一种离子束减速装置制造方法
【专利摘要】一种离子束减速装置，离子束减速装置主要用于低能大束流离子注入机离子束的一级减速，该装置包括过渡连接块(1)，连接块(2)，减速电极防护板(3)；减速电极基板(4)，终端电极(5)，终端电极侧板(6)，绝缘陶瓷(7)，聚集电极侧板(8)，聚集电极(9)，聚集电极安装板(10)，抑制电极(11)，地电极(12)，地电极安装板(13)，抑制电极安装板(14)，抑制电极安装条(15)，聚集电极安装条(16)，抑制电极短接条(17)，接线柱(18)，聚焦电极短接条(19)，其特征在于：对离子束进行减速，用以获得低能的离子束流。本发明涉及离子注入装置，隶属于半导体制造领域。
【专利说明】一种离子束减速装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体器件制造控制系统，即注入机，特别地，涉及一种用于低能大束流离子注入机的束流减速装置。
【背景技术】
[0002]集成电路制造技术及工艺是关乎国计民生的战略性工程，对保障国家安全和增强综合国力具有重大战略意义，是一种高新技术产业。集成电路芯片制造概括的来讲就是将元器件做在极小半导体芯片上的过程。通常情况下，要完成集成电路芯片的制造过程需要数十种工艺设备的数百道工序。一条工艺线主要有曝光、刻蚀、离子注入、氧化、镀膜等工艺，这些工艺多次循环往复进行。离子注入技术与常规热掺杂工艺相比具有高精度的剂量均匀性与重复性，横向扩散小等优点。离子注入克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗，因此离子注入机广泛用于掺杂工艺，当代VLS1、ULSI等工艺重要特征之一就是“全离子注入”。离子注入对控制半导体的掺杂剖面，结深，保证器件各项电参数非常重要。
[0003]经过对低能大束流项目的指标参数和工艺要求分析，但由于工艺技术和工艺特点不同，为了低能大束流的离子束，得到更加优质的产品，所以需要对离子束减速，通过减速装置产生的电场可以实现对带正电荷的离子束减速。
【发明内容】
[0004]本发明公开了一种离子束流减速装置，可用于低能大束流离子注入机系统；为了获得较低能量的离子束。
[0005]本发明通过以下技术方案实现:
[0006]1.一种离子束减速装置，离子束减速装置主要用于低能大束流离子注入机离子束的一级减速，该装置包括过渡连接块(1)，连接块(2)，减速电极防护板(3)，减速电极基板
(4)，终端电极(5)，终端电极侧板(6)，绝缘陶瓷(7)，聚集电极侧板(8)，聚集电极(9)，聚集电极安装板(10)，抑制电极(11)，地电极(12)，地电极安装板(13)，抑制电极安装板(14)，抑制电极安装条(15)，聚集电极安装条(16)，抑制电极短接条(17)，接线柱(18)，聚焦电极短接条(19)，其特征在于对离子束进行减速，用以获得低能的离子束流。
[0007]2.一种离子束减速装置，其特征在于:其中终端电极(5)与地电极(12)加载电压后产生的电场对离子束减速。
[0008]3.一种离子束减速装置，其特征在于:聚集电极(9)与抑制电极(11)加载电压后产生的电场调节离子束水平与垂直方向的聚集与扩散。
[0009]4.一种离子束减速装置，其特征在于:终端电极(5)与抑制电极(11)加载电压后产生的电场抑制离子束流中二次电子的产生，同时抑制电极与聚集电极形成的电场调节离子束水平与垂直方向的聚集与扩散。
[0010]5.一种离子束减速装置，其特征在于:减速电极防护板(3)可以限制离子束流高度方向的尺寸，它的材质为石墨，不会对离子束产生金属污染。
[0011]本发明具有如下显著优点:
[0012]1.结构简单，上下对称布置，易于加工制造。
[0013]2.功能可靠齐全:可以实现对离子束的减速与聚集，还可以抑制离子束中二次电子的产生。
[0014]3.易于控制:四个独立控制的电源就可以实现对该装置的控制。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1减速电极结构图
