本发明涉及一种车辆用灯，特别地，涉及一种利用半导体发光元件的车辆用灯。
背景技术：
车辆安装有具有照明功能或信号功能的各种车辆用灯。一般来讲，一直以来主要使用卤素灯或气体放电式灯，但是最近发光二极管(led；lightemittingdiode)作为车辆用灯的光源受到关注。
发光二极管的情况下，能够通过使尺寸最小化来提高灯的设计的自由度，且因半永久性寿命而具有经济性，当前大部分以封装方式生产。没有封装的发光二极管(lightemittingdiode：led)本身是将电流转换为光的半导体发光元件，正在作为包括信息通信设备的电子装置的显示图像用光源进行开发。
但是，目前为止开发出的车辆用灯由于利用封装方式的发光二极管，因此存在不仅量产率低且所需费用高，而且挠性(flexible)的程度弱的缺点。
一方面，随着对智能型灯的需求增加，正在开发能够选择性地点亮灯的一部分的结构。由此，正在开发能够使从灯中包括的多个发光元件分别发出的光彼此不干扰的结构。
技术实现要素：
本发明的目的在于，提供一种间隔壁结构，使从包括于车辆用灯的各个半导体发光元件发出的光彼此不干扰。
此外，本发明的目的在于，提供一种制造方法，能够将配置在包括于车辆用灯的半导体发光元件之间的间隔壁结构准确地形成于规定的位置，且能够自由地调节间隔壁结构的宽度和高度。
为了实现所述第一目的，本发明提供一种具备一个以上的光源部的车辆用灯。在此，所述光源部包括：基板，其形成配线电极；多个半导体发光元件，其与所述配线电极电连接；多个荧光体层，其转换光的波长，且分别覆盖所述多个半导体发光元件的每一个；以及间隔壁，其以反射光的方式形成在所述基板上，且配置在所述多个半导体发光元件之间，在所述半导体发光元件的厚度方向上，各个所述间隔壁高于所述半导体发光元件；所述间隔壁的靠近基板的第一端部的宽度大于所述间隔壁的远离基板的第二端部的宽度。
本发明提供一种具备一个以上的光源部的车辆用灯。在此，所述光源部包括：基板，其形成配线电极；多个基底，其具有彼此不同的宽度；多个半导体发光元件，其与所述配线电极电连接；多个荧光体层，其转换光的波长，且分别覆盖所述多个半导体发光元件的每一个；以及间隔壁，其以反射光的方式形成在所述基底上，且配置在所述多个半导体发光元件之间，所述间隔壁包括：第一间隔壁；以及第二间隔壁，其在所述半导体发光元件的厚度方向上，高于所述第一间隔壁；在所述半导体发光元件的厚度方向上，所述第二间隔壁高于所述半导体发光元件；在所述多个基底中，形成于基板的第一基底的宽度小于其他基底的宽度，所述第二间隔壁的端部的宽度小于形成第二间隔壁的基底的任意的宽度。
在一实施例中，各个所述间隔壁可包括：第一间隔壁，其形成在所述基板上；以及第二间隔壁，其形成在所述第一间隔壁上，且由与所述第一间隔壁不同的材料形成。
在一实施例中，在所述半导体发光元件的厚度方向上，所述第一间隔壁的高度可低于所述第二间隔壁的高度。
在一实施例中，在所述半导体发光元件的厚度方向上，所述第一间隔壁可低于所述半导体发光元件。
在一实施例中，所述第一间隔壁的宽度可大于所述第二间隔壁的宽度。
在一实施例中，在所述半导体发光元件的厚度方向上，各个所述间隔壁可低于所述荧光体层的上表面。
在一实施例中，还可包括：孔，其贯通所述荧光体层，且形成于所述半导体发光元件的上侧；以及上部电极，其配置于所述孔内部，且与所述半导体发光元件电连接。在一实施例中，在所述半导体发光元件和所述荧光体层之间可形成透光层。
在一实施例中，所述透光层可以是空隙或导光板，所述空隙或导光板形成在所述半导体发光元件和所述荧光体层之间。
此外，本发明提供一种车辆用灯的制造方法，包括：第一步骤，其在基板上配置多个半导体发光元件；第二步骤，其在所述半导体发光元件之间蒸镀晶种层，所述晶种层由金属或金属合金形成；第三步骤，其形成荧光体层，所述荧光体层覆盖所述半导体发光元件和所述晶种层；第四步骤，其以使所述晶种层的至少一部分向外部露出的方式，蚀刻所述荧光体层的一部分；以及第五步骤，其在对所述晶种层施加电压的状态下涂敷电镀液，在所述晶种层上形成间隔壁。
