用于处理基板的设备、处理系统和方法与流程

本公开内容的实施方式涉及用于处理基板的设备、用于处理基板的处理系统、和用于保养设备的方法。本公开内容的实施方式特别是涉及用于处理二或更多个基板的真空处理设备，例如用于显示器制造，涉及配置成用于基板的真空处理以制造显示器装置的处理系统，和涉及用于从提供在两个真空处理装置(processingarrangement)之间的大气空间保养真空处理设备的方法。

背景技术：

用于基板上的层沉积的技术，例如包含溅射沉积、热蒸镀、和化学气相沉积。溅射沉积工艺能用于在基板上沉积材料层，例如导电材料或绝缘材料的层。在溅射沉积工艺期间，具有待沉积在基板上的靶材料的靶受到在等离子体区中产生的离子轰击，以从靶的表面逐出靶材料的原子。被逐出的原子能在基板上形成材料层。在反应性溅射沉积工艺中，被逐出的原子能和等离子体区中的气体如氮或氧反应，以在基板上形成靶材料的氧化物、氮化物、或氮氧化物。

经涂布的材料可用在数种应用和数种技术领域中。举例来说，一种应用是在微电子学的领域，例如产生半导体装置。此外，用于显示器的基板经常通过溅射沉积工艺来涂布。另外的应用包含绝缘面板、带有薄膜晶体管(tft)的基板、彩色滤光片、或类似者。

举例来说，在显示器制造中，降低显示器的制造成本是有利的，所述显示器例如用于手机、平板计算机、电视屏幕、和类似者。制造成本的降低，能例如通过增加真空处理系统如溅射沉积系统的产量来实现。另外，占地能是降低持有真空处理系统的成本的相关因素。

考虑到上述情况，克服至少一些技术领域中的问题的设备、系统、和方法是有利的。本公开内容特别是致力于提出提供用于增加产量、降低真空处理系统的占地、以及降低操作、维护、和制造成本之中的至少一者的设备、系统、和方法。

技术实现要素：

鉴于上述情况，提供用于处理基板的设备、用于处理基板的处理系统、和用于保养设备的方法。本公开内容另外的方面、优点、和特征从权利要求书、说明书、和所附附图而明朗。

根据本公开内容的一个方面，提供一种用于处理基板的设备。该设备包含第一真空处理装置、第二真空处理装置、和支撑结构。支撑结构配置在第一真空处理装置和第二真空处理装置之间的大气空间中。

根据本公开内容的另一个方面，提供一种用于处理基板的设备。该设备包含第一真空处理装置、第二真空处理装置、和支撑结构。支撑结构配置在第一真空处理装置和第二真空处理装置之间的大气空间中。另外，支撑结构包含基座架结构，该基座架结构支撑第一真空处理装置的第一真空腔室的第一底壁。此外，支撑结构的基座架结构支撑第二真空处理装置的第二真空腔室的第二底壁。另外，支撑结构包含强化架结构，该强化架结构连接至第一真空腔室的第一背壁，并连接至第二真空腔室的第二背壁。第一真空腔室相对于第二真空腔室配置。

根据本公开内容的又另一个方面，提供一种用于处理基板的处理系统。该处理系统包含根据任何叙述于此的实施方式的用于处理基板的设备。另外，该处理系统包含基板装载模块，该基板装载模块用于将基板装载至用于处理基板的该设备中。基板装载模块包含固持装置和摆动模块，固持装置用于固持基板，摆动模块用于在水平定向和垂直定向之间改变基板定向。

根据本公开内容的再一个方面，提供一种用于保养用在处理基板的设备的方法，该设备包含第一真空处理装置和第二真空处理装置，第一真空处理装置和第二真空处理装置由共享的支撑结构所支撑。该方法从提供在支撑结构的基座架结构上方的大气空间保养第一真空处理装置和/或第二真空处理装置。

