一种具有二氧化硅膜层的离型膜及其制备方法

文档序号:3325779阅读:791来源:国知局
一种具有二氧化硅膜层的离型膜及其制备方法
【专利摘要】本发明提供了一种具有二氧化硅涂层的离型膜及其制备方法,包括如下步骤:(1)配置聚硅氮烷溶液;(2)在PET膜的一面或两面涂覆聚硅氮烷溶液,驱除溶剂,烘干,聚硅氮烷涂层干燥厚度为20-200纳米;(3)将步骤(2)所得产品在相对湿度85%、温度85℃的烘箱中湿热处理2-3小时,再在温度120-150℃之间烘烤1-2小时,即可得到具有二氧化硅涂层的离型膜。该二氧化硅(SiO2)膜结构致密,表面非常光滑,与环氧树脂等粘结力很小,可以实现离型效果,另外,该二氧化硅(SiO2)膜是通过聚硅氮烷溶液反应生成的,里层与薄膜结合力良好,外层形成光滑致密层与普通环氧结合力很弱,同时溶液涂覆过程可以保证不存在漏涂等问题,从而可以实现整体的离型效果。
【专利说明】一种具有二氧化硅膜层的离型膜及其制备方法

【技术领域】
[0001]本发明涉及离型膜【技术领域】,具体地,涉及一种具有二氧化硅膜层的离型膜及其制备方法。

【背景技术】
[0002]离型膜是指表面具有分离性的薄膜,离型膜与特定的材料在有限的条件下接触后不具有粘性,或轻微的粘性。通常情况下为了增加塑料薄膜的离型力,会将塑料薄膜做等离子处理,或涂氟处理,或涂有机硅(silicone)离型剂于薄膜材质的表层上,如PET、PE、0PP,等等;让它对于各种不同的有机压感胶,如热融胶、亚克力胶和橡胶系的压感胶等,可以表现出极轻且稳定的离型力。根据不同所需离型膜离型力,隔离产品胶的粘性不同,离型力相对应调整,使之在剥离时达到极轻且稳定的离型力。
[0003]离型膜广泛应用于覆铜板、印刷电路板、电子胶黏剂等领域,其独特的低表面张力使其本身不容易附着于其他材料。普通离型膜主要是由基膜(如聚酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜等)和涂覆于基膜上的有机硅组成。一般情况下,离型膜附着于对应材料上起前期保护作用,当使用时撕开离型膜后,通常出现如下缺点:离型膜表面的有机硅离型剂迀移到接触材料中,导致接触材料表面与其它材料的结合力下降。
[0004]为了解决有机硅离型剂迀移与接触材料的问题,杜邦等公司推出含氟离型膜(如PTFE膜),该薄膜虽然可以解决该问题,但价格非常昂贵,而且使用过后的含氟薄膜(PTFE等)对环境带来二次污染,其不易分解、不能回收再利用。而其他离型膜厂家多数都使用硅油等有机硅离型剂涂覆在PE等薄膜表面,这样也可以达到例行效果,且成本与售价都比较低,但是经常会出现严重的质量问题,即有机硅离型剂脱落,残留在绝缘板表面上,导致该绝缘板在PCB加工过程中出现粘结力下降等质量问题。


