1.一种成膜装置，包括：
靶材架；
衬底架；
第一电源；以及
第二电源，
其中，所述靶材架与所述第一电源电连接，
所述衬底架与所述第二电源电连接，
并且，该第二电源施加比接地电位高的电位。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，
其中所述电位比在形成膜期间生成的等离子体电位高。
3.根据权利要求1所述的成膜装置，
其中在以垂直距离从所述靶材架的正面远离30mm的平面上垂直于所述靶材架的正面的方向上的最大磁通密度为50G以上且150G以下。
4.一种成膜装置，包括：
靶材架；
衬底架；
第一导入口；以及
第二导入口，
其中，所述第一导入口配置得比所述衬底架更靠近所述靶材架，
所述第二导入口配置得比所述靶材架更靠近衬底架，
所述第一导入口导入第一气体，
并且，所述第二导入口导入第二气体。
5.根据权利要求4所述的成膜装置，
其中在形成膜期间，在所述靶材架附近所述第一气体的浓度高并在所述衬底架的附近所述第二气体的浓度高。
6.根据权利要求4所述的成膜装置，
其中在以垂直距离从所述靶材架的正面远离30mm的平面上垂直于所述靶材架的正面的方向上的最大磁通密度为50G以上且150G以下。
7.一种成膜装置，包括：
第一靶材架；
第二靶材架；
衬底架；
第一电源；以及
第二电源，
其中，所述第一靶材架及所述第二靶材架与所述第一电源电连接，
所述衬底架与所述第二电源电连接，
并且，所述第二电源施加比接地电位高的电位。
8.根据权利要求7所述的成膜装置，
其中所述电位比在形成膜期间生成的等离子体电位高。
9.根据权利要求7所述的成膜装置，
其中在以垂直距离从所述第一靶材架的正面远离30mm的平面上垂直于所述第一靶材架的所述正面的方向上的最大磁通密度为50G以上且150G以下。
10.根据权利要求7所述的成膜装置，
其中在以垂直距离从所述第二靶材架的正面远离30mm的平面上垂直于所述第二靶材架的所述正面的方向上的最大磁通密度为50G以上且150G以下。
11.一种成膜装置，包括：
第一靶材架；
第二靶材架；
衬底架；
第一导入口；以及
第二导入口，
其中，所述第一导入口配置得比所述衬底架更靠近所述第一靶材架及所述第二靶材架，
所述第二导入口配置得比所述第一靶材架及所述第二靶材架更靠近衬所述底架，
所述第一导入口导入第一气体，
并且，所述第二导入口导入第二气体。
12.根据权利要求11所述的成膜装置，
其中在形成膜期间，在所述第一靶材架及所述第二靶材架附近所述第一气体的浓度高并在所述衬底架附近所述第二气体的浓度高。
13.根据权利要求11所述的成膜装置，
其中在以垂直距离从所述第一靶材架的正面远离30mm的平面上垂直于所述第一靶材架的所述正面的方向上的最大磁通密度为50G以上且150G以下。
14.根据权利要求11所述的成膜装置，
其中在以垂直距离从所述第二靶材架的正面远离30mm的平面上垂直于所述第二靶材架的所述正面的方向上的最大磁通密度为50G以上且150G以下。