实施方式也涉及用于进行所公开的方法的设备，并包含用于执行各个所述方法方面的设备部分。这些方法方面可通过硬件部件、以适当软件编程的计算机、通过二者的任意组合、或以任何其他方式来执行。再者，根据本公开内容的实施方式也涉及用于操作所述设备的方法。用于操作所述设备的方法包含用于进行设备的每个功能的方法方面。

附图说明

为了能理解本公开内容上述特征的细节，可通过参照实施方式来得到对于简单总括于上的公开内容更详细的叙述。所附附图涉及本公开内容的实施方式，并如下所述：

图1示出根据叙述于此的实施方式的用于处理基板的设备的侧视示意图。

图2a-2c示出根据另外的叙述于此的实施方式的用于处理基板的设备的俯视示意图。

图3a示出根据叙述于此的实施方式的处理系统的透视示意图。

图3b示出根据叙述于此的实施方式的处理系统的俯视示意图。

图4示出用于阐明根据叙述于此的实施方式的用于保养用在处理基板的设备的方法的流程图。

具体实施方式

现在将对于本公开内容的各种不同的实施方式进行详细说明，其一或多个示例于附图中阐明。在以下对于附图的叙述中，相同的附图标记指示相同的部件。只对于个别实施方式的不同之处进行叙述。各个示例以解释本公开内容的方式来提供，而非意味作为本公开内容的限制。另外，作为一个实施方式的一部分而被阐明或叙述的特征，能被用在或结合任一其他实施方式，以产生又另一实施方式。叙述内容意欲包含这类修改和变化。

在详细叙述本公开内容各种不同的实施方式之前，先解释关于使用于此的一些用词和表达的一些方面。

在本公开内容中，“用于处理基板的设备”能被理解成如叙述于此的配置成用于处理基板的设备。特别是，用于处理基板的设备能配置成用于处理垂直基板，例如用于显示器制造。更特别地，用于处理基板的设备能配置成用于处理大面积基板，例如通过在真空沉积腔室中于基板上沉积一或多个层。另外，应该注意的是在本公开内容中，“用于处理基板的设备”也可被称为“处理设备”。

在本公开内容中，如使用于此的用词“基板”或“大面积基板”，应特别囊括非柔性基板，例如玻璃板和金属板。然而，本公开内容不受限于此，用词“基板”也能囊括柔性基板，例如卷材或箔。根据一些实施方式，基板能由任何适合用于材料沉积的材料制成。举例来说，基板能由选自于由下列选项构成的群组的材料制成：玻璃(例如钠钙玻璃、硼硅玻璃等等)、金属、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纤维材料、云母、或任何其他能由沉积工艺涂布的材料或材料的组合。

举例来说，如叙述于此的“大面积基板”能具有至少0.01平方米的尺寸，特别是至少0.1平方米，更特别是至少0.5平方米。举例来说，大面积基板或载具能为对应至约0.67平方米的基板(0.73米×0.92米)的第4.5代、对应至约1.4平方米的基板(1.1米×1.3米)的第5代、对应至约4.29平方米的基板(1.95米×2.2米)的第7.5代、对应至约5.7平方米的基板(2.2米×2.5米)的第8.5代、或甚至对应至约8.7平方米的基板(2.85米×3.05米)的第10代。更大的代如第11代和第12代以及对应的基板面积能以类似的方式实施。因此，基板能选自于由下列选项构成的群组：第1代、第2代、第3代、第3.5代、第4代、第4.5代、第5代、第6代、第7代、第7.5代、第8代、第8.5代、第10代、第11代、和第12代。特别是，基板能选自于由下列选项构成的群组：第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代、第10代、第11代、和第12代、或更大的代的基板。另外，基板厚度能从0.1至1.8毫米(mm)，特别是约0.9毫米或更低，例如0.7毫米或0.5毫米。

在本公开内容中，“真空处理装置”能被理解成具有一或多个真空腔室的处理装置。“真空腔室”能被理解成具有用于产生技术真空(technicalvacuum)的真空泵的腔室。特别是，如叙述于此的真空腔室，能被理解成能够被抽空至低于大气压力的腔室，例如是到10毫巴(mbar)或更低的压力，特别是1毫巴或更低。根据一示例性的配置型态，真空腔室能为配置成用于在真空处理腔室中的沉积区导入处理气体的真空处理腔室。举例来说，处理气体能包含惰性气体如氩、和/或反应性气体如氧、氮、氢和氨(nh3)、臭氧(o3)、或类似者。

