壳类中频淬火花键感应器的制作方法

本实用新型属于感应器技术领域，尤其涉及一种壳类中频淬火花键感应器。

背景技术：

现有的外购件花键感应器经进厂验证合格后，存在加工1万件零件后，壳类零件花键下面大径部位与端面部位之间的R部位出现淬硬层不合格，相对应的感应器R部位有效圈都会出现鼓起、开裂、老化脱落漏水，对外购花键感应器一次使用寿命为1万件的原因进行分析：花键感应器R部位和端面部的有效圈为2个部件焊接而成，造成感应器冷却水量不够、加热时R部位有效圈电流过于集中，发热集中在R部位而损坏。现有的外购件花键感应器的结构如附图1至3所示。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足，而提供一种壳类中频淬火花键感应器，使花键感应器一次使用寿命达到5万件以上，热处理质量稳定。

本实用新型的目的是通过如下技术方案来完成的，包括出水接头、出水管、接触块，所述的出水接头通过90弯头与管螺纹管的一端相连接，管螺纹管的另一端与出水管相连接，该管螺纹管通过压紧螺母固定在左侧板上；所述的出水管通过圆弧导管与直方管相连接，直方管与接触块上的横导管相连接，横导管通过连接方管与R线圈体相连接，在该R线圈体上设有R部位导磁体，该R部位导磁体通过R导磁体夹片固定于直方管的外侧；所述的圆弧导管外侧设有小圆弧用导磁体，并通过导磁体定位夹片夹住固定，该圆弧导管的另侧通过双头螺杆使用垫片、螺母、螺纹拉杆固定在右侧板上。

作为优选，所述的R部位导磁体与小圆弧用导磁体的感应方向为同方向布置。

本实用新型的有益效果为：通过对壳类花键感应器结构进行优化，感应器有效圈在有交变电流通过情况下电流磁场的邻近效应对感应器有效圈通过电流分布的影响，使花键感应器发热量分布匀均，感应器的冷却效果达到最佳，从而使壳类花键感应器一次使用寿命达到5万件以上，热处理质量稳定。

附图说明

图1是现有的花键感应器主视结构示意图。

图2是现有的花键感应器俯视结构示意图。

图3是现有的花键感应器的接触块结构示意图。

图4是本实用新型的花键感应器主视结构示意图。

图5是本实用新型的花键感应器俯视结构示意图。

图6是本实用新型的花键感应器的接触块结构示意图。

附图中的标号分别为：1、出水接头；2、90度弯头；3、管螺纹管；4、压紧螺母；5、左侧板；6、圆弧导管；7、出水管；8、R导磁体夹片；9、直方管；10、小圆弧用导磁体；11、导磁体定位夹片；12、双头螺杆；13、右侧板；14、垫片；15、螺母；16、螺纹拉杆；17、接触块；18、横导管；19、连接方管；20、R线圈体；21、R部位导磁体；22、端面用导磁体；23、键杆部导磁体；24、纵导流管。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型做详细的介绍：如附图4至6所示，本实用新型包括出水接头1、出水管7、接触块17，所述的出水接头1通过90弯头2与管螺纹管3的一端相连接，管螺纹管3的另一端与出水管7相连接，该管螺纹管3通过压紧螺母4固定在左侧板5上；所述的出水管7通过圆弧导管6与直方管9相连接，直方管9与接触块17上的横导管18相连接，横导管18通过连接方管19与R线圈体20相连接，在该R线圈体20上设有R部位导磁体21，该R部位导磁体21通过R导磁体夹片8固定于直方管9的外侧；所述的圆弧导管6外侧设有小圆弧用导磁体10，并通过导磁体定位夹片11夹住固定，该圆弧导管6的另侧通过双头螺杆12使用垫片14、螺母15、螺纹拉杆16固定在右侧板13上。所述的R部位导磁体21与小圆弧用导磁体10的感应方向为同方向布置。

主要对壳类中频淬火花键感应器自制端面和R部位有效圈集成一体化设计，花键感应器上、下部位有效圈进行同方向结构优化设计和制作；使花键感应器一次使用寿命达到5万件以上，热处理质量稳定，节约花键感应器采购成本3200元/只，2015年推广应用自制38只花键感应器，节约采购成本121600元，同时感应器设计分析、改进能力得到得升，具有广泛推广价值。

本实用新型不局限于上述实施方式，不论在其形状或材料构成上作任何变化，凡是采用本实用新型所提供的结构设计，都是本实用新型的一种变形，均应认为在本实用新型保护范围之内。