技术总结
本发明公开了一种Ag掺杂氧化铁纳米管阵列结构薄膜及其制备方法，将氧化铁纳米管阵列结构薄膜浸渍于含Ag溶液中进行超声处理处理即可获得本发明所述产品。本发明通过超声辅助处理向氧化铁纳米管阵列结构薄膜中掺杂Ag，获得了Ag掺杂氧化铁纳米管阵列结构薄膜，该薄膜与未掺杂Ag的氧化铁纳米管阵列结构薄膜相比，载流子浓度和光电流密度大幅度提高，光电化学性能更优。另外，本发明方法操作简单，产品易得，利于大规模地推广。
技术研发人员：邓洪达;曹献龙;林景崎
受保护的技术使用者：重庆科技学院
文档号码：201611003941
技术研发日：2016.11.15
技术公布日：2017.05.31