因此，如使用于此的用词“真空”能被理解成具有低于例如10毫巴的真空压力的技术真空的概念。典型地，如叙述于此的真空腔室中的压力，可介于10^-5毫巴和约10^-8毫巴之间，典型地介于10^-5毫巴和10^-7毫巴之间，甚至更典型地介于约10^-6毫巴和约10^-7毫巴之间。根据一些实施方式，真空腔室中的压力可被视为在真空腔室中蒸发的材料的局部压力，或者是总压力(在真空腔室中只有该蒸发的材料存在作为待沉积成分时，其可约略相同)。在一些实施方式中，真空腔室中的总压力可落在从约10^-4毫巴至约10^-7毫巴的范围里，特别是在其中除了该蒸发的材料之外的第二成分存在于真空腔室中(例如气体或类似者)的例子里。

在本公开内容中，“支撑结构”能被理解成如叙述于此的支撑第一真空处理装置和第二真空处理装置的机械结构。也就是说，支撑结构能为共享的支撑结构，配置成用于支撑第一真空处理装置和第二真空处理装置。更特别地，如叙述于此的“支撑结构”能为机械结构，例如架结构(framestructure)，该机械结构包含提供在第一真空处理装置和第二真空处理装置之间的共享的强化结构。特别是，支撑结构能连接至第一真空处理装置的第一背壁，并连接至第二真空处理装置的第二背壁，如此而提供共享的强化。另外，如叙述于此的“支撑结构”可包含提供平台结构的基座架结构，在平台结构的顶部上能配置第一真空处理装置和第二真空处理装置。因此，基座架结构能为共享的基座架结构，其支撑第一真空处理装置和第二真空处理装置二者。

在本公开内容中，“大气空间”能被理解成提供在第一真空处理装置和第二真空处理装置之间的空间，其中提供大气压力。典型地，“大气空间”包含空气，使得人可停留在提供于第一真空处理装置和第二真空处理装置之间的空间中，例如为了第一真空处理装置和/或第二真空处理装置的保养或维护。因此，能选择大气空间的大小，使得人能进出第一真空处理装置的背侧和第二真空处理装置的背侧。

图1示出根据叙述于此的实施方式的用于处理基板的设备100的侧视示意图。如在图1中示例性示出的，设备100包含第一真空处理装置101、第二真空处理装置102、和支撑结构103。支撑结构配置在第一真空处理装置101和第二真空处理装置102之间的大气空间108中。特别是，包含第一真空处理装置和第二真空处理装置的处理设备在此也可被称为成对处理设备(twinprocessingapparatus)。更特别地，“成对处理设备”能被理解成如叙述于此的包含二个个别的真空处理装置的处理设备。也就是说，第一真空处理装置和第二真空处理装置典型地被设计成分开的单元。

因此，相较于传统处理设备，如叙述于此的处理设备的实施方式有利地提供用于增加产量、降低占地、以及降低操作、维护、和制造成本。特别是，通过提供如叙述于此的成对处理设备，能增加产量且能降低占地。另外，通过提供如叙述于此的支撑结构，第一真空处理装置和第二真空处理装置的背壁能有利地被以高效且节省空间的方式强化。

更特别地，提供如叙述于此的支撑结构可能是特别有利的，因为各个真空处理装置的背壁必须承受大气压力至真空压力的差异。由于如叙述于此的支撑结构提供用于第一真空处理装置和第二真空处理装置的共享的强化，所以支撑结构具有关于构成、固定、和成本方面的优点。特别是，相较于真空处理装置的个别的强化，共享的强化降低了重量。

