等离子体显示面板的制作方法

专利名称：等离子体显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及等离子体显示面板的配置，更具体而言，涉及可以降低地
址放电电压并且可以防止电压的分散(dispersion)的等离子体显示面板的 配置。
背景技术：
表面放电型AC等离子体显示器(下文称之为PDP) —般通过在彼此 面对的两块玻璃基板之间密封放电气体来形成放电空间。这两块玻璃基板 中的一块玻璃基板一侧(下文称之为前基板)和在行方向上延伸的多个行 电极对被并行形成在列方向上，并且这多个行电极对被介电层所覆盖。
在两块玻璃基板中的另一块玻璃基板一侧(下文称之为后基板)」二， 在列方向上延伸的多个列电极被并行形成在行方向上。并且在面对行电极 对和列电极相交叉的放电空间中的部分的区域中，形成有具有红、绿和蓝 荧光层的放电单元(discharge cell)，并且这些放电单元以矩阵形式被布 置在面板表面上。
对于密封在两块玻璃基板之间的放电气体，例如使用包含容积比 (volumeratio)为1到10%的氤气的放电气体。
在具有该结构的PDP中，在形成行电极对的一对行电极中的一个行电 极和列电极之间有选择地生成地址放电，并且选择发射单元(在相对部分 的介电层中形成有壁电荷的放电单元)或非发射单元(擦除了相对部分的 介电层中的壁电荷的放电单元)。这样，发射单元和非发射单元被分布在 与视频信号的图像数据相对应的面板表面上。
当维持脉冲(sustain pulse)被交替应用到构成每个行电极对的行电极 时，在发射单元中生成维持放电，并且通过该维持放电，从放电空间中的 放电气体中的氙气生成真空紫外线。利用生成的真空紫外线，每个发射单
元中的红、绿和蓝荧光层被激励，并且生成可见光，作为结果，与基于矩 阵显示的图像数据相对应的图像被形成在面板表面上。
在具有以上配置的PDP中，传统上，行电极的尺寸被以如下方式设置。
图1示出传统PDP的行电极对中具有一个放电单元C的部分的平面配
置，在图1中，构成行电极对(X, Y)的行电极X和Y包括带型透明电极 Xa和Ya和带型总线电极Xb和Yb，其中所述电极Xa和Ya彼此平行地在 行方向上延伸并且在列方向上经由放电间隙g而彼此面对，所述电极Xb 和Yb电连接到透明电极Xa和Ya并且分别在行方向上延伸。 在图1中，D是列电极。
该传统PDP的每个行电极X和Y的宽度W —般被设置为400到 1000/mi的值(例如参见日本专利申请早期公开No.H8-22772)。
并且在该传统PDP中，行电极在列方向上的宽度是出于以下原因按上 述方式设置的。
换言之，在PDP中，荧光层被作为真空紫外线的主要组分并且波长为 147nm的共振线所激励，并且生成可见光，其中所述真空紫外线是通过维 持放电从放电气体中的氙气生成的，并且在通过放电气体向荧光层传播的 过程中，共振线与放电气体中的氙气原子相碰撞，并且由于随氙气原子重 复的吸收和辐射而衰减。
因此，在密封有氙气的分压很低(例如氙气的容积比为1到10%)的 放电气体的PDP的情况下，在维持放电期间到达荧光层的共振线的量减 小，并且可能无法获得所需的亮度。
因此，在传统PDP中，每个行电极X和Y在列方向上的宽度w被设 置得较宽(如图l所示)，以使得在放电单元C中的较宽区域中生成维持 放电，并且通过维持放电生成的真空紫外线的量(即共振线的量)增大， 从而到达荧光层的共振线的量变得大于预定值，并且保证了大于预定值的 亮度。
但是，在传统PDP的配置中，创建高亮度屏幕所需的高发射效率无法 实现。
为了解决这个问题，本发明的发明人在考虑了各种思路和实验之后发
现了一种优选模式并且在在先申请(日本专利申请No. 2005-241274)中将 其提出。
该在先申请(下文简称为"在先申请")中公开的模式的特征在于
在经由相应放电间隙而形成的与放电相关的部分上，构成行电极对的一对
行电极在列方向上的相应宽度被设置为150/mi或更小，并且在前玻璃基板 和后玻璃基板之间的放电空间中密封有氙气的分压被设置为6.67 kPa或更 大的放电气体。
但是，本发明的发明人经过进一步检查发现，该在先申请的特征结构 保证了比预定值更大的亮度，但是，地址放电电压被增大，并且地址放电 电压由于面板结构方面的精确度误差而分散。

发明内容
考虑到上述问题，本发明的目的在于提供一种等离子体显示面板，其 可以解决当在使用在先申请中公开的特征结构时由于面板结构中的误差而 导致的地址放电电压的增大和地址放电电压的分散。
