本发明涉及一种封装材料，尤其涉及一种具有抗辐射加固功能的高导热电子封装材料。
背景技术：
随着电子技术的飞速发展，电子元器件对于封装材料的要求也随之提高。在某些特殊环境(如X射线辐射环境)下，为保证电子器件能够正常工作，要求封装材料除了具有传统封装材料高导热、低膨胀系数的特性外，还需兼具抗辐射加固性能，保护内部电子器件不受硬X射线的辐射损伤。当前，主要的金属基电子封装材料有Al-Si、Al-SiC、Cu-金刚石、W-Cu、Mo-Cu、可伐合金等几种材料体系。上述材料体系中，Al-Si、Al-SiC体系封装材料比重小，具有良好的热导率和较低的热膨胀系数，受到广泛关注并得到实际应用，但该材料对硬X射线的防护性能较差，无法满足电子器件对抗辐射加固性能的要求。而W-Cu、Mo-Cu等体系封装材料除具有传统封装材料的优良性能外，也具有一定的硬X射线屏蔽性能，但由于比重大、成本高、加工困难等因素限制其发展应用。
Al-W-Si复合材料是一种新型的三元体系的复合材料，实现了传统封装材料高导热、低膨胀系数与抗辐射加固性能的有效集成，使材料兼具低密度、高热导率、低膨胀系数和硬X射线防护等性能，可以满足某些特殊应用环境下对器件小型化、轻量化和多功能集成的要求。
技术实现要素：
本发明针对现有封装材料对硬X射线的防护性能较差的问题，提供了一种具有抗辐射加固功能的高导热电子封装材料，其特征在于：
该材料是一种Al-W-Si三元体系的复合材料，其中W的质量分数为20～40％，Si的质量分数为10～60％，其余为Al，所述复合材料的密度为2.9～4.01g/cm3，热导率为130～200W/(m×K)，热膨胀系数为8～19×10-6/K。
所述厚度为2mm的封装材料对40KeV能量X射线的屏蔽效能超过75％，对60KeV能量X射线的屏蔽效能分别超过40％。
本发明的优点在于：
本发明可以实现传统封装材料和抗辐射加固材料性能的有效集成，使该封装材料具有低比重、高热导率、低膨胀系数的性能，同时兼具抗辐射加固性能，可以满足某些特殊应用环境下对器件小型化、轻量化和多功能集成的要求。
具体实施方式
本发明提供了一种抗辐射加固用高导热电子封装材料，以下通过实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
成分为20W60SiAl的复合封装材料，其密度为2.9g/cm3；热导率为131W/(m×K)；热膨胀系数为8.16×10-6/K；2mm厚度材料对40KeV能量X射线的屏蔽效能为78％，对60KeV能量X射线的屏蔽效能为43％。
实施例2
成分为40W40SiAl的复合封装材料，其密度为3.72g/cm3；热导率为142W/(m×K)；热膨胀系数为9.33×10-6/K；2mm厚度材料对40KeV能量X射线的屏蔽效能为98％，对60KeV能量X射线的屏蔽效能为71％。
实施例3
成分为20W50SiAl的复合封装材料，其密度为2.95g/cm3；热导率为145W/(m×K)；热膨胀系数为10.31×10-6/K；2mm厚度材料对40KeV能量X射线的屏蔽效能为91％，对60KeV能量X射线的屏蔽效能为44％。
实施例4
成分为40W30SiAl的复合封装材料，其密度为3.81g/cm3；热导率为160W/(m×K)；热膨胀系数为12.13×10-6/K；2mm厚度材料对40KeV能量X射线的屏蔽效能为98％，对60KeV能量X射线的屏蔽效能为72％。
实施例5
成分为20W40SiAl的复合封装材料，其密度为3.01g/cm3；热导率为158W/(m×K)；热膨胀系数为12.53×10-6/K；2mm厚度材料对40KeV能量X射线的屏蔽效能为91％，对60KeV能量X射线的屏蔽效能为45％。
实施例6
成分为40W10SiAl的复合封装材料，其密度为4.01g/cm3；热导率为197W/(m×K)；热膨胀系数为18.16×10-6/K；2mm厚度材料对40KeV能量X射线的屏蔽效能为99％，对60KeV能量X射线的屏蔽效能为74％。
上述实施例中涉及的Al-W-Si复合材料，其成分只是Al-W-Si复合材料体系中的几种，本发明中涉及的复合材料成分并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，依据本发明技术方案实质，可通过调整材料成分来实现对材料性能的调控。凡依据本发明技术方案实质，对上述实施例进行简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案范围内。