另外，有利地，提供在第一真空处理装置和第二真空处理装置之间的空间，即真空处理装置的背壁之间的路程提供用于用在保养真空处理装置的保养区。因此，如叙述于此的处理设备的实施方式有利地提供用于从提供在支撑结构的基座架结构上方的大气空间保养第一真空处理装置和/或第二真空处理装置。

示例性地参考图1，根据能和任何其他叙述于此的实施方式结合的实施方式，支撑结构103能连接至第一真空处理装置101的第一壁104。此外，支撑结构103能连接至第二真空处理装置102的第二壁105。典型地，第二壁105面向第一壁104，如在图1中示例性示出者。因此，有利地，提供对于第一真空处理装置和第二真空处理装置的共享的强化，使得支撑结构的重量相较于真空处理装置的个别的强化能降低。

根据能和任何其他叙述于此的实施方式结合的实施方式，第一真空处理装置101能为第一串联式(in-line)处理装置。另外，第二真空处理装置102能为第二串联式处理装置。特别是，第一真空处理装置101可为第一垂直处理装置。额外地或替代性地，第二真空处理装置102可为第二垂直处理装置。因此，有利地，处理设备的占地能降低。

在本公开内容中，“垂直处理装置”能被理解为处理装置，被配置成用于处理在实质上垂直定向中的基板(实质上垂直＝垂直±15°)。如本公开内容通篇所使用的，用词如“垂直方向(verticaldirection)”或“垂直定向(verticalorientation)”被理解为和“水平方向(horizontaldirection)”或水平定向(horizontalorientation)”有所区分。

示例性地参考图1，根据能和任何其他叙述于此的实施方式结合的实施方式，支撑结构103包含基座架结构106。特别是，基座架结构106支撑第一真空处理装置101的第一底壁104b。另外，基座架结构106支撑第二真空处理装置102的第二底壁105b。因此，有利地，提供共享的基座架结构，其支撑第一真空处理装置和第二真空处理装置二者。通过提供如叙述于此的共享的基座架结构，相较于对真空处理装置使用个别的基座架(baseframe)，支撑结构的重量能降低。

根据能和任何其他叙述于此的实施方式结合的实施方式，支撑结构103可包含强化架结构107，如在图1中示例性示出者。典型地，支撑结构103，特别是强化架结构107，能连接至第一真空处理装置101的第一背壁104a。此外，支撑结构103，特别是强化架结构107，能连接至第二真空处理装置102的第二背壁105a。举例来说，强化架结构107能提供在第一真空处理装置101的第一背壁104a和第二真空处理装置102的第二背壁105a之间，如在图1中示例性示出者。更特别地，强化架结构107能配置在提供于第一真空处理装置101和第二真空处理装置102之间的大气空间108中。因此，有利地，各个真空处理装置的背壁能被强化，使得背壁能承受大气压力至真空压力的差异。

示例性地参考图1，根据能和任何其他叙述于此的实施方式结合的实施方式，强化架结构107连接至基座架结构106。举例来说，基座架结构106能包含平台106p，强化架结构107连接至平台106p。特别是，平台106p能配置成用于支撑在平台的顶部上行走的人，其例如在真空处理装置的保养期间在平台的顶部上行走。或者，强化架结构107和基座架结构106可为一体(integral)的架结构，其中基座架结构106包含平台106p。

根据能和任何其他叙述于此的实施方式结合的实施方式，第一真空处理装置101和第二真空处理装置102之间的大气空间108提供保养区。特别是，该保养区提供对第一真空处理装置101的第一背侧的进出。此外，该保养区提供对第二真空处理装置102的第二背侧的进出。因此，如叙述于此的处理设备的实施方式有利地提供用于从提供在支撑结构的基座架结构上方的大气空间保养第一真空处理装置和/或第二真空处理装置。

示例性地参考图1，根据能和任何其他叙述于此的实施方式结合的实施方式，支撑结构103能连接至第一真空处理装置101的第一真空腔室110。另外，支撑结构103能连接至第二真空处理装置102的第二真空腔室120。典型地，第一真空腔室110相对于第二真空腔室120配置，如在图1中示例性示出者。举例来说，第一真空腔室110和/或第二真空腔室120选自于由下列选项构成的群组：装载锁定腔室；处理腔室，特别是沉积腔室；移送腔室；和具有用于产生技术真空的真空泵的真空腔室。