用于实现上述目的的根据本发明的等离子体显示面板的第- 方面是这 样一种等离子体显示面板，其包括彼此面对的一对基板，其间具有至少 一个放电空间；在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多个行电极 对，其中每一对分别是由经由放电间隙而彼此面对的所述行电极形成的； 形成在所述基板上并且覆盖所述行电极对的介电层；以及在列方向上延伸 并且在行方向上被形成在所述基板对中的另一基板上的多个列电极，单元 发射区域被形成在所述列电极和行电极对相交叉的每一部分处的放电空间 中，并且包含氙气的放电气体被密封在所述放电空间中，其中所述行电极 对中的至少一个电极在列方向上的宽度被设置为150/mi或更小，所述放电 气体中的氙气的分压被设置为6.67kPa或更大，并且所述行电极对中扫描 脉冲被应用到的那个行电极的宽度比所述对中另一行电极的宽度要大。
在第一方面中，可以这样构造构成所述行电极对中的每个行电极具 有透明电极和金属总线电极，所述透明电极在列方向上具有预定宽度并且
经由放电间隙而面对另一行电极，所述金属总线电极在列方向上具有比所 述透明电极更小的宽度，在行方向上呈带状延伸并且与所述透明电极电连 接。
在第一方面中，可以这样构造在所述基板对之间基本以格子形状形
成有阻挡层(barrier)，所述格子形状的阻挡层是通过所述阻挡层中在行 方向上平行延伸的多个行阻挡层和所述阻挡层中在列方向上平行延伸的多 个列阻挡层形成的，并且放电空间通过所述阻挡层被划分成单独的单元发 射区域，并且所述行电极被布置在面对分别通过所述阻挡层的划分而获得 的所述单元发射区域的位置上。
用于实现上述目的的根据本发明的等离子体显示面板的第二方面是这
样一种等离子体显示面板，其包括彼此面对的一对基板，其间具有至少 一个放电空间；在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多个行电极 对，其中每一对分别是由经由放电间隙而彼此面对的所述行电极形成的； 形成在所述基板上并且覆盖所述行电极对的介电层；以及在列方向上延伸 并且在行方向上被形成在另一基板上的多个列电极，单元发射区域被形成 在所述列电极和行电极对相交叉的每一部分处的放电空间中，并且包含氙 气的放电气体被密封在所述放电空间中，其中所述介电层具有薄膜部分和 厚度比薄膜部分厚的厚膜部分，并且所述介电层的所述薄膜部分是覆盖了 在放电间隙一侧处的尖端部分中在列方向上宽度为150/rni或更小的区域的 介电层，并且形成在所述行电极对中的至少一个行电极上，并且在所述行 电极对的另一行电极上形成有在列方向上的宽度比在列方向上宽度被设为 150mhi或更小的薄膜的宽度要大的薄膜，并且所述放电气体中的氤气的分 压被设置为6.67kPa或更大。
在第二方面中，可以这样构造所述介电层的所述厚膜部分的厚度被 设置为所述介电层的所述薄膜部分的厚度的两倍或更大。
在第二方面中，可以这样构造所述介电层的所述薄膜部分以在行方 向上延伸的带状形成。
在第二方面中，可以这样构造所述介电层的所述薄膜部分针对每个 单元发射区域以岛状形成，并且所述厚膜部分基本以包围这些薄膜部分的
格子形状形成。
而且，在第二方面中，可以这样构造阻挡层通过所述阻挡层的在行 方向上延伸的多个第一壁部分和所述阻挡层的在列方向上延伸的多个第二 壁部分基本以格子形状被形成在所述基板对之间，并且放电空间通过所述 阻挡层被划分成单独的单元发射区域，并且所述行电极被布置在面对分别 通过所述阻挡层的划分而获得的所述单元发射区域的位置上。
用于实现上述目的的根据本发明的等离子体显示面板的第三方面是这 样一种等离子体显示面板，其包括彼此面对的一对基板，其间具有至少 一个放电空间；在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多个行电极 对，其中每一对分别是由经由放电间隙而彼此面对的所述行电极形成的； 形成在一个基板一侧并且覆盖所述行电极对的介电层；以及在列方向上延 伸并且在行方向上被形成在另一基板一侧的多个列电极，单元发射区域被 形成在所述列电极和行电极对相交叉的每一部分处的放电空间中，并且包 含氤气的放电气体被密封在所述放电空间中，其中在覆盖所述行电极对中 的至少一个行电极的介电层上在放电间隙一侧的尖端部分上利用高7材料 形成有二次电子发射层，其在列方向上的宽度为150um或更小，并且在覆 盖所述行电极对中的另一行电极的介电层上利用高7材料形成有另一二次 电子发射层，其在列方向上的宽度比被设置为150um或更小的所述高r材 料在列方向上的宽度要大，并且所述放电气体中的氙气的分压被设置为 6.67kPa或更大。


图1是示出传统PDP的配置的前视图2是示出本发明实施例的第一示例的前视图3是在图2中的V1-V1线处取截面的截面图4A是示出与在先申请的发明之间的比较图，其中行电极XI和Yl 的深度(电极宽度)相同；
图4B是示出本发明可以降低地址放电电压的图5是当测量地址电压对扫描电极宽度的依赖性时的图6是示出PDP中的电极宽度和发射效率之间的关系的图； 图7示出当发射效率对电极宽度的依赖性被测量时的数据； 图8A是示出根据在先申请的配置的图，其中行电极Yl的宽度被设置 为大于行电极X1的宽度；
图8B是示出与图8A中的配置相比较的根据本申请的发明的配置示例 的图9A是示出根据在先申请的另一配置的图，其中行电极Yl的宽度被 设置为大于行电极X1的宽度；
