蓝色荧光体层。
另外,根据荧光体层136发射的颜色,放电室135可分为红色、绿色和蓝色放电室,单元像素包括三个相邻的红色、绿色和蓝色放电室。放电气体可填充在放电室135中。上基板111和下基板131可被结合并通过形成在上基板111和下基板131的边缘上的密封材料(未示出)密封在一起。
PDP 100的操作如下。在相应的放电室135的扫描电极125和寻址电极132之间施加寻址电压来产生寻址放电,从而选择相应的放电室135。接着,在选择的放电室135的公共电极122和扫描电极125之间交替地施加维持电压,从而在公共电极122和扫描电极125之间产生维持放电,维持放电激发放电室中的放电气体。然后,由于放电气体的能级下降,所以发射紫外线。紫外线激发形成在放电室135中的荧光体层136,荧光体层136发射可见光来显示图像。
另外,可形成MgO保护层113以基本覆盖上介电层112。MgO保护层113可防止由于离子溅射导致的上介电层112的损坏并且发射二次电子。当发射了足够量的二次电子时,维持放电可被更容易地执行。从而,可降低施加在公共电极122和扫描电极125之间的维持电压,从而降低了能耗。
MgO保护层113可以包括例如物理汽相沉积法的各种方法形成。物理汽相沉积法可为蒸发法或溅射法。蒸发法利用热来蒸发将被沉积的材料,溅射法利用形成等离子体的气体的动能蒸发将被沉积的材料。在蒸发法中,电阻加热、电子束和电弧可用作蒸发源。离子电镀法结合了蒸发法和溅射法。离子电镀法利用蒸发法的蒸发源,同时采用了溅射法中使用的等离子体,电离蒸发原子,必要的,也电离反应气体,以增加动能和反应率。另外,离子电镀法可通过蒸发提供快的沉积速度并通过溅射提供致密的薄膜结构和化合物形成能力。
根据物理汽相沉积法,通过足够的高温加热升华和分散的MgO粒子被冷却下来并在上介电层112的下表面上结晶,MgO晶体生长以形成MgO层113。通过上面的工艺沉积在上介电层112的下表面上的MgO层113可具有预定的密度,由于MgO层113的密度增加,所以可提高耐溅射性,从而可提高PDP 100的寿命。
MgO层113的密度受MgO层中的氧组份和镁组份的比即O/Mg值的影响。MgO层中氧组份与镁组份的比是单位体积中氧的数量与镁的数量的比。根据本发明的实施例,氧组份大于镁组份。例如,为了增加MgO层113的密度,设置O/Mg值大于1。
为了获得提供足够耐溅射性的密度,O/Mg值可被设置在最佳范围内。在MgO层113中氧和镁的最佳范围可通过参考图3中示出的试验数据来设置。
图3是根据O/Mg组份比的MgO层的折射率的曲线图。这里,折射率表示MgO层的密度,MgO层的O/Mg组份比是假设在MgO单晶中O/Mg组份比为1的相对值。
参照图3,当氧组份超过镁组份时,即,当O/Mg组份比的值增加时,MgO层的折射率逐渐增加,当O/Mg值约为1.172时,折射率约为1.6328,即最大值。然后,当O/Mg值进一步增加时,折射率逐渐减小。
折射率增加意味着MgO层113的密度增加。因此,当O/Mg值约为1.172时,MgO层113的密度为最大值。因此,O/Mg组份比的范围可设置为大于和小于MgO层113的密度为其最大值处的O/Mg值。
在本实施例中,氧组份与镁组份的比可在大约1.100到大约1.200的范围内,更理想地,在大约1.150到大约1.170的范围内。在后面的情况下,折射率大约是1.6200或者更大,这种折射率可提供足够致密的MgO层113。
如上所述,根据本发明的实施例,MgO层中的氧组份超过镁组份,以使MgO层可具有足够的密度,从而提高了MgO层的耐溅射性并提高了PDP的寿命。
通过参照作为PDP的示例性结构的三电极表面放电PDP,示出和描述了本发明的实施例。然而,本发明的实施例可应用于任何PDP结构或者任何可利用MgO保护层的显示面板。