在一实施例中，在执行所述第二步骤后且执行所述第三步骤之前，还包括形成透光层的步骤，所述透光层覆盖所述半导体发光元件和所述晶种层，所述第四步骤可以使所述晶种层的至少一部分向外部露出的方式，蚀刻所述荧光体层和所述透光层的一部分。
在一实施例中，车辆用灯的制造方法的特征在于，在执行所述第二步骤后且执行所述第三步骤之前，还包括形成多个透光层的步骤，多个所述透光层分别覆盖所述半导体发光元件的每一个。
根据本发明，能够吸收或反射向半导体发光元件的侧面行进的光，使从包括于车辆用灯的各个半导体发光元件发出的光彼此不干扰。在与能够以元件单位控制半导体发光元件的电极结构一起利用本发明的结构的情况下，能够选择性地点亮车辆用灯的整个区域中的一部分区域。
此外，在本发明的制造方法中，由于通过电镀来形成间隔壁结构，因此能够通过晶种金属的配置来调节间隔壁结构的位置，且能够通过调节电镀条件来自由地调节间隔壁的宽度和高度。
附图说明
图1是表示本发明的利用半导体发光元件的车辆用灯的一实施例的概念图。
图2是图1的a部分的局部放大图，图3是截面图，图4是表示图3的倒装芯片半导体发光元件的概念图。
图5a至图5c是简略地表示图1的a部分的截面图。
图6和图7是表示本发明的制造方法的概念图。
图8a至图9c是简略地表示图1的a部分的截面图。
图10是表示垂直型半导体发光元件的截面的概念图。
图11是简略地表示利用垂直型半导体发光元件的光源的截面图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本说明书所揭示的实施例，在此，与附图标记无关的对相同或类似的结构要素赋予相同的参照标记，并将省去对其重复的说明。在以下说明中使用的针对结构要素的接尾词“模块”及“部”仅是考虑到便于说明书的撰写而被赋予或混用，其自身并不带有相互区分的含义或作用。此外，在对本发明揭示的实施例进行说明的过程中，如果判断为对于相关的公知技术的具体说明会导致混淆本说明书所揭示的实施例的技术思想，则将省去对其详细的说明。此外，所附的附图仅是为了容易理解本说明书所揭示的实施例，不应由所附的附图来限定本发明所揭示的技术思想。
此外，在提及到如层、区域或基板那样的要素存在于其他结构要素“上(on)”时，其可以理解为直接地存在于其他要素上或其间可存在中间要素。
本说明书中说明的车辆用灯可包括前照灯(前灯)、尾灯、车幅灯、雾灯、方向指示灯、制动灯、应急灯、倒车灯(尾灯)等。但是，对于本领域技术人员而言显而易见的是，即使是在未来开发的新的产品形式，根据本说明书中记载的实施例的结构也可以应用于能够显示的装置。
图1是表示本发明的利用半导体发光元件的车辆用灯的一实施例的概念图。
本发明的一实施例的车辆用灯10包括：框架11，其固定于车体；以及光源部12，其设置于框架11。
框架11连接有配线线路，所述配线线路用于向光源部12供给电源，所述框架11可直接连结固定于车体或将支架作为媒介固定于车体。根据图示，为了使光源部12发出的光进一步扩散且鲜明，可具备透镜部。
所述光源部12可以是挠性(flexible)光源部，所述挠性光源部借助外力可弯曲、可弯折、可扭曲、可折叠、可卷曲。
在所述光源部12没有弯曲的状态(例如，具有无限大的曲率半径的状态，以下称为第一状态)下，所述光源部12成为平面。在所述第一状态下借助外力弯曲的状态(例如，具有有限的曲率半径的状态，以下称为第二状态)下，所述挠性光源部可成为至少一部分弯曲或弯折的曲面。
所述光源部12的像素可由半导体发光元件形成。在本发明中，作为将电流转换为光的半导体发光元件的一种，例示发光二极管(lightemittingdiode：led)。所述发光二极管以小尺寸形成，由此，在所述第二状态下也能起到像素的作用。