图9B是示出与图9A中的配置相比较的根据本申请的发明的配置示例 的图IO是示出PDP中的放电的一般成长(growth)过程的图；以及 图11是示出PDP的放电单元中的维持放电的成长过程的状态图。
具体实施例方式
现在将参考附图来描述本发明的实施例。实施例被提供用来理解本发 明，但是，它们没有限制本发明的技术范围。
根据本发明第一实施例的PDP具有这样的配置行电极对中的至少
一个电极在列方向上的宽度被设置为150ym或更小，并且扫描脉冲被应 用到的那个行电极的宽度大于行电极对中的另一行电极的宽度，并且在前 玻璃基板和后玻璃基板之间的放电空间中密封有放电气体，该放电气体中 的氙气的分压被设置为6.67kPa或更大。
在在先申请中，图1所示的一对行电极X和Y在列方向上的宽度被 分别设置为150/mi或更小，并且放电气体单元C中的氙气的分压被设覽 为6.67kPa或更大，从而实现了高发射效率。
但是，本发明的发明人发现利用例如在先专利申请所提供的配置，地 址放电电压变得高于现有技术，并且结构的分散会影响电压的分散。
通过为了解决这些问题的进一步试验，本发明的发明人发现这些问题 可以通过以下方式来解决将行电极XI和Yl中扫描脉冲被应用到的至 少一个作为扫描电极的行电极(在此情况下假设为Yl)的电极宽度设置 为大于另一行电极(XI)的电极宽度，如图2所示。
在本发明中， 一对行电极中的至少一个电极在列方向上的宽度被设置
为150/mi或更小。这样一来，在行电极之间在放电空间的单元发射区域 中生成放电的深度变得比传统PDP要窄，并且该放电的成长区域被局限 于靠近放电间隙的狭窄区域，从而与初始成长放电生成区域相重叠。
这样一来，可以以比传统PDP更高的效率从放电气体中的氙气生成 真空紫外线。
由于放电气体中的氙气的分压被设置为6.67 kPa或更大，因此荧光层 主要被从放电气体中的氙气生成的真空紫外线中波长为172nm的分子线 所激励，并且不同于共振线，分子线在传播通过放电气体的过程中几乎不 衰减。
鉴于此，即使在行电极之间生成的放电被局限在放电间隙附近的范围 中，真空紫外线也能够充分地到达荧光层，因此呈现出以比传统PDP更 高效率地生成真空紫外线的特性，并且可以实现高发射效率。
放电特性是由行电极对中较窄的那个行电极在列方向上的宽度来确定 的，因此仅仅通过将行电极对中至少一个电极(在图2的情况下是XI) 在列方向上的宽度设置为150/mi或更小就能够获得这种效果。行电极宽 度在制造方面的下限值优选地是30Mm或更大。
图2和图3示出根据本发明的PDP的实施例，其中图2是示出本实施 例的PDP的一部分的前视图，图3是在图2中的VI-V1线处取截面的截 面图。
如图2和图3所示，在PDP 10中，在行方向(图2中的横向)上延 伸的多个行电极对(XI, Yl)被形成在作为显示表面的前玻璃基板11的 后表面上，其中行电极对中的两个行电极在列方向(图2中的纵向)上平 行地具有预定的相等间隔。
行电极对(Xl， Yl)中的一个行电极XI由在行方向上延伸的透明电 极Xla和在行方向上延伸的总线电极Xlb构成，所述透明电极Xla呈带 状形成在前玻璃基板11的后表面上并且具有透明导电膜(例如ITO)， 所述总线电极Xlb呈带状形成在透明电极Xla的后表面上并且具有金属
膜，所述金属膜在列方向上的宽度比所述透明电极Xla在列方向上宽度要窄。
构成行电极对(XI, Yl)的另一行电极Yl与行电极XI —样，也在 行方向上呈带状形成在前玻璃基板11的后表面上并且具有透明导电膜 (例如ITO)，并且由透明电极Yla和总线电极Ylb构成，所述透明电 极Yla与行电极XI的透明电极Xla平行地延伸并与之相距预定间隔 gl，所述总线电极Ylb在行方向上延伸并呈带状形成在透明电极Yla的 后表面上，并且具有金属膜，所述金属膜在列方向上的宽度比所述透明电 极Yla在列方向上宽度要窄。
本发明的特征在于，行电极对(XI, Yl)中的一个电极Yl在列方向 上的宽度Wyl被设置为大于另一电极XI在列方向上的宽度Wxl。但 是，如上所述，Wxl是150/mi或更小。
行电极XI和Yl沿列方向交替排列在前玻璃基板11上。在行电极对 (Xl， Yl)中，形成一对的行电极XI和Yl的彼此相对的透明电极Xla 和Yla之间的间隔的预定宽度分别构成放电间隙gl 。
在前玻璃基板11的后表面上还形成有介电层12，并且行电极对(XI, Yl)被介电层12所覆盖。
而且，形成有由高7材料(例如氧化镁(MgO))制成的二次电子发 射层(未示出)，以便覆盖整个介电层12。
后玻璃基板13经由放电空间与该前玻璃基板11平行相对。
以带状在列方向上延伸的多个列电极Dl被形成在与前玻璃基板11相 对的后玻璃基板13的表面上，所述多个列电极Dl在行方向上相距相等的 预定间隔。
在后玻璃基板13的表面上还形成有列电极保护层(介电层)14，并 且列电极D1被列电极保护层14所覆盖。
