等离子体显示面板的制作方法

专利名称：等离子体显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子体显示面板，且具体而言，本发明涉及一种通过优化保护层中晶体的生长方向而具有更长预期寿命和得到增强的放电的等离子体显示面板。
背景技术：
通过气体放电而显示图像的等离子体显示面板(PDPs)可被很容易地生产出来并且产生高质量的显示特性，例如包括显示容量、亮度、对比度、残留图像和视角。在等离子体显示面板中，将直流电流或交流电流施加到电极上以便在充有放电气体的放电室内产生放电，从而发射出紫外线。该发射出的紫外线激发荧光材料发射可见射线，从而形成图像。
PDP对于消费者进行购买而言是昂贵的，并且必须被经常保持稳定以便延长使用寿命，这是由于PDP主要用于家庭TV接收器或作为工业应用的显示设备。然而，由于PDP是通过在单元像素的放电室内进行连续和频繁放电而形成图像，因此要对位于放电室内的PDP部件进行保护使其不与因放电而加速的带电粒子相碰撞。在放电室内部形成保护层可以提供这种保护。
然而，随着时间的推移，即使是保护层也会由于加速带电粒子的反复碰撞而受到破坏。对于保护层的破坏程度决定了PDP的预期寿命。因此，为了增加PDP的预期寿命，保护层可以包括具有较高的溅射抗力(sputtering resistance)的晶体结构。较高的溅射抗力表示该晶体结构能够承受住加速带电粒子的反复碰撞。
因而，该保护层保护PDP中的部件，并且还通过响应与加速带电粒子的碰撞而发射二次电子以补充放电。因为这些功能改进了PDP的放电特性，所以在PDP中希望有一种能够经受带电粒子的碰撞并且能够发射二次电子以补充放电的保护层。

发明内容
本发明提供了一种等离子体显示面板(PDP)，其中对保护层的生长方向进行优化以改进溅射抗力，从而增加PDP的预期寿命。
本发明的其它特征将会在以下的说明中给出，并且部分根据该说明是清楚的，或者可以通过本发明的实践而得出。
本发明公开了一种等离子体显示面板，所述等离子体显示面板包括相互面对的透明前基板和后基板、限定出放电室并且被插置在透明前基板和后基板之间的隔壁、插置在透明前基板和后基板之间并且对应于该放电室的第一电极和第二电极、覆盖该第一电极和第二电极并且包括具有插置在第一电极和第二电极之间的第一斜面的沟槽的介电层、覆盖该介电层的保护层、设置在放电室内的荧光层、和设置在放电室内的放电气体。此外，对应于该沟槽的第一斜面的该保护层的晶体的(1，1，1)生长方向大体上垂直于该沟槽的第一斜面。
本发明还公开了一种等离子体显示面板，所述等离子体显示面板包括相互面对的透明前基板和后基板、限定出放电室并且被插置在透明前基板和后基板之间的隔壁、沿第一方向延伸的X电极和布置成基本平行于X电极的Y电极，所述X电极和Y电极被固定到透明前基板上、覆盖该X电极和Y电极并且包括具有插置在X电极和Y电极之间的第一斜面的沟槽的第一介电层、覆盖该第一介电层的保护层、设置在放电室内的荧光层、和设置在放电室内的放电气体。此外，对应于该沟槽的第一斜面的该保护层的晶体的(1，1，1)生长方向大体上垂直于该沟槽的第一斜面。
本发明还公开了一种等离子体显示面板，所述等离子体显示面板包括相互面对的透明前基板和后基板、限定出放电室并且被插置在透明前基板和后基板之间的隔壁、沿第一方向延伸的X电极和布置成基本平行于X电极的Y电极，所述X电极和Y电极被固定到后基板上、覆盖该X电极和Y电极并且包括具有插置在X电极和Y电极之间的第一斜面的沟槽的第一介电层、覆盖该第一介电层的保护层、设置在放电室内的荧光层、和设置在放电室内的放电气体。此外，对应于该沟槽的第一斜面的该保护层的晶体的(1，1，1)生长方向大体上垂直于该沟槽的第一斜面。
应该理解，前面的概括说明和以下的详细说明都是示例性和解释性的，旨在用于提供对本发明所要求权利的进一步解释。