因此，相较于传统的处理设备，叙述于此的实施方式提供用于关于增加产量、降低占地、以及降低操作、维护、和制造成本的改善的处理设备，例如用于显示器制造。

作为一个能和其他叙述于此的配置型态及实施方式结合的示例，设备100包含第一真空处理装置101、第二真空处理装置102、和支撑结构103。支撑结构配置在第一真空处理装置101和第二真空处理装置102之间的大气空间108中。另外，支撑结构103包含基座架结构106，基座架结构106支撑第一真空处理装置101的第一真空腔室110的第一底壁104b。此外，基座架结构106支撑第二真空处理装置102的第二真空腔室120的第二底壁105b。支撑结构103包含强化架结构107，强化架结构107连接至第一真空腔室110的第一背壁104a。此外，强化架结构107连接至第二真空腔室120的第二背壁105a。第一真空腔室110相对于第二真空腔室120配置，如在图1中示例性示出者。

图2a-2c示出根据另外的叙述于此的实施方式的用于处理基板的设备的俯视示意图。特别是，图2a-2c示出如叙述于此的处理设备的不同布置的示例。

图2a示出处理设备的第一示例性实施方式，该处理设备具有第一真空处理装置101和第二真空处理装置102。第一真空处理装置101包含第一装载锁定腔室111和第一真空处理腔室123。举例来说，第一真空处理装置101能经由阀，例如闸阀115，连接至第一真空处理腔室123。在本公开内容中，“闸阀”能被理解成允许对相邻的真空腔室真空密封的口部。因此，第二真空处理装置102可包含第二装载锁定腔室112和第二真空处理腔室124。类似地，第二装载锁定腔室112能经由闸阀115连接至第二真空处理腔室124，如在图2a中示例性示出者。因此，在第一真空处理装置和/或第二真空处理装置的个别真空腔室中的真空能彼此独立地被控制。

另外，如在图2a中示例性示出的，第一装载锁定腔室111能包含第一闸阀115a，且第二装载锁定腔室112能包含第二闸阀115b。举例来说，第一闸阀115a和第二闸阀115b能提供用于对相邻的用在将基板装载至处理设备中的基板装载模块180的连接，如在图3b中示例性示出者。

示例性地参考图2a，根据能和任何其他叙述于此的实施方式结合的实施方式，第一真空处理腔室123和第二真空处理腔室124能提供具有由附图标记133和134来指示的一或多个沉积源或沉积源阵列的沉积区。

根据处理设备的第二示例性实施方式，另外的真空腔室(121、122)可提供在第一真空处理装置101和第二真空处理装置102各自的装载锁定腔室(111、112)和各自的真空处理腔室(123、124)之间，如在图2b中示例性示出者。这类配置型态可有利于在各个装载锁定腔室(111、112)以第一真空压力产生第一真空，并在另外的真空腔室(121、122)以第二真空压力产生第二真空。因此，在两个分开的步骤中能降低真空压力。如在图2b中示例性示出的，另外的真空腔室(121、122)能包含闸阀115，该闸阀115用于将该另外的真空腔室连接至装载锁定腔室和真空处理腔室。

根据一些能和其他叙述于此的实施方式结合的实施方式，处理设备能配置成用于基板上的静态层沉积，示例性地示于图2a和2b中。或者，处理设备能配置成用于基板上的动态层沉积，如在图2c中示例性示出者。动态沉积工艺，例如溅射沉积工艺，能被理解成其中在溅射沉积工艺进行时，基板沿着传输方向移动通过沉积区的沉积工艺。也就是说，基板在溅射沉积工艺期间非为静态。

