技术总结
本发明公开了一种属于封装材料领域的具有抗辐射加固功能的高导热电子封装材料。所述封装材料是一种Al‑W‑Si三元体系的复合材料，其中W的质量分数为20～40％，Si的质量分数为10～60％，其余为Al，该材料的密度为2.9～4.01g/cm3，热导率为130～200W/(m×K)，热膨胀系数为8～19×10‑6/K，厚度为2mm的该材料对40KeV能量的X射线屏蔽效能超过75％，对60KeV能量的X射线屏蔽效能超过40％。本发明制备的封装材料具有低比重、高热导率、低膨胀系数的特性，同时兼具抗辐射加固性能，可以满足某些特殊应用环境下对器件小型化、轻量化和多功能集成的要求。
技术研发人员：梁秋实;熊静华;朱小峰;王健;赵洪超;杨剑;杨志民;毛昌辉
受保护的技术使用者：北京有色金属研究总院
文档号码：201611129388
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.05.17