被包括用于提供对于本发明的进一步理解，被结合并且构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1示出了根据本发明的一个典型实施例的等离子体显示面板(PDP)的分解透视图。
图2示出了根据本发明的一个典型实施例的PDP中的保护层的晶体的(1，1，1)生长方向的示意图。
图3示出了沿图1中线III-III截取的剖面图。
图4示出了根据本发明的第二典型实施例的PDP。
图5示出了沿图4中线V-V截取的剖面图。
具体实施例方式
下面，将结合附图对本发明进行更加全面地描述，在附图中示出了本发明的典型实施例。然而，本发明可以具体化体现为多种不同的形式，并且不应被解释为限于这里列出的实施例。而是，提供这些实施例以使本发明公开的内容更加彻底和完全，并且向本领域技术人员全面传达本发明的范围。在这些附图中，为了清楚地进行说明，夸大了所述层和区域的尺寸和相对大小。相似的附图标记始终表示相似的元件。
应该理解，当一个元件例如一个层、薄膜、区域或基板被称作“在”另一元件“之上”时，该元件可以直接位于其它元件之上或者也可以存在插入元件。相反，当一个元件被称作“直接在”另一元件“之上”时，则不存在插入元件。
现在将参照图1、图2和图3详细说明根据本发明的一个典型实施例的等离子体显示面板(PDP)。
参照图1和图2，PDP 100包括前面板110和后面板120。前面板110包括由透明钠玻璃或类似材料形成的前基板111。后面板120包括与前基板111相对的后基板121。与前基板111相似，后基板121可以由透明玻璃或类似材料形成。然而，后基板121也可以由不透明材料形成，例如金属或塑料，这是因为后基板121被设置在荧光层125中产生的可见射线的光路之外，这将在下面进行说明。
前面板110包括固定到前基板111上的多对电极114。每对电极114包括X电极113和Y电极112。电极114被固定到前基板111的后表面111a上。因此，当具有特定功能的层例如近红外线屏蔽层或电磁波屏蔽层也被设置在前基板111的后表面111a上时，电极114可以被形成在该具有特定功能的层上，从而使得电极114可以与该前基板111的任何物理移动同步移动。
虽然在本典型实施例中，PDP 100的电极114被固定到前基板111上，但是它们也可以被设置在PDP的其它位置处。例如，在一些情况下，可以将电极114设置在PDP内的隔壁内，或者可以根据本发明的第二典型实施例而固定到PDP 200的后基板121上，这将在后面进行说明。
由于Y电极112和X电极113分别被固定到前基板111上并且在荧光层125中产生的可见射线的光路中，因此Y电极112可包括透明电极112b并且X电极113可包括透明电极113b，其中透明电极112b和113b由ITO或类似材料形成以传输该可见射线。
在大尺寸PDP中，因为透明电极112b和113b可以具有高电阻而过度阻止了电流的流动，所以可能会发生不均匀放电。因而，X电极113可包括汇流电极113a而Y电极112可包括汇流电极112a，其中该汇流电极113a和112a由高导电性金属形成。
X电极113和Y电极112可以互相平行进行延伸。
前面板110包括第一介电层115，所述第一介电层115覆盖电极114且包括具有插置在X电极113和相应的Y电极112之间的斜面115a的多个沟槽117。第一介电层115还包括平面115c，所述平面115c可与前基板111平行并且与斜面115a隔开而位于沟槽117外部。第一介电层115阻止加速带电粒子与电极114之间发生直接碰撞。此外，当通过电介质极化产生带电粒子时，第一介电层115积累壁电荷，这发生在X电极113和Y电极112之间形成电位差时。