如此，根据如在图2c中示例性示出的一些实施方案，处理设备能被配置成用于动态处理，特别是动态沉积，具有串联式处理装置。特别是，在本公开内容中，“串联式处理装置”能被理解成沿线配置的二或更多个真空腔室的配置。更特别地，如叙述于此的“串联式处理装置”能被配置成用于一或多个层在垂直基板上的就位。举例来说，一或多个层能在静态沉积工艺或动态沉积工艺中被沉积。沉积工艺能为物理气相沉积工艺如溅射工艺、或化学气相沉积工艺。

串联式处理装置，特别是配置成用于动态层沉积者，提供用于均匀处理基板，例如大面积基板，像是长方形玻璃板。处理工具，例如一或多个沉积源，主要是在一个方向(例如垂直方向)中延伸，而基板是在第二个、不同的方向(例如第一传输方向1或第二传输方向1’，其能如在图2c中示例性示出的为水平方向)中移动。

用于动态真空沉积的设备或系统，例如串联式处理设备或系统，具有在一个方向中的处理均匀性，例如层均匀性，由以恒定速度移动基板和使一或多个溅射沉积源保持稳定的能力限制的优点。串联式处理设备或动态沉积设备的沉积工艺由通过一或多个沉积源的基板的移动所决定。对于串联式处理设备来说，沉积区或处理区能为实质上线形的区域，用于处理例如大面积基板。沉积区能为沉积材料在其中从一或多个沉积源喷射以被沉积在基板上的区。相对于此，对于静态处理设备来说，沉积区或处理区将基本上对应至基板的区域。

在一些实施方案中，相较于静态处理系统，串联式处理系统如用于动态沉积者的另一个差异能通过其他真空腔室(例如第一真空处理装置101的真空腔室121、123和125，以及/或第二真空处理装置102的真空腔室122、124和126)中的装载锁定腔室不包含用于一个真空腔室相对于另一真空腔室的真空气密密封的装置的事实来系统化定义，如在图2c中示例性示出者。相对于此，如在图2a和2b中示例性示出的，静态处理设备可具有能相对于彼此由闸阀115真空气密密封的真空腔室(例如第一真空处理装置101的真空腔室111、121和123，以及/或第二真空处理装置102的真空腔室112、122和124)。

如在图2a-2c中示例性示出的，根据能和任何其他叙述于此的实施方式结合的实施方式，支撑结构，特别是强化架结构107，配置在提供于第一真空处理装置101和第二真空处理装置102之间的大气空间108中。另外，如图2a-2c所示，二或更多个强化架结构107可提供在相对配置的第一真空处理装置101和第二真空处理装置102的真空腔室之间。因此，应该理解的是，二或更多个基座架结构106可提供用于支撑相对配置的第一真空处理装置101和第二真空处理装置102的真空腔室。

根据一些能和其他叙述于此的实施方式结合的实施方式，设备100包含磁性悬浮系统，用于将基板载具固持在悬浮的状态。选择性地，可提供设备100一磁性驱动系统，该磁性驱动系统配置成用于在传输方向中，例如像是在图2c中示例性指出的第一传输方向1中，移动或传送基板载具。磁性驱动系统能被包含在磁性悬浮系统中，或者能提供作为一个单独的实体。

根据一些能和其他叙述于此的实施方式结合的实施方式，基板载具以磁性悬浮系统支撑在真空处理系统中。举例来说，磁性悬浮系统能包含第一磁铁，该第一磁铁在没有机械接触的情况下将基板载具支撑在悬挂位置。磁性悬浮系统提供基板载具悬浮，即非接触性的支撑。因此，能降低或避免起因于载具在用于动态沉积的设备中的移动的颗粒产生。磁性悬浮系统包含第一磁铁，该第一磁铁提供力至基板载具的顶部，该力实质上等于重力。也就是说，基板载具非接触性地悬挂在第一磁铁下方。

另外，磁性悬浮系统能包含第二磁铁，该第二磁铁提供用于基板载具沿着传输方向的平移移动。基板载具能在设备中由第一磁铁被非接触性地支撑，并在设备中使用第二磁铁而例如在真空腔室(例如第一真空处理装置101的第一装载锁定腔室111、真空腔室121、123和125、以及/或第二真空处理装置102的第二装载锁定腔室112、真空腔室122、124和126)之间被移动。