【发明内容】

[0005]为了克服现有技术的不足,本发明提供了一种具有二氧化硅膜层的离型膜及其制备方法,通过在薄膜表面覆盖一层非常薄的无机粒子二氧化硅(S12)膜,该二氧化硅(S12)膜结构致密,表面非常光滑,与环氧树脂等粘结力很小,可以实现离型效果,另外,该二氧化硅(S12)膜是通过聚硅氮烷溶液反应生成的,里层与薄膜结合力良好,外层形成光滑致密层与普通环氧结合力很弱,同时溶液涂覆过程可以保证不存在漏涂等问题,从而可以实现整体的离型效果。
[0006]本发明的技术方案如下:一种具有二氧化硅膜层的离型膜的制备方法,包括如下步骤:
[0007](I)配置聚硅氮烷溶液:聚硅氮烷质量浓度为1_10%,溶剂为有机溶剂正丁醚;
[0008](2)在PET膜的一面或两面涂覆聚硅氮烷溶液,驱除溶剂,烘干,聚硅氮烷涂层干燥厚度为20-200纳米;
[0009](3)将步骤(2)所得产品在相对湿度85%、温度85°C的烘箱中湿热处理2-3小时,再在温度120-150°C之间烘烤1-2小时,即可得到具有二氧化硅涂层的离型膜。
[0010]所述聚硅氮烷溶液涂层的干燥厚度为20-200纳米。
[0011]所述PET膜的厚度为25-50微米。
[0012]一种具有二氧化硅膜层的离型膜,包括PET膜和粘附在PET膜一侧或两侧的二氧化硅膜。
[0013]所述二氧化硅膜层的厚度为20-200纳米。
[0014]所述二氧化硅膜的制备方法为:
[0015](I)配置聚硅氮烷溶液:聚硅氮烷质量浓度为1_10%,溶剂为有机溶剂正丁醚;
[0016](2)在PET膜的一面或两面涂覆聚硅氮烷溶液,驱除溶剂,烘干,聚硅氮烷涂层干燥厚度为20-200纳米;
[0017](3)将步骤⑵所得产品在相对湿度85%、温度85°C的烘箱中湿热处理2-3小时,再在温度120-150°C之间烘烤1-2小时,即可得到具有二氧化硅涂层的离型膜。
[0018]本发明的有益效果为:本发明所述具有二氧化硅膜层的离型膜,通过在薄膜表面覆盖一层非常薄的无机粒子二氧化硅(S12)膜,该二氧化硅(S12)膜结构致密,表面非常光滑,与环氧树脂等粘结力很小,可以实现离型效果,另外,该二氧化硅(S12)膜是通过聚硅氮烷溶液反应生成的,里层与薄膜结合力良好,外层形成光滑致密层与普通环氧结合力很弱,同时溶液涂覆过程可以保证不存在漏涂等问题,从而可以实现整体的离型效果。

