一种新型陶瓷基板led灯的制作方法

文档序号:2872141阅读:178来源:国知局
一种新型陶瓷基板led灯的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种新型陶瓷基板LED灯,涉及照明灯具领域,特别是涉及陶瓷LED灯领域。包括陶瓷基板、导电线路层和LED晶片,所述陶瓷基板的一表面上具有散热结构,所述导电线路层设置在陶瓷基板的另一表面上,所述LED晶片焊接在导电线路层上,其特征在于:所述陶瓷基板上的导电线路层除用于焊接的焊盘处外,其余导电线路层上印刷包覆一层低温釉;所述导电线路线路层用于焊接的焊盘上设置有锡膏钢网板,所述锡膏刚网板上印刷一层供与LED晶片焊接的锡膏。该结构能够将LED晶片工作时产生的热量快速有效的传导并散发出去,使LED灯具有更高的发光效率和更长的使用寿命,并且该结构高度绝缘,实用安全。
【专利说明】一种新型陶瓷基板LED灯
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及照明灯具领域,特别是涉及陶瓷LED灯领域。
【背景技术】
[0002]LED灯目前可以说是照明灯具中比较主流的产品,具有寿命长、节能环保、高亮度灯优点,现在市场上普遍见到的LED灯多是以铝材料为基板的,而绝缘性能好的陶瓷作为基板的应用还没普及,陶瓷基板具有优于铝基板的导热散热性能,因为陶瓷基板LED的结构制造工艺复杂成本较高,导致市场销售的价格较高,不利于推广应用,另外现有以陶瓷为基板的LED灯的结构的传导散热性能还是不够理想,还应作出改进。

【发明内容】

[0003]本实用新型的目的在于提供一种能够达到更好的传导散热性能的陶瓷基板LED灯。
[0004]为实现上述目的,本实用新型技术方案是这样的:
[0005]一种新型陶瓷基板LED灯,包括陶瓷基板、导电线路层和LED晶片,所述陶瓷基板的一表面上具有散热结构,所述导电线路层设置在陶瓷基板的另一表面上,所述LED晶片焊接在导电线路层上,所述陶瓷基板上的导电线路层除用于焊接的焊盘处外,其余导电线路层上印刷包覆一层低温釉;所述导电线路层用于焊接的焊盘上设置有锡膏钢网板,所述锡膏刚网板上印刷一层供与LED晶片焊接的锡膏。
[0006]所述陶瓷基板由a_氧化铝粉体颗粒和氮化硼粉体制成。
[0007]所述a-氧化铝粉体颗粒的基本晶体尺寸为0.6-9 μ m,所述氮化硼粉体的密度为2.2-2.6g/m 3。
[0008]所述陶瓷基板另一表面采用25#金刚砂进行抛磨。
[0009]所述陶瓷基板另一表面的表面平整度达小于0.076/25.4mm ;表面细化粗糙度达Ra 小于 2 μ m, Rz 小于 20 μ m。
[0010]所述导电线路层由锡膏、纯银浆料、钼浆料、钇浆料混合制成。
[0011]所述导电线路层的厚度为8-20 μ m。
[0012]所述锡膏为无镉、无铅、无镍的锡膏。
[0013]采用上述技术方案后,本实用新型的有益效果是:与现有技术中的陶瓷基板LED灯的结构相比,本实用新型能够将LED晶片工作时产生的热量快速有效的传导并散发出去,使LED灯具有更高的发光效率和更长的使用寿命,并且该结构高度绝缘,实用安全。
【专利附图】