一方面，本发明的光源部12包括单位光源、基底基板、连接电极。以下，具体地说明所述结构要素。
光源部12可仅由所述单位光源构成。以下，通过仅由单位光源构成的光源部12，具体地说明所述单位光源。
图2是图1的a部分的局部放大图，图3是截面图，图4是表示图3的倒装芯片半导体发光元件的概念图。
如图2、图3和图4的图示，例示利用无源矩阵(passivematrix，pm)方式的半导体发光元件作为利用半导体发光元件的单位光源100的情况。只是，以下说明的例示也可以应用于有源矩阵(activematrix，am)方式的半导体发光元件。
所述单位光源100包括基板110、第一电极120、第二电极140和多个半导体发光元件150。
基板110是通过整个工序来形成结构的基底层(baselayer)，可成为配置第一电极120的配线基板。为了形成挠性光源部，所述基板110可包括玻璃或聚酰亚胺(pi)。此外，基板110可以是薄膜金属。此外，如果是具有绝缘性且具有柔软性的材质，则例如可使用pen(polyethylenenaphthalate：聚萘二甲酸乙二酯)、pet(polyethyleneterephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)等中的任一个。此外，所述基板110可以是透明的材质或不透明的材质中的任一个。
一方面，在所述基板110安装有散热片或散热器等，从而能够实现散热功能。此时，可在所述基板110的与配置所述第一电极120的面相反的面安装所述散热片或散热器等。
第一电极120位于基板110上，可形成为面形态的电极。因此，所述第一电极120可成为配置在所述基板上的电极层，发挥数据电极的作用。
根据图示，绝缘层130可配置在设置有第一电极120的基板110上，可在所述绝缘层130设置辅助电极170。此时，在所述基板110层叠有绝缘层130的形态可成为一个配线基板。更具体地，绝缘层130可由如聚酰亚胺(pi，polyimide)、pet、pen等那样具有绝缘性且具有柔软性的材质，与所述基板110一体成形来形成一个基板。
辅助电极170是将第一电极120和半导体发光元件150电连接的电极，位于绝缘层130上，且与第一电极120的位置对应。例如，辅助电极170是点(dot)形态，可通过贯通绝缘层130的电极孔171与第一电极120电连接。所述电极孔171可通过在穿孔中填充导电物质来形成。
由于半导体发光元件150的亮度好，因此也可由小尺寸形成个体单位像素。这样的个体半导体发光元件150的尺寸的一边的长度可以是80μm以下，可以是矩形或正方形元件。此时，单个半导体发光元件的面积可具有10-10～10-5m2的范围，发光元件间的间隔可具有100μm～10mm的范围。
参照图4，所述半导体发光元件可以是倒装芯片类型(flipchiptype)的发光元件。
例如，所述半导体发光元件包括p型电极156、形成在p型电极156上的p型半导体层155、形成在p型半导体层155上的活性层154、形成在活性层154上的n型半导体层153和在n型半导体层153上沿水平方向与p型电极156隔开配置的n型电极152。此时，p型电极156可与辅助电极170电连接，n型电极152可与第二电极140电连接。
重新参照图2和图3，辅助电极170沿一方向长地形成，一个辅助电极可与多个半导体发光元件150电连接。例如，以辅助电极为中心，左右的多个半导体发光元件的p型电极可与一个辅助电极电连接。
此外，多个半导体发光元件150构成发光元件阵列(array)，在发光元件阵列形成荧光体层180。
发光元件阵列可包括本身亮度值不同的多个半导体发光元件。各个半导体发光元件150构成单位像素，与第一电极120电连接。例如，第一电极120可以是多个，多个半导体发光元件例如可配置为数列，各列的多个半导体发光元件可与多个所述第一电极中的一个电连接。