【专利附图】

【附图说明】
[0019]图1为本发明所述具有二氧化硅膜层的离型膜的结构示意图。
[0020]图2为本发明所述具有二氧化硅膜层的离型膜的另一结构示意图。

【具体实施方式】
[0021]下面通过【具体实施方式】对进一步说明本发明,以帮助更好的理解本发明的内容,但这些【具体实施方式】不以任何方式限制本发明的保护范围。
[0022]参照图1和图2,一种具有二氧化硅膜层的离型膜,包括离型膜I和粘附于离型膜I 一侧或两侧的二氧化硅膜2。
[0023]实施例1 一种具有二氧化硅膜层的离型膜的制备方法,包括如下步骤:
[0024](I)配置聚硅氮烷溶液:聚硅氮烷浓度为1%,溶剂为有机溶剂正丁醚;
[0025](2)基膜涂胶:在25微米PET膜的一面涂覆上述聚硅氮烷溶液,驱除溶剂,烘干;然后在PET膜的另一面涂覆上述聚硅氮烷溶液,驱除溶剂,烘干;聚硅氮烷溶液涂层干燥厚度范围:20纳米;
[0026](3)将步骤(2)所得产品在相对湿度85%、温度85°C的烘箱中湿热处理2小时,然后在温度120-150°C烘烤2小时,即得到具有二氧化硅膜层的双面离型膜。
[0027]性能测试:
[0028]将实施例1所得具有二氧化硅膜层的双面离型膜与玻璃布基环氧树脂半固化片叠好层压,压板固化条件150-180°C固化60分钟,测试离型膜与绝缘板剥离强度在0.1-ο.3N/mm,非常容易用手将其分离,且揭开离型膜后,板面没有离型剂材料。将该绝缘板制作PCB,即将该绝缘板再次与玻璃布基环氧树脂半固化片层压后,层间粘结力良好,在PCB回流焊过程中不分层。
[0029]实施例2 —种具有二氧化硅膜层的离型膜的制备方法,包括如下步骤:
[0030](I)配置聚硅氮烷溶液:聚硅氮烷浓度为5%,溶剂为有机溶剂正丁醚;
[0031](2)基膜涂胶:在50微米PET膜的一面涂覆上述聚硅氮烷溶液,驱除溶剂,烘干;然后在PET膜的另一面涂覆上述聚硅氮烷溶液,驱除溶剂,烘干;聚硅氮烷溶液涂层干燥厚度范围:100纳米;
[0032](3)将步骤(2)所得产品在相对湿度85%、温度85°C的烘箱中湿热处理3小时,然后在温度120-150°C烘烤2小时,即得到具有二氧化硅膜层的双面离型膜。
[0033]性能测试:
[0034]将实施例2所得具有二氧化硅膜层的双面离型膜与玻璃布基环氧树脂半固化片叠好层压,压板固化条件150-180°C固化60分钟,测试离型膜与绝缘板剥离强度在0.1-ο.3N/mm,非常容易用手将其分离,且揭开离型膜后,板面没有离型剂材料。将该绝缘板制作PCB,即将该绝缘板再次与玻璃布基环氧树脂半固化片层压后,层间粘结力良好,在PCB回流焊过程中不分层。
[0035]实施例3 —种具有二氧化硅膜层的离型膜的制备方法,包括如下步骤:
[0036](I)配置聚硅氮烷溶液:聚硅氮烷浓度为10%,溶剂为有机溶剂正丁醚;。
[0037](2)基膜涂胶:在25微米PET膜的一面涂覆上述聚硅氮烷溶液,驱除溶剂,烘干;然后在PET膜的另一面涂覆上述聚硅氮烷溶液,驱除溶剂,烘干;聚硅氮烷溶液涂层干燥厚度范围:200纳米;
[0038](3)将步骤(2)所得产品在相对湿度85%、温度85°C的烘箱中湿热处理3小时,然后在温度120-150°C烘烤2小时,即得到具有二氧化硅膜层的双面离型膜。
[0039]性能测试:
[0040]将实施例2所得具有二氧化硅膜层的双面离型膜与玻璃布基环氧树脂半固化片叠好层压,压板固化条件150-180°C固化60分钟,测试离型膜与绝缘板剥离强度在0.1-ο.3N/mm,非常容易用手将其分离,且揭开离型膜后,板面没有离型剂材料。将该绝缘板制作PCB,即将该绝缘板再次与玻璃布基环氧树脂半固化片层压后,层间粘结力良好,在PCB回流焊过程中不分层。
[0041]比较例
[0042]1、选用普通有机硅离型膜。
[0043]2、用该离型膜与玻璃布基环氧树脂半固化片叠好层压,压板固化条件150_180°C固化60分钟,测试离型膜与绝缘板剥离强度在0.1-0.2N/mm,非常容易用手将其分离,且揭开离型膜后,板面可以发现有少量有机硅离型剂残留。将该绝缘板制作PCB,即将该绝缘板再次与玻璃布基环氧树脂半固化片层压后,层间粘结力较差,在PCB回流焊过程中发生分层现象。
[0044]以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属【技术领域】的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,其架构形式能够灵活多变,可以派生系列产品。只是做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。
【权利要求】
1.一种具有二氧化硅膜层的离型膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: (1)配置聚硅氮烷溶液:聚硅氮烷质量浓度为1-10%,溶剂为有机溶剂正丁醚; (2)在PET膜的一面或两面涂覆聚硅氮烷溶液,驱除溶剂,烘干,聚硅氮烷涂层干燥厚度为20-200纳米; (3)将步骤(2)所得产品在相对湿度85%、温度85°C的烘箱中湿热处理2-3小时,再在温度120-150°C之间烘烤1-2小时,即可得到具有二氧化硅膜层的离型膜。
2.如权利要求1所述的具有二氧化硅膜层的离型膜的制备方法,其特征在于,所述聚硅氮烷溶液涂层的干燥厚度为20-200纳米。
3.如权利要求1所述的具有二氧化硅膜层的离型膜的制备方法,其特征在于,所述PET膜的厚度为25-50微米。
4.一种具有二氧化硅膜层的离型膜,其特征在于,包括PET膜和粘附在PET膜一侧或两侧的二氧化硅膜。
5.如权利要求4所述的具有二氧化硅膜层的离型膜,其特征在于,所述二氧化硅膜的厚度为20-200纳米。
6.如权利要求4或5所述的具有二氧化硅膜层的离型膜,其特征在于,所述二氧化硅膜的制备方法为: (1)配置聚硅氮烷溶液:聚硅氮烷质量浓度为1-10%,溶剂为有机溶剂正丁醚; (2)在PET膜的一面或两面涂覆聚硅氮烷溶液,驱除溶剂,烘干,聚硅氮烷涂层干燥厚度为20-200纳米; (3)将步骤(2)所得产品在相对湿度85%、温度85°C的烘箱中湿热处理2-3小时,再在温度120-150°C之间烘烤1-2小时,即可得到具有二氧化硅膜层的离型膜。
【文档编号】C23C18/12GK104451611SQ201410768596
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月12日 优先权日:2014年12月12日
【发明者】刘东亮 申请人:广东生益科技股份有限公司
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