在列电极保护层14上形成有具有以下形状的阻挡层15。 换言之，阻挡层15基本上由多个第一壁部分15A和多个第二壁部分 15B以格子形状形成，所述多个第一壁部分15A分别在行方向上延伸并且 处于面向在列方向上彼此相邻的行电极对(XI, Yl)之间的中央位置的位
置上，所述多个第二壁部分15B在列方向上延伸并且在行方向上并行相距 预定的相等间隔。
以矩阵形式排列在面板表面上的多个放电单元Cl是通过利用阻挡层 15将前玻璃基板ll和后玻璃基板13之间的放电空间基本划分成方形而形 成的。
行电极对(X1,Y1)分别在每个放电单元C1的中央部分彼此相对。 在每个放电单元Cl中形成有荧光层16，以便覆盖五个表面，即阻挡 层15的第一壁部分15A和第二壁部分15B的面向放电单元Cl中的放电 空间的四个侧面以及列电极保护层14的表面，并且荧光层16的颜色被布 置得使得三原色红、绿和蓝针对每个放电单元Cl基本在行方向上顺序排 列。
在放电空间中，密封有包含氙气的放电气体。换言之，与在先申请一 样，密封在放电空间中的放电气体中的氙气的分压被设置为6.67 kPa (50 Torr)或更大。
在该PDP 10中，扫描脉冲被顺序应用到每个行电极对(XI, Y])的 行电极Y1，同时，数据脉冲被有选择地应用到列电极D1。此时，在形成 在扫描脉冲被应用到的行电极Yl和数据脉冲被应用到的列电极Dl相交 叉的区域上的放电单元Cl中，在行电极Yl和列电极Dl之间生成地址放 电。
由地址放电形成的发射单元(在相对部分中的介电层12中形成有壁 电荷的放电单元Cl)和非发射单元(在相对部分中的介电层12中的壁电 荷被擦除的放电单元Cl)与视频信号的图像数据相对应地分布在面板表 面上。
然后，维持脉冲被交替应用到形成每个行电极对(XI, Yl)的行电极 XI和Yl，并且经由发射单元中的放电间隙gl在透明电极Xla和Yla之 间生成维持放电。
并且，在发射单元中，通过维持放电从密封在放电空间中的放电气体 中的流气生成真空紫外线，并且在发射单元中红、绿和蓝的荧光层16被 真空紫外线所激励，并且生成可见光，作为结果，在面板表面上生成基于
矩阵显示的图像。
图4A和图4B是示出在先申请和本发明的截面图。图4A是示出当行 电极XI和Yl的电极宽度Wxl和Wyl相等时的情况的图。由于行电极的 电极宽度已被减小来提高上述发射亮度，因此地址放电电压被增大，以利 用应用到地址电极D1和扫描电极Y1的交叉点上的电压来启动放电。
而在本发明中，如图4B所示，在扫描脉冲被应用到具有列电极Dl 的区域的情况下，行电极Yl的电极宽度Wyl被增大到大于另一行电极 XI的电极宽度Wxl。这样一来，可以减小地址放电电压。而且，可以减 小结构分散的影响。同时，维持了放电的特性，并且可以执行具有高发射 效率的放电。
图5是当测量地址放电电压对扫描脉冲被应用到的行电极Yl的电极 宽度的依赖性时的图。用于测量的面板的单元大小为700/xm x310/mi并且 孔径大小为640/mi x250/mi。测量是利用20个垂直单元xl92个水平单元 (即该面板的总共3840个单元)来执行的。
这里，假设Vamin是当在地址放电电压被逐渐增大的过程中所有单 元都被接通(ON)(第3840个单元接通)时的地址放电电压。并且假设 行电极XI的电极宽度为100 (<150) /mi， Vamin被确定，同时行电极 Yl的电极宽度被增大。
结果确认，Vamin的值随着行电极XI的电极宽度(超过行电极Yl 的电极宽度)的增大而减小。
在图5中，STD是当行电极XI的电极宽度和行电极Yl的电极宽度 都为250/mi时的Vamin，其大约为20V。在用于图5中的测量的PDP 中，氙气压强为13.34 kPa，而氖气压强为53.36 kPa。
当行电极XI的电极宽度和行电极Yl的电极宽度都为250/xm时， Vamin大约是20V。因此，通过相对于行电极XI的电极宽度增大行电极 Yl的电极宽度，Vamin变得更靠近该值，并且如上所述，当一对行电极 的宽度被设置为150/mi或更小时发生的地址放电电压增大的问题可以得 到解决。
在在先申请中，通过将一对行电极的宽度分别设置为15(^m或更小
来维持具有高发射效率的放电，但是在本发明中，己经发现，如果一对行
电极中的至少一个电极在列方向上的宽度为150/rni或更小就可以维持具
有高发射效率的放电。
在图4A中，每个行电极XI在列方向上的宽度Wxl和透明电极Yl 在列方向上的宽度Wyl分别是150/mi或更小，并且放电空间中的放电气 体中的氙气的分压被设置为6.67 kPa (50Torr)或更大，因此可以实现高 发射效率。
图6示出当Wxl和Wyl相同时PDP中的行电极在列方向上的宽度 (下文称之为电极宽度)与发射效率之间的关系。
图6中示出了当放电单元的大小为700 (pm) x310 (/mi)并且孔径 大小为640 (/mi) x250 (/mi)时的测量结果。