此外，由于多个半导体发光元件以倒装芯片形态连接，因此可利用在透明电介质基板成长的多个半导体发光元件。此外，多个所述半导体发光元件例如可以是氮化物半导体发光元件。由于半导体发光元件150的亮度好，因此也可由小尺寸形成个体单位像素。
一方面，第二电极140位于多个半导体发光元件150之间，与多个半导体发光元件150电连接。例如，多个半导体发光元件150可配置为多列，第二电极140可位于多列半导体发光元件150之间。
此时，由于构成个体像素的半导体发光元件150之间的距离足够大，因此第二电极140可位于多个半导体发光元件150之间。此外，第二电极140可向一方向形成为长条(bar)形态的电极。
一方面，此时彩色滤光片200可层叠于所述荧光体层180来提高转换的光的色纯度。此外，为了将光源部从水分、氧气和外部冲击中进行保护，保护层300可形成为覆盖所述彩色滤光片200。此时，所述保护层300可通过薄膜接合或树脂涂敷来形成。
一方面，为了防止从多个半导体发光元件分别发出的光彼此干扰，可在半导体发光元件150之间形成间隔壁160。此时，间隔壁160可发挥将个体单位像素彼此分离的作用。
在所述半导体发光元件的厚度方向上，所述间隔壁160形成为高于多个所述半导体发光元件。由此，所述间隔壁160除了从半导体发光元件发出的光之外，还吸收或反射从配置于半导体发光元件上侧的荧光体层输出的光。具体地，所述间隔壁160从半导体发光元件发出的光和从荧光体层输出的光中吸收或反射朝向半导体发光元件的侧面方向的光。
为此，所述间隔壁160可由光吸收率高的黑色材料(blackmaterial)或反射率高的白色材料(whitematerial)形成。此外，所述间隔壁160可由反射率高的ni(镍)、cr(铬)或cu(铜)等具有光泽的金属或金属合金形成。
所述间隔壁160和荧光体180可形成为各种形态。以下，说明形成间隔壁160和荧光体180的各种实施例。
以下，为了便于说明，在构成光源的多个结构要素中省略对除了半导体基板110、半导体发光元件150、间隔壁160和荧光体180之外的其他多个结构要素的说明，但是，本领域技术人员能够通过图2至图4的说明容易地类推出未图示的多个结构要素。
参照图2、图3和图5a，荧光体层180可配置成围绕半导体发光元件150的侧面和上表面。这种情况下，在半导体发光元件150和荧光体层180之间不会配置其他层，从半导体发光元件150发出的光直接在荧光体层180进行转换。
参照图5b，可在荧光体层180和半导体发光元件之间形成光学间隙190。所述光学间隙190可填充空气，也可由透明树脂形成。这种情况下，从半导体发光元件150发出且朝向半导体发光元件150的侧面的光经由光学间隙190被荧光体层180吸收。
参照图5c，在荧光体层180下侧可配置光学间隙层191。所述光学间隙层191可填充空气，也可由透明树脂形成。与图5b不同，在图5c的结构中，从半导体发光元件150发出且朝向半导体发光元件150的侧面的光经由光学间隙层191被间隔壁吸收或被间隔壁反射。
一方面，所述光学间隙层191可用作结构物，所述结构物用于将半导体发光元件150电连接于配线电极。具体地，所述光学间隙层191可以是具有粘接性和导电性的层，为此，在所述光学间隙层191中可混合具有导电性的物质和具有粘接性的物质。此外，光学间隙层191具有柔性，由此使车辆用灯具有挠性功能。
作为这种例子，光学间隙层191可以是各向异性导电性薄膜(anistropyconductivefilm，acf)、各向异性导电胶(paste)、含有导电性粒子的溶液(solution)等。所述光学间隙层191可以是在贯通厚度的z方向上允许相互电连接，但是在水平的x-y方向上具有电绝缘性的层。因此，所述光学间隙层191可命名为z轴导电层。