此外，因为当在X电极113和Y电极112之间形成电位差时所产生的电场集中在沟槽117中，所以沟槽117可以促进放电。
另外，沟槽117可以通过去除第一介电层115的不必要部分而将一部分前基板111暴露于放电室126中。一般地，随着介电层厚度的增加，通过位移电流产生的无效电功率会增加，从而增加了PDP的功率消耗。
沟槽117可以具有与斜面115a相联接的凹面115b。下面将结合PDP100的操作说明对沟槽117进行更详细的描述。
前面板110包括覆盖第一介电层115的保护层116，所述保护层用以保护电极114和第一介电层115不被加速粒子碰撞，特别是由于维持放电而导致的加速粒子碰撞。另外，保护层116可以发射出二次电子以补充放电室126中的放电。
保护层116可通过使用真空设备例如电子束蒸发器、溅射方法或类似方法由具有大约0.7μm厚度的MgO形成。
虽然保护层116覆盖第一介电层115，但是保护层116的性质会根据保护层116的晶体结构而发生变化。特别地，保护层116的晶体生长方向与可以获得的溅射抗力和从保护层116中发射出的二次电子的数量直接相关。因此，PDP的预期寿命和放电特性高度依赖于保护层116的晶体生长方向。
特别地，当使用x轴、y轴和z轴的空间坐标系来描述保护层116中的晶体116b时，晶体116b的(1，1，1)生长方向119决定了溅射抗力和由保护层116提供的发射二次电子的数量。
下面将结合PDP 100的操作说明详细描述根据本发明的一个典型实施例的PDP 100的保护层116的生长方向119。
后面板120包括多个隔壁130，所述多个隔壁130可包括沿第一方向延伸的水平隔壁130a和基本上垂直于该第一方向延伸的垂直隔壁130b，从而限定出发生放电的放电室126。放电室126可以被分割成矩阵，并且被插置到前基板111和后基板121之间。
由隔壁130限定出的放电室126可具有其它形状，包括但不限于带状、或多边形包括八边形或五边形或圆形。
后面板120包括寻址电极122，所述寻址电极122沿与X电极113和Y电极112正交的方向进行延伸并且设置成与X电极113和Y电极112相交叉。寻址电极122可被固定到后基板121上。在寻址电极122与X电极113和Y电极112相交叉的区域形成放电室126。
因为寻址电极122被设置在荧光层125中产生的可见射线的光路外部，所以寻址电极122可以由具有良好的导电性并且相对廉价的不透明材料例如Cu、Ag或Cr形成。
后面板120可包括覆盖寻址电极122的第二介电层123。第二介电层123保护寻址电极122不被加速带电粒子直接碰撞，并且积累带电粒子作为壁电荷。
然而，当荧光层125在放电室126内的后基板121上形成以覆盖寻址电极122时，荧光层125可起到介电层的作用，其中所述荧光层125将在下文中进行说明。因此，在根据本发明的一个典型实施例的PDP 100中，第二介电层123不是必要的元件。
后面板120包括形成在后基板121上并设置在放电室126中的荧光层125，所述放电室126通过隔壁130限定出。
荧光层125可以被设置成使得PDP 100中的放电室126被划分成红光发射室、绿光发射室和蓝光发射室以形成彩色图像。当包含第二介电层123时，可以通过将荧光剂设置在第二介电层123的前表面的至少一部分和放电室126的隔壁130上并且干燥和烧去该掺了荧光剂的产物，而形成荧光层125。
所述荧光剂可以通过混合红色发射荧光物质、绿色发射荧光物质或蓝色发射荧光物质以及溶剂和粘合剂来制备。该红色发射荧光物质可以是(Y，Gd)BO3:Eu3+或类似材料；绿色发射荧光物质可以是Zn2SiO4:Mn2+或类似材料；蓝色发射荧光物质可以是BaMgA110O17:Eu2+或类似材料。