根据图6，当氙气的分压小于6.67 kPa (50 Torr)时(图4示出当氙 气的分压为2.67 kPa (20 Torr)时的情况)，发射效率随电极宽度的减小 而减小。
并且当氙气的分压为6.67 kPa (50 Torr)或更大时，发射效率随电极 宽度的减小而增大，并且随着氙气分压的增大(图6示出当氙气的分压为 13.33 kPa (100Torr)时的情况)，发射效率的增大变得显著。
作为PDP所要求的发射效率，2.0 (lm/W)的值或更大是可用的。 根据图6所示的测量值，如果在PDP 10中，在放电气体中的氙气的 分压被设置为6.67 kPa (50 Torr)或更大的状态中行电极XI和Yl的电极 宽度Wxl和Wyl分别是150/mi或更小，则可以实现2.0 (lm/W)或更大 的发射效率。
已经发现，这种具有高发射效率的放电不仅可以通过分别减小电极宽 度Wxl和Wyl来实现，还可以通过只减小电极宽度Wxl和Wyl之一来 实现。图7示出当测量发射效率对行电极XI和Yl中的一侧的电极宽投 的依赖性时的数据。测量条件与用于图6中被用作测量目标的PDP的测 量条件相同。
如这里所示，即使当仅有一侧的电极宽度被减小时，在行电极之间生 成的放电在放电空间中的单元发射区域中扩散的深度与传统的PDP相比
也会变得较窄，放电被局限于与初始辉光(glow)放电的生成区域重叠的 放电间隙附近的小区域，并且维持了高发射效率。
根据图5和图7中的测量结果，显而易见，如果行电极Y1的电极宽
度增大，则地址放电电压显著下降(参见图5)。然而，即使行电极Yl 的电极宽度改变，发射效率也不会改变(参见图7)。
在以上实施例中，与在先申请(日本专利申请早期公开No. 2005-241274)的第一实施例相对应地，描述了将行电极Yl的电极宽度设置为 大于行电极X1的电极宽度的配置。
但是，本发明的应用并不局限于这种情况，很显然，本发明也可用于 在先申请的其他实施例。
换言之，作为在与经由构成行电极对的一对行电极XI和Yl的间隙 执行的放电相关的区域中至少一个电极在列方向上的宽度被设置为150/xm 或更小的配置，除了当每个行电极在列方向上的宽度都是150/zm或更小 时将行电极Yl的宽度设置为大于行电极XI的宽度的配置(如图2所 示)之外，也可使用以下等同模式。
在图8A和图8B中示出第一模式。图8A是示出基于根据在先申请的 原理的另一配置的图，其中行电极Yl的宽度被设置为大于行电极XI的 宽度。
行电极XI和Yl的电极宽度是相同的(Wyl=Wxl)并且是用于传统 PDP的宽度(400/mi到1000/mO ，但是关于覆盖行电极XI和Yl的介电 厚膜部分的厚度T，行电极XI和Yl的电极宽度分别为150/rni或更小的 宽度区域Ws的厚度Ta被形成为比介电厚膜部分12的另一区域的厚度要 薄。这样一来，行电极X1和Yl的电极宽度都变得等于15(^m或更小。 然而，图8B示出与图8A中配置相比较的根据本发明的配置示例。 在图8B所示配置中，每个行电极XI和Yl在列方向上的宽度可以是 传统PDP中的宽度(400/im到1000/mO ，如同图8A所示的在先申请的 配置一样。其特征在于，在覆盖这对行电极XI和Yl的介电层12中，覆 盖扫描脉冲被应用到的行电极Yl的整个宽度和维持行电极XI的电极宽 度的15(^m或更小的宽度区域Ws的介电层12的厚度Ta被制造得很薄，
并且介电层12的其它部分的厚度被制造得是厚度T的两倍或更大，以使 得不生成壁电荷。
利用这种配置，行电极在列方向上的基本宽度可被设置。在此情况
下，介电层12的厚度被制造得很薄的部分区域的宽度在行电极Yl中比在 行电极X1中要大。
另一种可能模式是图9A和图9B所述的模式。图9A是示出基于根据 在先申请的原理的另一配置的图，其中行电极Yl的宽度被设置为大于行 电极X1的宽度。
在图9A中，行电极XI和Yl的电极宽度是相同的(Wyl=Wxl)， 并且可以是传统PDP中的宽度(400/mi到1000Mm)。与图8A中的配置 相比，没有减小覆盖行电极XI和Yl的相应端部的介电层12的厚度，而 是在覆盖作为电极对的行电极XI和Yl的介电层12上，仅针对与行电极 XI和Yl的端部相对应的区域利用高7材料形成二次电子发射层71和 72。在图9A所示在先申请的配置中，二次电子发射层7l和72的相应端 部的宽度Ws为150/mi或更小。
而图9B是示出与图9A中的配置相对照的根据本发明的配置示例的图。
在图9B所示配置中，每个行电极在列方向上的宽度可以是传统PDP 中的宽度(400/mi到lOOO^m)，如同图9A所示在先申请中的配置一 样。形成在覆盖扫描脉冲被应用到的扫描行电极Yl和维持脉冲被应用到 的行电极XI的介电层12上的由高7材料制成的二次电子发射层71和72 的区域具有根据仅与行电极XI的端部相对应的区域宽度Ws (150/xm或 更小)和与行电极Y1相对应的区域宽度的大小。