所述各向异性导电性薄膜是在绝缘性基底构件中混合有各向异性导电介质(anisotropicconductivemedium)的形态的薄膜，在施加热和压力时仅使特定部分通过各向异性导电介质具有导电性。以下，说明将热和压力施加于所述各向异性导电性薄膜，但是为了使所述各向异性导电性薄膜具有局部导电性，也可使用其他方法。这种方法，例如可以是仅施加所述热和压力中的一个或uv固化等。
此外，所述各向异性导电介质例如可以是导电球(conductiveball)或导电性粒子。根据图示，在本例示中，所述各向异性导电性薄膜是将导电球混合到绝缘性基底构件的形态的薄膜，在施加热和压力时通过导电球仅使特定部分具有导电性。各向异性导电性薄膜可以是聚合物材质的绝缘膜覆盖导电性物质的芯的含有多个粒子的形态，此时因施加热和压力的部分的绝缘膜受到破坏而通过芯具有导电性。此时，因芯的形态变形而可在薄膜的厚度方向上形成彼此接触的层。作为更具体的例子，热和压力施加于整个各向异性导电性薄膜，因由各向异性导电性薄膜粘接的相对物的高度差而在z轴方向上局部地形成电连接。
作为另一例子，各向异性导电性薄膜可以是导电性物质覆盖绝缘芯的含有多个粒子的形态。此时，施加了热和压力的部分因导电性物质变形(按压贴合)而在薄膜的厚度方向上具有导电性。作为又一例子，也可以是导电性物质在z轴方向上贯通绝缘性基底构件而在薄膜的厚度方向上具有导电性的形态。此时，导电性物质可具有尖锐的端部。
所述各向异性导电性薄膜可以是以导电球插入绝缘性基底构件的一面的形态形成的固定排列各向异性导电性薄膜(fixedarrayacf)。更具体地，绝缘性基底构件可由具有粘接性的物质形成，导电球集中地配置于所述绝缘性基底构件的底面部分，在热和压力施加于所述基底构件时，随着所述基底构件与所述导电球一起变形而在垂直方向上具有导电性。
只是，本发明并不局限于此，所述各向异性导电性薄膜可以是在绝缘性基底构件中随机地混入有导电球的形态，或者由多个层构成且在某一个层配置有导电球的形态(double-acf)等。
各向异性导电胶可以作为胶和导电球的结合形态，是在绝缘性和粘接性的基底物质中混合有导电球的胶。此外，含有导电性粒子的溶液可以是含有导电性颗粒(particle)或纳米(nano)粒子的形态的溶液。
由于在图5a至图5c的光源中说明的间隔壁的宽度是数十微米，因此很难在规定的位置准确地形成所述间隔壁，且很难以规定的高度准确地形成间隔壁。此外，在以规定的高度以上的高度形成间隔壁的情况下，间隔壁的耐用性降低，从而在光源制造中间隔壁有可能损毁。
在说明用于解决所述问题的间隔壁结构之前，说明能够自由地调节间隔壁的高度的制造方法。
图6和图7是表示本发明的制造方法的概念图。
参照图6，进行在基板配置多个半导体发光元件的第一步骤。例如，在成长基板使第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层成长，在生成各半导体发光元件后通过蚀刻形成第一导电型电极156和第二导电型电极152。
成长基板(晶片)可包括具有透光性质的材质，例如蓝宝石(al2o3)、gan、zno、alo中的一个，但并不局限于此。此外，成长基板2101可由适合半导体物质成长的物质、载体晶片形成。可由导热性优异的物质形成，包括导电性基板或绝缘性基板，例如，可以使用导热性大于蓝宝石(al2o3)基板的sic基板或si、gaas、gap、inp、ga2o3中的至少一种。
第一导电型电极156和第一导电型半导体层可分别是p型电极和p型半导体层，第二导电型电极152和第二导电型半导体层可分别是n型电极和n型半导体层。但是，本发明并不局限于此，也可以例示第一导电型是n型，第二导电型是p型。
接着，将半导体发光元件结合于配线基板，去除成长基板。在将半导体发光元件结合于配线基板时，可利用所述导电性粘接层。
所述配线基板是形成有第一和第二电极的状态，通过导电性粘接层等，第一和第二导电型电极分别与第一和第二电极电连接。