示例性地参考图3a和3b，叙述用于处理基板的处理系统200的实施方式。特别是，图3a示出根据叙述于此的实施方式的处理系统200的透视示意图，且图3b示出俯视示意图。

处理系统200包含根据任何叙述于此的实施方式的用于处理基板的设备100。另外，处理系统200包含基板装载模块180，用于将基板装载至用于处理基板的设备100中。基板装载模块180包含固持装置140和摆动模块160，固持装置140用于固持基板，摆动模块160用于在水平定向和垂直定向之间改变基板定向。

举例来说，基板装载模块180能经由一或多个阀，例如第一闸阀115a和第二闸阀115b，连接至用于处理基板的设备100。在一些实施方式中，摆动模块以及一或多个装载锁定腔室如第一装载锁定腔室111和/或第二装载锁定腔室112，能构成结合式的摆动模块和装载锁定腔室。具有基板位于其上的基板载具能经由第一装载锁定腔室111的第一闸阀115a和/或第二装载锁定腔室112的第二闸阀115b被锁定(lock)至设备100中。

根据能和任何其他叙述于此的实施方式结合的实施方式，固持装置140包含第一固持件和第二固持件，第一固持件用于固持基板，例如第一基板，第二固持件用于固持另一基板，例如第二基板，第二固持件和第一固持件垂直地堆叠。也就是说，第一基板固持件能至少部分地提供在第二基板固持件上方。由于第一固持件和第二固持件在彼此上方的配置，处理系统200的宽度w能被降低，例如相较于其中固持件彼此相邻配置的系统降低50％或更多。因此，能降低处理系统的占地。

考虑到本公开内容，应该理解的是，本公开内容的实施方式谈论到显示器工业。举例来说，显示器能以像是化学气相沉积(cvd)和物理气相沉积(pvd)的工艺制造在大面积基板上。举例来说，tft显示器能被制造在大面积基板上。由于增加的显示器尺寸，真空处理系统的尺寸增加，特别是在基板水平装载的例子里。在本公开内容中，能降低用于基板装载的无尘室区的尺寸，即占地尺寸，因为固持件如基板装载件垂直地堆叠。显示器能为平坦的、或者平滑曲面或弯曲的部件。举例来说，各种不同代的玻璃基板能用于显示器制造。

如在图3a中示例性示出的，基板10能在装载/卸除位置移交至基板装载模块180上方。这典型地在基板处于水平定向的情况下完成。举例来说，基板能自基板盒(cassette)移交。基板能被提供至第一固持件，例如第一伯努利固持件142。举例来说，第一固持件能为用于将基板装载在摆动模块160上的固持件。经处理的基板能自第二固持件接收，第二固持件例如是第二伯努利固持件144。举例来说，第二固持件能为用于将基板从摆动模块160卸除的固持件。应该理解的是，第一固持件和第二固持件可交换。另外，固持件的其中一者或二者能用于基板的装载和卸除。

在本公开内容中，“伯努利固持件”能被理解成配置成用于在基板和用于基板悬浮的表面之间提供压力，例如负压(under-pressure)或减压(reducedpressure)的固持件。特别是，间隙或空间能提供在该表面和基板之间，气流通过其流动。因此，伯努利固持件基于伯努利效应提供用于悬浮基板。更特别地，伯努利固持件(或伯努利类型固持件)支撑基板，而未作出和基板的面(直接)机械接触。特别是，基板漂浮在气垫(gascushion)上。也就是说，固持装置140非接触地位在基板10的面上。用词“减压”和“负压”能相对于伯努利固持件所处的环境压力被定义。特别是，基板和该表面之间的压力，例如减压或负压，被配置成用于基板的悬浮。举例来说，该压力和环境压力之间的差异足以补偿基板的重力。