换言之，在图9B所示示例中，与扫描行电极Yl相对应的二次电子 发射层72的宽度被形成为大于与维持行电极XI相对应的二次电子发射层 ^的宽度Ws。
以这种方式，行电极在列方向上的基本宽度可以通过限制维持放电可 被维持的区域来设置。在这种情况下，形成有二次电子发射层的部分的大 小在行电压Yl中比在行电极X1中要大。
在以上实施例中，描述了通过电接触将总线电极Xlb和Ylb布置在
透明电极Xla和Yla上的配置，但是总线电极的配置并不局限于该实施 例，本发明的应用和效果也可以由各种其他配置来实现。
如上所述，构成行电极对的一对行电极组成元件中的至少一个电极在 列方向上的宽度被设置为150/mi或更小，这小于传统PDP的400到 1000/mi，从而在行电极之间生成的放电在放电空间的单元发射区域中扩 散的深度变得比传统PDP更窄，并且放电的成长区域被局限于靠近与初 始辉光放电生成区域重叠的放电间隙的狭窄区域。
因此，在根据本实施例的PDP中，以比传统PDP高得多的效率从放 电气体中的氙气生成真空紫外线。
由于放电气体中的氙气的分压被设置为6.67 kPa (50 Torr)或更大， 因此荧光层主要由从放电气体中的氙气生成的真空紫外线中波长为72nm 的分子线来激励，并且与共振线不同，分子线在传播通过放电气体的过程 期间几乎不衰减，因此，即使在行电极之间生成的放电被局限在放电间隙 附近的范围内，真空紫外线也能够充分地到达荧光层。
鉴于此，同样呈现出在先申请(日本专利申请早期公开No. 2005-241274)的以比传统PDP更高的效率生成真空紫外线的特性，并且可以 实现高发射效率，并且还可以降低地址放电电压和可以消除由于结构分散 所导致的地址放电电压的分散，并且可以提高PDP的可靠性。
而且，在本实施例的PDP中，在单元发射区域中真空紫外线的生成 区域比传统PDP要小，因此即使单元发射区域由阻挡层限定，也可以使 阻挡层的影响(例如壁损耗)最小化，同时，荧光层是利用真空紫外线的 分子线来激励的，因此真空紫外线和荧光层之间的距离的分散的影响变得 很小，因此不要求行电极对在列方向上相对单元发射区域的位置具有高精 确性，并且本发明可以通过在制造步骤中提高产品产量来降低制造成本。
现在，将详细描述在当电极对中的至少一个电极被设置为150/xm或 更小时放电气体中的氙气的分压为6.67 kPa (50 Torr)或更大的状态下， 具有高发射效率的放电得以维持的原因。
图IO是示出放电的一般成长过程的图，而图ll是示出传统放电单元
中维持放电的成长过程的状态图。
如图10和图ll所示，在上述图像形成时间期间在放电单元中生成的
维持放电按以下过程成长Townsend放电I -初始辉光放电II -辉光放电
III。
为了在PDP的图像形成期间生成真空紫外线，通常使用维持放电生
成时段中的初始辉光放电I和辉光放电II时段。
并且在用于生成真空紫外线的放电时段中，真空紫外线是在初始辉光 放电I时段中以非常高的效率生成的，这是因为在空间电荷的局部化完成 之前的过程中在阴极势降部分中不会发生能量损耗，其中所述阴极势降部 分主要是由离子在阴极附近生成的。
在初始辉光放电I时段之后的辉光放电II时段中，通过生成阴极势降 部分在放电空间中生成非常强的电场，通过该强电场生成大量高能量电 子，并且在作为强电场部分的出口的负辉光部分中生成大量真空紫外线， 但是与初始辉光放电I时段相比，真空紫外线的生成效率不高，这是因为 在阴极势降部分中生成能量损耗。
在成长过程中，在PDP的放电单元Cl中生成的维持放电从行电极对 的阳极A侧向阴极K侧呈三维成长，如图ll所示。
在PDP 10中，行电极XI和Yl的电极宽度Wxl被设置为150ptm或 更小，并且维持放电在放电单元C1中扩散的深度比传统PDP要窄，因此 维持放电的成长区域被局限于放电间隙gl附近的狭窄区域(由图11屮的 e所指示的区域)。
在该PDP 10中，在放电间隙gl附近的狭窄区域中生成的维持放电在 下文中被称为"狭窄深度放电(narrow depth discharge)"。
在AC型PDP中的维持放电的形式是由宽度较窄的电极来确定的，因 此只有在一个电极被设置为150Mm或更小的情况下才会引起狭窄深度放 电。
在图11中，该狭窄深度放电的成长区域与初始辉光放电的生成区域 重叠，其中如上所述，以非常高的效率生成真空紫外线。
因此，在PDP 10中，行电极Xl的电极宽度Wxl被设置为150/xm或
更小，从而维持放电变为狭窄深度放电，并且作为结果，以比传统PDP 高得多的效率生成真空紫外线。
另一方面，在PDP 10中，如果将其中氙气的分压较低的放电气体充 入放电空间，并且尝试主要利用从放电气体中的氙气生成的真空紫外线中
的波长为147nm的共振线来激励荧光层16，则作为在PDP 10中生成的狭 窄深度放电的维持放电被局限在放电间隙gl附近的范围内，因此真空紫 外线中的共振线在到达荧光层16之前的衰减增大。