放电室126中可充有在低于大气压例如0.5atm或更低的气压下的放电气体。由此前面板110与后面板120之间的真空得到隔壁130的支持。该放电气体可包括大约10％的Xe以及Ne、He和Ar中的至少一种。
在下文中，将参照图3对根据本发明的一个典型实施例的PDP 100的操作和保护层116中晶体116b的(1，1，1)生长方向119进行详细描述。
根据本发明的一个典型实施例的PDP 100可以采用寻址-显示分离(ADS)工作方法、交替发光表面(ALIS)工作方法或类似工作方法进行工作。所使用的工作方法决定了PDP的许多性质，例如PDP 100的质量或响应速度。然而，由于这些工作方法并不改变本发明的操作，所以将结合ADS工作方法来说明根据本发明的一个典型实施例的PDP的操作。
一般地，为了形成图像，在PDP 100的放电室126中发生放电。放电的结果是，放电室126具有不同状态的壁电荷并且积累了不同数量的带电粒子。为了克服控制由于放电室126中的不同状态而导致的放电的困难，对所有放电室126施加大于放电电压的电压以在放电室126中同时产生放电。结果是，放电室126壁电荷被去除。并且，所有的放电室126变为均匀带电，放电室中的带电粒子获得均匀的状态。该过程就是已公知的重置放电。该重置放电通常是通过对电极对114中的一个供给高电位而对寻址电极122供给接地电位以便对所有放电室126产生重置放电来实现。
在进行重置放电后，在被选择用于发射光的放电室126中发生寻址放电。通过向电极对114中的一个电极供给脉冲电压和向所选择的寻址电极122供给脉冲电压来选择放电室126，它们在该选定的放电室126中互相交叉。通过外部电源将脉冲电压施加到所选择的寻址电极122和所选择的电极114上以选择放电室126。当在该选择的电极114和寻址电极122之间的电位差超过放电电压时，在该选择的放电室126中产生寻址放电。由于该寻址放电，带电粒子在该放电室126的内表面上积累作为壁电荷以激励维持放电。
虽然可以通过指定Y电极112和寻址电极122或通过指定X电极113和寻址电极122来发生寻址放电，但是寻址放电一般是在Y电极112和寻址电极122之间发生。
在寻址放电发生后，发生维持放电，从而从该放电室126中发射光以在PDP 100上形成图像。通过交替和反复施加跨越电极对114的电位差以通过从寻址放电所选择的放电室126中发射预定颜色的可见光，并且在PDP 100上形成图像，从而在放电室126中产生维持放电。因为设置在前面板110上的每对电极114都被交替和反复地施加低于维持放电点火电压的电位差，所以仅由被寻址放电选择的放电室126进行维持放电。这是因为壁电荷仅仅在经受寻址放电的放电室126中积累。然后，为了产生维持放电，该壁电荷的电位加上在电极对114之间形成的电位差超过了该维持放电点火电压。因而，维持放电仅在首先发生寻址放电的放电室126中发生。由此放电室126中的维持放电产生紫外线，该紫外线激发放电室126中的荧光层125以发射出可见光射线。结果是，能够在PDP 100上显示出图像。
例如，在放电室126中，作为寻址放电的结果，正的壁电荷可以积累到Y电极112上，而负的壁电荷可以积累到X电极113上。然后，可以对Y电极112施加正电压脉冲而对X电极113施加接地电压脉冲。因而，在覆盖X电极113和Y电极112的第一介电层115中形成电场。该电场加速壁电荷。
当向X电极113和Y电极112施加所述电压脉冲时，在第一介电层115中沿着X电极113和Y电极112的表面形成等势面(E1)。在图3所示的本典型实施例中，由于第一介电层115具有在X电极113和Y电极112之间形成的沟槽117，所以基本上垂直于E1而形成的电场集中在沟槽117中。
此外，虽然电极对114大体上并不相互面对，然而也可以获得与电极对114大体上相互面对(“相对放电”)时的维持放电类似的维持放电。通过如上所述跨越电极对114的电位差而在第一介电层115和沟槽117中形成的电场可以很容易地使带电粒子加速。
