一种可调化合物蒸发镀膜红外真空装置的上加热区机构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及化合物蒸发镀膜设备技术领域，具体的说涉及一种可调化合物蒸发镀膜红外真空装置的上加热区机构。
【背景技术】
[0002]现有化合物蒸发镀膜设备大都采用电阻丝加热，由于电阻丝本身具有热惯性大且升降温速率慢的特性，使得其温度上限很低，限制了化合物蒸发镀膜设备的使用范围，并且电阻丝具有温度反应敏度低、缠绕复杂等问题，要占用化合物蒸发镀膜设备的大量真空腔空间，而且现有化合物蒸发镀膜设备加热区区间位置固定，对不同化合物的加热需要不同的加热温度，而加热设备区间位置固定对不同化合物加热会造成加热效果差，且增大了能耗。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种可调化合物蒸发镀膜红外真空装置的上加热区机构，其结构独特简单，能够实现单独控制，其快速升降温度，而且加热部件区间距离可调，加热效果好。
[0004]为了解决【背景技术】所存在的问题，本实用新型采用以下技术方案:
[0005]一种可调化合物蒸发镀膜红外真空装置的上加热区机构，所述的上加热区机构包括有加热基片，所述的加热基片上方设有上加热区底座，所述的加热基片与上加热区底座通过卡扣固定连接，所述的上加热区底座上设有红外加热管，所述的红外加热管两侧连接有多根红外加热管连接棒，所述的红外加热管上设有灯管压块，灯管压块两侧开设有多个圆孔，所述的红外加热管连接棒穿过圆孔，所述的灯管压块上设有云母片，所述的上加热区底座两侧上端通过卡扣固定有接线排，所述的云母片的上方设有升降底板，所述的升降底板通过卡扣与上加热区底座固定连接，所述的升降底板上端面中部开设有连接槽，连接槽上连接有光轴。
[0006]所述的加热基片为平板状，所述的加热基片上开设有多个槽孔，加热基片的两侧设有弧状L型连接件，可与上加热区底座两侧的卡槽卡合连接。
[0007]所述的上加热区底座为方形框架，所述的上加热区底座的两相对侧面分别设有卡槽，所述的上加热区底座的内侧底部两端分别设有上端带有齿状的支撑块，所述的支撑块上开设有多个通孔，用于连接上加热区机构其他部件。
[0008]优选地，所述的光轴通过螺纹连接连接槽固定在升降底板上。
[0009]本实用新型有益效果:本实用新型其结构独特简单，能够实现单独控制，其快速升降温度，而且加热部件区间距离可调，加热效果好，降低损耗。
【附图说明】
[0010]图1为实用新型结构示意图；
[0011]图2为本实用新型平面结构示意图；
[0012]图3为本实用新型立体结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]参见附图，一种可调化合物蒸发镀膜红外真空装置的上加热区机构，包括有加热基片1，所述的加热基片I上方设有上加热区底座2，所述的加热基片I与上加热区底座2通过卡扣3固定连接，所述的上加热区底座2上设有红外加热管4，所述的红外加热管4两侧连接有多根红外加热管连接棒5，所述的红外加热管4上设有灯管压块6，灯管压块6两侧开设有多个圆孔7，所述的红外加热管连接棒5穿过圆孔7，所述的灯管压块6上设有云母片8，所述的上加热区底座2两侧上端通过卡扣3固定有接线排9，所述的云母片8的上方设有升降底板10，所述的升降底板10通过卡扣3与上加热区底座2固定连接，所述的升降底板10上端面中部开设有连接槽11，连接槽11上连接有光轴12。
[0014]所述的加热基片I为平板状，所述的加热基片I上开设有多个槽孔13，加热基片I的两侧设有弧状L型连接件14，可与上加热区底座2两侧的卡槽21卡合连接。
[0015]所述的上加热区底座2为方形框架，所述的上加热区底座2的两相对侧面分别设有卡槽21，所述的上加热区底座2的内侧底部两端分别设有上端带有齿状的支撑块22，所述的支撑块22上开设有多个通孔23，用于连接上加热区机构其他部件。
[0016]优选地，所述的光轴12通过螺纹连接连接槽11固定在升降底板10上。
【主权项】
1.一种可调化合物蒸发镀膜红外真空装置的上加热区机构，其特征在于:包括有加热基片，所述的加热基片上方设有上加热区底座，所述的加热基片与上加热区底座通过卡扣固定连接，所述的上加热区底座上设有红外加热管，所述的红外加热管两侧连接有多根红外加热管连接棒，所述的红外加热管上设有灯管压块，灯管压块两侧开设有多个圆孔，所述的红外加热管连接棒穿过圆孔，所述的灯管压块上设有云母片，所述的上加热区底座两侧上端通过卡扣固定有接线排，所述的云母片的上方设有升降底板，所述的升降底板通过卡扣与上加热区底座固定连接，所述的升降底板上端面中部开设有连接槽，连接槽上连接有光轴。
2.根据权利要求1所述的一种可调化合物蒸发镀膜红外真空装置的上加热区机构，其特征在于:所述的加热基片为平板状，所述的加热基片上开设有多个槽孔，加热基片的两侧设有弧状L型连接件，与上加热区底座两侧的卡槽卡合连接。
3.根据权利要求1所述的一种可调化合物蒸发镀膜红外真空装置的上加热区机构，其特征在于:所述的上加热区底座为方形框架，所述的上加热区底座的两相对侧面分别设有卡槽，所述的上加热区底座的内侧底部两端分别设有上端带有齿状的支撑块，所述的支撑块上开设有多个通孔。
4.根据权利要求1所述的一种可调化合物蒸发镀膜红外真空装置的上加热区机构，其特征在于:优选地，所述的光轴通过螺纹连接连接槽固定在升降底板上。
【专利摘要】本实用新型公开了一种可调化合物蒸发镀膜红外真空装置的上加热区机构，包括有加热基片，加热基片上方设有上加热区底座，加热基片与上加热区底座通过卡扣固定连接，上加热区底座上设有红外加热管，红外加热管两侧连接有多根红外加热管连接棒，红外加热管上设有灯管压块，灯管压块两侧开设有多个圆孔，红外加热管连接棒穿过圆孔，灯管压块上设有云母片，上加热区底座两侧上端通过卡扣固定有接线排，云母片的上方设有升降底板，升降底板通过卡扣与上加热区底座固定连接，升降底板上端面中部开设有连接槽，连接槽上连接有光轴；本实用新型其结构简单，能够实现单独控制，其快速升降温度，而且加热部件区间距离可调，加热效果好，降低损耗。
【IPC分类】C23C14-24
【公开号】CN204608145
【申请号】CN201520109455
【发明人】孔令杰, 吴克松, 丁玉林
【申请人】安徽贝意克设备技术有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年2月13日