如果放电气体中氙气的分压为2.67到3.33 kPa (20到25 Torr)，则 已知从放电气体中生成的真空紫外线的主要组分是波长为M7nm的共振 线，并且当氙气的分压为2.67到3.33 kPa (20到25 Torr)时，该共振线 在放电气体中传播lOOgm时衰减到大约一半。
在该PDP 10中，放电气体中的氙气的分压被设置为6.67 kPa (50 Torr)或更大，因此荧光层16主要由从放电气体中的氙气生成的真空紫 外线中波长为172nm的分子线激励。
与共振线不同，该真空紫外线中的分子线在传播通过放电气体的过程 中几乎不衰减。
因此，在PDP 10中，维持放电变为狭窄深度放电，并且即使维持放 电被局限在放电间隙gl附近的范围中，真空紫外线也能够充分地到达荧 光层16，因此通过使维持放电变为狭窄深度放电，同样可以实现以比传 统PDP高得多的效率生成真空紫外线的特征，并且这样一来，可以实现 高发射效率。
以上效果也可以在PDP的阻挡层呈带状时实现，但是在基本以格子 形状形成阻挡层15的PDP 10的情况下，荧光层16也形成在第一壁部分 15A上，并且包围每个放电单元Cl的第二壁部分15B的四个侧面和荧光 层16的表面区域被增大，从而可以实现甚至更高的发射效率。
而且，在上述PDP 10中，行电极XI在列方向上的宽度比传统PDP 窄得多，因此在电极之间生成的静电容量显著下降，结果，电抗性电流的 生成被减小并且可以减小功耗。
在以上示例中，PDP 10的行电极对(Xl， Yl)被布置在列方向上放
电单元Cl的中央位置上，但是行电极对(Xl， Yl)可被布置在相对列方 向上放电单元C1的中央位置被垂直移位的位置上。 其原因如下所述。
在传统PDP中，维持放电变为在整个放电单元中扩散的深度放电， 因此如果行电极对相对由格子形状的阻挡层限定的放电单元被布置在从放 电单元在列方向上的中央位置垂直移位的位置上，放电间隙则被移位到限
定放电单元的阻挡层的上侧壁或下侧壁，在电压容限(margin)中生成分 散，亮度和发射效率取决于每个放电单元，并且发射受到影响，因此，行 电极对相对于放电单元而言，需要高位置精确度。
但是，在PDP 10中，维持放电变为上述狭窄深度放电，其中放电区 域很窄，并且真空紫外线生成区域变为比传统PDP要小的点光源，因此 阻挡层的影响(例如壁损耗)减小，此外，荧光层16是利用真空紫外线 中吸收率较低的波长为172nm的分子线来激励的，因此维持放电的放电 区域(真空紫外线生成区域)与荧光层16之间的距离分散的影响减小， 因此，即使行电极对(XI, Yl)相对于放电单元Cl在列方向上的位置从 中央位置移位，发射效率和亮度的改变也很小。
因此，根据上述PDP 10，即使阻挡层15基本具有格子形状并且放电 单元Cl被第一壁部分15A和第二壁部分15B所包围，放电间隙的位置 (即行电极对的位置)也无需精确地定位在放电单元在列方向上的中央位 置，并且行电极对(XI, Yl)相对于放电单元Cl的位置精确度的容限增 大，因此本发明可以通过提高制造步骤中的产量来降低制造成本。
在以上示例中，构成行电极的透明电极以连续的带状沿总线电极形成 在相邻的放电单元之间，但是透明电极可针对每个放电单元独立地形成并 被连接到总线电极。
而且，在以上示例中，行电极由透明电极和总线电极构成，但是行电 极也可以仅由金属总线电极构成，并且电极对中至少一个在列方向上的宽 度可被设置为150/mi或更小。
以上对实施例的描述并不是要将本发明局限于所示示例的具体细节。 在本发明的范围内可以采取任何合适的修改和等同手段。落在本发明的范
围内的所有特征和优点都被所附权利要求所覆盖。
本申请基于2006年7月18日递交的在先日本专利申请No. 2006-195566并要求该申请的优先权，该日本专利申请的全部内容通过引用被 结合于此。
权利要求
1.一种等离子体显示面板，包括彼此面对的一对基板，其间具有至少一个放电空间；在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多个行电极对，其中每一对分别是由经由放电间隙而彼此面对的所述行电极形成的；形成在所述基板上并且覆盖所述行电极对的介电层；以及在列方向上延伸并且在行方向上被形成在所述基板对中的另一基板上的多个列电极，单元发射区域被形成在所述列电极和行电极对相交叉的每一部分处的放电空间中，并且包含氙气的放电气体被密封在所述放电空间中，其中所述行电极对中的至少一个电极在列方向上的宽度被设置为150μm或更小，所述放电气体中的氙气的分压被设置为6.67kPa或更大，并且所述行电极对中扫描脉冲被应用到的那个行电极的宽度比所述对中另一行电极的宽度要大。
2. 如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中所述行电极对中的每 个行电极包括透明电极和金属总线电极，所述透明电极在列方向上具有 预定宽度并且经由放电间隙而面对另一行电极，所述金属总线电极在列方 向上具有比所述透明电极更小的宽度并且与所述透明电极电连接。