[0016]图2减速电极供电原理图
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图1和附图2对本发明作进一步的介绍，但不作为对本发明的限定。
[0018]参见图1和图2，一种离子束流减速装置它由过渡连接块(I)安装在减速电极运动轴上，连接块(2)将减速电极与过渡连接块(I)连结；减速电极防护板(3)安装在减速电极基板(4)上；两个终端电极(5)与终端两个电极侧板(6)上下对称连接之后在安装在减速电极基板(4)上；绝缘陶瓷(7)用来对几个不同电位区的电压隔离；聚集电极侧板(8)与两个聚集电极(9)连接之后安装在两个聚集电极安装板(10)上面，这一组件与聚集电极安装条(16)连接；抑制电极(11)与抑制电极安装板(14)连接之后安装在抑制电极安装条
(15)，该装置上下对称安装相同结构的抑制电极；地电极(12)与地电极安装板(13)连接；抑制电极短接条(17)用来对上下两个抑制电极(11)短接，接线柱(18)用来和外部电源连接，聚焦电极短接条(19)用来对左右两侧两个聚集电极短接。
[0019]上下在同一位置的电极为同一电位，由同一电源供电；通过对终端电极(5)与地电极(12)加载适合的电位形成电场，这种电场可以对带正电荷的离子束减速，抑制电极
(11)与其它电极相互作用可以抑制离子束中二次电子的产生，聚集电极可以调节离子束水平方向的发散与聚集，调节束流的均匀性。
[0020]在该实施方式中，减速装置的，聚焦电极短接条(19)与抑制电极短接条(17)布置形式可以替代。
[0021]在该实施方式中，地电极安装板(13)的安装方式可替代的。
[0022]在该实施方式中，抑制电极安装条(15)聚集电极安装条(16)布置方式可以替代。
[0023]在该实施方式中，过渡连接块(I)与连接块(2)布置方式可以替代。
[0024]本发明专利的特定实施例已对本发明专利的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本发明专利精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都构成对本发明专利的侵犯，将承担相应的法律责任。
【权利要求】
1.一种离子束减速装置，离子束减速装置主要用于低能大束流离子注入机离子束的一级减速，该装置包括过渡连接块(1)，连接块(2)，减速电极防护板(3)，减速电极基板(4)，终端电极(5)，终端电极侧板(6)，绝缘陶瓷(7)，聚集电极侧板(8)，聚集电极(9)，聚集电极安装板(10)，抑制电极(11)，地电极(12)，地电极安装板(13)，抑制电极安装板(14)，抑制电极安装条(15)，聚集电极安装条(16)，抑制电极短接条(17)，接线柱(18)，聚焦电极短接条(19)，其特征在于对离子束进行减速，用以获得低能的离子束流。
2.如权利要求1所述的一种离子束减速装置，其特征在于:其中终端电极(5)与地电极(12)加载电压后产生的电场对离子束减速。
3.如权利要求1所述的一种离子束减速装置，其特征在于:聚集电极(9)与抑制电极(11)加载电压后产生的电场调节离子束水平与垂直方向的聚集与扩散。
4.如权利要求1所述的一种离子束减速装置，其特征在于:终端电极(5)与抑制电极(11)加载电压后产生的电场抑制离子束流中二次电子的产生，同时抑制电极与聚集电极形成的电场调节离子束水平与垂直方向的聚集与扩散。
5.如权利要求1所述的一种离子束减速装置，其特征在于:减速电极防护板(3)可以限制离子束流高度方向的尺寸`，它的材质为石墨，不会对离子束产生金属污染。
【文档编号】H01J37/04GK103779164SQ201310557475
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2013年11月8日 优先权日:2013年11月8日
【发明者】马国宇 申请人:北京中科信电子装备有限公司