技术总结
提供一种结晶性高的氧化物。或者，提供一种具有缺陷少的结晶结构的氧化物。或者，提供一种缺陷能级密度低的氧化物。或者，提供一种杂质浓度低的氧化物。或者，提供一种能够形成上述氧化物的成膜装置。成膜装置包括靶材架、衬底架、第一电源及第二电源，其中靶材架与第一电源电连接，衬底架与第二电源电连接，第二电源具有施加比接地电位高的电位的功能。
技术研发人员：太田将志;川田琢也;山根靖正;远藤佑太
受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所
文档号码：201610709365
技术研发日：2016.08.23
技术公布日：2017.03.08