3. 如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中在所述基板对之间基 本以格子形状形成有阻挡层，所述格子形状的阻挡层是通过所述阻挡层中 在行方向上平行延伸的多个行阻挡层和所述阻挡层中在列方向上平行延伸 的多个列阻挡层形成的，并且放电空间通过所述阻挡层被划分成单独的单 元发射区域，并且所述行电极被布置在面对分别通过所述阻挡层的划分而 获得的所述单元发射区域的位置上。
4. 一种等离子体显示面板，包括彼此面对的一对基板，其间具有至少一个放电空间；在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多个行电 极对，其中每一对分别是由经由放电间隙而彼此面对的所述行电极形成 的；形成在所述基板上并且覆盖所述行电极对的介电层；以及在列方向上 延伸并且在行方向上被形成在另一基板上的多个列电极，单元发射区域被 形成在所述列电极和行电极对相交叉的每一部分处的放电空间中，并且包 含氙气的放电气体被密封在所述放电空间中，其中 所述介电层包括薄膜部分和厚膜部分，并且所述介电层的所述薄膜部分被形成在所述行电极对中的至少- 个行电极上并且是在列方向上的宽度为150/mi或更小的区域，并且在所述行电极对中的另一行电极上形成有这样的薄膜，其在列方向上的宽度比在列方向上的宽度被设置为150/mi或更小的所述薄膜的宽度要大，并且 所述放电气体中的氙气的分压被设置为6.67kPa或更大。
5. 如权利要求4所述的等离子体显示面板，其中所述介电层的所述厚 膜部分的厚度被设置为所述介电层的所述薄膜部分的厚度的两倍或更大。
6. 如权利要求4所述的等离子体显示面板，其中所述介电层的所述薄 膜部分以在行方向上延伸的带状形成。
7. 如权利要求5所述的等离子体显示面板，其中所述介电层的所述薄 膜部分以在行方向上延伸的带状形成。
8. 如权利要求4所述的等离子体显示面板，其中所述介电层的所述薄 膜部分针对每个单元发射区域以岛状形成，并且所述厚膜部分基本以格子 形状形成。
9. 如权利要求5所述的等离子体显示面板，其中所述介电层的所述薄 膜部分针对每个单元发射区域以岛状形成，并且所述厚膜部分基本以格子 形状形成。
10. 如权利要求4所述的等离子体显示面板，其中阻挡层通过所述阻 挡层的在行方向上延伸的多个第一壁部分和所述阻挡层的在列方向上延伸 的多个第二壁部分基本以格子形状被形成在所述基板对之间，并且放电空 间通过所述阻挡层被划分成单独的单元发射区域，并且所述行电极被布置 在面对分别通过所述阻挡层的划分而获得的所述单元发射区域的位置上。
11. 如权利要求5所述的等离子体显示面板，其中阻挡层通过所述阻 挡层的在行方向上延伸的多个第一壁部分和所述阻挡层的在列方向上延伸 的多个第二壁部分基本以格子形状被形成在所述基板对之间，并且放电空 间通过所述阻挡层被划分成单独的单元发射区域，并且所述行电极被布置 在面对分别通过所述阻挡层的划分而获得的所述单元发射区域的位置上。
12. —种等离子体显示面板，包括彼此面对的一对基板，其间具有 至少一个放电空间；在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多个行 电极对，其中每一对分别是由经由放电间隙而彼此面对的所述行电极形成的；形成在一个基板一侧并且覆盖所述行电极对的介电层；以及在列方向 上延伸并且在行方向上被形成在另一基板一侧的多个列电极，单元发射区 域被形成在所述列电极和行电极对相交叉的每一部分处的放电空间中，并 且包含氙气的放电气体被密封在所述放电空间中，其中在覆盖所述行电极对中的至少一个行电极的介电层上利用高7材料形 成有二次电子发射层，其在列方向上的宽度为150pm或更小，并且在覆盖 所述行电极对中的另一行电极的介电层上利用高7材料形成有另一二次电 子发射层，其在列方向上的宽度比被设置为150/mi或更小的所述高7材料 在列方向上的宽度要大，并且所述放电气体中的氙气的分压被设置为6.67kPa或更大。
全文摘要
本发明提出了一种PDP，其具有高发射效率并且可以减小地址放电电压。构成行电极对的一对行电极中经由相应放电间隙执行维持放电的透明电极中的至少一个在列方向上的宽度被设置为150μm或更小，并且密封在放电空间中的放电气体中的氙气的分压被设置为6.67KPa或更大。每个行电极对中扫描脉冲被应用到的面对列电极的那个行电极，即扫描电极，的宽度比行电极对中放电维持电压被应用到的另一行电极的宽度要大。
文档编号H01J11/26GK101110332SQ20071013037
公开日2008年1月23日 申请日期2007年7月18日 优先权日2006年7月18日
发明者四户耕治, 山田高士, 秋山利幸, 野口康幸 申请人:株式会社下一代Pdp研发中心;富士通株式会社;日本先锋公司;松下电器产业株式会社