因此，当在X电极113和Y电极112之间施加电位差时，壁电荷加速并且碰撞到在第一介电层115和保护层116中形成的沟槽117中。因此，保护层116上对应于沟槽117的部分可能会因被带电粒子频繁碰撞而受到破坏。
特别地，由于产生与相对放电类似的维持放电，因此加速带电粒子非常可能会碰撞保护层116上与沟槽117的斜面115a相对应的部分。由此，保护层116上与沟槽117的斜面115a相对应的部分可能会因被带电粒子频繁碰撞而受到破坏。为了防止发生破坏和PDP 100的预期寿命的减少，与斜面115a相对应的保护层116可具有足以经受带电粒子的频繁碰撞的溅射抗力。
溅射抗力与保护层116的晶体116b的密度密切相关。例如，随着该晶体的密度增加，保护层的溅射抗力也增加。当保护层116的(1，1，1)生长方向119基本垂直于斜面115a时，保护层116的密度可能会显著增加，并且保护层116的溅射抗力也可能会增加。
此外，如上所述，保护层116上与沟槽117的斜面115a相对应的部分会与加速带电粒子碰撞。因而，当保护层116上与沟槽117的斜面115a相对应的部分被设置成通过与带电粒子碰撞而发射二次电子时，可以放出更多的带电粒子。结果是，放电强度增加并且PDP 100的放电特性可得到改进。
当与斜面115a相对应的保护层116的晶体116b的(1，1，1)生长方向119大体上垂直于斜面115a时，该电场高度集中在保护层116的晶体116b上。此外，当带电粒子与保护层116碰撞时，会发射出更多的二次电子。因此，当设置在斜面115a上的保护层116的(1，1，1)晶体生长方向119大体上垂直于斜面115a时，PDP 100会具有更佳的放电特性。
通过使用电子束蒸发器、溅射或类似工艺控制沉积工艺的参数，可以将保护层116的晶体的(1，1，1)生长方向119设置为基本垂直于斜面115a。所述参数可包括作为热能条件的沉积温度、作为动能条件的沉积速度、氧气分压和其它类似参数。
此外，设置在斜面115a上的保护层116的晶体116b可以很小。通过控制沉积工艺中的表面状态，可以将保护层116的晶体生长方向设置为基本垂直于斜面115a。
如上所述，设置在斜面115a上的保护层116的晶体116b的(1，1，1)生长方向可以被设置为基本垂直于斜面115a。而且，当在沟槽117中形成连接斜面115a的凹面115b时，与该凹面115b相对应的保护层116的晶体116b的(1，1，1)生长方向119可以被设置为基本垂直于该凹面115b。
此外，与沟槽117外部的第一介电层115上限定作为平面115c的区域相对应的保护层116的晶体116b的(1，1，1)生长方向119，可以基本垂直于该第一介电层115的平面115c。
由于如上所述，在沟槽117中产生与相对放电类似的维持放电，所以保护层116上与沟槽117的斜面115a相对应的部分会与加速带电粒子反复碰撞，并且因而很快被破坏。因此，即使还剩下保护层116上与沟槽117的凹面115b相对应的部分或者保护层116上与平面115c相对应的部分，然而在PDP 100的延长使用中，保护层116上与斜面115a相对应的部分的劣化也会导致第一介电层115和电极对114的破坏，从而导致PDP 100出现故障。因此，PDP的预期寿命可以由对保护层116上与斜面115a相对应的部分所受的破坏而决定。
因此，当保护层116上与斜面115a相对应的部分比保护层116上与平面115c和第一介电层115的凹面115b相对应的部分更厚时，根据本发明的典型实施例的PDP 100的预期寿命可增加。
在下文中，将参照图4和图5对根据本发明的第二典型实施例的PDP200进行说明，并且与根据前一典型实施例的PDP 100进行比较。