一方面，如在图2和图3中说明的那样，在基板上形成绝缘层130的情况下，所述半导体发光元件可配置于在所述绝缘层130上形成的配线电极上。以下，根据构成配线电极的方式，配置在基板上的多个结构要素也可配置在图2和图3中说明的绝缘层130上。
接着，进行在多个所述半导体发光元件之间蒸镀由金属或金属合金形成的晶种层的第二步骤。
例如，晶种层可包括多个层。
本发明的间隔壁通过电解电镀形成。为了进行电解电镀，应在基板上形成作为用于电镀的电极的晶种层161。为了提高基板110和晶种层161间的结合力，可事先在基板110上蒸镀粘接层。粘接层可由ti、tin、cr等金属形成，所述晶种层161可由au、cu等形成。
接着，进行形成覆盖半导体发光元件和晶种层的荧光体层的第三步骤。
荧光体层180可通过在基板上涂覆混合有荧光体的树脂后使其固化来形成。这种情况下，荧光体层180具有在图5a中说明的结构。
一方面，可利用在以板形态制造荧光体层180后，将其粘接于基板的方式。具体地，板形态的荧光体层180可通过以下步骤来形成：通过将荧光材料粉末烧制来制造板形态的步骤；通过湿式蚀刻或干式蚀刻在板的一侧面形成阴刻结构的步骤。在此，所述阴刻结构应形成于配置半导体发光元件的位置。
在通过所述荧光体板构成荧光体层的情况下，可在半导体发光元件和荧光体层之间形成间隙。即，在通过荧光体板构成荧光体层的情况下，可形成如图5b所示的结构。一方面，在向所述阴刻结构填充透明树脂后，将所述荧光体板粘接于基板的情况下，可在半导体发光元件和荧光体层之间形成由透明树脂形成的光学间隙。
在执行所述第二步骤后且执行所述第三步骤之前，还可包括形成分别覆盖各个所述半导体发光元件的多个透光层的步骤。
接着，进行以使所述晶种层的至少一部分向外部露出的方式，蚀刻所述荧光体层的一部分的第四步骤。
在所述第三步骤中形成的所述荧光体层180覆盖半导体发光元件150和晶种层161。为了利用晶种层161的电镀，晶种层161的至少一部分应向外部露出。为此，进行蚀刻荧光体层180的步骤。应在所述荧光体层180的整个区域中蚀刻与晶种层161重叠的区域。例如，在基板上以网状配置所述晶种层161的情况下，也应将荧光体层180蚀刻为网状。
荧光体层的蚀刻可通过湿式蚀刻或干式蚀刻进行。
一方面，通过蚀刻可形成孔h1，所述孔h1发挥形成所述间隔壁的模具(mold)作用。间隔壁的结构可根据所述孔h1的形态而不同。此外，通过调节所述孔h1的宽度，可调节间隔壁的宽度。
最后，进行在对所述晶种层施加电压的状态下涂敷电镀液，在所述晶种层上形成间隔壁的第五步骤。
使所述晶种层161的至少一部分向外部露出后，在电镀液内对所述晶种层161施加电压时，开始在晶种层161上蒸镀金属。在此，蒸镀的金属可以是带光泽的金属。在调节电镀液的浓度、电镀时间、施加的电压的强度等的情况下，可调节间隔壁的高度。
一方面，如图7所示，本发明的制造方法还可包括在执行所述第二步骤之后且执行所述第三步骤之前，形成覆盖所述半导体发光元件和所述晶种层的透光层191的步骤。这种制造方法制造的光源具有如图5c所示的结构。
所述透光层191可以是所述各向异性导电性薄膜。这种情况下，所述透光层191可用于将半导体发光元件150电连接于配线基板，荧光体层180可形成在各向异性导电性薄膜上。这种情况下，晶种层161被透光层191覆盖。由于为了生成间隔壁，晶种层161的至少一部分应向外部露出，因此在形成有所述透光层191的情况下，应在所述第四步骤中蚀刻所述荧光体层和所述透光层的一部分。具体地，应蚀刻与所述晶种层161重叠的荧光体层180和透光层191的一部分区域。这种方式形成的孔h2的侧面由荧光体层180和透光层191形成。
如上所述，在本发明的制造方法中，由于间隔壁结构通过电镀来形成，因此可通过设置晶种金属来调整间隔壁结构的位置，可通过调节电镀条件来自由地调节间隔壁的宽度和高度。
以下，更具体地说明由所述制造方法制造的光源的结构。以下，将所述晶种层称为第一间隔壁，将电镀在晶种层上的金属层称为第二间隔壁。