【附图说明】
[0014]图1为本实用新型的 层结构放大示意图。
[0015]图中:
[0016]LED 灯100[0017]陶瓷基板I散热结构11
[0018]导电线路层2焊盘21
[0019]LED晶片3低温釉4
[0020]钢网板5锡膏6。
【具体实施方式】
[0021]下面通过结合附图和实施例,来具体阐述一下本实用新型的技术方案。
[0022]如图1中所示,一种新型陶瓷基板LED灯100,包括陶瓷基板1、导电线路层2和LED晶片3,所述陶瓷基板I的一表面上具有利于将LED晶3工作时产生的热量快速有效的传导散热出去的散热结构11,所述导电线路层2设置在陶瓷基板I的另一表面上,所述LED晶片3焊接在导电线路层2上。
[0023]上述结构为现有产品的通常结构,本实用新型不同于现有技术的地方在于,所述陶瓷基板I上的导电线路层2除用于焊接的焊盘21处外,其余导电线路层2上印刷包覆一层能够使导电线路不被氧化的低温釉4 ;所述导电线路层2用于焊接的焊盘21上设置有锡膏钢网板5,所述锡膏钢网板5起到保护导电线路层2的作用;所述锡膏刚网板5上印刷一层供与LED晶片3焊接的锡膏6,这样能够采用更先进的焊接技术方式来将LED晶片3焊接上,达到更好的焊接效果。
[0024]本实施例中进一步,所述陶瓷基板I由a_氧化铝粉体颗粒和氮化硼粉体制成,优选的,所述a-氧化铝粉体颗粒的基本晶体尺寸为0.6-9 μ m,所述氮化硼粉体的密度为2.2-2.6g/m 3。
[0025]进一步,所述陶瓷基板I另一表面采用25#金刚砂进行抛磨,优选的,所述陶瓷基板另一表面的表面平整度达小于0.076/25.4mm ;表面细化粗糙度达Ra小于2 μ m,Rz小于20 μ m0
[0026]进一步,所述导电线路层2由锡膏、纯银浆料、钼浆料、钇浆料混合制成,优选的,所述导电线路层2的厚度为8-20 μ m。
[0027]本实施例中所述锡膏6优选的采用无镉、无铅、无镍的锡膏,能够使本产品更环保。[0028]本实用新型的结构能够将LED晶片3工作时产生的热量快速有效的传导并散发出去,使LED灯100具有更高的发光效率和更长的使用寿命,并且该结构高度绝缘,实用安全。
[0029]综上所述仅为本实用新型较佳的实施例,并非用来限定本实用新型的实施范围。即凡依本实用新型申请专利范围的内容所作的等效变化及修饰,皆应属于本实用新型的技术范畴。
【权利要求】
1.一种新型陶瓷基板LED灯,包括陶瓷基板、导电线路层和LED晶片,所述陶瓷基板的一表面上具有散热结构,所述导电线路层设置在陶瓷基板的另一表面上,所述LED晶片焊接在导电线路层上,其特征在于:所述陶瓷基板上的导电线路层除用于焊接的焊盘处外,其余导电线路层上印刷包覆一层低温釉;所述导电线路层用于焊接的焊盘上设置有锡膏钢网板,所述锡膏刚网板上印刷一层供与LED晶片焊接的锡膏。
2.根据权利要求1所述的一种新型陶瓷基板LED灯,其特征在于:所述陶瓷基板由a-氧化铝粉体颗粒和氮化硼粉体制成。
3.根据权利要求2所述的一种新型陶瓷基板LED灯,其特征在于:所述a-氧化铝粉体颗粒的基本晶体尺寸为0.6-9 μ m,所述氮化硼粉体的密度为2.2-2.6g/m 3。
4.根据权利要求1所述的一种新型陶瓷基板LED灯,其特征在于:所述陶瓷基板另一表面采用25#金刚砂进行抛磨。
5.根据权利要求4所述的一种新型陶瓷基板LED灯,其特征在于:所述陶瓷基板另一表面的表面平整度达小于0.076/25.4mm ;表面细化粗糙度达Ra小于2 μ m,Rz小于20 μ m。
6.根据权利要求1所述的一种新型陶瓷基板LED灯,其特征在于:所述导电线路层由锡膏、纯银浆料、钼浆料、钇浆料混合制成。
7.根据权利要求6所述的一种新型陶瓷基板LED灯,其特征在于:所述导电线路层的厚度为8-20 μ m。
8.根据权利要求1、2、3、4、5、6或7中任何一项中所述的一种新型陶瓷基板LED灯,其特征在于:所述锡膏为无镉、无铅、无镍的锡膏。
【文档编号】F21Y101/02GK203686694SQ201420032335
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2014年1月20日 优先权日:2014年1月20日
【发明者】林福文 申请人:福建省德化福杰陶瓷有限公司
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