根据本发明的第二典型实施例的PDP 200与根据前一典型实施例的PDP 100的区别在于，后面板220包括多个电极对214。每对电极214包括固定到后基板121上的X电极213和Y电极212，前面板210包括固定到前基板111上的多个寻址电极222。
在该第二典型实施例中，寻址电极222被设置在从荧光层225中发射出的可见射线的光路中。因此，寻址电极222可以由透明材料例如ITO或类似材料形成。
此外，电极对214可以由不透明材料形成，这是因为它们被设置在从荧光层225中发射出的可见射线的光路之外。因此，电极214可以由具有良好导电性的金属形成，例如Ag、Cu、Cr或类似材料。
在该第二典型实施例中，后面板220包括覆盖电极214并且具有多个沟槽217的第一介电层215，其中所述沟槽217被插置在电极对214的X电极213和Y电极212之间。与第一典型实施例相似，沟槽217可包括斜面215a、与斜面215a联接的凹面215b、和平面215c。
在本发明的第二典型实施例中，由于被固定到后基板121上的电极对214而在放电室226中发生维持放电。保护层216上与沟槽217的斜面215a相对应的部分有可能与加速带电粒子碰撞。因此，与沟槽217的斜面215a相对应的保护层216的晶体的(1，1，1)生长方向119可以基本垂直于该斜面215a。
此外，当沟槽217进一步具有凹面215b时，与凹面215b相对应的保护层216的晶体的(1，1，1)生长方向119可以基本垂直于该凹面215b。
与沟槽117外部的第一介电层215上限定作为平面215c的区域相对应的保护层216的晶体的(1，1，1)生长方向119，可以基本垂直于该第一介电层215的平面215c。
如在本发明的第二典型实施例中所述，本发明的范围并不限于电极的布置。本发明可包括其中覆盖电极的介电层具有沟槽并且被保护层所覆盖的任何结构。
例如，本发明包括一种结构，其中Y电极在与X电极的方向正交的方向上进行延伸，并且该Y电极和X电极在围绕放电室的隔壁上形成。在该实施例中，介电层在放电室的隔壁上形成，并且具有在X电极和Y电极之间形成的沟槽。保护层覆盖该介电层，并且保护层上与沟槽的斜面相对应的晶体的(1，1，1)生长方向可以基本垂直于该沟槽的斜面。
本发明具有的技术优势如下面所述。
首先，通过优化保护层的与带电粒子发生频繁碰撞的部分的生长方向以增加溅射抗力，并且由此可以增加PDP的预期寿命。
第二，通过优化保护层的与带电粒子发生频繁碰撞的部分的生长方向以增加所发射二次电子的数量，由此增加PDP的放电量和改进PDP的放电特性。
本领域的技术人员清楚，不偏离本发明的精神或范围的情况下可对本发明作出各种修改和改变。因此，本发明旨在覆盖本发明的这些修改和改变，只要它们均落入所附技术方案及其等效方式的范围内。
权利要求
1.一种等离子体显示面板，包括相互面对的透明前基板和后基板；限定出放电室并且被插置在透明前基板和后基板之间的隔壁；插置在透明前基板和后基板之间并且对应于该放电室的第一电极和第二电极；覆盖该第一电极和第二电极并且包括具有插置在第一电极和第二电极之间的第一斜面的沟槽的介电层；覆盖该介电层的保护层；设置在放电室内的荧光层；和设置在放电室内的放电气体，其中对应于该沟槽的第一斜面的该保护层的晶体的(1，1，1)生长方向大体上垂直于该沟槽的第一斜面。
2.如权利要求1所述的等离子体显示面板，进一步包括沿第一方向进行延伸的寻址电极，其中该第一电极是X电极，第二电极是Y电极，并且该X电极和Y电极在与第一方向正交的第二方向上基本上相互平行地延伸。
3.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中该沟槽在该X电极和Y电极之间形成。