图8a至图9c是简略地表示图1的a部分的截面图。
参照图8a至图8c，优选在所述半导体发光元件150的厚度方向上，所述第一间隔壁161的高度低于所述第二间隔壁162的高度。由于第一间隔壁161由电镀时用于施加电压的金属形成，因此第一间隔壁161的反射率可低于形成第二间隔壁162的金属的反射率。这种情况下，优选以朝向第二间隔壁162的光量多于朝向第一间隔壁161的光量的方式，将第二间隔壁162形成为高于第一间隔壁161。由此，可在反射率相对高的第二间隔壁162形成实质上的反射。
一方面，优选在半导体发光元件150的厚度方向上，第一间隔壁161形成为低于多个半导体发光元件150。在第一间隔壁161由反射率低于第二间隔壁162的反射率的金属形成的情况下，优选使朝向半导体发光元件侧面的光朝向第二间隔壁162。为此，应将第一间隔壁161最大限度形成得薄。由此，可使朝向半导体发光元件侧面的光大部分朝向第二间隔壁162。
一方面，如图9a至图9c所示，优选所述第一间隔壁161的宽度大于所述第二间隔壁162的宽度。在图6和7中说明的荧光体层蚀刻过程中第一间隔壁161可能受到损失，因此优选使第一间隔壁161最大限度地形成为宽的宽度。由此，即使在荧光体层180的蚀刻过程中第一间隔壁161的一部分受到损失，也能够维持第一间隔壁161和第二间隔壁162的粘接力。此外，在使第一间隔壁161形成得宽的情况下，第一间隔壁161能够反射朝向半导体发光元件下侧行进的光的一部分，因此能够使光源的光量增加。
以上，说明了利用倒装芯片类型的半导体发光元件来构成光源的实施例。但是，本发明除了倒装芯片类型之外，还能够应用于垂直型半导体发光元件。
图10是表示垂直型半导体发光元件的截面的概念图。
参照图10，这种垂直型半导体发光元件包括p型电极156、形成在p型电极156上的p型半导体层155、形成在p型半导体层155上的活性层154、形成在活性层154上的n型半导体层153和形成在n型半导体层153上的n型电极152。此时，位于下部的p型电极156可与第一电极120电连接，位于上部的n型电极152可与第二电极140电连接。这种垂直型半导体发光元件150可沿上下配置电极，因此具有能够使芯片尺寸减小的巨大优点。
在利用所述垂直型半导体发光元件来构成光源的情况下，由于与n型电极152电连接的第二电极140配置于半导体发光元件150的上侧，因此可能存在第二电极140与由金属形成的间隔壁之间短路的问题。
本发明提供用于解决这种问题的结构。
图11是概略地表示利用垂直型半导体发光元件的光源的截面图。
在利用垂直型半导体发光元件来构成光源的情况下，优选在所述半导体发光元件的厚度方向上，分别使形成在基板上的多个间隔壁形成为低于所述荧光体层的上表面。在利用垂直型半导体发光元件来构成图5a至图5c中说明的结构的光源的情况下，第二电极140应形成在荧光体层上。此时，为了防止第二电极140和间隔壁160短路，如图11所示，间隔壁应形成为低于荧光体层的上表面。
为了进一步绝缘，可在形成为比荧光体层的上表面低的间隔壁上涂敷绝缘物质。这种情况下，第二电极140可配置在所述绝缘物质上。
一方面，能够以使配置在荧光体层180上的第二电极140与垂直型半导体发光元件150电连接的方式在荧光体层形成孔181，可在所述孔181配置将第二电极140与半导体发光元件150电连接的连接电极182。
由此，本发明即使在利用垂直型半导体发光元件来构成光源的情况下，也可以使配线电极和间隔壁不短路。
此外，本发明提供一种包括车辆用灯的车辆。
本发明在不脱离本发明的精神和必要特征的范围内能够以其他特定的形态具体化，对本领域技术人员而言是显而易见的。
此外，所述详细的说明在所有方面不应解释为限制性的，而应解释为例示性的。本发明的范围应由附加的权利要求书的合理的解释来决定，在本发明的均等范围内的所有变更包括于本发明的范围。