根据本公开内容的实施方式，固持件能被堆叠成至少部分地垂直地在彼此上方。载具，例如静电吸盘(electrostaticchuck,e-chuck)能被提供在摆动模块160上。基板能使用第一固持件和/或第二固持件被装载至载具上。基板能以水平状态被装载。在将基板装载在载具上之后，摆动模块160，特别是摆动模块160的摆动模块板164能从实质上水平定向移动至实质上垂直定向，例如通过摆动模块160的臂162的移动。图3a和3b示出在实质上垂直定向中的摆动模块160。

因此，第一固持件和第二固持件可在架结构和摆动模块160之间水平地移动。另外，固持件和摆动模块160可相对于彼此垂直地移动，以将基板放置在摆动模块160上的载具上，或从摆动模块自载具移除基板。垂直的相对移动能通过摆动模块、固持件、或二者的移动来提供。

摆动模块160能被配置成用于装载具有基板位于其上的载具至第一装载锁定腔室111和/或第二装载锁定腔室112上。摆动模块160能从水平定向顺时针或逆时针旋转。因此，载具能被装载至各个装载锁定腔室中，且/或能从各个装载锁定腔室卸除。举例来说，装载锁定腔室可被交替使用。

装载锁定腔室能被抽空。在抽空装载锁定腔室之后，载具能被传输至处理设备的一或多个真空腔室中，如叙述于此。如图3a和3b所示，能提供二条线。第一装载锁定腔室111、真空腔室121、123和125能形成第一真空处理装置101。第二装载锁定腔室112、真空腔室122、124和126能形成第二真空处理装置102。

示例性地参考图3a和3b，根据一些能和任何其他叙述于此的实施方式结合的实施方式，可提供无尘室区150。举例来说，固持装置140和/或摆动模块160能提供在无尘室区150中。

从图3a和3b应该理解的是，有利地，如叙述于此的处理系统200，提供用于使用两个串联式单元，例如第一真空处理装置101和第二真空处理装置102，同时处理二或更多个基板，以增加产量。使用如叙述于此的成对处理设备同时处理，降低处理系统的占地。特别是对于大面积基板来说，占地能是降低持有处理系统的成本的相关因素。

示例性地参考图4中所示的流程图，叙述用于保养用在处理基板的设备的方法300的实施方式。特别是，方法300包含提供(方块310)用于处理基板的设备100，例如根据任何叙述于此的实施方式的用于处理基板的设备100。设备100包含第一真空处理装置101和第二真空处理装置102。第一真空处理装置101和第二真空处理装置102由共享的支撑结构103所支撑。另外，该方法包含从提供在支撑结构103的上方的大气空间108保养(方块320)第一真空处理装置101。额外地或替代性地，该方法包含从提供在支撑结构103的上方的大气空间108保养(方块330)第二真空处理装置102。

考虑到上述内容，应该理解的是，如叙述于此实施方式有利地提供用于增加产量、降低占地、以及降低操作、维护、和制造成本。特别是，通过提供叙述于此的成对处理设备，能增加产量且能降低占地。另外，通过提供如叙述于此的支撑结构，第一真空处理装置和第二真空处理装置的背壁能有利地被以高效且节省空间的方式强化。另外，如叙述于此实施方式有利地提供用于帮助保养真空处理系统，特别是具有如叙述于此的成对处理设备的真空处理系统。

尽管前述内容设计本公开内容的实施方式，可在不背离本公开内容的基本范围的情况下，设计出本公开内容其他和更进一步的实施方式，而本公开内容的范围由随附的权利要求书决定。

特别是，此书面叙述使用示例以对于本公开内容进行公开，包含其最佳模式，并且也使得本领域技术人员能够实行所述主题，包含制造和使用任何装置或系统、及执行任何被纳入的方法。尽管前述内容已公开各种不同的特定实施方式，上述实施方式中不互相违背的技术特征可彼此结合。可专利范围由权利要求书所决定，且如果权利要求书具有不异于权利要求书的字面语言的结构元件、或如果权利要求书包含与权利要求书的字面语言无实质上差异的等同结构元件，则其他的示例也意欲被包括在权利要求书的范围之中。