本领域的技术人员应该清楚,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可对本发明作各种修改和变形。因此,只要修改和变形落入权利要求及其等同物的范围内,本申请意图覆盖本发明的这些修改和变形。
本申请要求2004年8月20提交的韩国专利申请第10-2004-0065886号的优先权和权益,该申请通过各种目的的引用已被包含于此,如同被完整地在此提出一样。
权利要求
1.一种等离子体显示面板,包括上基板;下基板,面向所述上基板;多个放电室,在所述上基板和所述下基板之间;氧化镁层,对应于所述放电室形成,其中,在所述氧化镁层中,氧组份超过镁组份。
2.如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,在所述氧化镁层中,所述氧组份与所述镁组份的比在大约1.100到大约1.200的范围内。
3.如权利要求2所述的等离子体显示面板,其中,在所述氧化镁层中,所述氧组份与所述镁组份的比在大约1.150到大约1.170的范围内。
4.如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,所述氧化镁层利用物理汽相沉积法形成。
5.如权利要求4所述的等离子体显示面板,其中,所述物理汽相沉积法包括离子电镀法。
6.一种等离子体显示面板,包括上基板;多对维持电极,排列在所述上基板的下表面上;上介电层,基本上覆盖所述成对维持电极;下基板,面向所述上基板;寻址电极,在与所述成对维持电极交叉的方向上排列在所述下基板的上表面上;下介电层,基本上覆盖所述寻址电极;障肋,排列在所述上基板和所述下基板之间,并限定放电室,每个放电室包括一对维持电极和寻址电极;荧光体层,形成在所述放电室中;放电气体,在所述放电室中;氧化镁层,形成在所述上介电层的下表面上,其中,在所述氧化镁层中氧组份超过镁组份。
7.如权利要求6所述的等离子体显示面板,其中,所述氧化镁层中所述氧组份与所述镁组份的比在大约1.100到大约1.200的范围内。
8.如权利要求7所述的等离子体显示面板,其中,所述氧组份与所述镁组份的比在大约1.150到大约1.170的范围内。
9.如权利要求6所述的等离子体显示面板,其中,所述氧化镁层利用物理汽相沉积法形成。
10.如权利要求9所述的等离子体显示面板,其中,所述物理汽相沉积法包括离子电镀法。
11.一种用于包括多个放电室的显示面板的保护层,包括镁;氧,其中,所述氧组份超过所述镁组份。
12.如权利要求11所述的保护层,其中,所述氧组份与所述镁组份的比在大约1.100到大约1.200的范围内。
13.如权利要求12所述的保护层,其中,所述氧组份与所述镁组份的比在大约1.150到大约1.170的范围内。
14.如权利要求12所述的保护层,其中,所述保护层利用物理汽相沉积法形成。
15.如权利要求14所述的保护层,其中,所述物理汽相沉积法包括离子电镀法。
16.一种等离子体显示面板,包括如权利要求11所述的保护层,其中,所述保护层形成在所述放电室中。
17.如权利要求16所述的等离子体显示面板,还包括介电层,基本上覆盖产生导致光从所述等离子体显示面板发射的维持放电的放电电极,其中,所述保护层形成在覆盖所述放电电极的所述介电层的至少一部分。
全文摘要
本发明公开了一种等离子体显示面板,包括上基板;下基板,面向上基板;多个放电室,在上基板和下基板之间;氧化镁层,对应于放电室形成。在氧化镁层中,氧组份超过镁组份。
文档编号H01J11/12GK1737983SQ20051009318
公开日2006年2月22日 申请日期2005年8月19日 优先权日2004年8月20日
发明者金基东 申请人:三星Sdi株式会社
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