4.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中覆盖该介电层的非沟槽部分的保护层的晶体的(1，1，1)生长方向基本垂直于该介电层的非沟槽部分的表面。
5.如权利要求1所述的等离子体显示面板，进一步包括该沟槽的第二斜面；和联接在该第一斜面和第二斜面之间的凹面。
6.一种等离子体显示面板，包括相互面对的透明前基板和后基板；限定出放电室并且被插置在透明前基板和后基板之间的隔壁；被固定到透明前基板上的X电极和Y电极；覆盖该X电极和Y电极并且包括具有插置在X电极和Y电极之间的第一斜面的沟槽的第一介电层；覆盖该第一介电层的保护层；设置在放电室内的荧光层；和设置在放电室内的放电气体，其中对应于该沟槽的第一斜面的该保护层的晶体的(1，1，1)生长方向大体上垂直于该沟槽的第一斜面。
7.如权利要求6所述的等离子体显示面板，进一步包括固定到该后基板上并且沿第一方向延伸的寻址电极，其中该X电极和Y电极在基本正交于该第一方向的第二方向上相互平行地延伸。
8.如权利要求7所述的等离子体显示面板，进一步包括覆盖该寻址电极的第二介电层。
9.如权利要求6所述的等离子体显示面板，进一步包括该沟槽的第二斜面；和联接在该第一斜面和第二斜面之间的凹面。
10.如权利要求6所述的等离子体显示面板，其中覆盖该第一介电层的非沟槽部分的该保护层的晶体的(1，1，1)生长方向基本垂直于该第一介电层的非沟槽部分的表面。
11.如权利要求9所述的等离子体显示面板，其中该保护层上对应于该第一斜面或第二斜面的部分比该保护层上对应于该凹面的部分厚。
12.一种等离子体显示面板，包括相互面对的透明前基板和后基板；限定出放电室并且被插置在透明前基板和后基板之间的隔壁；被固定到后基板上的X电极和Y电极；覆盖该X电极和Y电极并且包括具有插置在X电极和Y电极之间的第一斜面的沟槽的第一介电层；覆盖该第一介电层的保护层；设置在放电室内的荧光层；和设置在放电室内的放电气体，其中对应于该沟槽的第一斜面的该保护层的晶体的(1，1，1)生长方向大体上垂直于该沟槽的第一斜面。
13.如权利要求12所述的等离子体显示面板，进一步包括固定到该前基板上并且沿第一方向延伸的寻址电极，其中该X电极和Y电极在基本正交于该第一方向的第二方向上相互平行地延伸。
14.如权利要求13所述的等离子体显示面板，其中该寻址电极是透明电极。
15.如权利要求13所述的等离子体显示面板，进一步包括覆盖该寻址电极的第二介电层。
16.如权利要求12所述的等离子体显示面板，进一步包括该沟槽的第二斜面；和联接在该第一斜面和第二斜面之间的凹面。
17.如权利要求16所述的等离子体显示面板，其中设置在该凹面上的该保护层的晶体的(1，1，1)生长方向基本垂直于该凹面。
18.如权利要求12所述的等离子体显示面板，其中覆盖该第一介电层的非沟槽部分的该保护层的晶体的(1，1，1)生长方向基本垂直于该第一介电层的非沟槽部分的表面。
19.如权利要求16所述的等离子体显示面板，其中该保护层上对应于该第一斜面或第二斜面的部分比该保护层上对应于该凹面的部分厚。
全文摘要
一种等离子体显示面板，所述等离子体显示面板包括覆盖X和Y电极并且具有插置在X和Y电极之间的沟槽的介电层。设置在该集中放电的沟槽上的保护层的晶体的生长方向被优化以增加该等离子体显示面板的预期寿命和增加放电量。该等离子体显示面板包括相互面对的前基板和后基板、插置在该前基板和后基板之间的放电室、互相平行延伸的X和Y电极、和覆盖该X和Y电极并且包括具有插置在该电极之间的斜面的沟槽的介电层。与该沟槽的斜面相对应的晶体的(1，1，1)生长方向垂直于该沟槽的斜面。
文档编号H01J11/26GK1838365SQ200610059528
公开日2006年9月27日 申请日期2006年3月10日 优先权日2005年3月23日
发明者金世宗 申请人:三星Sdi株式会社